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模电试卷题库(含答案)

1. 某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV ，输出电压为,输入电压为15mV 时，输出电压为7V （以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ） a 、700 b 、650 c 、100 d 、-100

2. 当输入信号频率为f L 或f H 时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）

a 、05.

b 、

c 、

d 、1

3. 当输入信号频率为fL 或fH 时, 电压增系下降了( B )。 A 、2 dB B 、3dB C 、4dB D 、6dB

4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接3K Ω的负载电阻后输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a 、10K Ω b 、2K Ω c 、1 K Ω d 、Ω

5. 用两个AU 相同的放大电路A 和B 分别对同一个具有相同内

阻

的电压

信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB ，由此可知A 比B （ B ） a 、一样 b 、差 c 、好 d 、无法判别

6. 用两个放大电路A 和B 分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA =V OB ，都接入负载R L 时，测得V OA

a 、输入电阻高

b 、输入电阻小

c 、输出电阻高

d 、输出电阻低理想运放

7. 在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（ A ） a 、虚短 b 、虚断 c 、虚地 d 、以上均否

8. 如图示，运放A 为理想器件，则其输出电压V0为（ A ） a 、0V b 、3V c 、6V d 、9V

9. 如图示，运放A 为理想器件，则其输出电压VO 为（ C ） a 、9V b 、6V c 、0V d 、3V

10. 设V N 、V P 和V 0分别表示反相输入端、同相输入端和输

出端，则V

0与V

、V

分别成（ D ）

a、同相、同相

b、反相、反相

c、同相、反相

d、反相、同相

11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ）

12. A、反相比例运算电路

13. B、同相比例运算电路

14. C、微分运算电路

15. D、积分运算电路

半导体

16.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。

a、电子

b、空穴

c、三价硼元素

d、五价磷元素

17.半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ）

a、电子和受主离子

b、空穴和施主离子

c、电子和空穴

d、受主离子和施主离子

18.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ）

a、温度

b、杂质浓度

c、掺杂工艺

d、晶体缺陷

19.在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（ C ）

a、载流子

b、多数载流子

c、少数载流子

d、正负离子

20.温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ）

a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

b、空穴增多，自由电子数目不变

c、自由电子增多，空穴数目不变

d、自由电子和空穴数目都不变

二极管

21.PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（ B ）

a、只从P区流向N区

b、等于零

c、只从N区流向P区

d、无法判别

22.流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（ A ）

a、减小

b、增大

c、基本不变

d、无法确定

23.当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）

a、不变

b、变宽

c、变窄

d、无法判别

24.二极管正向电压从增大5%时，流过的电流增大为（ B ）

a、5%

b、大于5%

c、小于5%

d、不确定

25.温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ）

a、上移

b、下移

c、不变

d、以上均有可能

26.利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ）

a、反向击穿特性

b、正向特性

c、反向特性

d、单向导电性

27.PN结形成后，PN结中含有（ D ）

a、电子

b、空穴

c、电子和空穴

d、杂质离子

28.PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）

a、相等

b、大于

c、小于

d、无法确定

29.稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ）

a、正向状态

b、反向状态

c、单向导电状态

d、反向击穿状态

30.以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）

a、2CZ11

b、2AP6

c、2CW11

d、2CP10

31.在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号

模型。如图所示符号为（ C ）。

A、理想模型

B、恒压降模型

C、折线模型

D、小信号模型

三极管

32.放大电路的静态是指（ A ）

a、输入端短路

b、输入端开路

c、交流信号短路

d、交流信号为零

33.三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（ C ）

a、低

b、中

c、高

d、以上均可

34.三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（ D ）

a、反偏，反偏

b、反偏，正偏

c、正偏，反偏

d、正偏，正偏

35.三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ）

a、正编、正编

b、反编、反编

c、反编、正编

d、正编、反编

36.NPN型和PNP型三极管的区别是（ C ）

a由两种不同的材料硅或锗构成 b、掺入的杂质不同

c、P区和N区的位置不同

d、以上均否

37.温度升高时，三极管的输出特性曲线将（ A ）

a、上移

b、下移

c、不变

d、以上均有可能

38.温度升高时，三极管极间反向电流将（ A ）

a、增大

b、减小

c、不变

d、无法确定

39.某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V，若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流Ic不得超过（ C ）

