异质结

1.太阳能电池在光学设计优化中主要采取的措施。

A.在电池表面镀上减反射膜；

B.增加电池厚度以提高吸收；

C.表面制绒；

D.通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中的光径长度；

2.名词解释:

弗伦克尔缺陷：弗伦克尔缺陷是指原子离开其平衡位置而进入附近的间隙位置，在原来的位置上留下空位所形成的缺陷。其特点是填隙原子与空位总是成对出现。

光生伏特效应

反型异质结光谱响应的窗口效应：对于反型异质结，光从宽带隙材料表面入射并且垂直结平面。高能量的光子被宽带隙材料吸收，低能量的光子穿过宽带材料并且在界面附近被窄带材料吸收。

自发辐射：在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去

受激辐射：在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与穴复合，释放的能量产生光辐射

反向饱和电流：在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关

相干光：频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同

非相千光：其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的

2.PN异质结可能存在的几种主要的电流输运机构。

A.扩散（发射）模型；

B.简单隧道模型；

C.界面复合模型；

D.隧道复合模型；

E.界面—隧道复合模型；

4.电子跃迁的基本方式。

A.带间跃迁

B.经由杂质或缺陷的跃迁

C.热载流子的带间跃迁

5.突变反型异质结的扩散模型要满足的四个条件。

A.突变耗尽条件：电势集中在空间电荷区，注入的少数载流子在空间电荷区之外是纯扩散运动；

B.波尔兹曼边界条件：载流子分布在空间电荷区之外满足波尔兹曼统计分布；

C.小注入条件：注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多；

D.忽略载流子在空间电荷区的产生和复合。

6、半导体激光器的工作原理

向半导体PN 结注入电流，实现离子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡。

半导体发光二极管的工作原理

给发光二极管加上正向电压后，从P区到N 区的空穴和N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。

太阳能电池的工作原理：

依靠内建电场的作用把光在电池内部产生的电子-空穴对分开，有效地把它们送到n 区和p区以产生光生电动势。

7.半导体的发光机理。

A.电致发光；

B.光致反光；

C.阴极发光；

8.太阳能电池的理想等效电路图和实际等效电路图。

9.提高LED 光逸出效率的措施。

A.光学增透膜

B.LED芯片倒装结构

C.改变LED形状

D.电极优化

E.采用电流扩展层和电流阻挡层

F.表面粗化

G.生长分布布喇格反射层（DBR）结构

H.制作透明衬底LED（TS-LED）

10.太阳能电池中短路电流的大小的因素。

（1）太阳能电池的表面积；

（2）光子的数量（即入射光的强度）。电池输出的短路电流ISC的大小直接取决于光照强度；

（3）入射光的光谱。测量太阳能电池是通常使用标准的AM1.5大气质量光谱；

（4）电池的光学特性（吸收和反射）；

（5）电池的收集概率，主要取决于电池表面钝化和基区的少数载流子寿命。

在比较材料相同的两块太阳能电池时，最重要的参数是：扩散长度和表面钝化11.提高太阳能电池转换效率所需太阳能电池结构优化设计的方法。

1.在电池表面镀上减反射膜

2.表面制绒

3.增加电池的厚度以提高吸收

4.通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中光的路径长度

12.p-n 结加正向电压和反向电压时的导电情况。

正向电压，p-n结呈现低阻性。反向电压p-n结呈现高阻性

13.半导体激光器发出激光必须具备的条件。

1、受激辐射：激活介质经受激后能实现能级之间的跃迁；是产生激光的首要条件，也是必要条件，但还不是充分条件。

2、粒子数反转：能使激活介质产生粒子数反转的泵浦装置；在常温下，吸收多于发射。

选择适当的物质，使其在亚能级上的电子比低能级上的电子还多，即形成粒子数反转，使受激发射多于吸收。

3、谐振腔：放置激活介质的谐振腔，提供光反馈并进行放大，发出激光。激光器中开始产生的光子是自发辐射产生的，其频率和方向杂乱无章。要使频率单纯，方向集中，就必须有一个振荡腔。

14.传统光源相比，半导体发光二极管光源(LED) 所具备的优点、

1.高效节能

2.超长寿命

3.光线健康

4.绿色环保

5.保护视力

6.光效率高

7.安全系数高

8.防蚊虫

9.用着省心

15.提高LED 内量子效率的措施。

（1）采用晶格匹配的双异质结构；

（2）选取适当的有源区掺杂浓度；

（3）选取适当的限制层掺杂浓度；

（4）控制pn结偏移的影响；

（5）降低非辐射复合的影响。

16.为获得最高效率，在设计单节硅基太阳能电池时，要注意的原则。

（1）提高能被电池吸收并生产载流子的光的数量;

（2）提高pn结收集光生载流子的能力;

（3）尽量减小暗电流;

（4）尽可能收集不受电阻损耗的电流。

17.激光的基本特性。

1）方向性好---激光的发散角小。

2）亮度高、能量集中

3）单色性好

4）相干性好

18.异质结的分类。

19.“中国激光之父”王之江

20.影响尖峰势垒高度的因素。

（1）掺杂浓度：

当窄带材料的掺杂浓度比宽带材料的掺杂浓度低的多时，势垒主要落在窄带空间电荷区，宽带界面处的尖峰势垒低于窄带空间电荷区外的导带底，尖峰势垒为负。

当窄带材料的掺杂浓度比宽带材料的掺杂浓度高的多时，势垒主要落在宽带空间电荷区，宽带界面处的尖峰势垒高于窄带空间电荷区外的导带底，尖峰势垒为正。

（2）外加电压：

21.异质结材料的制备过程中的一些方法。

1. 液相外延法（LPE）

2. 金属有机化学气相沉积（MOCVD）

3. 分子束外延（MBE）

4. 化学束外延（CBE）

22.太阳能电池的分类。

1）按照基体材料分类:晶硅太阳能电池（单晶硅和多晶硅）,非晶硅太阳能电池,薄膜太阳能电池,化合物太阳能电池（如GaAs，CdS，CdTe等）,有机半导体太阳能电池。

