模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案
一、填空（18分）
1．二极管最主要的特性是单向导电性。
3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可
选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。
6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。
二、选择正确答案填空（20分）
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。
A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。
A.基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。
A.积分运算电路
B.微分运算电路
C.过零比较器
D.滞回比较器
8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。
a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真
9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。
a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区
三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ，
R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ，
R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’
Ω，电流放大系
数 β 50，电路中电容容量足够大，要求：
1．求静态值I
BQ ，I
CQ
和U
CEQ
( 设U
BEQ
0.6 V )；
u I
u o
R L
2．画出放大电路的微变等效电路；
3．求电压放大倍数A u ，源电压放大倍数A u s ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。
4．去掉旁路电容C E ，求电压放大倍数A u ，输入电阻R i 。 (12分)
解: (1) V 9.22
12B B B B =?+=
CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U U
m A 09.1E
E
E C ==
≈R U I I m A 02.0E
B ==
β
I I
V 46.5)(C E C CC CE =?+-=I R R V U Ω=+=k ..4109
126
51
200r be (3) 70)
//(be
L C -≈-
=r R R A u β Ω≈=k 1////be B2B1i r R R R Ω==k 9.3C O R R
817s
i i
s o s .A R R R u u A u u -≈+==
Ω≈++=k 443])1([E be B2B1i .R r //R //R R β (4) 901E
be L C u .R )(r )
R //R (A -≈++-
=ββ
四、设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分)
U 01 = 6 V U 02 = 6 V U 03 = 4 V
U 04 = 10 V U 05 = 2 V U 06 = 2 V
五、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。
（8分） 为电流串联负反馈
(1) (2) 10 k Ω
2V
(3) 20 k Ω
2(5) 2 o5
(6)
2 20 k Ω
六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L 0.5 mH ，C 1 C 2 40 pF 。(8分)
(a )不能振荡。图(b )可能振荡，为电容三点式正弦波振荡电路。振荡频率为
MHz 591212
12
1o .≈+π≈
C C C C L f
七、在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？
2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？
3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分）
管
V CC V CC
(a ) C b (b )
u O + —
L
E
1E
f 1uf R R R R R R A ++-
=
饱和管压降为0V 。
1． 为稳定输出电压u O ，正确引入负反馈； 2． 若使闭环电压增益A uf = 10，确定R f = ？
3． 求最大不失真输出电压功率P omax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？（10分）
1．电压串联负反馈。(图略) 2．10)1(1
f
uf =+
=R R A R f = 90 k Ω 3．W 142L
2
CC omax
==R V
P 最大输出时U om = V CC =A uf U im U im = 1.5V
中 南 大 学
模拟电子技术试卷（第4套）
一、填空题(本题24分，每空1.5分)
1. 稳压管通常工作在 状态（A.正向导通；B.反向击穿）。
2. 在OCL 乙类功放中，若其最大输出功率为1W ，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为 。
3. 某放大电路负载开路时，U O =6V ，接上3KΩ负载后，U O =4V ，说明该放大电路的输出电阻R 0= 。
4. 正弦波振荡器的振荡条件是 。
5. 为了避免50Hz 电网电压的干扰信号进入放大器，应选用 滤波电路。
6. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入 负反馈，为了稳定放大倍数应引入 负反馈。
7. 互补输出级中的BJT 通常采用 接法，其目的是为了提高 （A.负载能力；B.最大不失真输出电压）。 8. 通用型集成运放通常采用 耦合方式。
9. 双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加 偏置电压，集电极需要加 偏置电压；场效应管是 控制器件。
10. 在运算电路中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。
二、(共12分)
1． 二极管电路如图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V ，求输出电压U o （6分） 2． 测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如图所示， （6分）
