S7-300全系列 CPU选型表

S7-300全系列CPU选型表

Intel 至强E系列CPU参数

I n t e l X e o n E系列服务器处理器 一、IntelXeonE系列CPU命名规则 首先，IntelE3，E5，E7代表了3个不同档次的至强CPU，这种命名方式类似桌面上的Corei3，i5，i7，分别对应好、更好、最好。 其次，以E3-1220为例，E3-1220中的这个"1"，也就是连字符后的第一个数字，它代表处理器最多支持的并行路数，有1、2、4、8四种规格，分别代表了单路、双路、四路和八路。因此，E3-1220这款CPU就是一款单路的CPU，只能用于对应的单路的服务器主板上面。再如E5-2400系列，E5-2600系列，相比于E3-1200系列来讲，E5代表了更高档次，更好性能，而连字符后的第一个数字为"2"，这里的2也代表了是双路的CPU，只能用于对应的双路芯片组的主板。 紧接着，我们来看连字符后的第二个数字，它代表处理器封装接口形式，一共有2，4，6，8四种规格，分别是2对应SocketH2(LGA1155)、4对应SocketB2(LGA1356)、6对应SocketR(LGA2011)、8对应SocketLS(LGA1567)。我们现在举例的这款E3-1220至强CPU，连字符后的第二个数字是"2"，2对应SocketH2(LGA1155)，也就是说，这个CPU封装是SocketLGA1155的。 然后，连字符后第三和第四位代表编号序列，一般是数字越大产品性能越高，价格也更贵。 接下来，紧跟第四位数字后的"L"代表是低功耗版，留空的话就代表是标准版。 连字符后面最后的数字代表修订版本，比如v2、v3、v4等等 二、产品家族 InterXeonE3-1200产品家族 InterXeonE5-1600产品家族 InterXeonE5-2400产品家族 InterXeonE5-2600产品家族 InterXeonE5-4600产品家族 InterXeonE7-2800产品家族 InterXeonE7-4800产品家族 InterXeonE7-8800产品家族

西门子伺服电机选型手册

西门子伺服电机选择手册，SINAMICS S120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。普通异步电动机不能控制转矩，也不能控制三相异步电动机。 S120系列驱动与伺服电机选型手册第1部分：典型结构的多轴驱动控制单元电机模块与通用直流母线电源模块。带起动机（或scout）和SIMATIC manager软件或s7-300400的书本式柜式PC典型配置图，SIMOTION O/D/P 24 V DL说明：1：主控制模块cu320 2：电源模块SIM 或ALM+24 V电源3：单轴电机模块4：两轴电机模块234电源线终端模块驱动Cliq编码器反馈信号线选项板电抗器功率滤波器传感器模块无编码器电机运动控制，带drivc Cliq接口西门子（中国）自动化传动集团有限公司生产机械SINAMICS S120系列，选自《S120驱动与伺服电机选型手册》第1章多轴传动概述。Sinamics120是一种集V/F、矢量控制和伺服控制于一体的新型驱动控制系统。它不仅可以控制普通的三相异步电动机，还可以控制步进电动机、转矩电动机和直线电动机。其强大的定位功能将实现进给轴的绝对和相对定位。2007年6月发布的DCC（drive control chart）功能将实现逻辑、计算和简单处理功能。SINAMICS S120产品包括：用于普通直流母线的DCAC逆变器和用于单轴的ACAC逆变器。具有公共直流母

线的DC/AC逆变器也称为多轴驱动。它的结构是电源模块和机器模块分开。电源模块将三个交流电整流成540V或600DC，并将电机模块（一个或多个）连接到直流母线。特别适用于多轴控制，特别适用于造纸、包装、纺织、印刷、钢铁等行业。优点是电机轴间能量共享，接线方便简单●单轴控制交流变频器，俗称单轴交流传动，其结构是功率模块和电机模块的组合，特别适合单轴速度和定位控制。本书第一部分包括第1至4章，主要介绍多轴交流传动。第二部分包括第五章至第八章，主要介绍单轴交流传动。第三部分包括第九章，主要介绍电机电缆和信号电缆。第四部分包括第10章，介绍了同步和异步伺服电机的指令数据。第五部分，包括第11章，简要介绍了运动控制系统的指令数据。这本书中的技术资料基本上是英文的。详情请参阅英文原文。西门子（中国）有限公司自动化与传动集团运动控制部生产的机械系列S120系列，源自《S120驱动与伺服电机选型手册》第二章。功率模块是我们通常所说的整流器或整流器/反馈单元。它将三相交流电整流成直流电，并为每个抑制模块（通常称为逆变器）供电。具有反馈功能的模块还可以向电网提供直流电。根据是否有反馈功能和反馈方式，将功率模块分为以下三类：基本线路模块：整流单元，但无反馈功能。智