2）按照结构分类：同质结太阳电池，异质结太阳电池，肖特基结太阳电池，复合结太阳电池，液结太阳电池等

3）按照用途分类：空间太阳电池，地面太阳电池，光敏传感器

4）按照工作方式分类：平板太阳电池，聚光太阳电池

23.LED光发射过程的步骤。

24.半导体的四种晶体结构，以及对应的常见材料。

25.半导体材料在制备过程中所要注意的基本考虑

1. 晶格失配：两种材料的晶格常数应尽量接近，才能构成比较理想的异质结，为此引入晶格失配度来描述材料的晶格常数的偏差程度。设两种材料的晶格常数为a1和a2，晶格失配

度为：

2/)

(

1

2

1

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a

a

a

a

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a

+

-

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其中，Δa是两种材料晶格常数之差，a为两种材料晶格常数的

平均值，晶格失配度Δa/a通常取其绝对值，表示为正的百分数。但当两种材料中有晶格常数为a1体单晶作为衬底，生长有晶格常数为a2的薄膜单晶时，Δa/a>0是正失配，Δa/a<0是负失配。

2. 热失配：如果两种材料有不同的热膨胀系数就会发生热失配。

对于室温晶格匹配而高温晶格失配的材料，若冷却过快，生长温度下形成的位错就会冻结下来；对于高温晶格匹配而室温晶格失配的材料，快速冷却会使位错数目减少，但在室温下降产生很大的应力。热失配在极端情况下还会导致龟裂。

3. 内扩散: 除了热失配外，在高温生长时，材料的界面还会存在所谓的内扩散，它特别发生在化合物材料中。化合物的组分和掺杂剂在界面两边相互扩散，能够改变异质结的突变性，并在界面处引入位错。

此外，内扩散还可能在异质结一边或两边造成同质结，从而掩盖异质结真实的特性。

异质结发展现状及原理

异质结发展现状及原理 pn结是组成集成电路的主要细胞。50年代pn结晶体管的发明和其后的发展奠定了这一划时代的技术革命的基础。pn结是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的(例如锗、硅及砷化镓等)，所以称之为“同质结”。如果把两种不同的半导体材料做成一块单晶，就称之为“异质结“。结两边的导电类型由掺杂来控制，掺杂类型相同的为“同型异质结”。掺杂类型不同的称为“异型异质结”。另外,异质结又可分为突变型异质结和缓变型异质结,当前人们研究较多的是突变型异质结。 1 异质结器件的发展过程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。 1947年12月,肖克莱、巴丁和布拉顿三人发明点接触晶体管。1956年三人因为发明晶体管对科学所做的杰出贡献,共同获得了科学技术界的最高荣誉——诺贝尔物理学奖。 1949年肖克莱提出pn结理论,以此研究pn结的物理性质和晶体管的放大作用,这就是著名的晶体管放大效应。由于技术条件的限制,当时未能制成pn结型晶体管,直到1950年才试制出第一个pn结型晶体管。这种晶体管成功地克服了点接触型晶体管不稳定、噪声大、信号放大倍数小的缺点。 1957年,克罗默指出有导电类型相反的两种半导体材料制成异质结,比同质结具有更高的注入效率。 1962年,Anderson提出了异质结的理论模型,他理想的假定两种半导体材料具有相同的晶体结构,晶格常数和热膨胀系数,基本说明了电流输运过程。 1968年美国的贝尔实验室和联的约飞研究所都宣布做成了双异质结激光器。 1968年美国的贝尔实验室和RCA公司以及联的约飞研究所都宣布做成了GaAs—AlxGal—。As双异质结激光器l；人5)．他们选择了晶格失配很小的多元合金区溶体做异质结对． 在70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展．液相夕随(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相沉积(MO—CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料生长方法相继出现，因而使异质结的生长日趋完善。分子束外延不

异质结太阳能电池综述

异质结太阳能电池研究现状 一、引言： 进入21世纪，传统的化石能源正面临枯竭，人们越来越认识到寻求可再生能源的迫切性。据《中国新能源与可再生能源发展规划1999白皮书统计，传统化石能源随着人们的不断开发已经趋于枯竭的边缘，各种能源都只能用很短的时间，石油：42年，天然气：67年，煤：200年。而且，由于大量过度使用这些能源所造成的环境污染问题也日益严重，每年排放的二氧化碳达210万吨，并呈上升趋势，二氧化碳的过度排放是造成全球气候变暖的罪魁祸首；空气中大量二氧化碳、粉尘含量已严重影响人们的身体健康和人类赖以生存的自然环境。正是因为这些问题的存在，人们需要一种储量丰富的洁净能源来代替石油等传统化石能源。而太阳能作为一种可再生能源正符合这一要求。太阳能每秒钟到达地面的能量高达80万千瓦，若把地球表面0.1%的太阳能转为电能，转变率5%，每年发电量就可达5.6×1012千瓦小

时。而我国太阳能资源非常丰富，理论储量达每年1700亿吨标准煤，太阳能资源开发利用的前景非常广阔。在太阳能的有效利用中,太阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。太阳能电池的研制和开发日益得到重视。本文简要地综述了各种异质结太阳能电池的种类及其国内外的研究现状。 二、国外异质结太阳能电池 1、TCO/TiO2/P3HT/Au三明治式结构的p-n异质结的太阳能电池 2005年5月份，Kohshin Takahashi等发表了TCO/TiO2/P3HT/Au三明治式结构的p-n异质结的太阳能电池，电池结构如图1。 图1 ITO/PEDOT:PSS/CuPc/PTCBI/Al结构太阳能电池 简图 图2 TCO/TiO2/P3HT/Au电池结构示意图 同时采用了卟啉作为敏化剂吸收光子，产生的电子注入

