触控面板非黄光新制程技术

工研院和Komori發表新一代觸控面板製程技術

精實新聞 2013-08-28 07:33:00 記者許曉嘉報導

因應輕薄/超窄邊框設計已成智慧手持裝置發展主流，工研院和日本大廠Komori於8/27共同發表「非黃光之卷對卷超細線印刷技術」、號稱是全球首次以低於20μm精密導線印刷技術（fine-line printing）所開發之窄邊框薄型觸控模組。工研院表示，這項技術將可取代昂貴的黃光蝕刻製程，成為新一代觸控面板關鍵設備之一，預計可望於2014年導入量產，有助於啟動觸控面板產業製程變革。

根據工研院統計，觸控面板產業2012年產值達新台幣4940

億元，年增率達48%，其中，台灣觸控面板產值達全球第1大、市佔率超過5成。過去工研院累積許多卷對卷（roll-to-roll）研發技術能量，並且建立了完整卷對卷試量產實驗線，

今年有機會和Komori合作，讓卷對卷製程技術發展更上層樓，共同開發出低於20μm超細導線的卷對卷印刷機台。

工研院強調，目前大部分廠商仍以黃光蝕刻製程製作觸控面板，不僅步驟繁複，而且成本較高，若以工研院這項卷對卷設備與

傳輸技術、將精密導線印刷技術導入觸控面板製程，在超薄基

板上以直接印刷方式（direct printing）進行導線製作，即

可取代黃光蝕刻製程。

根據說明，工研院這項非黃光之卷對卷超細線印刷技術，只需

要1台設備，就可取代傳統圖案化濺鍍、塗佈到顯影、印製及

蝕刻等7台機台，並且金屬導線材料使用率從過去的5%、提

高至95%，即可完成觸控面板4-5層的製程，同時具備高效率、環保、降低成本等優點。

工研院電子與光電研究所所長劉軍廷指出，現在市面上有各式

窄邊框產品，其邊框寬度取決於導線的線寬及線距，目前一般

網版印刷技術可量產線寬約為60-80μm，凹版印刷也僅達到30-50μm。而這次工研院與Komori共同發表的新製程已可達到低於20μm，與黃光蝕刻製程達到同樣水準，且更能節省時間及成本。此印刷技術不僅可應用於觸控面板，未來還可應用在OLED照明、下世代軟性電路板、顯示器、太陽能板等

軟性電子應用上。

工研院這項新製程技術將自8/28至8/30在台北南港展覽館「2013觸控面板暨光學膜製程、設備、材料展示會（Touch Taiwan）展」工研主題館（攤位號碼M1234）展出，現場同時展示頭戴式顯示器使用凌空觸控Air Touch技術、可摺疊觸控薄膜、輕薄高強度觸控薄膜、奈米銀線透明導電材料及耐高溫透明基板等軟性顯示技術相關產品。

产品工艺制程能力提升计划

工艺制程能力提升计划 一、水刺产品工艺生产流程： 二、工艺生产流程分析及关键工序流程工艺控制提升点： 纤维原料开松混合 1、纤维原料的混合开松，要求混合均匀、配比准确、预开松效果较好；为下道工序的梳理成网做准备。 2、原料的配比要求控制点，按照生产任务单上料记录核对签字确认；开松混合的关键工艺控制点，预开松的效果及连续顺畅供棉的能力。 3、开松混合工艺能力提升，开包机斜帘、均棉打手、剥棉打手速度合理配置优化和均棉打手隔距的要求合理；能够达到开松混棉的效果也能达到稳定供棉的能力。控制点，均棉打手的隔距在稳定供棉的前提下隔距收小；均棉打手的速度配合斜帘输送棉的速度合理

提升相对速度。混棉开松的标准要求开松出来的纤维松散均匀没有块状。 梳理成网 1、梳理成网，要求成网均匀、清晰、无棉结、克重均匀稳定；为下道产品加固定型（水刺缠结加固）做准备。 2、梳理成网的关键控制点，输出的纤维网均匀，无棉结，克重均匀稳定。 3、梳理成网的关键工艺控制点提升，梳理道夫成网布面均匀度纤维网质量的控制。道夫成网的克重稳定性控制前提，气压棉箱喂入部分棉层横向厚度密度的偏差；关键调整方法下棉箱调节挡板的可视化作业指导及最终产品的克重偏差测试数据对比调整。道夫成网均匀度棉结控制工艺提升点，梳理机主锡林和道夫之间隔距的合理性和调整隔距的偏差，校正的工具隔距片；校准的依据隔距紧凑无偏差；校准的周期每月一次，保障道夫成网速度质量不受运行中的气流影响。成网均匀度控制合理优化道夫的输出纤维网速度提升速度的同时稳定纤维质量减少防止纤维网棉结的产生。 水刺缠结 1、水刺缠结，要求缠结紧密、无水针痕、缠结加固平

