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4电路参数及性能

南京理工大学紫金学院
NANJING UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY ZIJIN COLLEGE
第四章 电路参数及性能
南理工紫金学院

第四章 电路参数及性能
本章内容: 4.1、MOS管的参数 4.2、信号传输延迟
★★★ ★★★★★ ★★★★★ ★★★★★
4.3、CMOS电路功耗
4.4、CMOS电路的闸流效应 4.5、电路模拟SPICE简介
★★★
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4.1 MOS管的参数 本节内容: 4.1.1、阈值电压 4.1.2、沟道长度调制效应 4.1.3、漏-源截止电流 4.1.4、直流导通电阻 4.1.5、栅-源直流输入电阻 4.1.6、栅-源击穿电压
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4.1 MOS管的参数
影响阈值电压的参数
1、栅极导电材料 2、栅极绝缘材料 3、栅极绝缘材料厚度 4、沟道掺杂浓度 5、硅-绝缘体界面的杂质 6、源极、衬底之间的电压Vsb
4.1.1 阈值电压
VTH0
VTH
VDS VGS
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4.1 MOS管的参数
衬底调制效应(body effect)
4.1.1 阈值电压
定义:由于MOS管源、衬底电压不为0,导致MOS管 阈值电压增大。
VTH = VTH 0 + γ ? VSB + 2ΦF ? 2ΦF ? ? ?
注意: 1、通过调节衬底掺杂浓度、VSB、栅氧化层厚度 可以调节MOS管的阈值电压。 2、NMOS管的VSB>0,PMOS管的VSB<0。
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4.1 MOS管的参数
4.1.2 沟道长度调制效应
沟道长度调制效应(channel-length modulation)
定义:MOS管饱和后,有效沟道长度随VDS的增 大而减小,漏极电流随VDS的增大而略微增大。
1 2 ?W ? ID = Cox μ ? ?(VGS ?VTH ) (1+ λVDS ) n L 2 ? ?
注意: 1、λ为沟道调制因子, λ∝1/L。 2、采用长沟道器件可减小该效应, 一般取 L=(4-8)Lmin。
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4.1 MOS管的参数
4.1.3 漏-源截止电流
定义:(NMOS管)VGS南理工紫金学院 VGS VDS

4.1 MOS管的参数
4.1.4 直流导通电阻
定义:漏-源电压VDS与漏源电流ID的比值 即:Ron= VDS /ID 分类: 线性区 深度线性区 饱和区 4.1.5 栅-源直流输入电阻 特点: 输入电阻很高,使MOS管静态负载能力很强。
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4.1 MOS管的参数
4.1.6 栅-源击穿电压BVGS
6 对于热生长的SiO2的临界击穿电场强度为 5 ~ 8 × 10 V cm
,对于栅氧化层厚度 tox = 1500 A ,理论上允许的最 大电压为: V = E × tox = 75 ~ 120V
D
输入保护电路
R
Vgs较大时,二极管发生雪崩击穿,形成通路,减小Vgs
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4.1 MOS管的参数
4.1.7 速度饱和
对深亚微米晶体管,管子饱和时算出的漏极电流比实 际电流大,有时大2倍以上。 原因: 1、阈值电压不是常数 2、沟道长度调制效应 3、v=μnE在高电场时会失效,即产生速度饱和 速度饱和:当电场高于106V/m时,电子运动速度达 到最大值,即:Vmaxn=105m/s,
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4.2 信号传输延迟
本节内容: 4.2.1、CMOS门延迟 4.2.2、连线延迟 4.2.3、电路扇出延迟 4.2.4、大电容负载延迟
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4.2 信号传输延迟
4.2.1 CMOS门延迟
定义:信号从逻辑门输入端到其输出端的延迟时间
延迟时间:输入电压变化到50%Vdd的时刻到输出电压变化 到50%Vdd时刻之间的时间差。
50%Vdd
Vi Vo
tdf tdr
td =
tdr + tdf 2
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4.2 信号传输延迟
以反相器为例
4.2.1 CMOS门延迟
一个反相器驱动与之相同的另一个反相器产生的延迟 时间称为本征延迟时间。 其中第一个反相器为驱动级,后一级反相器为负载, 可将后一级反相器等效为电容,电容大小为:
C L = C gp + C gn = C ox (W p ? L p + W n ? L n )
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4.2 信号传输延迟
设输入信号为理想脉冲信号
4.2.1 CMOS门延迟
?下降时间tf:输出信号波形从“1”电平的90%下降到 10%需要的时间。即:V0:90%Vdd~10%Vdd。
I0 = ?C
l
dV dt
0
Cl 上的电压从 0.9Vdd 下降到 Vdd-Vtn 过程中, N 管工作 在饱和区 Cl 上的电压从 Vdd-Vtn 下降到 0.1Vdd 过程中, N 管工作 在线性区
t
f
C l ≈ k β nV d d
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4.2 信号传输延迟
设输入信号为理想脉冲信号
4.2.1 CMOS门延迟
?上升时间tr:输出信号波形从“1”电平的10%上升到 90%需要的时间。即:V0:10%~90%Vdd。
dV0 I 0 = Cl dt
C l ≈ 4 β p V dd
tr
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4.2 信号传输延迟
讨论:
tf Cl ≈ k β nV d d
4.2.1 CMOS门延迟
Cl tr ≈ k β pV d d
?1、若要获得高速电路必须减小负载电容。 ?2、增大电源电压可以减小延迟时间,提高电路工作速度。 ?3、延迟时间与导电因子成反比,若PMOS、NMOS管 的尺寸相同,则下降时间比上升时间短。 ?4、若要求输出波形对称则tr=tf。
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4.2 信号传输延迟
设输入信号为理想脉冲信号 延迟时间
td = tdr + tdf 2 ≈
tr 2
4.2.1 CMOS门延迟
+ 2
tf 2
=
tr + t f 4
Vi Vo
50%
t f /2
t r /2
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4.2 信号传输延迟
R Vi-1 C Ii-1 Vi Ii
4.2.2 连线延迟
Vi+1
I
在计算连线延迟时,我们用最简单的RC网络模型。考 察节点Vi的时间响应:
dVi Vi ?1 ? Vi Vi ? Vi +1 I =C = I i ?1 ? I i = ? dt R R
当网络节点分得很密时, 上式可写成微分形式:
dV d 2V = 2 rc dt dx
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式中:r为单位长度电阻,c为单位长度电容。