至强处理器

英特尔至强Xeon cpu处理器型号大全及详细参数 第1页：双核至强UP：3000、3100系列 3000系列“Conroe” 2006年9月末英特尔发布了代号为“Conroe”（产品代码80557）的双核至强 3000系列CPU，它只不过是英特尔主流“Conroe”的重新贴牌产品，商标采用了酷睿2 Duo（用于消费级的桌面产品），和其它大多数至强处理器不同，它们只支持单CPU运算，使用Socket T (LGA775)，前端总线速度1066MHz，支持英特尔增强的自动降频和虚拟化技术，但不支持超线程。 3100系列“Wolfdale” 代号为“Wolfdale”（产品代码80570）3100系列双核至强 CPU只是对英特尔主流产品Wolfdale进行了重新包装，采用相同的65纳米制造工艺和6MB二级缓存，和大多数至强不同，它们仅支持单CPU运算，使用Socket T (LGA775)，前端总线1333MHz，支持增强的自动降频和虚拟化技术，但不支持超线程。 第2页：四核至强UP：3200、3300、3400和3500系列 ——英特尔的多核之路：四核、六核至强 3200系列“Kentsfield”

2007年1月7日，英特尔发布了重新包装过的四核（2x2）酷睿2 Quad处理器，即至强 3200系列（产品代码80562），2x2四核心包括两个独立的双核芯片，包括三个型号X3210、X3220和X3230，分别运行在 2.13GHz、2.4GHz和2.66GHz。和300系列类似，这些型号只支持单CPU运算，前端总线1066MHz，其目标定位于刀片服务器市场，X3220也当作Core2 Quad Q6600销售，X3230对应到Q6700。 3300系列“Yorkfield” 英特尔发布重新包装的四核酷睿2 Quad Yorkfield Q9400和Q9x50处理器时，同期发布了至强 3300系列（产品代码80569），它包含两个独立的双核芯片，采用了45纳米制造工艺，型号包括X3320、X3350、X3360和X3370，分别运行在2.50GHz、2.66GHz、2.83GHz和3.0GHz，每个芯片统一使用6MB二级缓存（但X3320每块芯片二级缓存只有3MB），前端总线1333MHz，所有型号都支持英特尔64位（x86-64实现），XD位和虚拟化技术，也支持按需供电，使用LAG775 Socket。 3400系列“Nehalem” 英特尔公司于今天发布了基于最新酷睿微体系架构（研发代号：Nehalem）的入门级英特尔至强 3400系列服务器处理器。此系列至强处理器全部采用无铅、无卤素设计，并支持独有的英特尔睿频加速技术（Intel Turbo Boost technology）。大多数型号的英特尔至强3400处理器还支持英特尔超线程（Intel Hyper-Threading Technology）技术。这些全新技术的加入，不仅能够为广大中小企业提供"智能"的性能体验，还有助于服务器在任务负载较轻时提供最优能效表现。 更佳的入门级服务器 现在，需要全天候运营的中小型企业及教育界用户比过去更需要购买基于全新英特尔至强3400系列处理器和英特尔3400及3420芯片组的服务器，这些新产品将帮助他们更高效地运行电子邮件服务、文件服务、打印服务以及动态网络服务等负载，进而提高生产力。此外，教育行业用户还能借助这些服务器实现课堂协作以及学校管理服务，提高教学质量。基于至强3400系列处理器的服务器通过加