a、100mA

b、50mA

c、15mA

d、1mA

40.某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V（BR）c EO=30V，若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过（ D ）

a、1mA

b、15 mA

c、40 mA

d、100 mA

41.某三极管的极限参数P

CM =150mw , I

=100mA , V

(BR)CE0

=30V ,

若工作电流I

=1mA , 则工作电压不得超过（ A ）

a、30V

b、15V

c、10V

d、1V

42.用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电

压信号进行放大，测试结果为VoA＞VoB,这是由于( C )

a、输出电阻小

b、输出电阻高

c、输入电阻高

d、输入电阻小

43.三极管输入电阻rbe与静态电流I E的大小有关，因而rbe是( C )

a、交、直流电阻

b、直流电阻

c、交流电阻

d、以上均否

44.如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（ C ）

a、无法确定

b、共集

c、其基

d、共发

45.检修某台无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为VB=, VC=-5V,

VE=0, 则该三极管为（ B ）

a、NPN 型,锗管

b、PNP型,锗管

c、NPN型,硅管

d、PNP型,硅管

46.某放大电路，IA=，IB=, Ic= mA ，则A，B，C中极性分别是（ D ）

a、（e、

b、c） b、（b、

c、e） c、（c、e、b）

d、（c、b、e）

47.有二只半导体三极管，A管子的β=200，IcEo=240μA，B管子的

β=100，IcEo =20μA其他参数一样，则管子的好坏为（ C ）

a、均一样

b、A管好

c、B管好

d、无法判别

48.三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（ A ）

a、窄

b、中

c、宽

d、以上均可

49.在单管共射极电路中，换上β减小的管子，VCEQ将（ C ）

a、不变

b、减小

c、增大

d、无法确定

50.三极管放大电路的三种组态（ D ）

a、都有电压放大

b、都有电流放大

c、只有共射极才有功率放大

d、都有功率放大

51.如图示，US1=0，US2≠0从集电极输出，则该电路属于（）

a共射 b、共基 c、共集 d、无法判别

52.如图所示，US1=0，US2≠0，从发射极输出，则该电路属于（ C ）

a、共射

b、共基

c、共集

d、无法判别

53.检修某台无使用说明书的电子设备时，VB=，VC=,

VE=2V，则该三管类型为（ D ）

a、NPN型，锗管

b、PNP型，硅管

c、PNP型锗管

d、NPN型硅管

54.某放大电路，IA= ,IB= ,Ic=，则A、B、C中

极性分别为（ A ）

a、（c、

b、e ） b、（b、e、c ）

c、（c、e、b）

d、（

e、c、b ）

55.三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（ C ）

a、小

b、一样

c、大

d、无法确定

56.三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的电流主要是（ D ）

a、均为扩散电流

b、均为漂移电流

c、漂移电流、扩散电流

d、扩散电流、漂移电流

57.温度升高时，V

随温度上升而发生（ A ）

a、减小

b、增大

c、不变

d、无法确定

58.某三极管各极对地的电压为V

B = ，V

= ，V

= ，则该三极管结构及工作状态为（ D ）

a、NPN型放大

b、PNP型饱和

c、NPN型饱和

d、PNP型放大

59.晶体三极管的关系式i

B = f

(uBE)