4.2 信号传输延迟
rcl tl = 0.7 2
2
4.2.2 连线延迟
通常信号在连线上的传播延迟时间可以用下式估算:
练习: 2段多晶硅导线长度分别为1mm、2mm,r=20Ω/um, c=4×10-4pF/um,求2段导线分别产生的延迟。
rcl 2 t1 = 0.7 = 2.8ns 2
rcl 2 t2 = 0.7 = 11.2ns 2
注意:为减小连线延迟,可将导线分成若干段,中间加入 缓冲器。
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4.2 信号传输延迟
4.2.3 扇出延迟
逻辑门的输出端所接的输入门的个数称为电路的 扇出(Fout)。 对于电路扇出参数的主要限制是:
Vo I in I in Vi I out
I out ≥ ∑ I in
I in
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电路图参数

机子我早已上传好多次了,是放电老师的双混后级,主变EE42 1。30*4 。。。。3+3 次级0。64 。。。90 10 0。9 的线 4T 《为给后级的驱动板稳压供电》后级高压电容82U 500V,硅用1225 电感用EE42用1。2绕上95T,是刚好绕满,关断电容用5U风扇电容 以前做这个电路有直通现象,现已找到解决的办法了。主要是后级的电源不再从电池那里取了。而是从主变压器那里取16V下来然后稳压处理等。再经过个继电器,《目的是想让高压电容先充好电。》这个思路很成功,多谢兄弟们的指点。 放电机器: 按电路图更改: RW2不要,R*不要,R18不要,RW3不要,R20=0欧(短路它),R19=22K,C17=5UF,R25=100K,做成不要调节,就可以电罗非了,关断电感可调整一下。 但现在夏天罗非的活动能力增大,是会难电一点。 1/直通:主电高压经水阻向关断电容充电(电容越大越没法充满),这是主要因素,有二种原因,一前级功率不足,二水阻太高,如前级功率不足会造成主电压下跌,电容充电时间延长,此时硅已导通,电容的能量没法和关断电感组成LC振荡周期产生最大能量的反电压旁路于硅的A/K二端。如水阻太高,串联水阻的电流对电容充电没法达到关断能量,硅导通电流大于LC旁路所产生的反压的导通电流,这些情况只给提高主高压或减小关断电容的容量,增加电感量来减少损耗,提升关断能量。 2/功率:EE42配二对170N06有足够的指标达到600W,但变压器用1*4(0.7*4=2.8*7=20A),只有400W左右的功率,后级配用5UF电容明显不匹配,想法把初级线截面积增大到5平方才能有效,还有前级驱动的死区不宜过大,会造成尖峰电压干扰其它电路.(死区电阻是限制最大占空比(5/7脚之间的电阻),因为已经限制了就叫死区,但1-2脚之间的电压比较或改变9脚电压都可以在最大占空比之内改变,8脚可以改变启动时区内改变占空比,是在特别电路中采用。在推挽电路中常规是47%左右,但下降到43%以下,因变压器的漏感在死区的时间内产生储能磁场无法(适)放,而产生反向电动势(尖峰电压)与下一个反向半波叠加经变压器能量转移造成损耗。还有一路损耗在于振铃造成开关管的直接损耗,但占空比无级变化可改变输出有效值电压的变化(输出稳压的应用),但应用时在输出串入电感隔离尖峰的小脉冲。)制作中注意事项,频率高只能用小关断电容,水阻低就要增大关断电容,频率低要增大电感,功率小要增大电感,减小电容,功率大可增大电感,增大电容,等等。。。硅电路最好用灯泡试机,用二只或三只200W串联,因为冷阻时能关断热阻时也能关断才算合格,走不到二个极端不算合格。 大海一号: 以前有的那些问题,还没有出现,控罗非,还是很不错的,使用倍为720V,电感用205T 25*25,电容5U,那条里鱼从草里窜出来,罗非转几下就能定鱼了,从电的效果来说跟1500W有可圈可点。注。原图的R*改为10K。加大前级后,从电感那听到的声音会比以前的强劲,200W,电池够时,720V倍压档可以点闪爆它。下水4平方还是比较热的。

总时差双代号网络图时间计算参数-计算题及答案

总时差(用TFi-j表示),双代号网络图时间计算参数,指一项工作在不影响总工期的前提下所具有的机动时间。用工作的最迟开始时间LSi-j与最早开始时间ESi-j之差表示。 自由时差,指一项工作在不影响后续工作的情况下所拥有的机动时间。用紧后工作的最早开始时间与该工作的最早完成时间之差表示。 网络图时间参数相关概念包括: 各项工作的最早开始时间、最迟开始时间、最早完成时间、最迟完成时间、节点的最早时间及工作的时差(总时差、自由时差)。 1总时差=最迟完成时间—尚需完成时间。计算结果若大于0,则不影响总工期。若小于0则影响总工期。 2拖延时间=总时差+受影响工期,与自由时差无关。 3自由时差=紧后最早开始时间—本工作最早完成时间。 自由时差和总时差-----精选题解(免B) 1、在双代号网络计划中,如果其计划工期等于计算工期,且工作i-j的完成节点j在关键线路上,则工作i-j的自由时差()。 A.等于零 B.小于零 C.小于其相应的总时差 D.等于其相应的总时差 答案:D 解析:

本题主要考察自由时差和总时差的概念。由于工作i-j的完成节点j在关键线路上,说明节点j为关键节点,即工作i -j的紧后工作中必有关键工作,此时工作i-j的自由时差就等于其总时差。 2、在某工程双代号网络计划中,工作M的最早开始时间为第15天,其持续时间为7天。 该工作有两项紧后工作,它们的最早开始时间分别为第27天和第30天,最迟开始时间分别为第28天和第33天,则工作M的总时差和自由时差()天。 A.均为5 B.分别为6和5 C.均为6 D.分别为11和6 答案:B 解析: 本题主要是考六时法计算方法 1、工作M的最迟完成时间=其紧后工作最迟开始时间的最小值所以工作M 的最迟完成时间等于[28,33]=28 2、工作M的总时差=工作M的最迟完成时间-工作M的最早完成时间等于28-(15+7)=6 3、工作M的自由时差=工作M的紧后工作最早开始时间减工作M的最早完成时间所得之差的最小值: [27-22;30-22]= 5。 3、在工程网络计划中,判别关键工作的条件是该工作()。

实验一逻辑门电路的基本参数及逻辑功能测试

实验一逻辑门电路的基本参数及逻辑功能测试 一、实验目的 1、了解TTL与非门各参数的意义。 2、掌握TTL与非门的主要参数的测试方法。 3、掌握基本逻辑门的功能及验证方法。 4、学习TTL基本门电路的实际应用。 5、了解CMOS基本门电路的功能。 6、掌握逻辑门多余输入端的处理方法。 二、实验仪器 三、实验原理 (一) 逻辑门电路的基本参数 用万用表鉴别门电路质量的方法:利用门的逻辑功能判断,根据有关资料掌握电路组件管脚排列,尤其是电源的两个脚。按资料规定的电源电压值接 好(5V±10%)。在对TTL与非门判断时,输入端全悬空,即全 “1”,则输出端用万用表测应为以下,即逻辑“0”。若将其 中一输入端接地,输出端应在左右(逻辑“1”),此门为合格 门。按国家标准的数据手册所示电参数进行测试:现以手册中 74LS20二-4输入与非门电参数规范为例,说明参数规范值和测试条件。 TTL与非门的主要参数 空载导通电源电流I CCL (或对应的空载导通功耗P ON )与非门处于不同的工作状态,电 源提供的电流是不同的。I CCL 是指输入端全部悬空(相当于输入全1),与非门处于导通状态,