异质结纳米材料光催化性能

密级★保密期限：（涉密论文须标注） Z S T U Zhejiang Sci-Tech University 硕士学位论文 Master’s Thesis 中文论文题目: p-n型Cu2O/TiO2异质结纳米材料的结构及其光催化性能研究 英文论文题目：Structure and photocatalytic performance of p-n heterojunction Cu2O/TiO2 nanomaterals 学科专业：应用化学 作者姓名：周冬妹 指导教师：王惠钢 完成日期：2015年1月

浙江理工大学学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得浙江理工大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名： 签字日期：年月日

目录 中文摘要 ..................................................................................................................................... I Abstract .......................................................................................................................................... II 第一章前言. (1) 1.1背景 (1) 1.2文献综述 1.2.1纳米TiO2概述 (1) 1.2.2纳米Cu2O概述 (2) 1.2.3 p-n异质结用于光催化的基本原理 (2) 1.2.4p-n型Cu2O/TiO2异质结纳米材料光催化反应的研究进展 (4) 1.3本课题的选题思路及研究内容 (6) 参考文献 (7) 第二章还原法制备的Cu2O/TiO2异质结纳米颗粒及其光催化性能 (11) 2.1引言 (11) 2.2实验 (11) 2.2.1主要试剂和仪器 (11) 2.2.2实验方法和步骤 (12) 2.3实验结果与讨论 (13) 2.3.1Cu2O/TiO2颗粒的表征 (13) 2.3.1.1XRD表征 (13) 2.3.1.2XPS表征 (14) 2.3.1.3SEM与TEM表征 (15) 2.3.1.4PL表征 (17) 2.3.1.5DRS表征 (18) 2.3.2光催化性能实验 (19) 2.3.2.1光催化降解装置 (19) 2.3.2.2对亚甲基蓝的光催化降解性能 (19) 2.3.3Cu2O/TiO2复合材料中Cu2O颗粒的粒径调控 (20) 本章小结 (23)

异质结

异质结 百科名片 异质结，两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n 或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。 目录[隐藏] [编辑本段] 基本特性 所谓半导体异质结构，就是将不同材料的半导体薄膜，依先后 异质结 次序沉积在同一基座上。例如图2所描述的就是利用半导体异质结构所作成的雷射之基本架构。半导体异质结构的基本特性有以下几个方面。 (1) 量子效应：因中间层的能阶较低，电子很容易掉落下来被局限在中间层，而中间层可以只有几十埃（1埃＝10-10米）的厚度，因此在如此小的空间内，电子的特性会受到量子效应的影响而改变。例如：能阶量子化、基态能量增加、能态密度改变等，其中能态密度与能阶位置，是决定电子特性很重要的因素。 (2) 迁移率(Mobility)变大：半导体的自由电子主要是由于外加杂质的贡献，因此在一般的半导体材料中，自由电子会受到杂质的碰撞而减低其行动能力。然而在异质结构中，可将杂质加在两边的夹层中，该杂质所贡献的电子会掉到中间层，因其有较低的能量（如图3所示）。因此在空间上，电子与杂质是分开的，所以电子的行动就不会因杂质的碰撞而受到限制，因此其迁移率就可以大大增加，这是高速组件的基本要素。 (3)奇异的二度空间特性：因为电子被局限在中间层内，其沿夹层的方向是不能自由运动的，因此该电子只剩下二个自由度的空间，半导体异质结构因而提供了一个非常好的物理系统可用于研究低维度的物理特性。低维度的电子特性相当不同于三维者，如电子束缚能的增加、电子与电洞复合率变大，量子霍尔效应，分数霍尔效应[1]等。科学家利用低维度的特性，已经已作出各式各样的组件，其中就包含有光纤通讯中的高速光电组件，而量子与分数霍尔效应分别获得诺贝尔物理奖。

半导体物理50本书

半导体物理50本书 1、半导体激光器基础633/Q003 (日)栖原敏明著科学出版社;共立出版2002.7 2、半导体异质结物理211/Y78虞丽生编著科学出版社1990.5 3、超高速光器件9/Z043 (日)斋藤富士郎著科学出版社;共立出版2002.7 4、半导体超晶格物理214/X26夏建白，朱邦芬著上海科学技术出版社1995 5、半导体器件:物理与工艺6/S52 (美)施敏(S.M.Sze)著科学出版社1992.5 6、材料科学与技术丛书.第16卷,半导体工艺5/K035(美)R.W.卡恩等主编科学出版社1999 7、光波导理论与技术95/L325李玉权,崔敏编著人民邮电出版社2002.12 8、半导体光学性质240.3/S44沈学础著科学出版社1992.6 9、半导体硅基材料及其光波导571.2/Z43赵策洲电子工业出版社1997 10半导体器件的材料物理学基础612/C49陈治明，王建农著科学出版社1999.5 11、半导体导波光学器件理论及技术666/Z43赵策洲著国防工业出版社1998.6

12、半导体光电子学631/H74黄德修编著电子科技大学出版社1989.9 13、分子束外延和异质结构523.4/Z33 <美>张立刚，<联邦德国>克劳斯·普洛格著复旦大学出版社1988.6 14、半导体超晶格材料及其应用211.1/K24康昌鹤，杨树人编著国防工业出版社1995.12 15、现代半导体器件物理612/S498 (美)施敏主编科学出版社2001.6 16、外延生长技术523.4/Y28杨树人国防工业出版社1992.7 17、半导体激光器633/J364江剑平编著电子工业出版社2000.2 18、半导体光谱和光学性质240.3/S44(2)沈学础著科学出版社2002 19、超高速化合物半导体器件572/X54谢永桂主编宇航出版社1998.7 20、半导体器件物理612/Y75余秉才，姚杰编著中山大学出版社1989.6 21、半导体激光器原理633/D807杜宝勋著兵器工业出版社2001.6 22、电子薄膜科学524/D77 <美>杜经宁等著科学出版社1997.2 23、半导体超晶格─材料与应用211.1/H75黄和鸾，郭丽伟编著辽宁大学出版社1992.6 24、半导体激光器及其应用633/H827黄德修，刘雪峰编著国防