MOS功率与选型

品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls

关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3

MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）

英特尔至强处理器历代记

十载寒窗英特尔至强处理器历代记https://www.sodocs.net/doc/8e3601983.html, 2011-04-11 佚名 IT168 摘要：回顾至强处理器发展的历程，面向双路的产品从最初的至强5000系列到5400系列到最新的至强E7，算下来Intel在双路及四路以上服务器处理器中已经整整更新了10代产品。 2011年4月6日，Intel在北京发布了采用全新命名的至强E7系列，回顾至强处理器发展的历程，面向双路的产品从最初的至强5000系列到5400系列，到Nehalem架构的至强5500、Westmere架构的至强5600；而四路及多路处理器方面，最初的至强7100、六核心的Dunnington至强7400、上一代的Westmere至强7500再到最新的至强E7，算下来Intel在双路及四路以上服务器处理器中已经整整更新了10代产品。 这些产品见证了至强这个品牌一步步走向辉煌，同时这些产品也帮助数以万计的企业获得成功。今天，我们就来回顾一下最近几年Intel至强的10代产品，为了那些曾经忘却的纪念。 一代、Dempsey核心至强5000系列 英特尔公司的“Bensley”平台包括代号为“Dempsey”的双核Xeon DP处理器和代号为“Blackford”的Intel 5000系列芯片组，另外还有一系列的新技术，比如I/O AT技术、FBD内存技术、更新的安全特性等等。 英特尔当时一共发布了8款基于“Dempsey”核心的处理器：Xeon 5080、Xeon 5070、Xeon 5060、Xeon 5063、Xeon 5050、Xeon 5040、Xeon 5030和Xeon 5020。这些处理器依然采用了NetBurest微架构，它们将会是最后一个采用该微架构的Xeon系列产品。在Xeon 5000系列处理器中整合了两个完整的NetBurst微架构处理器，并且对于NetBurst 微架构进行了进一步的优化——主要涉及到超管线技术（Hyper Pipelined Technology）和执行追踪缓存（Execution Trace Cache）。每个处理器拥有独立的2MB二级缓存，其前端总线为1066MHz或者667MHz，可以提供8.5GB/s或者5.3GB/s的传输带宽。 Xeon 5000系列处理器采用了65nm制程，这对于有效的抑制Xeon处理器的发热量具有至关重要的作用。采用90nm制程的Irwindale核心的单核Xeon处理器TDP在130瓦左右，而Xeon 5000系列双核处理器TDP也只有135瓦甚至更低。Xeon 5000系列处理器不再采用Socket604封装，改用了FC-LGA6 LGA771封装，可进一步改进处理器的电气性能，更利于功率传导。 这个系列的处理器依然支持超线程技术（Hyper-Threading Technology），这样每个核心可以处理2个线程，每颗双核心处理器可以并行处理4个线程，双路配置的处理器则能可以同时处理8个线程。另外，这个系列的处理器支持

IR功率MOS管选型

I D Continuous Drain Current (A)70°Micro3 Surface Mount Packages V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()?I D Continuous Drain Current 25°C (A) R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case Outline Key Part Number P D Max.Power Dissipation (W)https://www.sodocs.net/doc/8e3601983.html, N-Channel Logic Level IRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1 IRLML2803 91258 0.54 30 0.25 1.2 0.93 230 P-Channel Logic Level IRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1 IRLML5103 91260 0.54 -30 0.6 -0.61 -4.8 230 * Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7V Measured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case. 1Micro3 SO-8 D-Pak D -Pak SOT-227 Micro6 SOT-223 Micro8 2 Illustrations not to scale