输出端空载时,电源提供的电流。将空载导通电源电流I CCL 乘以电源电压就得到空载导通功 耗P ON ,即 P ON = I CCL ×V CC 。 测试条件:输入端悬空,输出空载,V CC =5V。 通常对典型与非门要求P ON <50mW,其典型值为三十几毫瓦。 2、空载截止电源电流I CCh (或对应的空载截止功耗P OFF ) I CCh 是指输入端接低电平,输出端开路时电源提供的电流。空载截止功耗POFF为空载 截止电源电流I CCH 与电源电压之积,即 P OFF = I CCh ×V CC 。注意该片的另外一个门的输入也要 接地。 测试条件: V CC =5V,V in =0,空载。 对典型与非门要求P OFF <25mW。 通常人们希望器件的功耗越小越好,速度越快越好,但往往速度高的门电路功耗也较大。 3、输出高电平V OH 输出高电平是指与非门有一个以上输入端接地或接低电平的输出电平。空载时,输出 高电平必须大于标准高电压(V SH =);接有拉电流负载时,输出高电平将下降。 4、输出低电平V OL 输出低电平是指与非门所有输入端接高电平时的输出电平。空载时,输出低电平必须低于标准低电压(VSL=);接有灌电流负载时,输出低电平将上升。 5、低电平输入电流I IS (I IL ) I IS 是指输入端接地输出端空载时,由被测输入端流出的电流值,又称低电平输入短路 电流,它是与非门的一个重要参数,因为入端电流就是前级门电路的负载电流,其大小直 接影响前级电路带动的负载个数,因此,希望I IS 小些。

【重磅】双代号网络图时间参数计算

双代号网络图时间参数计算 双代号网络图时间参数计算 双代号网络图是应用较为普遍的一种网络计划形式。它是以箭线及其两端节点的编号表示工作的网络图。 双代号网络图中的计算主要有六个时间参数: ES:最早开始时间,指各项工作紧前工作全部完成后,本工作最有可能开始的时刻; EF:最早完成时间,指各项紧前工作全部完成后,本工作有可能完成的最早时刻 LF:最迟完成时间,不影响整个网络计划工期完成的前提下,本工作的最迟完成时间;LS:最迟开始时间,指不影响整个网络计划工期完成的前提下,本工作最迟开始时间;TF:总时差,指不影响计划工期的前提下,本工作可以利用的机动时间; FF:自由时差,不影响紧后工作最早开始的前提下,本工作可以利用的机动时间。 双代号网络图时间参数的计算一般采用图上计算法。下面用例题进行讲解。 例题:试计算下面双代号网络图中,求工作C的总时差? 早时间计算: ES,如果该工作与开始节点相连,最早开始时间为0,即A的最早开始时间ES=0; EF,最早结束时间等于该工作的最早开始+持续时间,即A的最早结束EF为0+5=5; 如果工作有紧前工作的时候,最早开始等于紧前工作的最早结束取大值,即B的最早开始FS=5,同理最早结束EF为5+6=11,而E工作的最早开始ES为B、C工作最早结束(11、8)

取大值为11。 迟时间计算: LF,如果该工作与结束节点相连,最迟结束时间为计算工期23,即F的最迟结束时间LF=23;LS,最迟开始时间等于最迟结束时间减去持续时间,即LS=LF-D; 如果工作有紧后工作,最迟结束时间等于紧后工作最迟开始时间取小值。 时差计算: FF,自由时差=(紧后工作的ES-本工作的EF); TF,总时差=(本工作的最迟开始LS-本工作的最早开始ES)或者=(本工作的最迟结束LF-本工作的最早结束EF)。 该题解析: 则C工作的总时差为3. 总结: 早开就是从左边往右边最大时间 早结=从左往右取最大的+所用的时间 迟开就是从右边往右边最小时间 迟开=从右往左取最小的+所用的时间 总时差=迟开-早开;或者;总时差=迟结-早结 自由差=紧后工作早开-前面工作的早结 希望你看懂啦。呵呵 工作最早时间的计算:顺着箭线,取大值 工作最迟时间的计算:逆着箭线,取小值 总时差:最迟减最早 自由时差:后早始减本早完 1.工作最早时间的计算(包括工作最早开始时间和工作最早完成时间):“顺着箭线计算,依次取大”(最早开始时间--取紧前工作最早完成时间的最大值),起始结点工作最早开始时间为0。用最早开始时间加持续时间就是该工作的最早完成时间。 2.网络计划工期的计算:终点节点的最早完成时间最大值就是该网络计划的计算工期,

影响运放电路的误差的几个主要参数

影响运放电路的误差的几个主要参数(KCMR,VIO,Iib,Iio等) 1.共模抑制比KCMR为有限值的情况 集成运放的共模抑制比为有限值时,以下图为例讨论。 VP=Vi VN=Vo 共模输入电压为: 差摸输入电压为: 运算放大器的总输出电压为:vo=A VD v ID+A VC v IC

闭环电压增益为: 可以看出,Avd和Kcmr越大,Avf越接近理想情况下的值,误差越小。 2.输入失调电压V IO 一个理想的运放,当输入电压为0时,输出电压也应为0。但实际上它的差分输入级很难做到完全对称。通常在输入电压为0时,存在一定的输出电压。 解释一:在室温25℃及标准电源电压下,输入电压为0时,为使输出电压为0,在输入端加的补偿电压叫做失调电压。 解释二:输入电压为0时,输出电压Vo折合到输入端的电压的负值,即V IO=- V O|VI=0/A VO 输入失调电压反映了电路的对称程度,其值一般为±1~10mV

3.输入偏置电流I IB BJT集成运放的两个输入端是差分对管的基极,因此两个输入端总需要一定的输入电流I BN和I BP。输入偏置电流是指集成运放输出电压为0时,两个输入端静态电流的平均值。 输入偏置电流的大小,在电路外接电阻确定之后,主要取决于运放差分输入级BJT的性能,当它的β值太小时,将引起偏置电流增加。偏置电流越小,由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也越小。其值一般为10nA~1uA。 4.输入失调电流I IO 在BJT集成电路运放中,当输出电压为0时,流入放大器两输入端的静态基极电流之差,即I IO=|I BP-I BN| 由于信号源内阻的存在,I IO会引起一个输入电压,破坏放大器的平衡,使放大器输出电压不为0。它反映了输入级差分对管的不对称度,一般约为1nA~0.1uA。 5.输入失调电压VIO、输入失调电流IIO不为0时,运算电路的输出端将产生误差电压。 设实际的等效电路如下图大三角符号,小三角符号内为理想运放,根据VIO和IIO的定义画出。

