POP制程

1.1POP工艺所使用的夹治具与物料：

1.1.1POP Feeder：

FLUX回收槽刮刀

1.1.2涂覆厚度量测规：用于POP元件焊料涂覆厚度量测的一种治具

1.1.3焊接辅料：分为POP锡膏与助焊剂；POP锡膏中的合金成分需与实装板中所采用的

印刷锡膏成分一致或尽量接近，以保证两种锡膏的制程水平的差异不会太大。助

焊剂选用的型号为EU2454，密封在5～10℃环境中可储存6个月；针筒封装的Flux

不使用时要放入<10℃下保存。

1.2辅料的选择与要求：下表列出了POP元件选择辅料的要求，以及计算蘸取厚度的方法。

有复合型球间距球高度∶∶

1.3 蘸取厚度的量测

1.3.1 了解本产品的厚度要求，将量规中包含这一范围的一边朝下（见下图）；

1.3.2 先转动涂覆盘或摆动squeegee ，将盘中的辅料弄平；握住量规，保持量规与涂覆

盘垂直，手往下压接触涂覆盘，两端要均匀受力，然后抬手提起量规，整过动作时间2～4秒。放置量规时，尽量选择蘸取工作区域，不要让量规太挨着涂覆盘边缘，那样底边未能与辅料充分接触。

1.3.3 读取测量值a ： 对于不能给量规染色的辅料，可以通过读取涂覆盘上的印痕来判

断辅料的厚度。下图为测量后留下的痕迹，先观察两端的支撑脚痕迹是否完整，如果不能完整辨认，那此次测量无效，需要重测；然后查看两支撑脚间的有几个齿的印痕，只有当显示整个齿的印痕，才能说明辅料的厚度达到了所标注的厚度。下图第一个齿印没有完整的显示出，因此不能说，Flux 的厚度达到了175μm 。

厚度要求200～250μm,将此边

支撑pin 量规齿印痕

1.3.4读取测量值b：乐泰EU2454Flux是浅蓝色胶体，蘸取测量时，会在量规边缘留下

浅蓝色的标识；(如下图所示)握住量规，对着光线，观察两端的支撑脚边缘有无完全染色，如果没有，那此次测量无效，需要重测；然后查看两支撑脚间的有几个齿被染色，只有当整个齿端面被完全染色，才能说明辅料的厚度达到了所标注的厚度。

温馨提示：为了避免焊接材料的浪费，一般来说需先将厚度从薄往厚调。

产能分析报告

产能分析报告 一、产能修改记录及主要产品信息 注：产能分析报告——修改记录 1）产能发生变化时以便及时追踪。如进行增产以达到完全生产能力，此时生产线通过一系列步骤可以达到完全生产能力，则应记录下这些变化。填写论证产能时也应同时填写日期。 2）此次产能分析报告均记作初次提交。 注：产品信息 1）完成产能分析报告的首先要明确需要分析的产品的详细信息。包括产品名称、型号、产能概况、客户需求信息等。 2）必要时应完善产品主要零部件供应商信息，以便及时掌握配套商供货情况，平衡零部件供货影响系数。 二、现有设备产能核算 1、预订工作时间标准

注： 1）单班时间：每班总时间-每班的总计可用小时数。 2）班次：表示的是每天每个工艺操作的班次数。 3）作业率：（总工时-无效工时）/总工时。 人员休息-如果在人员休息的时候，机器也停止运转，则输入每班中机器不运转的时间长度。 计划的维修时间-这是计划的每班中机器停机用于维护的时间长度。 4）年出勤时间：年出勤天数-表示的是每年的工艺运作的天数（扣除法定节假日、双休日）。 5）计算举例：每班8小时、每天2班次、作业率80%、年出勤302天，净可用时间=8*2*80%*302=时。 2、代表产品制程/线能力计算

注： 1）代表产品：所谓代表产品指产品制程包含其他所有产品制造过程包含的所有工艺过程；如存在两种以上产品包含不同工艺过程、需分别取各类型产品代表产品制程并进行线能力分析。 2）评价瓶颈工序应排除可用外协、其他生产线可用设备借代等因素影响。 3）每条生产线选取一种或2种产品作为代表说明制程及瓶颈工序即可，其他产品可直接计算毛产能。3、毛产能核算 注： 1）毛产能核算过程没有排除产品合格率、设备故障率、人员负荷等因素对产能的影响，不能作为需求平衡分析的依据，需进一步平衡。 2）其他产品可根据代表产品计算方法计算出出毛产能。