制程工程师 PE相关说明

制程工程师英文Process Engineer简称PE， 制程工程师也叫工艺工程师。 制程工程师是制定整个生产流程，分配各个部门的任务，负责制造过程中的各个细节，并制定WI或OI（标准作业指导书）的制程文件，对制程进行管理和控制。制程工程师掌管整个生产各种装配元件及辅助材料的选型与验证，工治具的发明与制作。 制程工程师提高生产效率以及生产良率，降低报废率以及耗材与人力成本。属于整个制造过程的核心人物。 工作内容 一、制作及更新新产品的BOM,并为新产品准备相应的物料； 二、制作新产品的生产工艺流程,标准工时的计算帮助PES安装和调试新产品所需要的设备； 三、对IQC（进料检验）抽检不良的料件进行评审，然后对不良的料件或图纸提出ECR，并且对ECN的发行及追踪； 四、整机的安装，然后通过做各种评估测试（设备和物料方面），使其达到性能最佳； 五、不断改善工艺流程，提高产品的产量及质量，降低生产周期； 六、每天统计产品的良率，及时发现良率低的原因并提出解决方案； 七、各个部门进行沟通，了解产品的最新状况及各个部门遇到的问题，并帮助解决问题； 八、发明制作各种生产辅助工治具，提高作业效率良率。 九、撰写作业指导书（OI或WI），用以指导产线作业； 撰写SOP（标准作业程式）以及各类制程管控文件，用以明确生产流程步骤，保证稳定生产，逐步提高。 发展前景 一个好的PE是很需要耐心和吃苦精神的，当然，还有很多很基础的知识。如果一个公司正常的话，PE是很累的，很累的话也就意味着要解决很多问题，所以还是有很大的成长性的。 制程与工艺是PROCESS翻译成中文的两种不同说法，其实一样，不过涉及很多方面，从新产品导入，Bom与工艺文件制作，工艺的控制与改善，直到成品半成品的出货。应该说做这个职位能为以后更高层次的发展能够打下很好的基础，很多经理（Managers）都是从制程工程师（Process Engineer）出身的。

PCBA制程能力技术规范V1.0

PCBA制程能力技术规范 ____________________________________________________________________________________

修订信息表

目录 前言 (4) 1.目的 (5) 2.适用范围 (5) 3.引用/参考标准或资料 (5) 4.名词解释 (5) 4.1 一般名词 (5) 4.2 等级定义 (5) 5.规范简介 (6) 6.规范内容 (6) 6.1 通用要求 (6) 6.1.1 文件处理 (6) 6.1.2 工艺材料 (6) 6.1.2.1 指定材料 (6) 6.1.2.2 推荐材料 (7) 6.1.3 常规测试能力 (7) 6.1.4 可靠性测试能力 (7) 6.2 工序工艺能力 (8) 6.2.1 器件成型 (8) 6.2.2 烘板 (9) 6.2.3 印刷 (9) 6.2.4 点涂 (9) 6.2.5 贴片 (9) 6.2.6 自动插件 (11) 6.2.7 回流焊 (11) 6.2.8 波峰焊 (12) 6.2.9 手工焊 (14) 6.2.10 压接、铆接 (14) 6.2.11 超声波焊接 (14) 6.2.12 超声波清洗（可选） (14) 6.2.13 清洁 (14) 6.2.14 点固定胶 (14) 6.2.15 Bonding (14) 6.2.16 返修 (15) 6.2.17 表面涂覆 (15) 6.2.18 分板 (15) 6.2.19 灌封 (17) 6.2.20 磁芯粘结能力 (17) 6.2.21 检验 (18) 6.3 成品性能 (18) 6.3.1 抽样检验 (18) 6.3.2 技术指标 (18)

半导体技术-半导体制程

半导体制程 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1．内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2．为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3．所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4．所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5．所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。 6．人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7．除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染MOS晶体管的载子信道（channel），影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistivity) 来定义好坏，一般要求至17.5M?-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8．洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer) 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采用「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶时，将特定晶向 (orientation) 的晶种 (seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt) 中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒 (ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质 (impurity dopant) 太多，还需经过FZ法 (floating-zone) 的再结晶 (re-crystallization)，将杂质逐出，提高纯度与阻值。辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，外径不甚一致，需予以机械加工修边，然后以X光绕射法，定出主切面 (primary flat) 的所在，磨出该平面；再以内刃环锯，削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping)、化学蚀平 (chemical etching) 与拋光 (polishing) 等程序，得出表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度，与其外径有关) 三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长 (2)微影罩幕 (3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类：(a)高温炉管 (b)微影机台 (c)化学清洗蚀刻台 (d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应(1)~(3)制程，而新近发展的第(d)项机台，则分别应用于制程(1)与(3)。

2020年Micro-LED显示全制程检测设备的研发及产业化项目可行性研究报告

2020年Micro-LED显示全制程检测设备的研发及产业化项目可行性研究报告 2020年11月

目录 一、项目概况 (3) 二、项目实施的必要性 (3) 1、项目是进一步提升公司产品品质、巩固竞争优势的需要 (3) 2、项目是实现产品产业化、满足不断增长市场需求的需要 (4) 3、项目是推进面板设备国产替代、缩短我国Micro-LED显示技术与国际先进水平差距的需要 (5) 三、项目实施的可行性 (7) 1、技术可行性 (7) 2、市场可行性 (8) 3、客户可行性 (9) 四、项目投资概算 (10) 五、项目实施进度安排 (10)