︱V

, 它代表三极管（ D ）

a、共基极输入特性

b、共集电极输入特性

c、共射极输出特性

d、共射极输入特性

60.对于基本共射放大电路，当R

增大时，其输出电阻（ C ）

a、不变

b、减小

c、增大

d、无法确定

61.单管共射极电路中，输入f = 1KHZ的正弦电压信号后，分

别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形应该是（ A ）

a、相差180°

b、相差90°

c、相差45°

d、同相

62.对于基本共射放大电路，负载R

减小时，输出电阻（ C ）a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定

63.在单管射极放大电路，R

b 、R

分别是基极和集电极偏置

电阻，用直流电压表测出V

CEQ ≈V

，有可能因为（ B ）

a、R

b 短路 b、R

开路 c、 R

开路 d、β过大

场效应管

64.场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（ A ）

a、电场

b、磁场

c、电流

d、以上均否

65.场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成，这种载流子是（ B ）

a、少子

b、多子

c、两种载流子

d、正负离子

66.三极管和场效应管应分别是（ A ）

a电流和电压控制器件 b、电压和电流控制器件

c、均为电流控制器件

d、均为电压控制器件

67.N沟道场效应管的漏极电流是由载流子的漂移形成的，这种载

流子是（ D ）

a、正负离子

b、电子和空穴

c、空穴

d、电子

68.一场效应管的转移特性曲线如图示，则它属于类型为（ A ）

a、N沟道结型管

b、P沟道结型管

c、P沟道MOS管

d、N沟道MOS管

69.一场效应管的转移特性曲线如上图，则它的VT或VP、ＩDSS分别为（ B ）

a、VP=-4V ,IDSS=0

b、VT=-4V, IDSS=0

c、VP=-4V, IDSS=3mA

d、VT=-4V, IDSS=3mA

70.结型场效应管改变导电沟道的宽度是利用栅源极间所加

电压为（ B ）

a、正向

b、反向

c、以上均可

d、以上均否

71.MOS管中的漏极电流（ C ）

a、穿过PN结和衬底

b、穿过衬底

c、不穿过PN结

d、穿过PN结

功率放大电路

72.在甲类、乙类、甲乙类放大电路，效率最低的是（ B ）

a、一样

b、甲类

c、乙类

d、甲乙类

73.在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，属于OCL电路是（ B ）

a、甲类

b、乙类

c、甲乙类

d、均不是

74.一场效应管的转移特性如图示，则它属于类型为（）

a、P沟道耗尽型管

b、N沟道耗尽型管

c、P沟道增强型管

d、N沟道增强型管

75.互补对称功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ）

a、甲类放大

b、甲乙类

c、乙类放大

d、以上均可

76.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导电角较小的是（ D ）

a、一样

b、甲类

c、甲乙类

d、乙类

77.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ）

a、提高

b、降低

c、保持稳定

d、无法确定

78.由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此在选择

三极管时必须特别注意的参数之一为（ D ）

a、IcBo

b、β

c、?T

d、PcM

功放电路输入幅度大，增益高，因此常采用的分析方法是（ C ）

a、微变等效法

b、π型法

c、图解法

d、叠加法

79.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，存在交越失真的电路是（ B ）

a、甲类

b、乙类

c、甲乙类

d、均存在

80.在甲类、乙类和甲乙类放大电路中效率最高是（ C ）

a、甲类

b、甲乙类

c、乙类

d、无法确定

81.在功放电路中属于OTL电路的是（ B ）

a、双电源甲乙类

b、甲类

c、双电源乙类

d、以上均否

82.在甲乙类电路中采用自举电容的目的，是将电压（ A ）