西门子选型手册

西门子选型手册 16ES7?212-1AB23-0XB0CPU（8I/6O）晶体管输出 26ES7?212-1BB23-0XB0CPU??(8I/6O）?继电器输出 36ES7?212-1AB23-0XB8CPU（8I/6O）晶体管输出?CN 46ES7?212-1BB23-0XB8CPU??(8I/6O）?继电器输出?CN 56ES7?214-1AD23-0XB0CPU（14I/10O）晶体管输出 66ES7?214-1AD23-0XB8CPU（14I/10O）晶体管输出?CN 76ES7?214-1BD23-0XB0CPU（14I/10O）继电器输出 86ES7?214-1BD23-0XB8CPU（14I/10O）继电器输出??CN 96ES7?214-2AD23-0XB0CPU224XP（14DI/10DO，2AI,1AO）?晶体管输出? 106ES7?214-2BD23-0XB0CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出116ES7?214-2AD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）晶体管输出126ES7?214-2BD23-0XB8CPU224XP?（14DI/10DO，2AI,1AO）继电器输出136ES7?216-2AD23-0XB0CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出 146ES7?216-2BD23-0XB0CPU（24I/16O）继电器输出 156ES7?216-2AD23-0XB8CPU??(?24I/16O?)?晶体管输出?CN 166ES7?216-2BD23-0XB8CPU（24I/16O）继电器输出?CN 176ES7?221-1BF22-0XA08点24VDC输入 186ES7?221-1BF22-0XA88点24VDC输入?CN 196ES7?221-1BH22-0XA016点24VDC输入 206ES7?221-1BH22-0XA816点24VDC输入?CN 216ES7?222-1HF22-0XA08点继电器输出

Intel(英特尔)、AMD(超微)所有CPU型号大全

Intel（英特尔）、AMD(超微)所有CPU型号大全 英特尔的处理器有以下品牌： ?英特尔? 酷睿? 处理器 ?英特尔? 奔腾? 处理器 ?英特尔? 赛扬? 处理器 ?英特尔? 凌动? 处理器 ?英特尔? 至强? 和安腾? 处理器 英特尔? 酷睿? i7-975 处理器至尊版 世界上性能最强的台式机处理器。1 借助英特尔? 酷睿? i7 处理器 975 至尊版的智能化表现，释放台式机计算潜能，轻松应对复杂的多线程游戏和应用。 英特尔? 酷睿? i7 处理器至尊版 用世界上最快的处理器征服极致游戏世界： 英特尔? 酷睿? i7 处理 器至尊版。1 更快速的智能多核技术，满足您的各类需求，带来难以 想象的突破性游戏体验。 英特尔? 酷睿? i7 处理器 智能多核技术速度更快，能够自动为最需要的应用提供处理能力。借助该技术， 新的英特尔? 酷睿? i7 处理器将能为您带来惊人的突破性计算性能。这是全 球最好的台式机处理家族。 英特尔? 酷睿? i5 处理器 智能特性，能够根据任务需求进行加速。英特尔? 酷睿? i5 处理器是一款出 色的解决方案，适用于多媒体多任务处理环境。 英特尔? 酷睿?2 至尊处理器 适用于超级计算。享受英特尔最新双核及四核技术带来的革命性性能 水准，获得逼真的高清晰度体验和多任务响应能力。 英特尔? 酷睿?2 至尊处理器 适用于超级计算。享受英特尔最新双核及四核技术带来的革命性性 能水准，获得逼真的高清晰度体验和多任务响应能力。 英特尔? 酷睿?2 四核处理器 多媒体发烧友们将迎来一次疯狂的体验。借助英特尔? 酷睿?2 四核

处理器，为台式机带来强大的四核性能。它是高度线程化娱乐应用和高效多任务处理的理想引擎。 英特尔? 酷睿?2 双核处理器 至尊威力，铸就优异性能。凭借能效优化的双核技术和优异的能源 使用效率，英特尔? 酷睿?2 双核处理器可以出色地运行要求最苛刻 的应用程序。 英特尔? 奔腾? 处理器 英特尔? 奔腾? 处理器可提供超强的台式机性能、更低的能耗以及更出色的日常计算多任务处理能力。 英特尔? 赛扬? 处理器 基于英特尔? 赛扬? 处理器的台式机平台可为您提供超凡的计算体验，以及源自英特尔的出色品质和可靠性。 -------------------------------------------------------------------- 在同一处理器等级或家族内，编号越高表示特性越多，包括： 高速缓存、时钟速度、前端总线、英特尔? 快速通道互联、新指令或其它英特尔技术1。拥有较高编号的处理器可能某一特性较强，而另一特性较弱。 一、英特尔? 酷睿? 处理器 英特尔? 酷睿? i7 品牌的处理器号由 i7 标识符加三字数字序列组成。