一、项目概况 本项目总投资36,476万元，建设期2年。本项目拟充分利用公司现有核心技术和研发资源，配备研发生产设备、引进高端人才，提高现有主营产品的生产能力，加大Micro-LED领域光学探测及颜色测量、工业人工智能、驱动与检测、芯片数模混合测试前沿技术的研发力度。通过实施本项目，公司将增强对下游客户的生产服务能力，不断提升市场占有率和盈利水平，助力公司实现战略发展目标。 二、项目实施的必要性 1、项目是进一步提升公司产品品质、巩固竞争优势的需要 面板质量检测作为面板生产过程中的必备环节，贯穿面板制造全过程，其发展受下游面板产业的新增生产线投资及因新技术、新产品不断出现所产生的生产线升级投资所驱动，一方面，中国作为面板产业转移的主要承接地，催生了大量新增产线建设需求；另一方面，近年来我国移动终端、平板电脑、液晶电视等消费电子领域平板显示器件的生产规模不断扩大，产品技术更新周期逐渐缩短，平板显示行业各厂商积极根据业务需求不断增添新的生产线，进行产能扩充和技术升级。随着高世代面板生产线的不断投产，平板显示器件向智能化、大尺寸化、轻薄化、可触控化、高解析度、柔性面板、自发光、高迁移速率和低功耗等方向发展已经在行业内达成共识，对检测系统厂商

线路板制程技术能力

1.目的: 作为PCB板在我司各流程加工的加工能力、注意事项的依据,便于市场部对我司的制程能力的了解，同时也是为市场部接单及报价做参考，为工程MI人员设计及品质部审核时做依据。 2.范围:适用于本公司生产的PCB板 3.权责: 3.1.工艺部：负责对工厂各流程之制程技术能力提供数据，并实验与修订此规范。 3.2.工程部：负责按此《制程技术能力规范》的能力进行评估资料，在特殊能力水平时，需要组 织生产、工艺、品质、计划评审。 3.3.品质部：负责按《制程技术能力规范》进行监督各类资料与生产过程的执行情况。 3.4.市场部：负责按《制程技术能力规范》进行评审顾客资料，确定合理的价格、交期。 4.参考文件: 4.1.生产过程管制程序 4.2.APQP管制程序 4.3.过程FMEA分析管制程序 5.定义: 5.1.正常能力：可以正常批量生产，可能的情况下，建议尽量采用优化的参数，有利于成品率的 提高和降低生产成本。 5.2.特殊能力：对成品率有一定影响，或加工上有某些特殊性，采用前要求先询问工艺确认。 5.3.超能力：超出工艺、设备能力，必须采用非常规做法，并且成品率较低,或可操作性较差， 必须经过特殊审批程序方可采用。 6.作业流程图：无 7.作业内容： 7.1.开料、钻孔

7.2.2.孔铜厚度≥25um电流密度18ASF，电镀时间60分钟； 7.3.碱性蚀刻

7.4.外层图形转移 7.5.感光阻焊

窗塞油孔）需允许塞油、塞锡、孔内藏药水、开窗孔边缘焊盘露铜。另一方法:丝印时二面开窗,显影后塞孔. 7.5.2.所有的NPTH孔必须开绿油窗，开窗直径比钻孔大0.2mm以上，否则采用第二次钻孔。7.5.3.塞油孔孔径0.6-0.8mm应允许少量透光只能采用热固化油塞孔酸蚀流程。 7.5.4.绿油桥的能力大小取决于油墨的质量以及操作过程的控制.

制程能力(Cpk)分析教程.

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(二數据分類与數据整理 數据可分為計量值數据和計數值數据兩類: 計量值數据是可以連續取值的:如長度,重量,溫度等. 計數值數据是不可以連續取值的:如不合格品數,缺陷數等. 數据的整理可分為兩種形式:1 整理成能夠反映某些信息的統計量 2整理成反映一定規律的圖形 第三章:統計量与統計圖 (一典型常用的統計量 (1 平均數 Xbar (2 極值 X max;Xmin (3 極差 R=X max-Xmin (4 標准偏差σ (二直方統計圖

直方圖是在統計數据頻率數的基礎上,用圖形表示數据分布情況的一种圖形化方法. (1 直方圖的作法 例:在1-50的范圍內,有如下一組數据(50PCS 文件編號 版本A 名稱日期02/08/02頁號章節 3.0 頁版本 A 小頁號 統計其頻數如下: 作其直方圖如下: (二.直方圖的觀察与分析 (1 對圖形形狀的分析:常見的直方圖有以下幾种 工程能力分析与控制 統計量与統計圖 42282726332918243214342230292224222848124293536303414423862832222536 39241828163836212026208181237 ¤à2?0~5

6~1011~1516~2021~2526~3031~3536~4041~4546~50-ó??1236 10 10 8 7 2 1 1 2 3 6 10 10 8 7 2 1 系列2 正常型

偏向型孤島型雙峰型 1正常型 2孤島型:說明在短時間內有异常因素在作用,如原材料發生變化,有不熟練工人替班等.3偏向型:說明加工中心發生了偏移4雙峰型:是由產品混批造成的 5造成這种情況不是生產上的問題,往往是由于測量誤差或分組不當造成的. 文件編號 版本A 名稱日期02/08/02頁號章節 4.0 頁版本 A 小頁號 (一正態分布( nomal distribution 在計量值數据中,應用最廣的一類連續形概率分布為正態分布.正態分布隨机變量X 的分布函數為 正態分布函數密度曲線為