异质结发展概况

异质结发展概况 半导体异质结是由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结。两种材料禁带宽度的不同以及其他特性的不同使异质结具有一系列同质结所没有的特性，在器件设计中将实现某些同质结不能实现的功能。例如，在异质结晶体管中用宽带一侧做发射极将得到很高的注入比，因而可获得较高的放大倍数。 早在二十世纪三十年代初期，前苏联列宁格勒约飞技术物理研究所的学者们就开始了对半导体异质结的探索，到了1951年，由Gubanov首先提出了异质结的概念，并进行了一定的理论分析工作，但是由于工艺技术的困难，一直没有实际制成异质结。20世纪60年代初期，pn结晶体管取得了巨大的成功，人们开始关注对异质结的研究，对异质结的能带图、载流子在异质结中的输运过程以及异质结的光电特性等提出了各种理论模型并做了理论计算。但是由于制备工艺的原因，未能制备出非常理想的异质结，所以实验特性和理论特性未能达到一致，实验上也未能制备出功能较好的器件。在20世纪70年代里，异质结的生长工艺技术取得了十分巨大的进展。液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、金属有机化学气相淀积(MO-CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料生长方法相继出现，使异质结的发展逐渐趋于完善。分子束外延技术不仅能生长出很完整的异质结界面，而且对异质结的组分、掺杂、各层厚度都能在原子量级的范围内进行精确控制。 工艺技术的进步促进了对异质结进一步深入研究，对异质结的宏观性质，如pn结特性、载流子输运过程、光电特性、能带图、结构缺陷、复合和发光等方面的问题，有了更细致的了解。这对异质结器件的原理和设计都有指导作用。在异质结器件方面，首先在异质结半导体激光器上取得了突破性进展。异质结的禁带宽度之差造成了势垒对注入载流子的限制作用和高注入比特性，都有助于实现粒子数反转分布。两种材料折射率的不同，有助于实现光波导，以减少光在谐振腔以外的损失，因而异质结激光器能在室温下实现连续工作。 1968年江崎和朱兆祥提出了超晶格的思想，自此，对异质结超晶格的研究也逐步深化。目前，已有多种异质结对做成了超晶格结构，并对他们的电学、光学及输运特性进行了广泛的理论和实验研究。近几年，对异质

异质结原理与器件小论文

异质结原理与器件小论文 （小组） 题目：GaN——第三代半导体的新势力队长：刘敏物理1001 成员：马丹丹光信1001 李秋虹光信1002

目录 选题背景 (3) 一、GaN材料的发展概述 (4) 二、GaN材料的特性 (4) 2.1化学特性 (6) 2.2结构特性 (6) 2.3电学特性 (7) 2.4光学特性 (7) 三、GaN材料的应用 (8) 3.1新型电子器件 (8) 3.2光电器件 (8) 四、GaN的优缺点 (10) 4.1GaN材料的缺点 (10) 4.2GaN材料的优点 (11) 五、总结 (12) 六、参考文献 (13) 七、异质结小组分工及时间安排 (13)

GaN——第三代半导体的新势力 选题背景：自20世纪60年代，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 关键词：氮化镓半导体材料特性应用

异质结建模

异质结建模 最近，有许多朋友询问我如何进行异质结建模的问题，在下不才，学习了一点这方面的知识，对于异质结，我的理解就是与树木嫁接一样，只有截面差不多大的树木才能嫁接存活，在此总结了一些异质结建模步骤分享给大家。 一.MoS2 与ZnO 首先，导入ZnO（或者也可以根据晶胞参数进行建立），建立MoS2（P63 a=b=3.17 c=12.3 S1 0.333 0.667 0.8789 S2 0.333 0.667 0.6211 Mo 0.333 0.667 0.25）如图所示： 相应的参数信息： ZnO：

MoS2： 然后你会发现它们都是六方晶系，a,b的值又很相近，这个时候我们想到可以做关于001方向的异质结，那么接下来我们来建立异质结。这个时候有人会问做多大的异质结可以晶格匹配，那么我告诉你，1×1,2×2,3×3……都可以，不信我们来看看。 二.首先，分别做与ZnO 与MoS2 的001切面 点击Build，surfaces，Cleave Surface， 这里的top指的是切面的位置，调节这个可以使裸露在表面的原子不同，Thichness 指的是厚度，根据自己的需要改变值，自己可以试着玩下。 点击Crystals，建立真空层，真空层一般选用15埃。

MoS2删除一层 接下来建立异质结，一种是将框子摆正，选择一层复制，粘贴到另外一个框子里面，然 后调节位置，，具体细节很简单，大家可以试试。另外一种是通过软件建立选项建立，Build，Build Layers，建立异质结界面，

强调下选择下面这个，然后建立真空层(Build，15埃真空层，与前面操作一样。 这里的距离可以调节，一般的范德华力作用范围在3埃左右。右边是用同样的方法做的2×2的异质结，主要是最开始需要分别做2×2的晶胞，后面操作一样。 二．MoS2与石墨烯 导入石墨烯，建立MoS2。

半导体物理与器件基础知识

9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图：

电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触

附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结：两种不同的半导体形成一个结 小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。

2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，因此达到相同电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结，两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低