半导体技术-半导体制程

半导体制程 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1．内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2．为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3．所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4．所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5．所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行去除。 6．人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7．除了空气外，水的使用也只能限用去离子水 (DI water, de-ionized water)。一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染MOS晶体管的载子信道（channel），影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率 (resistivity) 来定义好坏，一般要求至17.5M?-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8．洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费用! 二、晶圆制作 硅晶圆 (silicon wafer) 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采用「柴可拉斯基」(Czycrasky) 拉晶法 (CZ法)。拉晶时，将特定晶向 (orientation) 的晶种 (seed)，浸入过饱和的纯硅熔汤 (Melt) 中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去，而得出所谓的晶棒 (ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质 (impurity dopant) 太多，还需经过FZ法 (floating-zone) 的再结晶 (re-crystallization)，将杂质逐出，提高纯度与阻值。辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，外径不甚一致，需予以机械加工修边，然后以X光绕射法，定出主切面 (primary flat) 的所在，磨出该平面；再以内刃环锯，削下一片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (lapping)、化学蚀平 (chemical etching) 与拋光 (polishing) 等程序，得出表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚度，与其外径有关) 三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长 (2)微影罩幕 (3)蚀刻成型。设备也跟着分为四类：(a)高温炉管 (b)微影机台 (c)化学清洗蚀刻台 (d)电浆真空腔室。其中(a)~(c)机台依序对应(1)~(3)制程，而新近发展的第(d)项机台，则分别应用于制程(1)与(3)。

2020年Micro-LED显示全制程检测设备的研发及产业化项目可行性研究报告

2020年Micro-LED显示全制程检测设备的研发及产业化项目可行性研究报告 2020年11月

目录 一、项目概况 (3) 二、项目实施的必要性 (3) 1、项目是进一步提升公司产品品质、巩固竞争优势的需要 (3) 2、项目是实现产品产业化、满足不断增长市场需求的需要 (4) 3、项目是推进面板设备国产替代、缩短我国Micro-LED显示技术与国际先进水平差距的需要 (5) 三、项目实施的可行性 (7) 1、技术可行性 (7) 2、市场可行性 (8) 3、客户可行性 (9) 四、项目投资概算 (10) 五、项目实施进度安排 (10)

一、项目概况 本项目总投资36,476万元，建设期2年。本项目拟充分利用公司现有核心技术和研发资源，配备研发生产设备、引进高端人才，提高现有主营产品的生产能力，加大Micro-LED领域光学探测及颜色测量、工业人工智能、驱动与检测、芯片数模混合测试前沿技术的研发力度。通过实施本项目，公司将增强对下游客户的生产服务能力，不断提升市场占有率和盈利水平，助力公司实现战略发展目标。 二、项目实施的必要性 1、项目是进一步提升公司产品品质、巩固竞争优势的需要 面板质量检测作为面板生产过程中的必备环节，贯穿面板制造全过程，其发展受下游面板产业的新增生产线投资及因新技术、新产品不断出现所产生的生产线升级投资所驱动，一方面，中国作为面板产业转移的主要承接地，催生了大量新增产线建设需求；另一方面，近年来我国移动终端、平板电脑、液晶电视等消费电子领域平板显示器件的生产规模不断扩大，产品技术更新周期逐渐缩短，平板显示行业各厂商积极根据业务需求不断增添新的生产线，进行产能扩充和技术升级。随着高世代面板生产线的不断投产，平板显示器件向智能化、大尺寸化、轻薄化、可触控化、高解析度、柔性面板、自发光、高迁移速率和低功耗等方向发展已经在行业内达成共识，对检测系统厂商

制程能力分析

制程能力分析 緒言 在產品生產周期內統計技朮可用來協助制造前之開發活動、制程變異性之數量化、制程變性相對于產品規格之分析及協助降低制 程內之變異性。這些工作一般稱為制程能力分析(process capability analysis)。制程能力是指制程之一致性，制程之變異性可用來衡量制程輸出之一致性。 我們一般是將產品品質特性之6個標准差范圍當做是制程能力之量測。此范圍稱為自然允差界限(natural tolerance limits)或稱為制程能力界限(process capability limits)。圖9-1顯示品質特性符合常態分配且平均值為μ，標准差為σ之制程。制程之上、下自然允差界限為 UNTL=μ+3σ上自然允差界限 LNTL=μ-3σ下自然允差界限 對于一常態分配，自然允差界限將包含99.73%之品質數據，或者可說是0.27%之制程輸出將落在自然允差界限外。如果制程數據之分配不為常態，則落在μ±3σ外之機率將不為0.27%。

(例) 產品外徑之規格為5±0.015cm，由樣本資料得知X=4.99cm，σ=0.004cm，試計算制程之自然允差界限。 (解): UNTL=4.99+3(0.004)=5.002 LNTL=4.99-3(0.004)=4.978 制程能力分析可定議為估計制程能力之工程研究。制程能力分析通常是量測產品之功能參數而非制程本身。當分析者可直接觀察制程及控制制程數據之收集時，此種分析可視為一種真的制程能力分析。因為經由數據收集之控制及了解數據之時間次序性，可推論制程之穩定性。若當只有品質數據而無法直接觀測制程時，這種研究稱為產品特性分析(product characterization)。產品特性分析只可估計產品品質特性之分布，或者是制程之輸出(不合格率)，對于制程之動態行為或者是制程是否在管制內則無法估計。這種性形通常是發生在分析供應商提供之品質數據或者是進貨檢驗之品質資料。