工艺制程能力.doc

深圳市深联电路有限公司SHEN ZHEN SUN&LYNN CIRCUITS CO.,LTD.版本﹕C 修改号﹕00 页码﹕1 of 31 文件 名称 流程制作工艺能力

深圳市深联电路有限公司 SHEN ZHEN SUN&LYNN CIRCUITS CO.,LTD. 版 本﹕C 修 改 号﹕00 页 码﹕2 of 31 文件 名称 流程制作工艺能力 1.0目的： 总结本公司目前各流程的工艺能力，为PE 提供一个完整的制作工具和制作指示之相关标准,同时也为市场部提供一份公司生产能力的说明。 2.0 范围 本文件适用于PE 的生产前准备和QA 的审批标准，也可用于市场部接受订单的技术参考。 3.0开料 3.1开料房工艺能力： 3.1.1剪床剪板厚度：0.20mm —3.20mm ； 3.1.2分条机：剪板厚度：0.40mm —2.50mm ；生产尺寸：最大1250×1250mm,最小尺寸300×300mm 3.1.3圆角磨边：板厚范围：0.4-3.0mm ；生产尺寸：最大610*610mm,最小300*300mm （板板厚 ≤0.6mm 的板可不需磨边）。 3.2 经纬向 3.2.1芯板经纬方向识别方法：内层芯板的48.5”(或48”、49”)方向为纬向，另一方向为经向 （短边为经向，长边为纬向）。 3.2.2内层芯板，开料时需注意单一方向unit ，即开料后其各边经纬向应一致，或有标记区分。 3.3大料尺寸 3.3.1单、双面板大料尺寸: 1、常用大料：48”×42”、48”×40”、48”×36”； 2、不常用大料：48”×32” 、48”×30”； 3、非正常大料：48.5”×42.5”、48.5”×40.5”、48.5”×36.5”、48.5”×32.5”、 48.5”×30.5”、49”×43”、49 ”×41”、49”×37”、48”×70”、48”×71”、48”×72”、48”×73 “、48”×74”、48”×75”。 3.3.2多层板大料尺寸: 1、常用大料尺寸：48.5”×42.5”、48.5”×40.5”、48.5”×36.5” 2、不常用大料尺寸：49”×43”、49”×41”、49”×37”、48.5”×32.5”、48.5”× 30.5”、48.5”×70”、48.5”×71”、48.5”×72”、48.5”×73”、48.5”×74”、48.5”×75” 3.4控制最大厚度：3.2mm ；精度误差：±1mm 3.5烘板要求; 3.5.1不同Tg 多层板芯板烘板温度及时间规定如下：

光电显示技术 迎来新视觉时代

光电显示技术迎来新视觉时代 LED的应用、3D立体影像显示、软性显示器等技术，都是近年相当热门的光电技术。就当前情况来说，包括众多企业和研究机构都积极热衷地投入相关领域的研发中。一方面，在平面显示器已为市场主流、各种尺寸屏幕随处可见的同时，产业对于体积愈轻小、制造成本愈低廉的产品需求不断增高；另一方面，在传统制程与技术的限制下，科研学者们提出了更新的材料与技术，也带来了不同的解决方法，不但可以挠曲、便于携带，而且更省电、耐撞击，为未来3C 产品提供新的样貌。 一、3D影像显示，生活娱乐更丰富 过去数年好莱坞不断推出3D电影，更预计未来每年都有十部以上的3D电影上映，显见3D影像显示技术已有长足的进步，同时更加深人们对于突破2D平面显示，迈向3D 影像生活的可能与需求。3D影像显示不仅更符合人类视觉，也带来更多互动与真实感，因此包括影音娱乐及游戏产业，都相当注重这块市场。而如何让消费者轻松舒适地观赏，就成为技术研发上的一大考验，例如能裸眼观看就是相当吸引

人的因素。 1．3D画框与3D数字看板 “3D画框”与“3D数字看板”结合了裸眼式3D显示器与视讯播放器，也就是不需配戴特殊的眼镜，就能够观看到3D的画面。利用倾斜摆设的视差光栅技术，将影像做特殊的排列，使左右眼看到不同的影像，而产生3D立体的显示。 目前在高解析的“3D画框”上，已可达到四倍的Full HD 屏幕分辨率，高达3，840×2，160，3D立体分辨率更可达1，280×720，画质更细致清晰，因此适合用在画展、博物馆导览、立体剧院等高分辨率水准要求的场合。而在分辨率较低的“3D数字看板”方面，则是强调影音串流处理的速度，并可达到1，920×1，080的屏幕分辨率，与640×360的3D分辨率，可用在电子看板、户外广告等多媒体视讯的播放，让呈现的影像内容更能吸“睛”。 2．快门眼镜立体3D显示器技术 想用一般的LCD显示器观看3D立体影像，“快门眼镜立体3D显示器技术”是个简便的方法――也就是利用时间差方式，透过配戴特殊设计的快门眼镜，对左右眼快速播送交错切换的画面，形成3D立体的影像。

TFT Array制程技术简介(20080917)