异质结理论与半导体激光器的发展现状与趋势

摘要：本文介绍了有关异质结和半导体激光器的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,第二部分介绍了半导体激光器发展过程与应用,最终以半导体激光器为例,展望激光器和异质结技术发展方向。 关键词：异质结，激光器 Abstract: The paper is a review of technique and recent progress about heterojunction and LD. Above all the history of development progress of heterojunction were introduced .Secondly it’s about the development and application of LD. Finally take LD for example, prospected the development direction of heterojunction and LD. Key words:heterojunction, laser 引言 半导体的核心是pn结,pn结是在一块半导体中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的,也称为“同质结”。如果结两边是用不同的材料制成,就称为“异质结”。异质结相对于同质结来说有许多优良的特性，特别是在半导体激光器方面有的得天独厚的优势。 第一章异质结的发展历程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。然而，随着无线移动通信、GPS、雷达及高速数据处理系统的飞速发展以及全球范围的军事及空间技术走向民用，对器件和电路的性能，如频率特性、噪声特性、封装面积、功耗和成本等提出了更高的要求[1]。在20 世纪60 年代初期，当pn结晶体管刚刚取得巨大成功的时候，人们就开始了对半导体异质结的研究。相对于同质结，异质结器件会有一些独特的功能：比如，在异质结晶体管中用宽带一侧做发射极会得到很高的注入比，因而可以获得较高的放大倍数。还有，如果在异质结中两种材料的过渡是渐变的，则禁带宽度的渐变就相当于存在一个等效的电场，使载流子的渡越时间减小，器件的响应速度增加等等。 但是实验上很难得到非常理想的异质结，由于组成异质结的两种材料晶格常数不同，当他们长成同一块单晶时，晶格的周期性在界面附近发生畸变，晶格畸变形成大量位错和缺陷，除了这种由材料本身固有性质决定的缺陷以外，生长工艺上的不完善还会引进更多的附加缺陷。这些界面上的位错缺陷将成为少子的复合中心。早期生长的异质结中因为界面缺陷太多，无法实现少子注入功能，因而不能做出性能良好的异质结。到了20世纪70年代,随着液相外延(LPE),汽相外延(VPE) ,金属有机化学气相沉积(MO-CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料成长方法相继出现,使异质结的生长日趋完善，有利于异质结物理研究的深入开展，极大地促进了异质结器件和电路的快速发展[4]。自从1969年江崎和朱兆祥提出半导体超晶格的概念以来，“能带工程”愈来愈受到人们的重视，因为通过对不同材料能带的裁剪组合，利用异质结的能带突变和具有纳米尺度低维系统(二维、一维或零维)的量子限制效应，可以制作出性能优异的微波、超高速器件、电路及光电子器件。异质结构材料和器件的研究为大幅度提高器件和电路性能开辟了一条新的道路，并已成为“能带工程”的重要内容[2]。 目前的研究主要集中在①电子器件：制备开关器件、整流器件、场效应晶体管、异质结双极晶体管(HBT)和HEMT(High electron mobility transistor)②制备新型的发光设备取代传统光源如白光LED、制备异质结发光二极管③制备异质结激光器④制备太阳能电池⑤超晶格和多量子阱器件[3]。尤其是量子阱超晶格器件由于它优异的性能成为了目前半导体器件的研究热点。

半导体异质结

异质结 半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs 之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构如图1所示。 如图1(a)所示，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的禁带中，ΔEc和ΔEv的符号相反，GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都属于这一种。在Ⅱ型异质结中，ΔEc和ΔEv的符号相同。具体又可以分为两种:一种如图1(b)所示的交错式对准，窄带材料的导带底位于宽带材料的禁带中，窄带材料的价带顶位于宽带材料的价带中。另一种如图1(c)所示窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的价带中［14］。 Ⅱ型异质结的基本特性是在交界面附近电子和空穴空间的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函数的交叠，导致光学矩阵元的减少，从而使辐射寿命加长，激子束缚能减少。由于光强和外加电场会强烈影响Ⅱ型异质结的特性，使得与Ⅰ型异质结相比，Ⅱ型异质结表现出不寻常的载流子的动力学和复合特性，从而影响其电学、光学和光电特性及其器件的参数。 在Ⅰ型异质结中能级的偏差量具有不同的符号，电子和空穴是在界面的同一侧（窄带材料一侧）由受热离化而产生的。这种情况下只有一种载流子被束缚在量子阱中（n-N结构中的电子，p-P结构中的空穴）。Ⅱ型异质结能级的偏差量具有相同的符号，电子和空穴是在界面的不同侧由受热离化而产生的。两种载流子被束缚在自洽的量子阱中，因此在Ⅰ型异质结中载流子复合发生在窄带材料一侧，Ⅱ型异质结中载流子复合主要是借助界面的隧道而不是窄带材料一侧。 不同半导体的能隙宽度可根据使用的要求做适当调整，办法可以是取代半导体元素(例如，用In或者Al代替Ga，用P、Sb或N代替As)，也可以通过改变合金的成分。有多种方法可用于形成不同半导体层之间的突变界面，例如分子束外延法(MBE)和金属有机化学沉积法(MOCVD)。运用这些方法在基片上会有一层一层的原子以适当的晶格常数向外生长。异质结构对科学有重大影响，是高频晶体管和光电子器件的关键成分。