线路板制程技术能力

1.目的: 作为PCB板在我司各流程加工的加工能力、注意事项的依据,便于市场部对我司的制程能力的了解，同时也是为市场部接单及报价做参考，为工程MI人员设计及品质部审核时做依据。 2.范围:适用于本公司生产的PCB板 3.权责: 3.1.工艺部：负责对工厂各流程之制程技术能力提供数据，并实验与修订此规范。 3.2.工程部：负责按此《制程技术能力规范》的能力进行评估资料，在特殊能力水平时，需要组 织生产、工艺、品质、计划评审。 3.3.品质部：负责按《制程技术能力规范》进行监督各类资料与生产过程的执行情况。 3.4.市场部：负责按《制程技术能力规范》进行评审顾客资料，确定合理的价格、交期。 4.参考文件: 4.1.生产过程管制程序 4.2.APQP管制程序 4.3.过程FMEA分析管制程序 5.定义: 5.1.正常能力：可以正常批量生产，可能的情况下，建议尽量采用优化的参数，有利于成品率的 提高和降低生产成本。 5.2.特殊能力：对成品率有一定影响，或加工上有某些特殊性，采用前要求先询问工艺确认。 5.3.超能力：超出工艺、设备能力，必须采用非常规做法，并且成品率较低,或可操作性较差， 必须经过特殊审批程序方可采用。 6.作业流程图：无 7.作业内容： 7.1.开料、钻孔

7.2.2.孔铜厚度≥25um电流密度18ASF，电镀时间60分钟； 7.3.碱性蚀刻

7.4.外层图形转移 7.5.感光阻焊

窗塞油孔）需允许塞油、塞锡、孔内藏药水、开窗孔边缘焊盘露铜。另一方法:丝印时二面开窗,显影后塞孔. 7.5.2.所有的NPTH孔必须开绿油窗，开窗直径比钻孔大0.2mm以上，否则采用第二次钻孔。7.5.3.塞油孔孔径0.6-0.8mm应允许少量透光只能采用热固化油塞孔酸蚀流程。 7.5.4.绿油桥的能力大小取决于油墨的质量以及操作过程的控制.

光电显示技术 迎来新视觉时代

光电显示技术迎来新视觉时代 LED的应用、3D立体影像显示、软性显示器等技术，都是近年相当热门的光电技术。就当前情况来说，包括众多企业和研究机构都积极热衷地投入相关领域的研发中。一方面，在平面显示器已为市场主流、各种尺寸屏幕随处可见的同时，产业对于体积愈轻小、制造成本愈低廉的产品需求不断增高；另一方面，在传统制程与技术的限制下，科研学者们提出了更新的材料与技术，也带来了不同的解决方法，不但可以挠曲、便于携带，而且更省电、耐撞击，为未来3C 产品提供新的样貌。 一、3D影像显示，生活娱乐更丰富 过去数年好莱坞不断推出3D电影，更预计未来每年都有十部以上的3D电影上映，显见3D影像显示技术已有长足的进步，同时更加深人们对于突破2D平面显示，迈向3D 影像生活的可能与需求。3D影像显示不仅更符合人类视觉，也带来更多互动与真实感，因此包括影音娱乐及游戏产业，都相当注重这块市场。而如何让消费者轻松舒适地观赏，就成为技术研发上的一大考验，例如能裸眼观看就是相当吸引

人的因素。 1．3D画框与3D数字看板 “3D画框”与“3D数字看板”结合了裸眼式3D显示器与视讯播放器，也就是不需配戴特殊的眼镜，就能够观看到3D的画面。利用倾斜摆设的视差光栅技术，将影像做特殊的排列，使左右眼看到不同的影像，而产生3D立体的显示。 目前在高解析的“3D画框”上，已可达到四倍的Full HD 屏幕分辨率，高达3，840×2，160，3D立体分辨率更可达1，280×720，画质更细致清晰，因此适合用在画展、博物馆导览、立体剧院等高分辨率水准要求的场合。而在分辨率较低的“3D数字看板”方面，则是强调影音串流处理的速度，并可达到1，920×1，080的屏幕分辨率，与640×360的3D分辨率，可用在电子看板、户外广告等多媒体视讯的播放，让呈现的影像内容更能吸“睛”。 2．快门眼镜立体3D显示器技术 想用一般的LCD显示器观看3D立体影像，“快门眼镜立体3D显示器技术”是个简便的方法――也就是利用时间差方式，透过配戴特殊设计的快门眼镜，对左右眼快速播送交错切换的画面，形成3D立体的影像。

TFT Array制程技术简介(20080917)

TFT Array製程技術 ~The Technology of TFT Array Processing 中小事業部產品設計總處 面板設計處AR設計部isplaying your vision!

isplaying your vision!E/B and E/S TFT Structure Data Line & Source Passivation SiNx Gate Line Cs Line & Cst Gate Insulator Glass Substrate Gate Line & Cst Glass Sub. Passivation SiNx Gate Insulator Data Line & Source E/B Type TFT & Cs on Common TFT Array Structure E/S Type TFT & Cs on Gate TFT Array Structure

Pixel Elements isplaying your vision!