试说明三极管为（ ）管，（ ）类型。
a. 硅管；
b. 锗管；
c. NPN ；
d. PNP ；
三、电路如下图所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，写出u o1、u o2的表达式并填表。 （12分）
四、判断电路中整体反馈的反馈组态，求U O
的表达式。（12分）
五、下图中β=30，r be =1kΩ, R b =300kΩ, Rc=R L =5kΩ, R e =2kΩ,U BE =0.7V, Vcc=24V （本题16分） 1．计算电路的静态工作点； 2．画出该电路的微变等效电路； 3．计算Au 、Ri 、Ro
参考答案
一、
1．1．反向击穿； 2．2．0.2W ； 3．3．1.5K ；
4．4．1≥F A
和π??n B A 2=+； 5．5．带阻；
6．6．直流、交流； 7．7．共集、负载能力； 8．8．直接； 9．9．电流、正向、反向、电压； 10． 10． 线性、非线性；
二、
1． 1． Uo ＝－0.7V ； 2． 2． 锗管、PNP ； 三、
I o I
o u u u u 111021=-=
四、电压－串联负反馈
122
1111
R R F A R R R U U F uf o
f +=≈
+=
=
I I uf o U R R U A U )1(1
2
+==
五、
1．
A
R R U V I e b BEQ
CC BQ μβ64)1(≈++-=
mA I I BQ CQ
9.1==β
V R R I V U e c CQ CC CEQ 7.10)(=+-≈ 2．
3．
2.1)1()//(-=++-=e
be L c u
R r R R A ββ
Ω=++=K R r R R e be b i 52])1(//[β Ω==K R R c o 5
练习一
一、填空(16分)
1．半导体二极管的主要特性是___________ 。
2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。
3．当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为
_____ 。
4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到
_____，但这种功放有______失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型MOS管
B．P沟道结型场效应管
C．N沟道增强型MOS管
D．N沟道耗尽型MOS管
3．在图示2差分放大电路中，若uI = 20 mV，则电路的( )。
A．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为10 mV。
B．差模输入电压为10 mV，共模输入电压为20 mV。
C．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为10 mV。
D．差模输入电压为20 mV，共模输入电压为20 mV。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压
放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应( )。
A．减小C，减小Ri B．减小C，增大Ri
C．增大C，减小Ri D．增大C，增大 Ri
6．如图所示复合管，已知V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．30
7．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路
C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路
8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。
A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
四、图示运算放大电路中，已知uI1 = 10 mV，uI2 = 30 mV，求uO = ？(10分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12分) 1．它们是正反馈还是负反馈？
2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？3．它们属于何种组态？
4．各自的电压放大倍数大约是多少？
七、电路如图所示。试回答：
1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？
2．如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？
3．在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10分)
八、电路如图所示，已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值U2 = 20 V，电阻R = 240Ω，电容C = 200 μF。求：(8分)
1．整流滤波后的直流电压UI(AV) 约为多少伏？
2．当电网电压在±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？
练习二
一、填空：(18分)
1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用__耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用____耦合方式。
2．在三极管多级放大电路中，，总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器。
3．单相桥式整流电路中，若输入电压U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) =___A。
4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。
5．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用? 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用滤波器。
6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为。
二、选择正确答案填空(9分)
2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的。
a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V，接入3 kΩ的负载电阻后输出电压降为3 V。这说明放大电路的输出电阻为。