高等半导体物理Chapter 2 半导体异质结构物理

第二章半导体异质结构物理§2.1 半导体异质结构的能带排列 §2.2 半导体异质结构的伏安特性 §2.3 半导体异质结构的电子器件

第二章半导体异质结构物理§2.1 半导体异质结构的能带排列 §2.2 半导体异质结构的伏安特性 §2.3 半导体异质结构的电子器件

§2.1 半导体异质结构的能带排列2.1.1半导体异质结构的发展简史211 2.1.2半导体异质结构的晶格失配2.1.3半导体异质结构的能带排列

瑞典皇家科学院2000年10月10日宣布，将本年度诺贝尔物理学奖授予给阿尔费罗夫(Zhores I. Alferov)、()(y) 克勒默(Herbert Kroemer)和基尔比(Jack S. Kilby)三人，以表彰他们为现代信息技术，特别是他们发明的高速晶体管、激光二极管和集成电路芯片所作出的奠基性晶体管激光二极管和集成电路芯片所作出的奠基性的贡献。基尔比是由于发明并发展了集成电路技术而获奖，阿尔费罗夫和克勒默则是由于他们在半导体异获奖阿尔费夫 质结及其在电子和光电子学中的应用方面的突出贡献而获奖。

?1957年，克勒默就预言异质结构有着比同质结大的注入效率，同时对异质结在太阳能电池中的应用也提出了许多有益的构想。 1963年前后，苏联学者阿尔费罗夫和美国的克勒默独立地提出基于双?年前后苏联学者阿尔费罗夫和美国的克勒默独立地提出基于双异质结构激光器的概念。阿尔费罗夫利用双注入获得高密度的载流子注入和反转粒子数密度的可行性。 ?1970年，阿尔费罗夫小组和美国贝尔实验室的哈亚斯(I. Hayashi)和潘(M B Panish) 尼斯(M. B. Panish)等发表了激动人心的以异质结为基础的半导体激光器室温连续激射，这也是半导体激光器的第二个里程碑。 其后美国、苏联、英国、日本以及巴西、波兰和中国在内的许多大学?其后美国苏联英国日本以及巴西波兰和中国在内的许多大学和研究所都开展了异质结和III-V族化合物电子和光电子器件的研究热潮 潮。

异质结原理与器件期末论文..

《异质结原理与器件》 期末论文 题目异质结理论与半导体激光器的发展现状与趋势 班级光信息1102 姓名杨星 学号 20112827 完成日期 2013年12月9日 成绩

摘要：本文介绍了有关异质结和半导体激光器的技术及其研究进展,首先简要介绍了异质结器件的历史发展过程,第二部分介绍了半导体激光器发展过程与应用,最终以半导体激光器为例,展望激光器和异质结技术发展方向。 关键词：异质结，激光器 引言： 半导体的核心是pn结,pn结是在一块半导体中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边是用同一种材料做成的,也称为“同质结”。如果结两边是用不同的材料制成,就称为“异质结”。异质结相对于同质结来说有许多优良的特性，特别是在半导体激光器方面有的得天独厚的优势。 一、异质结的发展历程 pn结是组成集成电路的主要细胞,50年代pn结晶体管的发明及其后的发展奠定了现代电子技术和信息革命的基础。然而，随着无线移动通信、GPS、雷达及高速数据处理系统的飞速发展以及全球范围的军事及空间技术走向民用，对器件和电路的性能，如频率特性、噪声特性、封装面积、功耗和成本等提出了更高的要求[1]。在20 世纪60 年代初期，当pn结晶体管刚刚取得巨大成功的时候，人们就开始了对半导体异质结的研究。相对于同质结，异质结器件会有一些独特的功能：比如，在异质结晶体管中用宽带一侧做发射极会得到很高的

注入比，因而可以获得较高的放大倍数。还有，如果在异质结中两种材料的过渡是渐变的，则禁带宽度的渐变就相当于存在一个等效的电场，使载流子的渡越时间减小，器件的响应速度增加等等。 但是实验上很难得到非常理想的异质结，由于组成异质结的两种材料晶格常数不同，当他们长成同一块单晶时，晶格的周期性在界面附近发生畸变，晶格畸变形成大量位错和缺陷，除了这种由材料本身固有性质决定的缺陷以外，生长工艺上的不完善还会引进更多的附加缺陷。这些界面上的位错缺陷将成为少子的复合中心。早期生长的异质结中因为界面缺陷太多，无法实现少子注入功能，因而不能做出性能良好的异质结。到了20世纪70年代,随着液相外延(LPE),汽相外延(VPE) ,金属有机化学气相沉积(MO-CVD)和分子束外延(MBE)等先进的材料成长方法相继出现,使异质结的生长日趋完善，有利于异质结物理研究的深入开展，极大地促进了异质结器件和电路的快速发展[4]。自从1969年江崎和朱兆祥提出半导体超晶格的概念以来，“能带工程”愈来愈受到人们的重视，因为通过对不同材料能带的裁剪组合，利用异质结的能带突变和具有纳米尺度低维系统(二维、一维或零维)的量子限制效应，可以制作出性能优异的微波、超高速器件、电路及光电子器件。异质结构材料和器件的研究为大幅度提高器件和电路性能开辟了一条新的道路，并已成为“能带工程”的重要内容[2]。 目前的研究主要集中在①电子器件：制备开关器件、整流器件、场效应晶体管、异质结双极晶体管(HBT)和HEMT(High electron mobility transistor)②制备新型的发光设备取代传统光源如白光

2008年博士生入学半导体异质结物理试题

2008年博士生入学“半导体异质结物理”试题（闭卷） 导师：王占国 1、举例说明什么是同质外延，什么是异质外延，什么是应变异质外延？画出理想的同质和异质PN 结的能带示意图，比较其不同，其中异质PN 结的N 区为宽带隙半导体材料。 （20分） 2、下图中显示的是InP 衬底上生长一层InAlAs 外延层的样品的X 射线双晶衍射(004)曲线。横坐标(2θ)是衍射射线与入射射线的夹角，纵坐标是衍射射线强度。（晶格常数：InP －5.8688?，InAs －6.0584?，AlAs －5.6612?；(004)衍射公式：2?d ?sin(θ)=4λ ） （20分） (1)请说明两个主峰的来源（分别对应于哪一层）； (2)根据两个主峰的峰位数据和有关晶格常数的数值，计算InAlAs 层中In 、Al 的相对组分含量； (3)试分析众多小峰的来源，由此能得到样品的哪些结构信息及相应的数值？ I n t e n s i t y 2θ (deg) 3、考虑半导体导带底附近的电子在Z 方向上的运动受到宽度为a 的无限深势阱的限制，而在XY 平面内可以自由运动， (1) 试分析电子本征能量分布的特点；(2) 求出电子的状态密度g(E)，并用图形表示出来；(3) 当电子在X 、Y 和Z 方向上的运动都受到限制时，它的本