isplaying your vision! 5-Photo Exposure Process Insulator Passivation (1)Gate Patterning (Mask 1) (2)SiN/a-Si/n+ a-Si Deposition (3)a-Si Pattering (Mask 2) (4)S/D Metal Patterning (Mask 3) (5)Back Channel Etching for B/E structure (6)Passivation Layer Coverage (7)Contact Hole/ Window Etching (Mask 4)(8)ITO Pixel Electrode Patterning (Mask 5)

平板显示行业投资报告：Array-Cell制程设备开始进口替代

平板显示行业投资报告：Array/Cell 制程设备开始进 口替代 平板显示行业正在经历深刻变化：以OLED 为代表的新一代显示技术已然成熟并加速产业化，OLED 在中小尺寸显示屏上的应用将于2017 年开始替代LCD 技术成为主流，而量子点、Micro LED 处于产业化的黎明破晓前。中国加速投资面板生产线以承接全球面板产业转移，2018 年国内产能将取代韩国成为全球第一，2020 年全球份额达到40%。国内产线巨额投资带来设备需求繁荣，2018 年迎接设备需求高峰。重点推荐切入Array/Cell 制程的检测设备龙头精测电子（300567）、受益OLED 的大族激光（002008），建议关注Module 制程设备供应商联得装备、鑫三力（智云股份）、正业科技。 支撑评级的要点 五大平板显示技术所需的FPD 设备存在异同。在TFT-LCD、OLED、QD-LCD、QLED 和Micro LED 中，各种显示技术的工艺差别主要在Cell 制程，而Array 制程和模组制程基本类似，因此Array 制程的专业设备基本通用，而Cell/Module 制程的专用设备因具体显示技术而异。 OLED 显示技术已成熟，量子点和Micro LED 产业化仍需时日。当前主要应用与在研发的显示技术包括TFT-LCD、OLED、QD-LCD、QLED 和Micro LED 五类，其中TFT-LCD 应用最为广泛，OLED 已然成熟，QD-LCD 快速崛起，而QLED 技术和Micro LED 技术产业化仍需时日。 大尺寸仍由LCD 主导，小尺寸OLED 迅速替代。预计OLED 电视出货量将从2016 年150 万台上升至2022 年750 万台，渗透率上升至

COB半导体制程技术

C O B半导体制程技术 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

cob半导体制程技术 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean?room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。 为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class?10为例，意谓在单位立方英尺的洁净室空间内，平均只有粒径微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵(参见图2-1)。 为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

矽薄膜太阳电池制程技术

矽薄膜太陽電池製程技術 由於多晶矽(Poly-Si)原料持續缺貨，使得今年矽晶圓(Si Wafer)供不應求，造成矽晶型，包含單晶(c-Si)與多晶，太陽電池的產能無法上升，並導致太陽電池用多晶矽原料大缺，價格持續狂飆，繼2007年底現貨市場每公斤報價上漲至400 美元後，近期再衝上每公斤500 美元大關的天價。最近雖然HSC 和MEMC 等多家生產Poly-Si 的原料商已開始進行擴廠，並預估2008 年第四季能舒緩多晶矽價格漲勢，但沒有人能保證到時Poly-Si 原料是否會再發生缺料的問題。目前看來，上游多晶矽原料產能開出的速度不及太陽能晶片(Cell)廠的產能擴張速度，多晶矽原料的缺料狀況預計還會維持一陣子。 矽薄膜太陽電池使用的基板可以是玻璃、不鏽鋼甚至塑膠基板，這些基板並不會有缺料的問題，而在進行Si 鍍膜所需的製程氣體為SiH4和H2，由於矽薄膜全部只需1~2 μm ，厚度僅約矽晶圓的1/100 ，製程氣體來源亦不會有缺料問題發生。除此之外，從圖一可知道，矽薄膜太陽電池在能源回收期(Energy Pay-Back Time)也占有優勢，所謂能源回收期便是製作一片太陽電池過程中所耗費的電力需此太陽電池發電多久來補回，若能源回收期愈長，等於是拿電力來換電力，並不符合環保及成本的概念。經日本Kaneka 公司統計，若要製作發電量為30MW的mc-Si 太陽電池，其能源回收期為2.2 年，矽薄膜太陽電池卻只要1.6年。Kaneka 也針對非晶矽(a-Si)薄膜、c-Si 及mc-Si 太陽電池全年發電量進行統計後發現，a-Si 薄膜太陽電池全年的發電量比c-Si太陽電池多6%（圖二）。這結果與傳統的認知有所差距。 圖一、不同太陽電池之能源回收期

spc制程能力分析

SPC 概述Statistical Process Control

SPC Introduction 统计性统计管理(SPC = Statistical Process Control)? ? Statistical ... ?统计性方法是用Sampling的Data Monitoring 、分析Process 变动时使用。 Process ... ?反复性的事情或者阶段 (SIPOC : Supplier → Input → Process → Output → Customer) Control ... ? Process正在变化的事实早期警报。 警报是指最终Output出来之前纠正问题，能够具有充分的时间 (管理图 : 随着时间工程散布的变化) SPC –对某个 Process掌握品质规格和工程能力状态, 利用统计性资料和分析技法, 在所愿的状态下一直能管理下去的技法。 2