a、提高

b、降低

c、保持稳定

d、无法确定

83.（互补对称）功率放大电路失真较小而效率又较高是采用（ B ）

a、甲类放大

b、甲乙类

c、乙类放大

d、以上均可

负反馈

84.已知信号源内阻很小，要求充分发挥负反馈作用，应选（ B ）。

A、并联负反馈

B、串联负反馈

C、电压负反馈

D、电流负反馈

85.为稳定静态工作点，应选择的负反馈组态为（ A ）

a、直流负反馈

b、交流负反馈

c、电压负反馈

d、电流负反馈

86.要求提高输入电阻，应选择负反馈组态为（ C ）

a、交流负反馈

b、并联负反馈

c、串联负反馈

d、电流负反馈

87.要求提高输出电阻，应选择负反馈组态为（ A ）

a 、电流负反馈

b 、串联负反馈

c 、并联负反馈

d 、电压负反馈 88. 负反馈放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡（ B ）

a 、反馈量与净输入量幅值相等

b 、d X f X

c 、反馈量与净输入量同极性

d 、以上均否

89. 负反馈放大电路中，当AF= -1，则该电路将处于（ C ） a 、开环状态 b 、深度闭环状态 c 、自激状态 d 、无法确定差分放大电路

90. 电流源电路是一个（ D ）

a 、四口网络

b 、三口网络

c 、二口网络

d 单口网络 91. 差分放大电路的主要性能指标仅与（ B ）

a 、输入方式有关

b 、输出方式有关

c 、两者均有关

d 、两者均无关 92. 共模抑制比KcMR 越大，表明电路（ C ） a 、放大倍数越稳定 b 、交流放大倍数越大 c 、抑制温漂能力越强 d 、输入信号中差模成分越大 93. 集成运放内部是直接耦合放大电路，因此能放大（ C ） a 、直流信号 b 、交流信号 c 、交直流信号 d 、两者均否

94. 为了减小温漂，减小输出电阻，大多输入级和输出级分别采用（ D ） a 、共集或共漏 b 、互补对称和电流源 c 、差分和电流源 d 、差分和互补对称

95. 差分放大电路双端输出时的差模电压增益与半边差模等效电路的电压增益应是（ B ）

a 、1倍

b 、相等

c 、2倍

d 、一半 96. 差模输入电阻不论双端输入还是单端输入方式，应是半边差模等效电路输入电阻的（ D ）

a 、一半

b 、相等

c 、1倍

d 、2倍 97. 在采用正反馈的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为фf ，放大电路的相移为фa ，那么满足相位的平衡条件是

（фa+фf ）为（ B ）

a （2n-1）π

b 、2n π

c 、（2n+1）π

d 、无法确定 98. 要使电路振荡，只要满足相位条件，且︱AF ︱应（ A ） a 、大于 1 b 、等于 c 、小于 1 d 、等于零 99. 正弦波振荡电路为正反馈电路，产生正弦波振荡的条件是（ C ） 100. A 、?

?F A =-1 B 、?

?F A =0 C 、?

?F A =1 D 、|1+?

?F A |≥1 101.

RC 串并联桥式震荡电路（文氏电桥震荡电路）A=（ A ）

A 、3

B 、-3

C 、1/3

D 、-1/3 102.

下列传递函数哪个为二阶低通滤波电路的传递函数（ B ）

A 、12)(22

s s s s A B 、

121

)(2

s s s A C 、

s s s A

1)( D 、s s A

)(

103.

在图示方波发生器中，已知A 为理想运算放大器，其输出电压的两个极限值为12V ；

稳压管和二极管的正向导通电压均为。正常工作时，输出电压峰-峰值为（ C ）。 a

、

6V c 、

12V d 、24V e 、 104.

正弦波振荡电路如图所

示，集成运放A 具有理想特性，电阻R2＝10k ，R1＝（可调）＋18k 时，试选择正确答案填空：( A ) a 、能振荡，且u O 波形较好； b 、能振荡，且u O 波形不好； c 、不振 d 、无法判别 105.

在图示电路中，已知A 为理想

R1R2

VD1~VD4A VDz

Uz=4.6V

C VD1~VD4A VDz

Uz=4.6V

Vo R

运算放大器，其输出电压的两个极限值为12V ；稳压管和二极管的正向导通电压均为。正常工作时，输出电压峰-峰值为12V 的（ B ）。 A 、三角波Ｂ、方波Ｃ、正弦波 D 、以上均不对 106. 正弦波振荡电路为正反馈电路，产生正弦波振荡的条件是（ C ）

107. A 、F A =-1 B 、F A =0 C 、F

A =1 D 、ＡＦ＝１ 108.