征能量和状态密度发生什么改变？（20分） 4、什么是半导体中的过剩载流子，它们是如何产生的？在外场撤消后，在半导 体异质结中过剩载流子可能通过哪几种复合机制恢复到平衡状态？可以通过哪些实验手段可以研究过剩载流子的特性？任举一个例子说明。（20分） 5、下述二题任选一题（20分） （1）简述宽带隙半导体材料氮化镓（GaN）和AlGaN/GaN异质结的物理特性及其可能的器件应用。 （2）半导体超晶格和多量子阱结构的差别是什么？超晶格的子带宽度与势垒厚度有关系吗，为什么？半导体超晶格和多量子阱结构各有哪 些主要的器件应用？

(完整word版)半导体物理与器件习题

第一章 固体晶格结构 1．如图是金刚石结构晶胞，若a 是其晶格常数，则其原子密度是 。 2．所有晶体都有的一类缺陷是：原子的热振动，另外晶体中常的缺陷有点缺陷、线缺陷。 3．半导体的电阻率为10-3～109Ωcm 。 4．什么是晶体？晶体主要分几类？ 5．什么是掺杂？常用的掺杂方法有哪些？ 答：为了改变导电性而向半导体材料中加入杂质的技术称为掺杂。常用的掺杂方法有扩散和离子注入。 6．什么是替位杂质？什么是填隙杂质？ 7．什么是晶格？什么是原胞、晶胞？ 第二章 量子力学初步 1．量子力学的三个基本原理是三个基本原理能量量子化原理、波粒二相性原理、不确定原理。 2．什么是概率密度函数？ 3．描述原子中的电子的四个量子数是： 、 、 、 。 第三章 固体量子理论初步 1．能带的基本概念 ? 能带（energy band ）包括允带和禁带。 ? 允带（allowed band ）：允许电子能量存在的能量范围。 ? 禁带（forbidden band ）：不允许电子存在的能量范围。 ? 允带又分为空带、满带、导带、价带。 ? 空带（empty band ）：不被电子占据的允带。 ? 满带（filled band ）：允带中的能量状态（能级）均被电子占据。 导带：有电子能够参与导电的能带，但半导体材料价电子形成的高能级能带通常称为导带。 价带:由价电子形成的能带，但半导体材料价电子形成的低能级能带通常称为价带。 2．什么是漂移电流？ 漂移电流：漂移是指电子在电场的作用下的定向运动，电子的定向运动所产生的电流。 3．什么是电子的有效质量？ 晶格中运动的电子，在外力和内力作用下有： Ｆ总＝Ｆ外＋Ｆ内=ma, m 是粒子静止的质量。 Ｆ外=m*n a, m*n 称为电子的有效质量。 4．位于能带底的电子，其有效质量为正，位于能带顶电子，其有效质量为负。 5．在室温T=300K ， Si 的禁带宽度：Eg=1.12eV Ge 的禁带宽度：Eg=0.67eV GaAs 的禁带宽度：Eg=1.43eV Eg 具有负温度系数，即T 越大，Eg 越小； Eg 反应了，在相同温度下，Eg 越大，电子跃迁到导带的能力越弱。 6．在热平衡状态下，晶体中的电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定 的，电子遵循费米统计律，电子的费米分布函数是： 费米能级E F 和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量有关。处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。 因此，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本没有被电子占据，而能量小于费米能级的量子态基本上为电子所占据；而电子占据费米能级的几率在各种温度下总是１/2. 费米能级标志了电子填充能级的水平，比E F 高的量子态，基本为空，而比E F 底的量子态基本上全被电子所占满.这样费米能级 E F 就成为量子态是否被电子占据的分界线： 1) 能量高于费米能级的量子态基本是空的； 2) 能量低于费米能级的量子态基本是满的； ) ex p(11 )(0T k E E E f F -+=

异质结

1.太阳能电池在光学设计优化中主要采取的措施。 A.在电池表面镀上减反射膜； B.增加电池厚度以提高吸收； C.表面制绒； D.通过表面制绒与光陷阱的结合来增加电池中的光径长度； 2.名词解释: 弗伦克尔缺陷：弗伦克尔缺陷是指原子离开其平衡位置而进入附近的间隙位置，在原来的位置上留下空位所形成的缺陷。其特点是填隙原子与空位总是成对出现。 光生伏特效应 反型异质结光谱响应的窗口效应：对于反型异质结，光从宽带隙材料表面入射并且垂直结平面。高能量的光子被宽带隙材料吸收，低能量的光子穿过宽带材料并且在界面附近被窄带材料吸收。 自发辐射：在高能级E2的电子是不稳定的，即使没有外界的作用，也会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放的能量转换为光子辐射出去 受激辐射：在高能级E2的电子，受到入射光的作用，被迫跃迁到低能级E1上与穴复合，释放的能量产生光辐射 反向饱和电流：在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关 相干光：频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同 非相千光：其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的 2.PN异质结可能存在的几种主要的电流输运机构。 A.扩散（发射）模型； B.简单隧道模型； C.界面复合模型； D.隧道复合模型； E.界面—隧道复合模型； 4.电子跃迁的基本方式。 A.带间跃迁 B.经由杂质或缺陷的跃迁 C.热载流子的带间跃迁 5.突变反型异质结的扩散模型要满足的四个条件。 A.突变耗尽条件：电势集中在空间电荷区，注入的少数载流子在空间电荷区之外是纯扩散运动； B.波尔兹曼边界条件：载流子分布在空间电荷区之外满足波尔兹曼统计分布； C.小注入条件：注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小得多； D.忽略载流子在空间电荷区的产生和复合。 6、半导体激光器的工作原理 向半导体PN 结注入电流，实现离子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡。 半导体发光二极管的工作原理 给发光二极管加上正向电压后，从P区到N 区的空穴和N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。 太阳能电池的工作原理：