SPC 的发展历史 SPC 的特征：控制过程，防患于未然。 重点在于预防

?電視機彩色密度 投机?美國：無不合規格產品出廠，注意力在符合規格?日本： 0.3% 超出產品規格，致力於命中目標

製程- 產品-顧客 產品 (Output) Measurement 製程(過程)(Process) 展開 特性 特徵 顧客 滿意 Man Machine Material Method Environmental 4M1E

製程，程序 影響工作結果之所有原因的集合,亦即為達成工作 結果之製造過程中所有活動的集合 管制，控制 確保達到要求標準,必要時採取矯正行動 何謂製程管制 (程序控制) 工作 結果 原材料 方法 環境 機器 人員 原因 手段 特性 目的

AMD CPU 制程技术

AMD也在处理器器生产技术方面不遗余力地努力着。 一、AMD的90nm时代 在0.25微米时代，AMD与英特尔的处于相同水准，不过在转移到0.18制程时AMD开始落伍了。在感觉无法独自应付之后，AMD和摩托罗拉建立了战略合作伙伴关系。摩托罗拉拥有很多先进技术，比如Apple电脑PowerPC的芯片HiPerMOS7(HiP7)就是摩托罗拉生产的。AMD在获得授权后一下子就拥有了很多新技术，其中一部分比Intel的0.13微米生产技术更好。不过，在90nm制程应用方面，AMD仍然远远落后于Intel—它在2004年8月25日才将90nm生产技术引入到Athlon 64处理器中，整整比Intel晚了大大几个月。 在90nm技术中，AMD并没有采用英特尔所支持应变硅技术，而是使用SOI技术。SOI 是Silicon－on－Insulator的缩写，称绝缘硅，是厂商为解决亚阈泄漏的问题所推出的解决方案。随着芯片特诊尺寸跨入纳米尺度后，临近半导体物理器件的极限问题接踵而来，如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。 为了克服这些问题，SOI技术应运而生，业界提出现在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层，

然后以此绝缘层作为基底，在表面硅层制作晶体管，这就是SOI技术。AMD在0.13微米制程中就已经采用了此技术。SOI的原理很简单：晶体管通过一个更厚的绝缘层从硅晶元中分离出来，这样做具有很多优点。 首先，利用SOI技术，晶体管“开”和“关”状态的切换性能提高了，而且同时在速度不变的情况下，我们可以也可以降低阈值电压或是同时提高性能和降低电压。举个例子来说，如果阈值电压保持不变，性能可以提高30％，那么如果我们将频率保持不变而将注意力集中在节能性上，那么我们也可以节省大约50％的能量。此外，在晶体管本身可以处理各种错误时，通道的特性也变得容易预计了。但SOI技术也有不足之处，它必须减小晶体管漏极/源区域的深度，这将导致晶体管阻抗的升高，而且晶体管的成本也提高了10％。 针对SOI所带来阻抗升高的缺点，AMD通过采用高K值的金属硅酸盐绝缘材料的二氧化硅来解决，这样将使得泄漏电流下降100倍，并可以让晶体管的性能增加20％、降低泄漏电流和门极宽度。同时AMD在其90nm制程中也引入了类似英特尔应变硅技术的DSL(DSL：Dual Stress Liner)的应变硅晶体管技术，在相同功率下，其速度比不用此技术制造的晶体管提高24％。 采用此技术的应变硅层厚度为20nm，同质度为±3％，其硅表面粗糙度可与优质硅体晶圆相媲美，采用这种SSOI晶圆制造的芯片电子迁移率可提高80％。应变硅加SOI技术是一种兼有应变硅技术和SOI技术优点的最具创新和竞争力的新技术，将成为制造高速、低功耗IC的首选工艺。 除此之外，AMD的90nm生产技术还是有独特之处，比如它可以达到9层铜制互连的水准，远高于Intel的90nm的7层铜制互连水准。更多的互连层可以在生产上亿个晶体管的CPU(比如Prescott)时提供更高的灵活性。而AMD在处理隔离晶体管之间互连的绝缘问题上具有两个选择：或是K值为3.7的氟化玻璃，或是使用K值小于3的低K值原料，即黑钻石。这一技术的影响很类似于处理器从铝变为铜的改变，这样可以让AMD使用低K值介电体来生产CPU。 当然，制造这样小的晶体管当然需要更为先进的蚀刻技术来支持。在当时，AMD象英特尔一样仍在使用旧的248纳米设备来制造0.09微米的芯片，只是在某些关键部位是由193纳米设备完成的，这可以在一定程度上降低成本。 AMD第一款采用90nm制程的处理器是Winchester核心的Athlon 64。得益于90nm制程，