TFT Array製程技術 ~The Technology of TFT Array Processing 中小事業部產品設計總處 面板設計處AR設計部isplaying your vision!

isplaying your vision!E/B and E/S TFT Structure Data Line & Source Passivation SiNx Gate Line Cs Line & Cst Gate Insulator Glass Substrate Gate Line & Cst Glass Sub. Passivation SiNx Gate Insulator Data Line & Source E/B Type TFT & Cs on Common TFT Array Structure E/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array Structure

Pixel Elements isplaying your vision!

isplaying your vision! 5-Photo Exposure Process Insulator Passivation (1)Gate Patterning (Mask 1) (2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition (3)a-Si Pattering (Mask 2) (4)S/D Metal Patterning (Mask 3) (5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage (7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)

平板显示行业投资报告：Array-Cell制程设备开始进口替代

平板显示行业投资报告：Array/Cell 制程设备开始进 口替代 平板显示行业正在经历深刻变化：以OLED 为代表的新一代显示技术已然成熟并加速产业化，OLED 在中小尺寸显示屏上的应用将于2017 年开始替代LCD 技术成为主流，而量子点、Micro LED 处于产业化的黎明破晓前。中国加速投资面板生产线以承接全球面板产业转移，2018 年国内产能将取代韩国成为全球第一，2020 年全球份额达到40%。国内产线巨额投资带来设备需求繁荣，2018 年迎接设备需求高峰。重点推荐切入Array/Cell 制程的检测设备龙头精测电子（300567）、受益OLED 的大族激光（002008），建议关注Module 制程设备供应商联得装备、鑫三力（智云股份）、正业科技。 支撑评级的要点 五大平板显示技术所需的FPD 设备存在异同。在TFT-LCD、OLED、QD-LCD、QLED 和Micro LED 中，各种显示技术的工艺差别主要在Cell 制程，而Array 制程和模组制程基本类似，因此Array 制程的专业设备基本通用，而Cell/Module 制程的专用设备因具体显示技术而异。 OLED 显示技术已成熟，量子点和Micro LED 产业化仍需时日。当前主要应用与在研发的显示技术包括TFT-LCD、OLED、QD-LCD、QLED 和Micro LED 五类，其中TFT-LCD 应用最为广泛，OLED 已然成熟，QD-LCD 快速崛起，而QLED 技术和Micro LED 技术产业化仍需时日。 大尺寸仍由LCD 主导，小尺寸OLED 迅速替代。预计OLED 电视出货量将从2016 年150 万台上升至2022 年750 万台，渗透率上升至

制程能力

制程 目录 读音 释义 编辑本段读音 zhì chéng 编辑本段释义 专指：事物运作程序的处理过程。常指计算机芯片框架的运算速度量。 (process)，指的是接受输入将它处理而转变成为输出的活动。 过程，是对整个生产流程的管理是制程人员最重要的能力。 中国人原先都叫工艺，业务流程重组(business process reengineering)，ISO9000中的过程, 和生产中所讲的工艺和制程, 在英文中都叫process。 制程能力 所谓的制程能力是指工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)的实际工作能力。制程能力指数是指制程能力满足产品质量标准要求(规格范围等)的程度，或是工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)下的实际加工能力。它是工序固有的能力，或者说它是工序保证质量的能力。这里所指的工序，是指操作者、机器、原材料、工艺方法和生产环境等五个基本质量因素综合作用的过程，也就是产品质量的生产过程。产品质量就是工序中的各个质量因素所起作用的综合表现。对于任何生产过程，产品质量总是分散地存在着。若工序能力越高，则产品质量特性值的分散就会越小；若工序能力越低，则产品质量特性值的分散就会越大。 在管理状态的制程上，该制程具有达成品质的能力，称为制程能力。正确地维持作业的条件或标准且在计数上、经济上良好且安定的制程上，量测产品的品质特性，通常以或有时仅以6 来表示。 制程能力指标(process capability indices ( 与))：制程能力指标是一些简洁之数值，用来表示制程符合产品规格之能力。指标之值可视为

制程之潜在能力，亦即当制程平均值可调到规格中心或目标值时，制程符合规格之能力。指标之值与指标类似，但将制程平均值纳入考虑。 制程能力分析(process capability analysis)：在产品生产周期内统计技术可用来协助制造前之开发活动、制程变异性之数量化、制程变异性相对於产品规格之分析及协助降低制程内变异性。这些工作一般称为制程能力分析(process capability analysis)。

棕化、层压工艺规范标准

1、目的：规层压工序制程能力的管控。 2、围：适用于层压工序制程能力的管控。 3、职责： 3.1层压工序工艺工程师按规要求管控该工序制程能力； 3.2技术中心负责该规的编制与更新。 5、制程目标 5.1产品能力：详见附件三《层压工序产品能力参数表》 5.2设备能力：详见附件二《层压工序设备能力参数表》 5.3制程能力：详见附件四《层压工序制程能力参数表》 6、工序资源 6.1设备资源：详见附件六《层压工序设备列表》 6.2物料资源：详见附件五《层压工序物料列表》 7、基本原理 7.1棕化 层芯板经过棕化处理后，在铜面形成一层均匀的棕色有机金属膜，可增强铜面与半固化片的结合力，同时在高温压合过程中，阻止铜与半固化片的氨基发生反应。产品实现的基本原理有药水作用原理、设备作用原理等。 7.1.1棕化反应机理 7.1.1.1酸洗 酸洗的主要作用是去除铜表面氧化物，中和残余退膜液，粗化铜面，保证稳定的微蚀、成膜及着色。酸洗段的主要成分为过硫酸钠（NaPS）、H2SO4。其反应机理如下： Cu+CuO+H2SO4+Na2S2O8→2CuSO4+Na2SO4+H2O 影响酸洗效果的因素及影响趋势如下：