半导体物理学[第九章异质结]课程复习

第九章异质结 9．1 理论概要与重点分析 (1)由两种不同的半导体材料形成的结，称为异质结。异质结是同质结的引申和发展，而同质结是异质结的特殊情况。异质结分为同型异质结(如n-nGe—GaAs，p—pGe-Si，等)和反型异质结(如p—nGe—GaAs，p—nGe—Si等)。另外，根据结处两种材料原子过渡的陡、缓情况，可分为突变和缓变异质结。 通常形成异质结的两种材料沿界面有相近的结构，因而界面仍保持晶格连续。 (2)研究异质结的特性时，异质结的能带图起着重要作用。在不考虑界面态的情况下，任何异质结能带图都取决于两侧半导体材料的电子亲和能、禁带宽度、功函数(随掺杂类型及浓度而异)三个因素。然而平衡异质结内具有统一费米能级仍然是画能带图的重要依据。 由于禁带宽度和电子亲和能不同，两种半导体的E c 、E v ，在交界面处出现不 连续而发生突变，其突变量： 由于晶格失配，必然在界面处存在悬挂键而引入界面态，晶格失配越严重，悬挂 键密度越高，界面态密度越大。 不同晶面相接触形成异质结其悬挂键密度是不同的，经推算，几个主要面形 成异质结后的悬挂键密度△N s 分别为

如果界面态的密度很大(1013／cm2以上)，表面处的费米能级在表面价带以上禁带宽度的1/3处。对n型半导体，界面态起受主作用，界面态接受体内电子，界面带负电，半导体表面带正电，使能带上弯。对p型半导体，界面态起施主作用，界面态向体内施放电子，界面带正电，半导体表面带负电，使能带下弯。总之高界面态的存在，使异质结的能带图与理想情况相比有较大的变化。 (4)因为异质结在结处能带不连续，存在势垒尖峰和势阱，而且还有不同程度的界面态和缺陷，使异质结的电流传输问题比同质结要复杂得多。不存在一种在多数情况下起主导作用的电流传输机制，根据结的实际情况发展了多种电流传输模型。这些模型是：扩散模型、发射模型、发射复合模型、隧道一复合模型等。分别或联合使用这些模型计算的结果，可使不同异质结的伏安特性有较好的解释。 (5)异质结的调制掺杂和量子阱结构。如果在异质结宽禁带一边重掺杂，窄禁带一边不掺杂，就构成调制掺杂结构。设宽禁带重掺杂一边为n型，其费米能级远高于窄禁带，因而电子从重掺杂一边注入到不掺杂的一边，使电子的输运在不掺杂一边进行。这样使提供载流子的材料与输运载流子的材料在空间上分开，大大减少了载流子输运时受电离杂质的散射作用，使迁移率大为提高，这就是迁移率的增强效应。用此原理可制成异质结高迁移率晶格管。 实际上在调制掺杂结构中，宽禁带重掺杂一边的载流子注入到不掺杂一边的过程中，两边的费米能级逐渐趋于相等，最后达到平衡，在结处形成空问电荷区，其电场使能带发生弯曲，在窄禁带半导体近结处形成电子势阱。窄禁带半导体中获得的高密度电子仅存在于很薄的近似三角形的势阱中。在平行于结面方向，是

半导体物理与器件基础知识

半导体物理与器件基础 知识 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图：

电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触

附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结：两种不同的半导体形成一个结 小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。

直接Z型异质结材料综述

直接Z型异质结材料综述 一前言 由于化石能源储量有限及其使用中带来的环境污染，开发新的、可再生的清洁能源成为关系人类生存和可持续发展的重大课题。太阳能是最洁净而又取之不尽的自然能源，光合作用是绿色植物在光照作用下将二氧化碳和水转化为碳水化合物的过程，人类赖以生存的能源和材料都直接和间接地来自光合作用。人工光合作用 (即模拟自然界中的光合作用)是在光辐照下，利用光催化剂将太阳能转化为氢能(或碳氢燃料)，也可以净化环境。因此，光催化剂有望成为新能源利用和环境净化的关键，为未来能源利用和环境污染处理提供一个可行的突破口，其中Z型光催化材料具有更优秀的氧化还原能力，它的应用代表了当前最前沿的新能源利用和环境净化的发展趋势，展现出广阔的应用前景。 二正文 Z型光催化反应体系的机理 自然界中，Z型光反应系统是植物光合作用光反应阶段的重要组成部分，由两个光化学反应和一系列的中间酶促氧化还原反应组成。电子的传递过程如图1所示，首先，叶绿素P680 (PS II)在光照射下成激发态P680*，水分子在叶绿素P680上发生氧化反应生成O2，在细胞色素、蛋白酶等的作用下，电子由P680*转移至叶绿素P700 (PSI)叶绿素P700光照激发后，产生的光生电子最终在酶的作用下与NADP+结合生成还原型辅酶II(NADPH)，用以还原CO2合成碳氢氧化合物。电子的转移过程在图中构成类似英文字母Z的形状，故而称之为Z型。这个体系首先Bard由在研究了植物的光合作用后于1979年提出。 图1植物光合作用过程中电子的Z型传递示意图 光合作用中Z型光反应的产氧和生成NADPH分别发生在两个不同的部位人工Z型光催化