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析 （台湾）自?動?化?產?業?技?術?與?市?場?資?訊?專?輯 关键词 ?多槽全自动清洗设备Wet station ?单槽清洗设备Single bath ?单晶圆清洗设备Single wafer ?微粒particle 目前在半导体湿式清洗制程中，主要应用项目包含晶圆清洗与湿式蚀刻两项，晶圆(湿式) 清洗制程主要是希望藉由化学药品与清洗设备，清除来自周遭环境所附着在晶圆表面的脏污，以达到半导体组件电气特性的要求与可靠度。至于脏污的来源，不外乎设备本身材料产生、现场作业员或制程工程师人体自身与动作的影响、化学材料或制程药剂残留或不纯度的发生，以及制程反应产生物的结果，尤其是制程反应产生物一项，更成为制程污染主要来源，因此如何改善制程中所产生污染，便成为清洗制程中研究主要的课题。 过去RCA 多槽湿式清洗一直是晶圆清洗的主要技术，不过随着近年来制程与清洗设备的演进，不但在清洗制程中不断产生新的技术，也随着半导体后段封装技术的演进，清洗设备也逐渐进入封装厂的生产线中。以下本文即针对清洗设备与技术作一深入介绍，并分析清洗设备发展的关键机会及未来的发展趋势。 晶圆表面所残留脏污的种类非常多，约略可分成微粒、金属离子、有机物与自然氧化物。而这些污染物中，以金属离子对半导体组件的电气特性有相当的影响力，其中尤其是重金属离子所引发的不纯度，

将严重影响闸氧化层的临界崩溃电压、起始电压漂移与P-N 接合电压，进而造成制程良率的降低。所以，针对制程所使用的化学品与纯水，必须进行严格的纯度控制以有效降低生产过程所产生的污染源。由于集成电路随着制作集积度更高的电路，其化学品、气体与纯水所需的纯度也将越高，为提升化学品的纯度与操作良率，各家厂商无不积极改善循环过滤与回收系统，如FSI 公司提出point-of-generation （点产生）与point-of-use （点使用）相结合，比起传统化学瓶的供应方式，有着更佳的纯度。（注：POUCG点再生） 在半导体制程中，无论是在去光阻、化学气相沈淀、氧化扩散、晶圆研磨以后等各阶段制程都需反复清洗步骤，而在晶圆清洗部分也概略分为前后段清洗两部分(在晶圆生产处理过程中大致可区分为 前段与后段制程，前后段以金属制作蒸镀、溅镀为分界)，在前段制程清洗方面，如Preclean、扩散、氧化层与氮化层的去除、复晶硅蚀刻与去除。后制程段清洗方面，包含金属间介电层与金属蚀刻后之清洗、光阻去除前后的清洗、CMP 制程后之清洗等。 由于晶圆污染来源除一般微粒(particle) 附着于晶圆表面上，并可能是污染物与晶圆表面之间产生连接，包含如多种化学键结，甚至于脏污被氧化层或有机物薄膜所深埋，即使经过多次的物理力洗濯或冲刷，均无法彻底去除此脏污，并有可能产生回污或交互污染。因此，清洗的方法除了物理力或溶解的洗净外，对于晶圆表面施予微量蚀刻(Micro-etching) 的化学清洗方式(如下表一)，便成了不可或缺的关键技术。半导体清洗设备以清洗方式目前依分类大致可分为：(1)多槽

2019年平板显示器件生产设备制造企业发展战略和经营计划

2019年平板显示器件生产设备制造企业发展战略和经营计划 2019年4月

目录 一、行业格局与趋势 (3) 二、公司未来发展战略 (5) 1、模组组装领域 (5) 2、AOI检测领域 (5) 3、高世代产线市场 (6) 4、中前段制程设备研发 (6) 5、国产设备迎来新机遇 (6) 三、公司2019年主要经营计划 (7) 四、公司可能面对的风险 (8) 1、行业竞争加剧的风险 (8) 2、下游客户产品需求波动风险 (8) 3、技术更新及产品开发风险 (9) 4、人才引进风险 (9)

一、行业格局与趋势 公司所处行业为平板显示器件及相关零组件生产设备制造行业，研发的设备主要用于下游面板厂商对显示屏、触摸屏等面板组件的生产过程。经过近几年的发展，AMOLED显示面板在手机应用上已经开始反超LCD，成为品牌旗舰机的标配。为了实现真正的全面屏和同样尺寸下更大的可视区域，AMOLED从刚刚成熟的刚性AMOLED开始大规模的转向柔性可折叠AMOLED。这意味着显示行业全产业链进入千载难逢的“结构化调整”机遇期，其核心设备和显示产品将实现进口替代走向全球获得高速发展，但这也为全产业链提出了新的挑战。在此背景之下，面板占据显示器超过70%的成本，是显示器产业链中最重要的一个环节。以2018年上半年为例，据行业机构Wits view表示，全球液晶电视面板出货量1.35亿，前六大供应商出货量1.21亿片，占比近九成。而目前投资最大的OLED产业目前还是以韩国市场率最高。根据OLED industry调查统计，2018年面板产业上的投资额总计超过7000亿，产业间的并购额达580亿。 面板产业是技术门槛高投资额度大的产业，LCD产业逐渐在往OLED转移，导致产品价格竞争更为激烈，而且高世代线还在投资，这样势必导致某些低世代没有竞争力的产线破产，使得整个相关产业链受到影响。除此之外，由于全球经济形势贸易战升级，面板产业进行了进一步洗牌，让寡头格局越来越明显。目前，韩中日AMOLED 企业已经陆续实现了规模化量产，并成功进入了手机品牌商的供应链。

