【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

(12)发明专利申请

【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910386376.3

(22)申请日 2019.05.09

(71)申请人 广州聚达光电有限公司

地址 510000 广东省广州市高新技术产业

开发区科丰路31号自编二栋华南新材

料创新园G4栋602号

(72)发明人 梁家和 伍淼 

(74)专利代理机构 广州一锐专利代理有限公司

44369

代理人 杨昕昕 董云

(51)Int.Cl.

G06F 3/041(2006.01)

【CN110045877A】一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法【专利】

(54)发明名称一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法(57)摘要本发明涉及柔性显示屏领域,提供一种基于纳米银线的窄边框触控传感器及其制备方法,用于解决柔性显示屏边框较宽的问题。本发明提供的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器,包括:处理基材,调节基材的表面张力;在基材上涂布纳米导电分散液,去除纳米导电分散液中的分散剂,形成纳米导电网络;对纳米导电网络进行蚀刻;在蚀刻后的纳米导电网络上印刷导电浆料,去除导电浆料中的溶剂并进行黄光显影、热处理,形成窄边框导电网络;在纳米导电网络和窄边框导电网络上涂布高分子材料并去除溶剂;对所述高分子材料进行光固化,得到柔性高分子薄膜层,分离得到传感器。采用的黄光显影的方式,可较大程度的减小边框的宽度,同时光固化

只需一层即可成型。权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110045877 A 2019.07.23

C N 110045877

A

1.一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,包括:处理基材,调节基材的表面张力;在基材上涂布纳米导电分散液,去除纳米导电分散液中的分散剂,形成纳米导电网络;对纳米导电网络进行蚀刻;在蚀刻后的纳米导电网络上印刷导电浆料,去除导电浆料中的溶剂并进行黄光显影、热处理,形成窄边框导电网络;在纳米导电网络和窄边框导电网络上涂布高分子材料并去除溶剂;对所述高分子材料进行光固化,得到柔性高分子薄膜层,分离得到传感器;所述传感器由纳米导电网络、窄边框导电网络和柔性高分子薄膜层构成。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述基材为刚性基材,所述刚性基材为玻璃、硅片或铜板。

3.根据权利要求2所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述黄光显影包括黄光处理和显影处理,所述黄光处理为在黄光的环境中对浆料进行紫外光图案曝光的处理,显影处理为使用3~7%碳酸氢钠溶液对浆料进行清洗去除未曝光固化的浆料;热处理为将布设了纳米导电网络和浆料的基材置于热风烘箱或IR隧道炉120~140℃烘烤。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述纳米导电网络的方阻为50~100Ω/sq,所述窄边框导电网络的电阻为5~200Ω。

5.根据权利要求1所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述纳米导电网络的厚度为20~200nm;所述柔性高分子薄膜层的厚度为5~20um,所述窄边框导电网络的厚度为3~5um。

6.根据权利要求1所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述纳米导电分散液中含有质量百分比0.1~1%的纳米结构导电材料,所述纳米导电材料为碳纳米管、石墨烯、银纳米线、或铜纳米线其中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器的制备方法,其特征在于,所述高分子材料的粘度为500~5000cps。

8.一种基于纳米银线的窄边框触控传感器,其特征在于,根据权利要求1~8任一项所述的制备方法制得的触控传感器。

9.根据权利要求8所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器,其特征在于,所述触控传感器的可见光透过率为85%~95%,弯折半径1-5mm,弯折次数大于十万次。

10.根据权利要求8所述的一种基于纳米银线的窄边框触控传感器,其特征在于,所述传感器厚度为5~50um。

权 利 要 求 书1/1页2CN 110045877 A

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