图示电路中（二极管为理想），若U2=20V ，则 VL=( A )

A 、18V

B 、20V

C 、24V

D 、

上图中将RL 换成电容C 输出电压平均值Uo(AV)=( D )。 A 、18V B 、20V C 、24V D 、 V 109.

图示电路中（二极管为理想），若U2=20V(有效值，50Hz)、Ｒ=110Ω，输出电压Vo(平

均值)=24V 。试求C=( B ) a 、2200μF b 、470μF c 、1000μF d 、220μF 110.

若要组成输出电压可调、最大输出电流为1A 的小功率直流稳压电源，则应采用。( C )

a 、电容滤波稳压管稳压电路

b 、电感滤波稳压管稳压电路

c 、电容滤波串联型稳压电路

d 、电感滤波串联型稳压电路 111.

图示电路中（二极管为理想），若U2=20V(有效值，50Hz)、ＲC=50ms ，则输出电压

Vo= ( D )。 A 、 B 、20V C 、18V D 、24V

112.电感滤波与电容滤波相比，哪一个整流管的导电角较大（ A ）

a、电感滤波

b、电容滤波

c、相等

d、不能确定

113.串联反馈式稳压电路，指的是( B ) 。

A、电路采用电压串联负反馈放大电路

B、电路采用的BJT与负载串联

C、电路采用串联反馈电路

D、以上均不景

一．选择题

1．在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为__C___反馈。

A. 电流

B. 串联

C. 电压

D. 并联

2．在下图所示的硅三极管放大电路中，虚线表示短路故障，×表示断路故障。当用电压表测量图中各故障电路的集电极对地静态电压时，电压读数分别约为

①___-12_______V，②，③___15____V，④___15___V。

3．定性判断图示各放大电路的基本结构是否有错误，若有错，则指出错误性质（从下面列出的错误性质中选择正确答案，用A、B、C…回答）。

A．极性不正确；

B．栅、源间缺少必要的正向静态电压；；

C．栅、源间缺少必要的负向静态电压；；

D．输入信号被短路；

E．输入信号开路.。

①____C___ ②_____B_____ ③____C_____

4．当图示电路中晶体管的从100降低到80（其它参数不变），电路的电压放大倍数将_B___，输入电阻将__C__，输出电阻将__C__。（A．增

大， B．减小， C．变化不大）从括号中选择正

确答案,用A、B、C填空。

二．判断题

1．甲、乙两同学在推导输出电压的表达式时，得到如下不同的结果。你认为谁的结果

正确图示运算电路中，A

1、A

为理想运算放大器。

甲：

乙：

2．若已知，，，你认为输出电压＝

3．放大电路和测得的信号电压波形如图所示，试问该放大电路产生了饱和失真还是截止失真，为了减小失真，应增大还是减小

三、计算题（）

1．微分运算电路如图（a）所示，图（b）为输入电压波形，A为理想运算放大器。试画出输出电压的波形图，并标明有关数值。

在如图所示全波整流滤波电路中，已知变压器副边中心抽头接地，，变压器内阻和二极管的正向电阻均

可忽略不计，电容C取值满足R L C＝

（3～5）（T＝20ms）。

（1）．输出电压平均值

（2）．若P

开路，是否为原来的一半

（3）．若P

开路，则

（4）．若P

开路，则

（5）．若P

1、P

均开路，则

3．在如图所示OCL电路中，VT

1的偏置电路未画出。已知输入电压为正弦波，VT

所构成的

共射放大电路的电压放大倍数，共集放大电路的电压放大倍数约为1。设输入电压有效值＝，试问：

（1）．输出功率P o

（2）．电源消耗的功率P V设VT1的功耗和VT2、VT3的静态功耗可忽略。

（3）．VT

2、VT

集电极的功耗各为约多少

（4）．电路的效率

4．已知图示电路中晶体管的＝110，

，U BEQ ＝－，电容的容量足够大，对交流

信号可视为短路。（1）．估算电路静态时的

、

；

（2）．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。

1. 如图所示电路，试用二极管折线模型求解下列问题 (设Vth=、rD=200Ω)。

（1）画该电路的电压传输特性曲线（即Vo=f(Vi)） Vi=0V 、4V 时相应的输处电压Vo 值（取两位有效数字

2. 放大电路A=1000，由于环境温度的变化使增益下降为900，引入负反馈后(F=，求闭环增

益AF 的相对变化量(△AF/AF)。

3. 如图所示电路，A 为理想运放，V1=、V2=、V3= ,R1=1k 、R2=2k 、R3=5k 、R4=10k ，求Vo

＝

4. 对于乙类互补对称电路设Vcc=12V 、RL=4

V1V2Vo

R1R3

R2R4

Ω，三极管极限参数为Icm=、

|V（BR）CEO|=30V、Pcm=5W

(1)最大输出处(理想)功率Pom及效率η。6%

(2)检验所给管子是否安全（判断过程3%，结论1%）

5.如图所示电路中，设Vcc=VEE=15V，Rc=RL=10K，Re=, β=50。求：

(1)Vs1=10mv Vs2=20mv 求Vsd Vsc;

(2)双端输出时的差模电压增益A

vd;

(3)当RL接在T1管的集电极与地之间时的差模电压增益A

、

vd1

共模电压增益Avc1和共模抑制比KCMR1:

6.如图所示电路，已知R1=100K、C=2uF且 t=0时Vc(0)=0,Vs输入如图所示。试画出Vo的

波形，并标出Vo的幅值和回零时间。

7.负反馈对放大电路性能的

改善表现在那几方面

8.N沟道场效应管的种类及电路符号

9.画出串联反馈式稳压电路一般结构图，为什么称为串联式稳压电路属于什么负反馈类型

为什么该类型具有稳压作用