7.1.1.2碱洗 碱洗的主要作用是去除铜表面的油污、手指印、轻微氧化物及抗蚀剂残渣。碱式除油剂主要成分为NaOH和H2O。其反应过程是利用热碱溶液对油脂的皂化作用和乳化作用来进行除油。 7.1.1.3水洗 棕化线在酸洗、碱洗、棕化之后均有水洗段，主要目的是去除酸洗、碱洗、棕化缸在板面残留的药水，避免污染下一道工序。 7.1.1.4预浸 预浸的主要作用是活化铜表面以利于棕化处理快速均匀，增强结合力。预浸段的主要成分为活化剂（成分为苯并三唑，乙二醇单异丙基醚和水）。

COB半导体制程技术

C O B半导体制程技术 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

cob半导体制程技术 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean?room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class?10为例，意谓在单位立方英尺的洁净室空间内，平均只有粒径微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵(参见图2-1)。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

矽薄膜太阳电池制程技术

矽薄膜太陽電池製程技術 由於多晶矽(Poly-Si)原料持續缺貨，使得今年矽晶圓(Si Wafer)供不應求，造成矽晶型，包含單晶(c-Si)與多晶，太陽電池的產能無法上升，並導致太陽電池用多晶矽原料大缺，價格持續狂飆，繼2007年底現貨市場每公斤報價上漲至400 美元後，近期再衝上每公斤500 美元大關的天價。最近雖然HSC 和MEMC 等多家生產Poly-Si 的原料商已開始進行擴廠，並預估2008 年第四季能舒緩多晶矽價格漲勢，但沒有人能保證到時Poly-Si 原料是否會再發生缺料的問題。目前看來，上游多晶矽原料產能開出的速度不及太陽能晶片(Cell)廠的產能擴張速度，多晶矽原料的缺料狀況預計還會維持一陣子。 矽薄膜太陽電池使用的基板可以是玻璃、不鏽鋼甚至塑膠基板，這些基板並不會有缺料的問題，而在進行Si 鍍膜所需的製程氣體為SiH4和H2，由於矽薄膜全部只需1~2 μm ，厚度僅約矽晶圓的1/100 ，製程氣體來源亦不會有缺料問題發生。除此之外，從圖一可知道，矽薄膜太陽電池在能源回收期(Energy Pay-Back Time)也占有優勢，所謂能源回收期便是製作一片太陽電池過程中所耗費的電力需此太陽電池發電多久來補回，若能源回收期愈長，等於是拿電力來換電力，並不符合環保及成本的概念。經日本Kaneka 公司統計，若要製作發電量為30MW的mc-Si 太陽電池，其能源回收期為2.2 年，矽薄膜太陽電池卻只要1.6年。Kaneka 也針對非晶矽(a-Si)薄膜、c-Si 及mc-Si 太陽電池全年發電量進行統計後發現，a-Si 薄膜太陽電池全年的發電量比c-Si太陽電池多6%（圖二）。這結果與傳統的認知有所差距。 圖一、不同太陽電池之能源回收期

PCB制程能力要求

1.目的 根据现有PCB供应商的设备条件、工艺基础、管理水平，以及研发部PCB设计的工艺需求，规定公司对PCB供应商现在及未来批量生产的制程水准的要求。用于指导PCB的设计、指引PCB供应商制程能力的开发、指导新PCB供应商的开发和认证，同时作为PCB 供应商与我司的一个基本约定，指导合同评审和问题仲裁。 2．引用/参考标准或资料 IEC-60194 印制板设计、制造与组装术语与定义 IPC-6011 印制板通用性能规范 IPC-6012A 刚性印制板鉴定及性能规范 IPC-A-600F 印制板的验收条件 3．名词解释 3.1 一般名词 双面印制板（Double-side printed board）：两面均有导电图形的印制板。本文特指只有两层的PCB板，通常简称“双面板”。 多层印制板（Multilayer printed board）：三层或更多层印制板线路和/或印制电路层由刚性或挠性绝缘材料交替粘合到一起并作电气互连的印制板的通称。简称“多层板”。 金属芯印制板（Metal core printed board）：采用金属芯基材的印制板。通常用铝、铜、铁作为金属芯。 刚性印刷板（Rigid printed board）：仅使用刚性基材的印制板。 挠性印刷板（Flexible printed board）：应用挠性基材的单面、双面或多层印制电路或印刷线路组成的印制板。 铜厚（Copper thickness）：PCB制作要求中所标注的铜厚度为最终铜厚，即：铜箔厚度+镀层铜厚。 厚铜箔印制板（Thick-copper printed board）：任意一层铜厚的设计标称值超过（不包括）2oz/70um的印制板，通称为厚铜箔印制板。简称“厚铜板”。 成品厚度（Production board thickness或Thickness of finished board）：最终成品板的厚度，包括阻焊厚度，不包括蓝胶或其他暂时性的包装物、保护性粘接纸等。简称“板厚”。 3.2 等级定义 进行等级定义的目的： 1、评价和区分PCB供应商的能力，明确对供应商的技术要求，牵引其改善； 2、评价PCB的可生产性，以牵引PCB的设计，降低制造难度，扩大制程的工艺窗口。 工序的技术能力等级有别于最终成品的验收等级，即运用不同能力生产的产品，最终检验标准可能一样。比如不同的线宽、间距能力，最终都不能有短路、断路等缺陷。 技术的发展、新标准的推行、客户要求的提升也在推动PCB的进步，因此规范中的制程能力等级会发生变化，比如新设备的应用、新技术的开发、工艺管制水平提高等，等级会