a．10 kΩ； b．2 kΩ； c．1 kΩ； d．0.5 kΩ。
三、判断下列管子的工作状态(10分)
1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别
工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。2．电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压Uo的值。(10分)
七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．试求其闭环电压放大倍数Auf。 (10分)
九、画出图中各电路的电压传输特性，要求uI的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为±12 V。(12分)
练习三
一、填空(26分)
1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种。
2．图中二极管为理想器件，V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V。
3．三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。
4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V，最大稳定电流IZmax
= 20 mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S闭合时，电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时，其读数分别为__ 、 __、。
5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为__dB，折合为__倍。
6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE，使电路的RiC__、∣Auc ∣=__ 、共摸抑制比=__ 。
7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V，而CW7809的输出电压则为___V。
二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：
1．静态工作点；
2．画出微变等效电路；
3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro。(12分)
三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件，试估算闭环电压增益 (8分)
四、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12 V。
1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路？
2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？
3．若输入为1 V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？(12分)
七、在图示两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的极限值为Uomax。1．指出这是两个什么类型的电路；
2．画出它们的电压传输特性。(10分)
八、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。1．为稳定输出电压uO，正确引入负反馈；
2．若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？
3．求最大不失真输出电压功率Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12分)
练习四
一、填空(20分)
1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为__V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V，导通后在较大电流下的正向压降约为__V。
2．场效应管属于__控制型器件，而晶体三极管则是___控制型器件。
3．某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N或P)沟道(增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中UGS = －2 V称为该管的电压。
4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：
表明其下限频率为____，上限频率为，中频的电压增益为__dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ 。
5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV，则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。
6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W的功率管两个。
二、两级放大电路如图所示，已知三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 kΩ，rbe2 = 1.3 kΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共14分)
1．试说明V1和V2各组成什么电路组态？
2．画出中频区的H参数微变等效电路；
3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；
4．计算中频区源电压放大倍数Aus。
四、电路如图所示，设满足深度负反馈条件，电容C1、C2的容抗很小，可以忽略不计。(10分)
1．试判断级间反馈的极性和组态；
2．估算其闭环电压放大倍数。
八、在图示电路中，设运算放大器是理想的，电阻R1 = 33 kΩ，R2 = 50 kΩ，R3 = 300 kΩ，R4 = Rf = 100 kΩ，电容C = 100 mF。试计算下列各值：
1．当uI1 = 1 V时，uo1 = ？
2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V，uI2应为多大？(设电容两端的初始电压uc = 0。)
设t = 0时uI1 = 1 V，uI2 = -2 V，uc = 0 V，求t = 10 s时uo = ？