10.如图所示电路，A1、A2、A3为理想运级，V1、

V2为输入，求Vo输出表达式

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五２、在P 型半导体中,自由电子浓度Ｃ空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于３、本征半导体温度升高以后，Ｃ。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将Ａ。Ａ. 变窄Ｂ．基本不变 C. 变宽 D ．无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在Ｃ。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏Ｂ. 前者正偏、后者反偏Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者正偏８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ．增大 B ．不变 C. 减小 D. 都有可能９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０１0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为Ｄ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是Ｄ器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路１4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是Ｂ。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

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二级管电路习题选 1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。（a）12V （b）-9V （c）-3V 2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。（a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通（c）D1、D3截止，D2导通题1.1图题1.2图 3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。（a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通题1.3图题1.4图 4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。（a）3V （b）5V （c）2V 5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。（a）5V （b）17V （c）7V

（a）(b) 题1.5图 6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ). （a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV 题1.6图题1.7图 7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。（a）3V （b）0V （c）－12V 8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。 (1) (2)

9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。（a）12V （b）6V （c）18V 10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。则电压U0等于（）。（a）3V （b）15V （c）－3V 11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。（a）12V （b）20V （c）6V 12 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个级的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（a ）。（a）发射极（b）集电极（c）基极 13晶体管的工作特点是（ a ）。一、（a）输入电流控制输出电流（b）输入电流控制输出电压选择题 1．在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 2．如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不能确定 3．在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=﹣3V，U3=﹣2.7V，则可知该管为（）。 A. PNP锗管 B. NPN硅管 C. NPN锗管 D. PNP硅管 4、已知某三极管的三个电极电位为6V, 2.7V, 2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（）。 A、NPN型，放大状态 B、PNP型，截止状态 C、NPN型，饱和状态 D、PNP型，放大状态 5.已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 6V、9V 和 6.3V，则 6V所对应的电极为（）。