制浆造纸培训教材

制浆造纸培训教材 1 要紧内容 ●植物纤维原料的分类 ●植物纤维原料的化学成份 ●植物纤维原料的生物结构和细胞形状 ●纤维细胞的构造 ●纤维形状与纸浆、纸张性质的关系 1.1 植物纤维原料的分类 ●木材纤维原料针叶材（软木，needle leaved wood）、阔叶材（硬木，leaf wood） ●非木材纤维原料禾本科、韧皮纤维、籽毛纤维、叶部纤维 ●半木材纤维原料棉杆 1.2 植物纤维的原料的化学成份 1.2.1 化学成份分布图 纤维素、半纤维素、木素是植物纤维原料的三大要紧组分。 1.2.2 纤维素 纤维素是植物纤维原料的最要紧化学成份，也是纸浆、纸张的最要紧、最差不多的化学成份。纤维素是由β、D-葡萄糖基通过1,4-苷键联结而成的高分子化合物。纤维素分子中的β、D-葡萄糖基含量即为纤维素分子的聚合度（DP）。 聚合度与纤维强度的关系：聚合度高，强度高。 表1.1 常用三类原料的要紧化学成分比较

1.2.3 半纤维素 半纤维素是由多种糖基、糖醛酸基所组成的，同时分子中往往带有支链的复合聚糖的总称。常见的糖基有木糖基、葡萄糖基、甘露糖基、半乳糖基、阿拉怕糖基、鼠李糖基等。 半纤维素是无定形物质，是填充在纤维之间和微细纤维之间的“粘结剂”和“填充剂”，其聚合度低，易吸水润涨。 1.2.4 木素 木素是由苯基丙烷结垢单元（即C6－C3单元）通过醚键、碳－碳键联结而成的芳香族高分子化合物。 木素是填充在胞间层及微细纤维之间的“粘结剂”和“填充剂”，是原料及纸浆颜色的要紧来源，其含量是制定蒸煮及漂白工艺的重要条件。 蒸煮难易程度：针叶木难，阔叶木中等，禾本科易。 1.2.5 有机溶剂抽出物 不同种类的原料以及同一原料的不同部位中，其抽出物的含量及组成一样是不同的。 针叶材中，松木和柏木的有机溶剂抽出物的含量是比较高的（专门是心材中，且其要紧成份是松香酸、萜烯类化合物、脂肪酸及不皂化物等。 阔叶材的抽出物要紧存在与木射线细胞及木薄壁细胞中，要紧含游离的已酯化的脂肪酸、中性物，不含或只含少量松香酸。 禾本科原料的有机溶剂抽出物的含量明显比木材原料的低，且要紧成份是蜡质，伴以少量的高级脂肪酸、高级醇等。 树木中有机溶剂抽出物的含量尽管不高，但由于不同材种，甚至同一材种的不同部位，抽出物的组成及含量不同，对制浆、漂白、漂浆白度及白度稳固性等方面都带来不同程度的阻碍。 1.2.6 灰份 造纸植物纤维原料种，除碳、氢、氧等差不多元素外，还有许多种其他元素。这些元素是植物细胞生命活动中不可缺少的物质，如氮、硫、磷、钙、镁、铁、钾、钠、铜、锌、锰、氯等。 一样来讲，木材原料的灰份含量较低，含量一样低于1％，多数为0.3％～0.5％；禾本

AMD CPU 制程技术

AMD也在处理器器生产技术方面不遗余力地努力着。 一、AMD的90nm时代 在0.25微米时代，AMD与英特尔的处于相同水准，不过在转移到0.18制程时AMD开始落伍了。在感觉无法独自应付之后，AMD和摩托罗拉建立了战略合作伙伴关系。摩托罗拉拥有很多先进技术，比如Apple电脑PowerPC的芯片HiPerMOS7(HiP7)就是摩托罗拉生产的。AMD在获得授权后一下子就拥有了很多新技术，其中一部分比Intel的0.13微米生产技术更好。不过，在90nm制程应用方面，AMD仍然远远落后于Intel—它在2004年8月25日才将90nm生产技术引入到Athlon 64处理器中，整整比Intel晚了大大几个月。 在90nm技术中，AMD并没有采用英特尔所支持应变硅技术，而是使用SOI技术。SOI 是Silicon－on－Insulator的缩写，称绝缘硅，是厂商为解决亚阈泄漏的问题所推出的解决方案。随着芯片特诊尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。 为了克服这些问题，SOI技术应运而生，业界提出现在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层，