模拟电子技术基础试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
(完整版)重大模电试卷及答案
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式： 开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) 3．乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 （ ） 4．一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 （ ） 5．在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 （ ） + - 命题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密
(完整版)数字电子技术基础模拟试题A及答案
74LS191功能表 LD CT D U / CP D 0 D 1 D 2 D 3 Q 0 Q 1 Q 2 Q 3 0 × × × d 0d 1 d 2 d 3 1 0 0 ↑ ×××× 1 0 1 ↑ ×d 0 d 1 d 2 d 3 加法计数 减法计数 命 题 人 ： 审 题 人 ： 命 题 时 间 ： 系名 专业 年级、班 学号 姓名 数字电子技术 课程试题（ 卷） 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分 （请将答案写在答题纸上，答在试卷上不给分） 一． 选择题（16分） 1．已知A B A B B A Y +++=，下列结果正确的是（ ） a ． Y =A b ．Y=B c ．A B Y += d ．Y=1 2．已知A=（10．44）10（下标表示进制），下列结果正确的是（ ） a ． A=（1010．1）2 b ．A=（0A ．8）16 c ． A=（12．4）8 d ．A=（20．21）5 3．下列说法不正确的是（ ） a ．当高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1时称为正逻辑 b ．三态门输出端有可能出现三种状态（高阻态、高电平、低电平） c ．OC 门输出端直接连接可以实现正逻辑的线与运算 d ．集电极开路的门称为OC 门 4．以下错误的是（ ） a ．数字比较器可以比较数字大小 b ． 半加器可实现两个一位二进制数相加 c ．编码器可分为普通全加器和优先编码器 d ．上面描述至少有一个不正确 5．下列描述不正确的是（ ） a ．触发器具有两种状态，当Q=1时触发器处于1态 b ．时序电路必然存在状态循环 c ．异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度慢 d ．主从JK 触发器具有一次变化现象 6．电路如下图（图中为上升沿Jk 触发器），触发器当前状态Q 3 Q 2 Q 1为“100”，请问在时钟作用下，触发器下一状态（Q 3 Q 2 Q 1）为（ ） a ．“101” b ．“100” c ．“011” d ．“000” 7．电路如下图，已知电路的当前状态Q 3 Q 2 Q 1 Q 0为“1100”，74LS191具有异步置数的逻辑功能，请问在时钟作用下，电路的下一状态（Q 3 Q 2 Q 1 Q 0）为（ ） a ．“1100” b ．“1011” c ．“1101” d ．“0000” 8．下列描述不正确的是（ ） a ．EEPROM 具有数据长期保存的功能且比EPROM 在数据改写上更方便 b ．DAC 的含义是数-模转换、ADC 的含义是模数转换 c ．积分型单稳触发器电路只有一个状态 d ．上面描述至少有一个不正确 二．判断题（9分） 1．TTL 输出端为低电平时带拉电流的能力为5mA （ ） 2．TTL 、CMOS 门中未使用的输入端均可悬空（ ） 3．当决定事件发生的所有条件中任一个（或几个）条件成立时，这件事件就会发生，这种因果关系称为与运算。（） 4．将代码状态的特点含义“翻译”出来的过程称为译码。实现译码操作的电路称为译码器。（） 5．设计一个3进制计数器可用2个触发器实现（ ） 6．移位寄存器除了可以用来存入数码外，还可以利用它的移存规律在一定的范围内构成任意模值n 的计数器。所以又称为移存型计数器（ ） 7． 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现（ ） 8． 施密特触发器电路具有两个稳态，而多谐振荡器电路没有稳态（ ） 9． DRAM 需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM 应用广泛（ ） 三．计算题（8分） 1、在如图所示电路中，U cc =5V ，U BB =9V ，R 1=5.1kΩ， R 2=15kΩ，R c =1kΩ，β=40，请计算U I 分别为5V ，0.3V 时输出U O 的大小？。 密 线 封 A B
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
华南理工大学模电试题(附答案)
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
数字电子技术模拟试题及答案
《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：
4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．
模电试卷题库(含答案)
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中 频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 （ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA 数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020 《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器 5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝ 《模拟电子技术基础（1）》期末试题 （A 卷）参考答案及评分标准 一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。 2. 放大器级间耦合方式有三种： 直接 耦合； 阻容 耦合； 变压器 耦合；在集成电路中通常采用 直接 耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大 差模信号 、抑制 共模信号 。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是 交越失真 ，要消除此失真，应改用 甲乙 类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用 阻容 耦合方式，1T 接成 共基 组态，2T 接成 共集 组态，1R 和2R 的作用是 为T1管提供基极偏置 。