2020年中国平板显示器件生产设备行业市场现状分析,设备国产化进程加快「图」

2020年中国平板显示器件生产设备行业市场现状分析，设备国产化进程加快「图」 一、平板显示器件生产设备行业产业链 平板显示器件一般是指显示屏对角线的长度与整机厚度之比大于4:1的显示器件，主要由显示模组、触控模组等构成，部分器件还集成了指纹模组、摄像模组等，具备信息展示、人机交互等功能。 平板显示器件生产设备行业产业链上游主要为电气元件、机械元件、机加钣金件、外购定制件、辅料等生产制造业。下游直接客户为大型显示面板和功能模组生产厂商，终端则用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视、可穿戴设备、车载显示器、智能家居、商用显示电子白板等产品。 平板显示器件生产设备行业产业链示意图 资料来源：公开资料整理与一个完整的面板厂复杂的工序相对应，面板厂所需要的生产设备也在类型、数量和精度上充分体现了高端制造业的特性。针对Array、CF、Cell和Module不同阶段的工序，面板制造过程中涉及到曝光机、刻蚀机、邦定机等工序设备，也涉及测试机等工艺控制设备，此外还有自动化搬运等物流设备和系统集成设备，目前显示面板制造涉及设备类型繁杂多样： 显示面板制造设计设备类型

资料来源：公开资料整理二、全球平板显示面板行业市场现状分析 2016年我国大陆平板显示产能首次超过我国台湾地区，2017年又继续超过韩国成为全球最大的平板显示产能地区，占比34%。2018年至2020年，我国大陆显示面板产能将持续大幅增加，预计至2022年，我国大陆产能占比达到56%，全球产能向我国大陆集中趋势不可阻挡。 2016-2022年全球各地区平板显示产能占比走势 资料来源：公开资料整理平板显示器件于20世纪60年代出现，主要包括液晶显示器、发光二极管、等离子显示板、电致发光显示器等。目前液晶显示（LCD）与有机电致发光显示（OLED）为平板显示行业主要显示技术，占据行业绝大部分产值。随着4K/8K技术的成熟、AMOLED产能释放以及5G、物联网的推进对平板显示产业的拉动，2019年全球平板显示产业产值为1172.7亿美元。 2016-2022年全球平板显示产业产值预测

显示技术发展历程及市场变革

显示技术发展历程及市场变革 一、技术发展历程 在2013年FPD峰会上，京东方董事长王东升将显示技术进行了一个分类，将CRT 和PDP归类为真空显示；把TFT-LCD、AMOLED、柔性显示等归类为半导体显示。半导体显示是指通过半导体器件独立控制每个最小显示单元的显示技术统称。它有三个基本特征：一是以TFT阵列等半导体器件独立控制每个显示单元状态；二是主要应用非晶硅(a-Si)、低温多晶硅(LTPS)、氧化物(Oxide)、有机材料(Organic)、碳材料(Carbon Material)等具有半导体特性的材料；三是主要采用半导体制造工艺。与半导体显示技术和产品相关的材料、装备、器件和相关终端产业链统称为半导体显示产业。王东升总结LCD替代CRT、PDP的原因为“TFT-LCD脱颖而出是因为它顺应了半导体技术替代真空电子技术这一历史大趋势。” 1.1从CRT到LCD/PDP：平板显示与球面显示的竞争 1897年CRT诞生，CRT包含一个能够通过电子束触及磷光表面创造出图像的真空管。之后，此项技术被用于早期电视和电脑显示器上显示图像，一直到20世纪80-90年代CRT逐步被LCD显示所替代，到目前为止CRT已基本退出历史舞台。1964年首个LCD(液晶显示器)和首个PDP（等离子显示器）双双问世。LCD技术使得平板显

示成为可能。1972年首台液晶电视的诞生。2005-2006年LCD液晶显示的销售份额超过CRT，成为显示主流技术，到2010年市场上已基本没有CRT产品。 CRT被淘汰的原因：由于本身重最重且很厚，加之结构(阴罩技术的限制)三基色荧光粉不能做小，因此无法实现屏幕大型化和轻便化以及像素性高清晰显示(只能达到800×600像素)，还有闪烁、X射线辐射、几何失真、清晰度和亮度不高等缺陷。 CRT无法在新兴市场-笔记本电脑屏幕取得竞争优势，不能适应大屏化、轻便化与高清化的要求，同时非常成熟的技术也无法取得更多的技术红利，迫使厂商在性能不完全占劣势的情况下完全停产。 1.2 PDP与LCD的竞争：半导体技术与真空技术的对决 发展到21世纪，等离子技术一直都主要用于大尺寸的屏幕（40英尺及以上）。2007年左右，LCD液晶电视凭借着更大的尺寸和更低廉的价格取代等离子电视PDP，成为主流。

ACF制程技术资料(详细介绍ACF各参数特性)