集总参数和分布参数

集总参数和分布参数 组成电路模型的元件,都是能反映实际电路中元件主要物理特征的理想元件,由于电路中实际元件在工作过程中和电磁现象有关,因此有三种最基本的理想电路元件:表示消耗电能的理想电阻元件R;表示贮存电场能的理想电容元件C;表示贮存磁场能的理想电感元件L,当实际电路的尺寸远小于电路工作时电磁波的波长时,可以把元件的作用集总在一起,用一个或有限个R、L、C元件来加以描述,这样的电路参数叫做集总参数。而集总参数元件则是每一个具有两个端钮的元件,从一个端钮流入的电流等于从另一个端钮流出的电流;端钮间的电压为单值量。 参数的分布性指电路中同一瞬间相邻两点的电位和电流都不相同。这说明分布参数电路中的电压和电流除了是时间的函数外,还是空间坐标的函数。 一个电路应该作为集总参数电路,还是作为分布参数电路,或者说,要不要考虑参数的分布性,取决于其本身的线性尺寸与表征其内部电磁过程的电压、电流的波长之间的关系。若用 l表示电路本身的最大线性尺寸,用λ表示电压或电流的波长,则当不等式 λ>>l 成立,电路便可视为集总参数电路,否则便需作为分布参数电路处理。电力系统中,远距离的高压电力传输线即是典型的分布参数电路,因50赫芝的电流、电压其波长虽为 6000 千米,但线路长度达几百甚至几千千米,已可与波长相比。通信系统中发射天线等的实际尺寸虽不太长,但发射信号频率高、波长短,也应作分布参数电路处理。 研究分布参数电路时,常以具有两条平行导线、而且参数沿线均匀分布的传输线为对象。这种传输线称为均匀传输线(或均匀长线)。作这样的选择是因为实际应用的传输线可以等效转换成具有两条平行导线形式的传输线,而且这种均匀的传输线容易分析。 传输线是传送能量或信号的各种传输线的总称。其中包括电力传输线、电信传输线、天线等。传输线又称长线。由于它具有在空间某个方向上其长度已可与其内部电压、电流的波长相比拟,而必须考虑参数分布性的特征,所以是典型的分布参数电路。在电路理论中讨论传输线时以均匀传输线作为对象。均匀传输线是指参数沿线均匀分布的二线传输线,其基本参数,或称原参数是R0、L0、C0和G0。其中R0代表单位长度线(包括来线与回线)的电阻;L0代表单位长度来线与回线形成的电感;C0和G0分别代表单位长度来线与回线间的电容和

电源基础知识(电源的基本参数)

四、电源的基本参数 1电压 2输入电压 就是市电电压。 国内电压是220V,但电网电压并不是时刻稳定在220V,而是有一定的波动。采用被动PFC 的电源,可以适应的电网电压一般是在180~264V 之间,当电压突然降低到180V 以下时,电源会出现重新启动的现象;电压偏高,则会导致电源保险烧毁。 第15 页 部分电源可以承受电压的缓慢下降,甚至电压缓降到180V 以下时,也可以正常工作, 但此时电源的负载能力也将下降,难以达到额定功率的输出。采用了主动PFC 电路的电源,适应电压可以扩大到90~264V,在此区间均可正常使用。需要指出的是,不是所有 主动PFC 电源,都是宽电压设计。 4.1.2 输出电压 就是电源输出给电脑使用的直流电压。 ATX 电源输出的直流电压有+5V、+12V、-12V 、+5VSB、+3.3V。 同样,电源所输出的直流电压也会有一定的波动。我们允许输出电压有一定的波动,但不能超过INTEL 所界定的范围,正电压允许在基准值上下5%之内波动,而负电压允许在上下10%之内波动,如+5V 的正常范围是4.75~5.25V,而-12V 的正常范围是-10.8~-13.2V 。 要求电源在空载、轻载、典型负载与满载状态下,各路输出电压均在允 许范围 内。当超过此范围,电脑运行就有可能出现问题。检测电源的输出电压需要使用万用表等设备,软件检测的结果往往并不精确。电源输出电压的稳 定性,是电源的一个重要指标,但绝不是判断一款电源优劣的唯一指标。电源性能指标非常繁多,电压的稳定性只是其中一项。只要电源输出在合理的范围内,对电脑配件都不会造成负面影响,这时电压的波动范围在1%和5%的意义是一样的,过分地关注波动的大小是不必要的。但波动的相对大小,侧面反映了电源的负载能力,波动率相对越小的电源,其实际的最大输出功率可能越大,毕竟,输出电压超出规定范围时的输出功率是没有益处的。 相对来说,电压偏高比电压偏低更具有危险性,电压偏低至多引起电脑工作的不正常,而电压偏高则可能烧毁硬件。一

单代号搭接网络计划时间参数计算

单代号搭接网络计划时间参数计算 在一般的网络计划(单代号或双代号)中,工作之间的关系只能表示成依次衔接的关系,即任何一项工作都必须在它的紧前工作全部结束后才能开始,也就是必须按照施工工艺顺序和施工组织的先后顺序进行施工。但是在实际施工过程中,有时为了缩短工期,许多工作需要采取平行搭接的方式进行。对于这种情况,如果用双代号网络图来表示这种搭接关系,使用起来将非常不方便,需要增加很多工作数量和虚箭线。不仅会增加绘图和计算的工作量,而且还会使图面复杂,不易看懂和控制。例如,浇筑钢筋混凝土柱子施工作业之间的关系分别用横道图、双代号网络图和搭接网络图表示,如下图所示。 施工过程 名 称 施工进度(天) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 一.搭接关系的种类及表达方式 单代号网络计划的搭接关系主要是通过两项工作之间的时距来表示的,时距的含义,表示时间的重叠和间歇,时距的产生和大小取决于工艺的要求和施工组织上的需要。用以表示搭接关系的时距有五种,分别是STS (开始到开始)、STF (开始到结束)、FTS (结束到开始)、FTF (结束到结束)和混合搭接关系。 (一)FTS (结束到开始)关系 结束到开始关系是通过前项工作结束到后项工作开始之间的时距(FTS )来表达的。如下图所示。 扎钢筋 浇筑混凝土 支模1 支模2 支模3 1 2 4 3 5 6 8 7 9 10 支模1 2 支模2 2 支模3 2 扎筋2 1 扎筋3 1 扎筋1 1 浇筑混凝土1 2 浇筑混 凝土2 2 浇筑混 凝土3 2 支模 6 扎钢筋 3 浇筑 6 STS=4 FTF=1 STS=1 FTF=4 i j FTS i j FTS D i D j