然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，这就是SOI技术。AMD在0.13微米制程中就已经采用了此技术。SOI的原理很简单：晶体管通过一个更厚的绝缘层从硅晶元中分离出来，这样做具有很多优点。 首先，利用SOI技术，晶体管“开”和“关”状态的切换性能提高了，而且同时在速度不变的情况下，我们可以也可以降低阈值电压或是同时提高性能和降低电压。举个例子来说，如果阈值电压保持不变，性能可以提高30％，那么如果我们将频率保持不变而将注意力集中在节能性上，那么我们也可以节省大约50％的能量。此外，在晶体管本身可以处理各种错误时，通道的特性也变得容易预计了。但SOI技术也有不足之处，它必须减小晶体管漏极/源区域的深度，这将导致晶体管阻抗的升高，而且晶体管的成本也提高了10％。 针对SOI所带来阻抗升高的缺点，AMD通过采用高K值的金属硅酸盐绝缘材料的二氧化硅来解决，这样将使得泄漏电流下降100倍，并可以让晶体管的性能增加20％、降低泄漏电流和门极宽度。同时AMD在其90nm制程中也引入了类似英特尔应变硅技术的DSL(DSL：Dual Stress Liner)的应变硅晶体管技术，在相同功率下，其速度比不用此技术制造的晶体管提高24％。 采用此技术的应变硅层厚度为20nm，同质度为±3％，其硅表面粗糙度可与优质硅体晶圆相媲美，采用这种SSOI晶圆制造的芯片电子迁移率可提高80％。应变硅加SOI技术是一种兼有应变硅技术和SOI技术优点的最具创新和竞争力的新技术，将成为制造高速、低功耗IC的首选工艺。 除此之外，AMD的90nm生产技术还是有独特之处，比如它可以达到9层铜制互连的水准，远高于Intel的90nm的7层铜制互连水准。更多的互连层可以在生产上亿个晶体管的CPU(比如Prescott)时提供更高的灵活性。而AMD在处理隔离晶体管之间互连的绝缘问题上具有两个选择：或是K值为3.7的氟化玻璃，或是使用K值小于3的低K值原料，即黑钻石。这一技术的影响很类似于处理器从铝变为铜的改变，这样可以让AMD使用低K值介电体来生产CPU。 当然，制造这样小的晶体管当然需要更为先进的蚀刻技术来支持。在当时，AMD象英特尔一样仍在使用旧的248纳米设备来制造0.09微米的芯片，只是在某些关键部位是由193纳米设备完成的，这可以在一定程度上降低成本。 AMD第一款采用90nm制程的处理器是Winchester核心的Athlon 64。得益于90nm制程，

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析 （台湾）自?動?化?產?業?技?術?與?市?場?資?訊?專?輯 关键词 ?多槽全自动清洗设备Wet station ?单槽清洗设备Single bath ?单晶圆清洗设备Single wafer ?微粒particle 目前在半导体湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆(湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。 过去RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。 晶圆表面所残留脏污的种类非常多，约略可分成微粒、金属离子、有机物与自然氧化物。而这些污染物中，以金属离子对半导体组件的电气特性有相当的影响力，其中尤其是重金属离子所引发的不纯度，

将严重影响闸氧化层的临界崩溃电压、起始电压漂移与P-N 接合电压，进而造成制程良率的降低。所以，针对制程所使用的化学品与纯水，必须进行严格的纯度控制以有效降低生产过程所产生的污染源。由于集成电路随着制作集积度更高的电路，其化学品、气体与纯水所需的纯度也将越高，为提升化学品的纯度与操作良率，各家厂商无不积极改善循环过滤与回收系统，如FSI 公司提出point-of-generation （点产生）与point-of-use （点使用）相结合，比起传统化学瓶的供应方式，有着更佳的纯度。（注：POUCG点再生） 在半导体制程中，无论是在去光阻、化学气相沈淀、氧化扩散、晶圆研磨以后等各阶段制程都需反复清洗步骤，而在晶圆清洗部分也概略分为前后段清洗两部分(在晶圆生产处理过程中大致可区分为 前段与后段制程，前后段以金属制作蒸镀、溅镀为分界)，在前段制程清洗方面，如Preclean、扩散、氧化层与氮化层的去除、复晶硅蚀刻与去除。后制程段清洗方面，包含金属间介电层与金属蚀刻后之清洗、光阻去除前后的清洗、CMP 制程后之清洗等。 由于晶圆污染来源除一般微粒(particle) 附着于晶圆表面上，并可能是污染物与晶圆表面之间产生连接，包含如多种化学键结，甚至于脏污被氧化层或有机物薄膜所深埋，即使经过多次的物理力洗濯或冲刷，均无法彻底去除此脏污，并有可能产生回污或交互污染。因此，清洗的方法除了物理力或溶解的洗净外，对于晶圆表面施予微量蚀刻(Micro-etching) 的化学清洗方式(如下表一)，便成了不可或缺的关键技术。半导体清洗设备以清洗方式目前依分类大致可分为：(1)多槽