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值 增大 。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率 小于 共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于 共射 电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。 二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示 （1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分） （2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分） 2.电路如图3所示，试回答下列问题 （1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接） 答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。 答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。 答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分） 1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 北京语言大学网络教育学院 《数字电路与逻辑设计》模拟试卷一 注意： 1、试卷保密，考生不得将试卷带出考场或撕页，否则成绩作废。请监考老师负责监督。 2、请各位考生注意考试纪律，考试作弊全部成绩以零分计算。 3、本试卷满分100分，答题时间为90分钟。 4、本试卷分为试题卷和答题卷，所有答案必须答在答题卷上，答在试题卷上不给分。 一、单项选择题(本大题共10小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在答题卷相应题号处。 1、下列四个数中，最大的数是（）。 [A] (AF)16[B] (001010000010)8421BCD [C] (10100000)2[D] (198)10 2、触发器有两个稳态，存储8位二进制信息要（）个触发器。 [A] 2 [B] 8 [C] 16 [D] 32 3、下列门电路属于双极型的是（）。 [A] OC门[B] PMOS [C] NMOS [D] CMOS 4、对于钟控RS触发器，若要求其输出“0”状态不变，则输入的RS信号应为（）。 [A] RS=X0 [B] RS=0X [C] RS=X1 [D] RS=1X 5、以下各电路中，（）可以产生脉冲定时。 [A] 多谐振荡器[B] 单稳态触发器 [C] 施密特触发器[D] 石英晶体多谐振荡器 6、下列逻辑电路中为时序逻辑电路的是（）。 [A] 变量译码器[B] 加法器[C] 数码寄存器[D] 数据选择器 7、同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（）。 [A] 没有触发器[B] 没有统一的时钟脉冲控制 [C] 没有稳定状态[D] 输出只与内部状态有关 8、当用专用输出结构的P A L设计时序逻辑电路时，必须还要具备有（）。 [A] 触发器[B] 晶体管[C] M O S管[D] 电容 9、当用异步I/O输出结构的P A L设计逻辑电路时，它们相当于（）。 [A] 组合逻辑电路[B] 时序逻辑电路 [C] 存储器[D] 数模转换器 10、要构成容量为4K×8的RAM，需要（）片容量为256×4的RAM。 [A] 2 [B] 4 [C] 8 [D] 32 中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。 2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分） 自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档 模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , ｂ。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是ａ， b 。 3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真，这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i１=u ｉ2 ,则输出电压为 V；若 u i1=1500μV, u i2 =50０μV,则差模输入电压u iｄ 为μV,共模输入信号u ic 为μＶ。 ８．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为 的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最; 组态电压增益最小；组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β,I CBO,ｕ ＢＥ 的变化情况为()。 Ａ.β增加，I CBＯ,和u BE 减小 B. β和I CＢO 增加,u BE 减小 C.β和ｕ ＢE 减小,I ＣBＯ 增加 D. β、I CBＯ 和u ＢE 都增加 ２．反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压Ｄ. 跨导 泰山学院物理与电子工程学院 《数字电子技术》试卷15参考答案与评分标准 一、选择题（每小题 2 分，共 20 分） 二、填空题（每空1分，共 20 分） 1、262.54 B2.B 2、二进制 八进制 十六进制 3、与 或 非 4、)(D C B A '+' 5、2 1 0 6、1 0 0 7、数值比较器 8、1 0 9、6 3 三、化简题（每题 5 分，共 10分） 1、1=+'+'+'+=B A C B A F ……………………………………………（5分） 2、AC AD B A Y ++''= …………………………………………（5分） 四、分析题（第1题5分，后3题每题10分，共35分） 1、 ………………（5分） 2、 …………………………（5分） …………………………（5分） 3、 K=1………………………………………………………（2分） ………………………………………………………………（2分） …………………………………（2分） ……………………………………………（2分） ……………………………………（2分） 4、 AC BC AB BA C BA AC B D A A D A A D A A D A A