线路参数计算公式

参数计算(第一版) 1.线路参数计算内容 1.1已知量: 线路型号(导线材料、截面积mm 2)、长度(km)、排列方式、线间距离(m)、外径(mm)、分裂数、分裂距(m)、电压等级(kV)、基准电压U B (kV , 母线电压作为基准电压)、基准容量S B (100MV A)。 1.2待计算量: 电阻R(Ω/km)、线电抗X(Ω/km)、零序电阻R0(Ω/km)、零序电抗X0(Ω/km)、对地电纳B (S/km)、对地零序电纳B0(S/km)。 1.3计算公式: 1.3.1线路电阻 R=ρ/S (Ω/km) R*=R 2B B U S 式中 ρ——导线材料的电阻率(Ω·mm 2/km); S ——线路导线的额定面积(mm 2)。 1.3.2线路的电抗 X=0.1445lg eq m r D +n 0157.0(Ω/km) X*=X 2B B U S 式中 m D ——几何均距,m D =ac bc ab D D D (mm 或cm,其单位应与eq r 的单位相同); eq r ——等值半径, eq r =n n m rD 1 (mm,其中r 为导线半径); n ——每个导线的分裂数。 1.3.3零序电阻 R0=R+3R g (Ω/km)

R0*=R02B B U S 式中 R g ——大地电阻, R g =π2×10-4×f =9.869×10-4×f (Ω/km)。在f =50Hz 时,R g =0.05Ω/km 。 1.3.4零序电抗 X0=0.4335lg s g D D (Ω/km) X0*=X02B B U S 式中 g D ——等值深度, g D =γf 660 ,其中γ为土壤的电导率,S/m 。当土壤电导率不明确时,在一 般计算中可取g D =1000m 。 s D ——几何平均半径, s D =32m D r '其中r '为导线的等值半径。若r 为单根导线的实际半径,则 对非铁磁材料的圆形实心线,r '=0.779r ;对铜或铝的绞线,r '与绞线股 数有关,一般r '=0.724~0.771r ;纲芯铝线取r '=0.95r ;若为分裂导线 ,r '应为导线的相应等值半径。m D 为几何均距。 1.3.5对地电钠 B=610lg 58.7-?eq m r D (S/km) B*=B B B S U 2 式中

缓冲电路的设计

基于IGBT逆变桥缓冲电路的设计 对于不同的电力电子器件,缓冲电路的功能有所不同。IGBT的缓冲电路有其自身特点:1、IGBT的安全工作区范围较大,不需要保护抑制二次击穿极限,只需控制瞬态电压;2、一般应用中,IGBT的工作频率较高,在每次开关过程中缓冲电路都要通过IGBT或自身放电,可能带来较大的损耗。 对于像IGBT这种高频开关器件,线路杂散及分布电感可起到开通缓冲的作用;另外,在大容量的应用中,由于经常用于感性负载,也可起到开通缓冲的作用。IGBT的工作频率经常高达20-50kHz,即使大容量应用一般也在5kHz,因此很小的电路电感就可能引起很大的Ldi/dt,从而产生过电压危及IGBT的安全,故IGBT的缓冲电路的功能更侧重于开关过程中过电压的吸收和抑制。 1 IGBT逆变桥无源无损缓冲电路的提出 1.1传统的IGBT逆变桥RCD缓冲电路 图1是用于IGBT逆变桥的几种常用的缓冲电路。 图a)是最简单的单电容电路,适用于小容量的IGBT模块,对于抑制瞬变电压非常有效且成本较低。由于电路中无阻尼元件,随功率增大,易与线路杂散电感产生LC震荡,故应选择无感电容或串入电阻。 图b)是一个单元RCD缓冲电路,由于其中的快恢复二极管可钳位瞬变电压,从而可抑制谐振的发生。但随着功率等级的进一步加大,这种电路的回路寄生电感会变得很大,以至不能有效控制du/dt,因此,一般用于小容量IGBT逆变桥。 图c)是钳位式RCD缓冲电路,是实际应用较多的缓冲电路。该电路将电容上过冲能量部分送回电源,因此损耗较小,被认为是适合大功率IGBT的缓冲电路。 (a) (b) (c) 图1三种常用的IGBT缓冲电路

常用集成电路及主要参数

1 附录四、常用集成电路及主要参数 4.1 常用集成电路的引线端子识别及使用注意事项 4.1.1 集成电路引出端的识别 使用集成电路前,必须认真查对和识别集成电路的引线端,确认电源、地、输入、输出及控制端的引线号,以免因错接损坏元器件。 贴片封装(A、B)型,如附图4.1-1所示,识别时,将文字符 号正放,定位销向左,然后,从左下角起,按逆时针方向依次 为1、2、3……。 扁形和双列直插型集成电路:如附图 4.1-2(b)所示,识别 时,将文字符号标记正放,由顶部俯视,其面上有一个缺口或 小圆点,附图4.1-1贴片型,有时两者都有,这是“1”号引线 端的标记,如将该标记置于左边,然后,从左下角起,按逆时 针方向依次为1、2、3……。 一般圆型和集成电路:如附图4.1-2(a)所示,识别时,面向引出端,从定位销顺时针依次为1、2、3……。圆形多用于模拟集成电路。 (a) 园形外型(b)扁平双列直插型 附图4.1-2 集成电路外引线的识别 4.1.2 数字集成电路的使用 数字集成电路按内部组成的元器件的不同又分为:TTL电路和CMOS电路。不论哪一种集成电路,使用时,首先应查阅手册,识别集成电路的外引线端排列图,然后按照功能表使用芯片,尤其是牛规模的集成电路,应注意使能端的使用,时序电路还应注意“同步”和“异步”功能等。 使用集成路时应注意以下方面的问题。 1、TTL电路 (1)电源 ①只允许工作在5V±10%的范围内。若电源电压超过5.5V或低于4.5V,将使器件损坏或导致器件工作的逻辑功能不正常。 ②为防止动态尖峰电流造成的干扰,常在电源和地之间接人滤波电容。消除高频干扰的滤波电容取0.01~0.1PF,消除低频干扰取10—50/uF ③不要将“电源”和“地”颠倒,例如将741S00插反,缺口或小圆点置于右面,则电源的引线端与“地”引线端恰好颠倒,若不注意,这种情况极易发生,将造成元器件的损坏。 ④TTL电路的工作电流较大,例如中规模集成TTL电路需要几十毫安的工作电流,因此使用干电池长期工作,既不经济,也不可靠。 (2)输出端 ①不允许直接接地或接电源,否则将使器件损坏。 ②图腾柱输出的TTL门电路的输出端不能“线与”使用,OC门的输出端可以