教育训练教材 (ACF 制程要点简介) 1.A CF 固化强度,深度与温度时间的关系。 ACF固化强度决定其制程拉力值反应大小,固化深度,强度与积温值成正比。 积温值:时间×温度。 2.A CF拉力值反应与制程压力的关系。 因为 ACF拉力与积温值相关,压力对ACF拉力值效果影响如图,根据其结构示意,压力越大,ACF溢胶就越多,Bump间ACF越少,其拉力反应越低。 在正常制程条件时,压力越大,FPC,TCP,FFC其拉力值越低。 3.A CF之particle破裂状况与时间,温度,压力三者间的关系 导电粒子的破裂是与热量直接相关,也就是说,particl 在吸热的过程中,因能量的聚集而膨胀破裂,其膨胀程随时间长短而异,温度时间共同作用下,partecle其破裂状况与压力成正比。 Z= t×T×P,在正常范围内调整t、T、P之积值使Σ 2不变,效果一样,据上公式。 3.1当T高于正常制程管制点,(175~200℃)时,ACF胶层短时间内会 固化,其深化强度会束縳particle 的膨胀空间。 ACF反应率及反应率曲线图。 反应率只与作用时间和温度相关,说明压力只是辅助条件。3.2压力管制 3.21 设备别,设备简介 背压系统:此设备压力管制单位以kpa为单位; 小出力系统:此设备压力管制单位以kgf为单位; 国际单位1kgf=98.8kpa,与表1.表.换算相同; 设背压压力为p1.p2…pn; 小出力为p′1.p′2…pn;

教育训练教材 (ACF 制程要点简介) pn-p1=p′1.-p′2=20n×n。 如表,小出力管制单位以0.1kgf为变量,背压管制单位以10kpa 为变量。 0.1kgf=10kpa 1kgf=100kpa。 3.22 制程过程中压力设定 背压系统:实压以5N为一个单位上升或下降时,设定压力以 3kpa为一单位上升或下降。 如:产品WDA1202X、LCD 、 ITO长度为 22,组立生产单 实压为35N,当背压为180kpa时,实测其下降压力为35N(设定 压力为135kpa) 。 产品 求其设定压力。 因为 又因为 所以 即设定压力p=135kpa –10.5kpa =124.5kpa 小出力系统:参照实测表设定,以0.1kgf=20N变量为一个单位调试。

产能分析报告及指标明细

产能分析报告及指标明细 The document was prepared on January 2, 2021

产能分析报告模板及指标明细 一、产能修改记录及主要产品信息 注：产Array能分析 报告— —修改 记录 1） 产能发 生变化 时以便 及时追踪。如进行增产以达到完全生产能力，此时生产线通过一系列步骤可以达到完全生 产能力，则应记录下这些变化。填写论证产能时也应同时填写日期。 2）此次产能分析报告均记作初次提交。 注：产品信息 1）完成产能分析报告的首先要明确需要分析的产品的详细信息。包括产品名称、型号、产能概况、客户需求信息等。 2）必要时应完善产品主要零部件供应商信息，以便及时掌握配套商供货情况，平衡零部件供货影响系数。 二、现有设备产能核算

1、预订工作时间标准 注：Array 1）单班 时间：每 班总时间 -每班的 总计可用 小时数。 2）班 次：表示 的是每天 每个工艺操作的班次数。 3）作业率：（总工时-无效工时）/总工时。 人员休息-如果在人员休息的时候，机器也停止运转，则输入每班中机器不运转的时间长度。 计划的维修时间-这是计划的每班中机器停机用于维护的时间长度。 4）年出勤时间：年出勤天数-表示的是每年的工艺运作的天数（扣除法定节假日、双休日）。 5）计算举例：每班8小时、每天2班次、作业率80%、年出勤302天，净可用时间 =8*2*80%*302=时。 2、代表产品制程/线能力计算

1）代 表产 品：所 谓代表 产品指 产品制 程包含 其他所 有产品 制造过 程包含 的所有 工艺过 程；如 存在两种以上产品包含不同工艺过程、需分别取各类型产品代表产品制程并进行线能力分析。2）评价瓶颈工序应排除可用外协、其他生产线可用设备借代等因素影响。 3）每条生产线选取一种或2种产品作为代表说明制程及瓶颈工序即可，其他产品可直接计算毛产能。 3、毛产能核算

LED封装制程及技术简介2_图文(精)

The Introduction of LED Package Processes and Technologies -CFD ????? ??????????????- Howard Chao July 18 ,2008 Outline ? Why use ? Introduce of package relative materials? Processes of package? iscussing thermal management of develop Outline ? Why use ? Introduce of package relative materials? Processes of package? iscussing thermal management of develop

Why use LED ? nvironment IssueNo Mercury element /No UV missions// ittle Infrared.? Long lifeSome LEDsare projected to produce a long service life of about 100,000 hours. ? nergy fficiency lectric and optic transform is about 80%?can reduce more than 80%power consumption compare with other lighting source. ? esponse rate he response time is about S , so not need to warm up can improve the safety . ? urable s are highly rugged. ? Small Size/Design FlexibilityA single LED is very small and produces little light overall. ? ange of Colors s are available in a range of colors (see above, including whitelight. White