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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小

一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

模电试题及答案

试题一一、选择题：（每小题2分，共24分）（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路（4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈（6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和（9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）（1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。（2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。（3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。

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1.PN结反向电压时，其空间电荷区将，使运动占优。 2.PN结内电场的方向由区指向区。 3.P型半导体中掺入的杂质是价元素,多数载流子是 ,少数载流子是 . 4.本征半导体中加入微量五价元素的杂质,构成的是型半导体,起多数载流子是 ,少数载流子是 . 5.二极管的单向导电性是加正向电压 ,加反相电压 . 6.PN结具有单向导电性是指 . 7.PN 结处于正向偏置是指 . 8.由理想二极管组成的电路如图1所示,则该电路的输出电压U AB= . 9.由理想二极管组成的电路如图2所示,则该电路的输出电压U AB= . 10.半导体二极管在整流电路中,主要是利用其特性. 11.所谓PN结的正偏偏置,是将电源的正极与区相接,负极与区相接,在正向偏置电压大于死区电压的条件下,PN结将 . 12.半导体三极管结构上的特点为基区、,发射区、,集电区、. 13.半导体三极管工作在放大区时,发射结应加电压,集电结应加电压; 工作在饱和区时,U CES≈ ;I CS≈ ; 工作在截止区时, U CE≈ ;I C≈ . 14.在三极管放大电路中,测得静态U CE=0V,说明三极管处于工作状态. 15.晶体三极管是型控制器件.场效应管是型控制器件. 16.已知晶体三极管的发射极电流I E=2mA,集电极电流I C=1.98mA,若忽略穿透电流I CEO的影响时,则该管的β= . 17.半导体三极管通常可能处于、、 3种工作状态. 18.半导体三极管又称双极型三极,因为 ;场效应管又称单极型三极,因为 . 19.已知晶体管各管脚电位如图所示,则该管子的材料是 ,型号是 ,工作状态是 . 20.半导体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,β随温度的升高而, U BE 随温度的升高而, I C随温度的升高而 21.PNP型三极管处于放大状态时,3个电极电位以极电位最高, 极电位最低. 22.在三极管组成的放大电路输入回路中，耦合电容的作用是。 23.在单级共射放大电路的输入端加一微小的正弦波电压信号，而在输出端的电压信号出现正半周削顶现象，这是属于失真。

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic = 90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω，R E 2.1k Ω，R L 3.9k Ω，r bb’ Ω，电流放大系数β 50，电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

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试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1．已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3．图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4．在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =，相应的电压增益为（）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5．根据不同器件的工作原理，试判断（）可以构成复合管。（A ）（B ）（C ）（D ） 6．在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ） a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ） a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ） a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOA>VOB，由此可知A比B （ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ，都接入负载R L时，测得V OA

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1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中频时的( Ｂ）ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ

a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

《模电》经典题目-含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（） a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。 a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大 c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。 a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关 4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。 a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB 图1-4 图1-5 5．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。 a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡 b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益 100 vd = A ，共模电压增益mV 5 V mV, 10 ,0 i2 i1 c = = =V A V，则输出电压o V为（）。

a. 125mV b. 1000 mV c. 250 mV d. 500 mV 图1-6 图1-7 7．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。 a. CEO2CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I += c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。 a. 电流串联负反馈 b. 电压并联负反馈 c. 电流并联负反馈 d. 电压串联负反馈二、判断下列管子的工作状态（共10分） 1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a 、b 、c 所示，试判断它们分别工作在什么状态（饱和、放大、载止、倒置）。设所有的三极管和二极管均为硅管。图2-1 2．电路如图2-2 a 、b 所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区（饱和区、夹断区、可变电阻区）。

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1 晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案] D|C 3 当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案] A|E|B|D 4 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案] A|B 5 某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案] C 6 在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V ， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案] D|A 7 电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案] B

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