双代号网络图时间参数的计算

双代号网络图时间参数的计算 参数名称符号英文单词 工期 计算工期TCComputer Time 要求工期TR RequireTime 计划工期T P Plan Time 工作的 时间参数 持续时间D i-jDay 最早开始时间ES i-j Earliest Starting Tim e 最早完成时间EF i—j Earliest Finishing Time 最迟完成时间LFi—jLatest Finishing Time 最迟开始时间LSi—jLatest Starting Time 总时差TFi-j Total Float Time 自由时差FF i-j Free Float Time 二、工作计算法 【例题】:根据表中逻辑关系,绘制双代号网络图,并采用工作计算法计算各工作的时间参数。 工作A B C DEFGHI 紧前-A A B B、C C D、E E、 F H、G 时间333854422

(一)工作的最早开始时间ESi—j —-各紧前工作全部完成后,本工作可能开始的最早时刻。 (二)工作的最早完成时间EF i—j EF i-j=ES i-j + D i—j 1。计算工期Tc等于一个网络计划关键线路所花的时间,即网络计划结束工作最早完成时间的最大值,即T c=max{EF i—n} 2.当网络计划未规定要求工期Tr时, Tp=T c 3.当规定了要求工期Tr时,T c≤T p,T p≤T r —-各紧前工作全部完成后,本工作可能完成的最早时刻。

(三)工作最迟完成时间LFi-j 1.结束工作的最迟完成时间LFi-j=T p 2.其他工作的最迟完成时间按“逆箭头相减,箭尾相碰取小值”计算. --在不影响计划工期的前提下,该工作最迟必须完成的时刻。 (四)工作最迟开始时间LS i-j LSi—j=LFi—j—D i-j --在不影响计划工期的前提下,该工作最迟必须开始的时刻。

晶振的主要参数及其对电路的影响

Crystal First Failure FL RR DLD2 RLD2 SPDB C0 C0/C1 C1 L ppm Ohms Ohms Ohms dB pF fF mH High Limit 20.0 80.0 8.0 80.0 -2.0 7.0 Low Limit -20.0 1.0 1 PASS 3.45 50.57 2.24 54.39 -4.66 3.83 3,744.84 1.0 2 10.75 2 PASS -5.84 32.05 4.18 36.30 -6.96 3.86 4,113.29 0.94 11.70 3 Fail DLD2 High 0.44 73.86 27.81 108.17 -3.59 3.74 3,613.27 1.03 10.63 4 Fail SPDB High -8.97 33.67 2.06 37.55 -0.44 3.92 5,538.01 0.71 15.54 5 PASS -1.27 40.11 1.65 42.75 -7.8 6 3.89 3,955.09 0.98 11.17 6 PASS -6.74 30.12 4.38 34.23 -9.58 3.81 3,608.85 1.06 10.42 7 PASS -3.52 41.97 1.52 42.86 -6.95 3.85 4,670.19 0.82 13.35 8 PASS 1.13 38.34 2.07 40.46 -4.15 3.88 5,017.95 0.77 14.23 9 PASS -7.01 21.31 0.73 21.80 -9.89 3.83 3,018.17 1.27 8.67 10 Fail DLD2 High -3.62 24.75 52.36 78.55 -10.30 3.86 2,943.39 1.31 8.37 晶振的等效电器模型 C0 ,是指以水晶为介质,由两个电极形成的电容。也称为石英谐振器的并联电容,它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。几~几十pF。 R1 等效石英片产生机械形变时材料的能耗;几百欧 C1 反映其材料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pF L1 大体反映石英片的质量.mH~H

集中参数模型和分布参数模型

集总参数和分布参数 集中参数模型中模型的各变量与空间位置无关,而把变量看作在整个系统中是均一的,对于稳态模型,其为代数方程,对于动态模型,则为常微分方程。 分布参数模型中至少有一个变量与空间位置有关,所建立的模型对于稳态模型为空间自变量的常微分方程,对于动态模型为空间、时间自变量的偏微分模型 组成电路模型的元件,都是能反映实际电路中元件主要物理特征的理想元件,由于电路中实际元件在工作过程中和电磁现象有关,因此有三种最基本的理想电路元件:表示消耗电能的理想电阻元件R;表示贮存电场能的理想电容元件C;表示贮存磁场能的理想电感元件L,当实际电路的尺寸远小于电路工作时电磁波的波长时,可以把元件的作用集总在一起,用一个或有限个R、L、C元件来加以描述,这样的电路参数叫做集总参数。而集总参数元件则是每一个具有两个端钮的元件,从一个端钮流入的电流等于从另一个端钮流出的电流;端钮间的电压为单值量。 参数的分布性指电路中同一瞬间相邻两点的电位和电流都不相同。这说明分布参数电路中的电压和电流除了是时间的函数外,还是空间坐标的函数。 一个电路应该作为集总参数电路,还是作为分布参数电路,或者说,要不要考虑参数的分布性,取决于其本身的线性尺寸与表征其内部电磁过程的电压、电流的波长之间的关系。若用l表示电路本身的最大线性尺寸,用λ表示电压或电流的波长,则当不等式λ>>l 成立,电路便可视为集总参数电路,否则便需作为分布参数电路处理。电力系统中,远距离的高压电力传输线即是典型的分布参数电路,因50赫芝的电流、电压其波长虽为6000 千米,但线路长度达几百甚至几千千米,已可与波长相比。通信系统中发射天线等的实际尺寸虽不太长,但发射信号频率高、波长短,也应作分布参数电路处理。 研究分布参数电路时,常以具有两条平行导线、而且参数沿线均匀分布的传输线为对象。这种传输线称为均匀传输线(或均匀长线)。作这样的选择是因为实际应用的传输线可以等效转换成具有两条平行导线形式的传输线,而且这种均匀的传输线容易分析。 传输线是传送能量或信号的各种传输线的总称。其中包括电力传输线、电信传输线、天线等。传输线又称长线。由于它具有在空间某个方向上其长度已可与其内部电压、电流的波长相比拟,而必须考虑参数分布性的特征,所以是典型的分布参数电路。在电路理论中讨论传输线时以均匀传输线作为对象。均匀传输线是指参数沿线均匀分布的二线传输线,其基本参数,或称原参数是R0、L0、C0和G0。其中R0 代表单位长度线(包括来线与回线)的电阻;L0代表单位长度来线与回线形成的电感;C0和G0分别代表单位长度来线与回线间的电容和漏电导。这些参数是由导线所用的材料、截面的几何形状与尺寸、导线间的距离,以及导线周围介质决定的。在高频和低频高电压下它们都有近似的计算公式。 传输线可分为长线和短线,长线和短线是相对于波长而言的。所谓长线是指传输线的几何长度和线上传输电磁波的波长的比值(即电长度)大于或接近于1。反之称为短线。在微波技术中,波长以m 或cm 计,故1m 长度的传输线已长于波长,应视为长线;在电力工程中,即使长度为1000m 的传输线,对于频率为50Hz(即波长为6000km)的交流电来说,仍远小于波长,应视为短线。传输线这个名称均指长线传输线。 长线和短线的区别还在于:前者为分布参数电路,而后者是集中参数电路。在低频电路中常常忽略元件连接线的分布参数效应,认为电场能量全部集中在电容器中,而磁场能量全部集中在电感器中,电阻元件是消耗电磁能量的。由这些集中参数元件组成的电路称为集中参数