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3

附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304

SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558

mos管选型指导

MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如

电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。

英特尔i3_i5_i7处理器型号及参数总览表+CPU型号大全

英特尔i3/i5/i7处理器型号及参数总览表 请仔细看完本文，看完后你将会对笔记本芯片有一定了解，买笔记本才不会被JS坑骗。 ~~Kiong 前言：随着英特尔全新32nm移动处理器的推出，英特尔移动处理器大军的规模进一步膨胀。粗略地计算一下，现在市场上可以买到的Core i、酷睿2、 奔腾双核、赛扬双核、凌动处理器几大家族的成员已经超过了80款，即使是经常关注笔记本技术的达人，也很难记住每一款处理器的技术规格。 名词解释 前端总线：是指CPU与北桥芯片之间的数据传输总线，人们常常以MHz表示的速度来描述总线频率。总线的种类很多，前端总线的英文名字是Fr Bus，通常用FSB表示。 睿频：英特尔睿频加速技术。是英特尔酷睿i7/i5 处理器的独有特性。也是英特尔新宣布的一项技术。 英特尔官方技术解释如下：当启动一个运行程序后，处理器会自动加速到合适的频率，而原来的运行速度会提升10%~20% 以保证程运行；应对复杂应用时，处理器可自动提高运行主频以提速，轻松进行对性能要求更高的多任务处理；当进行工作任务切换时，如果存和硬盘在进行主要的工作，处理器会立刻处于节电状态。这样既保证了能源的有效利用，又使程序速度大幅提升。 三级缓存（L3）：目前只有酷睿I系列才有，之前的都是L2（二级缓存）。是为读取二级缓存后未命中的数据设计的—种缓存，在拥有三级缓存的CPU 有约5%的数据需要从内存中调用，这进一步提高了CPU的效率。 制程：制程越小越好。越来越高的工艺制程可以提高芯片的集成度，增加晶体管的数量，扩展新的功能。同时随着晶体管尺寸的缩小，每颗的单位成本也有所降低。此外，更高的工艺制程可以帮助降低CPU的功耗，另外，降低CPU的成本以前扩大CPU产能也是新工艺制的积极影响。 TDP：TDP的英文全称是“Thermal Design Power”，中文直译是“散热设计功耗”。主要是提供给计算机系统厂商，散热片/风扇厂商，以及商等等进行系统设计时使用的。一般TDP主要应用于CPU，CPU TDP值对应系列CPU 的最终版本在满负荷(CPU 利用率为100%的理能会达到的最高散热热量，散热器必须保证在处理器TDP最大的时候，处理器的温度仍然在设计范围之内。 注意：由于CPU的核心电压与核心电流时刻都处于变化之中，这样CPU的实际功耗（其值：功率P＝电流A×电压V）也会不断变化TDP值并不等同于CPU的实际功耗，更没有算术关系。

常用mos管(选型)

常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应

常用MOS管选型参考

常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应

针全系列CPU参数列表

针全系列CPU参数列表 Socket1155,1155针全系列CPU,型号,主频,缓存,设计功耗,制造工艺,核心代号,参数对比列表 供货商CPU型号Frequency L3 Cache Core Name Process Stepping Wattage BCLK BIOS支持Intel Core i7-26003.40GHz8MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i7-2600K3.40GHz8MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i7-2600S2.80GHz8MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i5-25003.30GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i5-2500K3.30GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i5-2500S2.70GHz6MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i5-2500T2.30GHz6MB Sandy Bridge32nm D245W

100F7 Intel Core i5-2405S2.50GHz6MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i5-24003.10GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i5-2400S2.50GHz6MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i5-2390T2.70GHz3MB Sandy Bridge32nm Q0 35W100F7 Intel Core i5-23203.00GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i5-23102.90GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i5-23002.80GHz6MB Sandy Bridge32nm D295W 100F7 Intel Core i3-21303.40GHz3MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i3-21253.30GHz3MB Sandy Bridge32nm D265W 100F7 Intel Core i3-21203.30GHz3MB Sandy Bridge32nm Q065W 100F7 Intel Core i3-2120T2.60GHz3MB Sandy Bridge32nm Q0

七步掌握MOS管选型技巧

七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片