F ++=+'+'=+'+'+''= 3 0120110100122Q J '=1Q D =)(1211 *1↓''='+'=CLK Q Q Q K Q J Q )(1* 2↑=CLK Q Q 五、设计题（第1题7分，第2题8分，共15分） 1、A 、B 、C 代表三个裁判，通过用1表示，不通过用0表示…………（1分） 1表示成绩有效，0表示成绩无效…………………………………………（1分） 逻辑式F=A+BC ……………………………………………………………（2分） 真值表 ………………………………………………………………（2分） 逻辑图： ………………………………（1分） 2、状态转换图 ……………………………（3分） 电路图 A B C F 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 《模拟电子技术》期末考试试卷 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（） 有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反 偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放 大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电 路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补 功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（） 等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号 是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压 必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电 极分别是（），该管是（）型。 A、（ B、 C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置 电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（）。 A、压串负 B、流串负 C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（）倍。 A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 9、分析运放的两个依据是（）、（）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 西南交通大学数字电子技术学期考试试题一 一. 简答填空题（共20分，第6小题每空2分，其它每空1分） 1． 某数字信号的逻辑值为0111010，设高电平电压为5V ，低电平电压为0V 。试绘出该信号的数字波形。 波形： 2． 已知某时序电路的状态转换表如下，如果初态为S 0，输入序列为X=110101101时，则输出序列为 。 3． 写出下图所示各门电路的输出状态（0或1）。已知V IH =3.6V ，V IL =0.4V ，图（a ）、（b ）是TTL 门，图（c ）、（d ）是CMOS 门。 4． 一个存储容量为256K ×8的存储器，地址线有 条，数据线有 条。 5． 如要将一个最大幅度为5.1V 的模拟信号转换为数字信号，要求输入每变化20mv ，输出信号的最低位(LSB)发生变化，应选用 位A/D 转换器，其分辨率为 %。 次态/输出 6． 四个电路输入V I 、输出V O 的波形如图所示，试简答分别实现下列功能的最简电路类型（不必画出电路）。 7． 写出下图所示PLD 的输出F 1、F 2逻辑表达式。 二. 逻辑代数和组合逻辑 1. 公式法化简下列函数为最简与或式。（4分） BD C D A B A C B A D C B A F ++++=),,,( （a ） F 1= F 2= 2. 分析以下组合电路的功能，要求写出图示电路的逻辑表达式（3分），列出其真值表（2分），并说明电路的逻辑功能（2分）。 三. 用或非门设计一个组合电路。其输入为8421BCD码，输出L当输入数能被4整除时为1，其他情况为0。（0可以被任何整数整除，要求有设计过程，给出电路图） （1）建立真值表（3分） （2）写出函数的最小项表达式（3分） （3）化简函数表达式（4分） （4）用或非门实现。（4分） 四. 已知时序电路如图所示。 1．请写出各触发器的驱动方程和次态方程。（5分） 2．画出电路的状态（Q1Q0）转换图。（5分） CP 2011-2012学年第一学期 《数字逻辑分析与设计》模拟试题 一、 单项选择题 1. 只有在时钟的下降沿时刻，输入信号才能被接收，该种触发器是（ ）。 A. 高电平触发器 B.下降沿触发器 C. 低电平触发器 D. 上升沿触发器 2. 下列电路中，属于时序逻辑电路的是( ) A. 编码器 B. 译码器 C. 数值比较器 D. 计数器 3. 若将一个TTL 与非门（设输入端为A 、B ）当作反相器使用，则A 、B 端应如何连接（ ） A. A 、B 两端并联使用 B. A 或B 中有一个接低电平0 C. 不能实现 4. 在二进制译码器中，若输入有5位二进制代码，则输出有（ ）个信号。 A. 32 B. 16 C. 8 D. 4 5. 同步RS 触发器的“同步”时指( ) A. RS 两个信号同步 B. Qn+1与S 同步 C. Qn+1与R 同步 D. Qn+1与CP 同步 6. 不是最小项ABCD 逻辑相邻的最小项是( ) A. A BCD B. A B CD C. A B C D D. AB C D 7. 与A B C ++相等的为（ ） A. A B C ?? B. A B C ?? C. A B C ++ 8. 测得某逻辑门输入A 、B 和输出F 的波形如图1所示，则F(A ，B)的表达式是（ ） A. F=AB B. F=A+B C.B A F ⊕= D.B A F = 图1 9. 某逻辑函数的真值表见表1，则F 的逻辑表达式是（ ）。 A. AC AB F += B. C B AB F += C. AC B A F += D. AC B A F += 10. 要实现n n Q Q =+1，JK 触发器的J 、K 取值应为（ ）。 A J=K=0 B J=K=1 C J=0 K=1 11. 可以用来实现并/串转换和串/并转换的器件是( ) A. 计数器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 存储器 12. 下列触发器中没有计数功能的是（ ） A. RS 触发器 B. T 触发器 C. JK 触发器 D. Tˊ触发器 13. 某逻辑电路输入A 、B 和输出Y 的波形如图2所示，则此电路实现的逻辑功能是（ ） 表1数字电子技术模拟试题及答案
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