电路基本要求

基本要求、重点难点及教学进度 基本电路理论教学基本要求重点难点和进度(72学时) 第一部分基本概念 一、基本要求 1、建立实际电路与电路模型、集总参数电路的概念。 2、牢固掌握基尔霍夫定律,能正确和熟练地应用KCL和KVL列写电路方程。 3、初步建立电路图论的基本概念:图、连通图和子图的概念,树、回路与割集的拓扑概念,关联矩阵,基本回路,基本割集的概念,选取树和独立回路的方法。 4、了解特勒根定理以及它和KCL、KVL的关系。 5、熟练掌握电路变量(电压、电流)及其参考方向;电压源、电流源及其基本波形(直流、正弦、阶跃、冲激、斜波等)。 6、熟练掌握电阻元件的定义、分类、基本性质及其电压电流关系。 7、掌握二端口元件(受控电源、回转器、理想变压器和理想运算放大器)的特性及其电压电流关系。 8、掌握线性和非线性、非时变和时变的概念,等效的概念,端口的概念。 9、了解电功率与电能量的计算,有源与无源的概念。 二、重点和难点 重点 1、电路模型的概念,用集中参数电路模型模拟实际电路的条件。 2、支路电流、电压的参考方向与其真是方向的关系。 3、 KCL和KVL,电路独立的KCL方程和独立的KVL方程的列写方法。 4、图和子图的概念,选取树和独立回路的方法。 5、关联矩阵,用降阶关联矩阵表示的KCL和KVL的矩阵形式。 6、特勒根定理及其和KCL、KVL的关系。 7、线性与非线性、非时变与时变的概念。 8、电阻元件的特性及其v-i关系。 9、二端元件瞬时功率的定义以及吸收功率与放出功率的规定。 10、二端元件吸收能量的公式及有源元件与无源元件的规定。 11、理想变压器的特性、电压电流关系及其阻抗变换性质。 12、理想运算放大器的特性及含理想运算放大器电路的分析方法。 13、四类线性非时变受控源的特性及含受控源电路的分析方法,用受控源表示的双口元件的等效电路。 难点 1、分布参数与集中参数的概念,电路的集中化判据。 2、器件建模的概念。 3、支路电流、电压的参考方向与其真是方向的关系。 4、独立回路的确定与割集的概念。 5、冲激函数d(t)及其性质。 6、用阶跃函数ε(t)、斜坡函数r(t)及冲激函数d(t)来表示波形的方法。 三、学习中易产生的问题 1、 KCL和KVL不适用于分布参数电路。

工程网络计划有关时间参数的计算典型例题

工程网络计划有关时间参数的计算典型例题 例题1:某工程双代号网络计划如下图所示(单位:天)。该网络计划的关键线路为()。 A.①→③→⑤→⑥ B.①→③→④→⑤→⑥和①→②→③→④→⑤→⑥ C.①→②→⑤→⑥和①→②→③→④→⑥ D.①→②→③→⑤→⑥ 【正确答案】B 【答案解析】按工作计算法可知,总工期为14天,关键线路为:①→③→④→⑤→⑥和①→②→③→④→⑤→⑥两条。参见教材P128. 例题2:[背景资料]某施工企业与业主签订了某工程的施工承包合同。经监理工程师审核批准的施工进度计划如下图所示(时间单位:天)。 根据上述背景资料,回答下列第1~4小题: 第1小题:双代号网络图中虚箭线表示()。 A.资源消耗程度B.工作的持续时间C.工作之间的逻辑关系D.非关键工作 【正确答案】C

【答案解析】在双代号网络图中,为了正确地表达图中工作之间的逻辑关系,往往需要用虚箭线。虚线是实际工作中并不存在的一项虚设工作,故它们既不占用时间,也不消耗资 源。 在双代号网络图中,任意一条实箭线都要占用时间、消耗资源。参见教材P116. 第2小题:监理工程师审核批准的施工进度计划工期是()天。 A.210 B.245 C.280 D.300 【正确答案】D 【答案解析】本题实质就是计算该网络计划的工期。计算得到的最早开始时间、最早完成时间、最迟开始时间、最迟完成时间、总时差和自由时差。由图可知计划工期是300天。由于该网络计划图较简单,也可以分别计算四条线路的持续时间,关键线路的长就是计划工 期。参见教材P127. 工期泛指完成任务所需要的时间,一般有以下3种; (1)计算工期,根据网络计划时间参数计算出来的工期,用T c表示; (2)要求工期,任务委托人所要求的工期,用T r表示; (3)计划工期,根据要求工期和计算工期所确定的作为实施目标的工期,用T p表示。 网络计划的计划工期T p应按下列情况分别确定:当已规定了要求工期T r时,T p≤T r; 当未规定要求工期时,可令计划工期等于计算工期,T p=T r。 计算过程见下图所示:

IGBT驱动电路参数计算详解

IGBT驱动电路参数计算详解 大功率IGBT 模块在使用中驱动器至关重要,本文介绍在特定应用条件下IGBT门极驱动性能参数的计算方法,经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准,得出的一些参数值可以作为选择一款合适IGBT驱动器的基本依据。 1 门极驱动的概念 IGBT存在门极-发射极电容Cge,门极-集电极电容Cgc,我们将IGBT的门极等效电容定义为Cg,门极驱动回路的等效电路如下图所示: 其本质是:一个脉冲电压源向RC电路进行充放电,对于这个电压源,有2个物理量我们需要关心,1.它的功率;2.它的峰值电流。 2 驱动功率的计算 驱动器是用来控制功率器件的导通和关断。为了实现此功能,驱动器对功率器件的门极进行充电以达到门极开通电压VGE_on,或者是对门极进行放电至门极关断电压 VGE_off。 门极电压的两种电平间的转换过程中,在驱动器门极驱动电阻及功率器件组成的回路中产生一定的损耗。这个参数我们称为驱动功率PDRV。驱动器必须根据其所驱动的功率器件所需的驱动功率来选择。 驱动功率可以从门极电荷量QGate,开关频率fIN,以及驱动器实际输出电压摆幅ΔVGate 计算得出: P DRV = Q Gate * f IN * ΔV Gate (Eq. 1) 备注:P DRV: 驱动器每通道输出功率;f IN: IGBT开关频率;Q Gate :IGBT门极电荷,可从规格书第一页查出,不同IGBT该数值不同;ΔV Gate:门极驱动电压摆幅,等于驱动正压+U 和负压–U 之间差值。 如果门极回路放置了一个电容CGE (辅助门极电容),那么驱动器也需要对该电容进行充放电,如图1 所示:

集总参数-分布参数.

什么是集总参数和分布参数 组成电路模型的元件,都是能反映实际电路中元件主要物理特征的理想元件,由于电路中实际元件在工作过程中和电磁现象有关,因此有三种最基本的理想电路元件:表示消耗电能的理想电阻元件R;表示贮存电场能的理想电容元件C;表示贮存磁场能的理想电感元件L,当实际电路的尺寸远小于电路工作时电磁波的波长时,可以把元件的作用集总在一起,用一个或有限个R、L、C元件来加以描述,这样的电路参数叫做集总参数。而集总参数元件则是每一个具有两个端钮的元件,从一个端钮流入的电流等于从另一个端钮流出的电流;端钮间的电压为单值量。 参数的分布性指电路中同一瞬间相邻两点的电位和电流都不相同。这说明分布参数电路中的电压和电流除了是时间的函数外,还是空间坐标的函数。 一个电路应该作为集总参数电路,还是作为分布参数电路,或者说,要不要考虑参数的分布性,取决于其本身的线性尺寸与表征其内部电磁过程的电压、电流的波长之间的关系。若用l表示电路本身的最大线性尺寸,用λ表示电压或电流的波长,则当不等式λ>>l 成立,电路便可视为集总参数电路,否则便需作为分布参数电路处理。电力系统中,远距离的高压电力传输线即是典型的分布参数电路,因5 0赫芝的电流、电压其波长虽为6000 千米,但线路长度达几百甚

至几千千米,已可与波长相比。通信系统中发射天线等的实际尺寸虽不太长,但发射信号频率高、波长短,也应作分布参数电路处理。研究分布参数电路时,常以具有两条平行导线、而且参数沿线均匀分布的传输线为对象。这种传输线称为均匀传输线(或均匀长线)。作这样的选择是因为实际应用的传输线可以等效转换成具有两条平行导线形式的传输线,而且这种均匀的传输线容易分析。 传输线是传送能量或信号的各种传输线的总称。其中包括电力传输线、电信传输线、天线等。传输线又称长线。由于它具有在空间某个方向上其长度已可与其内部电压、电流的波长相比拟,而必须考虑参数分布性的特征,所以是典型的分布参数电路。在电路理论中讨论传输线时以均匀传输线作为对象。均匀传输线是指参数沿线均匀分布的二线传输线,其基本参数,或称原参数是R0、L0、C0和G0。其中R 0 代表单位长度线(包括来线与回线)的电阻;L0代表单位长度来线与回线形成的电感;C0和G0分别代表单位长度来线与回线间的电容和漏电导。这些参数是由导线所用的材料、截面的几何形状与尺寸、导线间的距离,以及导线周围介质决定的。在高频和低频高电压下它们都有近似的计算公式。

电机绕组的基本参数及常用名词术语

电机绕组的基本参数及常用名词术语 一:绕组的基本参数 1.机械角度与电气角度 电机绕组分布铁心槽内时必须按一定规律嵌放与联接,才能输出对称的正弦交流电或产生旋转磁场。除与其它一些参数有关外,反映各线圈和绕组间相对位置的规律时,我们还要用到电气用度这个概念。从机械学中知道可以把圆等分成360°,这个360°就是平常所说的机械角度。而在电工学中计量电磁关系的角度单位则叫做电气角度,它是将正弦交流电的每一周在横坐标上等分为360°,也就是导体空间经过一对磁极时在电磁上相应变化了360°电气角度。因此,电气角度与机械角度在电机中的关系为:电气角度α=极对数xPx360°。 2.极距 绕组的极距是指每磁极所占铁心圆周表面的距离。一般常指电机铁心相邻两磁极中心所跨占的槽距,定子铁心以内圆气隙表面的槽距计算;转子则以铁心外圆气隙表面的槽距来计算。通常极距有两种表示方法,一种是以长度表示;另一种则以槽数表示,习惯上以槽数表示的较多。 3.节距 电机绕组每个线圈两元件边之间所跨占到的铁心槽数叫做节距,也称跨距。当线圈元件节距等于极距对称为全距绕组;线圈元件节距小于极距时则称短距绕组;而当线圈元件节距大于极距时则称长距绕组。由于短距绕组具有端部较短电磁线用料省和功率因数较高等许多优点,因而在应用较多的双层叠绕组中无一例外的都采用短距绕组。 4.绕组系数 绕组系数是指交流分布绕组的短距系数和分布系数的乘积,即5.槽距角

电机铁心两相邻槽之间的电气角度称为槽距角,通常用a表示,即6.相带 相带就是指每相绕组在每一个磁极所占的区域,通常用电气角度或槽数表示。如果将三相电机处在每一对磁极下的绕组分成六个区域则每极下三个。由于槽距角α=360°P/Z如该电机为4极24槽故每相每区域的宽度为qα=Z/6P*360P/Z=60°,按这样分布绕嵌的绕组就称为60°相带绕组。因60°连续相带绕组所具有明显优势,故在三相电机中绝大多数都采用这种绕组。 7.每极每相槽数 每极每相槽数是指每相绕组在每一个磁极所分占的槽数,每极每相绕组内应绕的线圈数就依据它确定。即 q=Z/2Pm Z:铁心槽数; 2P:电机极数; m电机相数。 8.每槽导体数 电机绕组的每槽导体数应为整数,双层绕组的每槽导体数还应为偶数整数。绕线转子绕组的每槽导体数由其开路电压确定,中型电机绕线转子的每槽导体数须等于2。定子绕组的每槽导体数可由下式计算: N S1=N Φ1m1a1/Z1 N S1:定子绕组每槽导体数; N Φ1:按气隙磁密计算的每槽导体数; m1:定子绕组相数; a1:定子绕组并联支路数; Z1:定子槽数。 9.每相串联导体数 每相串联导体数是指电机内每相绕组串联的总线匝数。不过该串联总线匝数与每相绕组内的并联支路数有关,如电机的并联支路数为1路接法,那么该电机各极下线圈所有串联线匝数均应相加而成为相绕组的总线匝数。如电机的每相绕组内有多条并联支路数,即电机为2路接法、3路接法等,此时每相串联导体数则只能以其中

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