直拉硅单晶生长的现状与发展

直拉硅单晶生长的现状与发展

摘要：综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等进行了论述。

关键词：直拉硅单晶；扩散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光电子转换效率；硅熔体结构

前言

20世纪中叶晶体管、集成电路（IC）、半导体激光器的问世，导致了电子技术、光电子技术的革命，产生了半导体微电子学和半导体光电子学，使得计算机、通讯技术等发生了根本改变，有力地推动了当代信息（IT）产业的发展．应该强调的是这些重大变革都是以半导体硅材料的技术突破为基础的。2003年全世界多晶硅的消耗，达到了19 000 t，但作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的．因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成硅抛光片，方可制造I C 器件。

半导体硅片质量的提高，主要是瞄准集成电路制造的需要而进行的。1956年美国仙童公司的“CordonMoore”提出，IC芯片上晶体管的数目每隔18~24个月就要增加一倍，称作“摩尔”定律。30多年来事实证明，IC芯片特征尺寸（光刻线宽）不断缩小，微电子技术一直遵循“摩尔定律”发展。目前，0.25 μm、0.18μm线宽已进入产业化生产。这就意味着IC的集成度已达到108~109量级，可用于制造256MB的DRAM和速度达到1 000MHE的微处理芯片。目前正在研究开发0.12 μm到0.04μm的MOS器件，预计到2030年，将达到0.035μm 水平。微电子芯片技术将从目前器件级，发展到系统级，将一个系统功能集成在单个芯片上，实现片上系统（SOC）。

这样对半导体硅片的高纯度、高完整性、高均匀性以及硅片加工几何尺寸的精度、抛光片的颗粒数和金属杂质的沾污等，提出了愈来愈高的要求。

在IC芯片特征尺寸不断缩小的同时，芯片的几何尺寸却是增加的。为了减少周边损失以降低成本，硅片应向大直径发展。在人工晶体生长中，目前硅单晶尺寸最大。

当代直拉硅单晶正在向着高纯度、高完整性、高均匀性（三高）和大直径（一大）发展。

磁场直拉硅技术

硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加。生长φ6″、φ8″、φ12″、φ16″硅单晶，相应的投料量应为60 kg、150 kg、300 kg、500 kg。大熔体严重的热对流，不但影响晶体质量，甚至会破坏单晶生长。热对流驱动力的大小，可用无量纲Raylieh数表征：

R=gβb3ΔT/kν（1）

其中，β为熔体体膨胀系数，g为重力加速度，ΔT为熔体自有表面的纵向温度差，b为熔体特征尺寸（熔体高度），ν为熔体动力粘滞系数，k为熔体热扩散系数。从式（1）可以看出，R与b3成正比，与ν成反比。

抑制熔体热对流，现有两条技术途径：

1）在太空微重力环境下生长单晶体．此时g→0（低轨道卫星g→g0×10-4；高轨道卫星g→g0×10-5~g0×10-6），R→0，熔体无宏观热对流晶体生长过程中熔体质量的输运，主要依赖扩散（扩散控制机制）此时晶体完整性、均匀性可得到极大改善．这一点已在太空晶体生长中得到证实

太空生长单晶是不可能产业化的（每发射一公斤有效载荷，要耗费3~5万美元）．因此只能用于基础研究，验证有关晶体生长理论。

2）向熔体空间引入磁感应强度．众所周知，导电熔体在磁场中运动（对流），要受到罗仑兹力（Lorentz force）的阻滞。该阻滞的效果，可以理解为增加了熔体的有效粘滞性（磁动力粘滞性）。磁动力粘滞系数可表示为

νeff=(μBb)2σ/ρ（2）

其中，μ为熔体磁导率（μ=1），B为引入磁感应强度，σ为熔体电导率，ρ为熔体密度。R与g成正比，R与νeff成反比。因此，增加νeff值，与降低g 是等效的。

上述两条途径，在直拉生长条件下，存在着物理本质上的联系．太空微重力下生长单晶，熔体中质量输运为“扩散唯一机制”。磁场下生长单晶，当引入磁感应强度达到某一临界值时，一切宏观对流均因受到Lorentz力的作用而被抑制。此时熔体的质量输运，同样是“扩散唯一机制”。从而可以把后者称之为“等效微重力生长”。

把磁场下的晶体生长和等效微重力晶体生长联系起来，这是对磁场拉晶理解的深入和发展。剩下的问题是如何把引入磁感应强度的大小与等效微重力生长的量级联系起来。由于νeff的增加等效于重力g的下降，从加磁场对应磁动力粘滞系数νeff和未加磁场对应熔体动力粘滞系数出发，进而导出了

g=g0ν0/νeff

的表达式。其中，g为引入磁感应强度B所对应的等效微重力量级，g0为标准重力加速度。把半导体硅熔体有关的物性参数代入上式，可以得到在石英坩埚边缘处引入磁感应强度达到 1 500高斯时，所对应的等效微重力等级为3×10-3 g0~1×10-3 g0，这接近于一般低轨道卫生所处的微重力等级。并且晶体生长过程，可以看到明显的微重力生长效应。

磁场拉晶有一段较长的发展历史，1966年第一次把磁场引入水平生长InSb 晶体，减少了热对流和界面温度波动，起到了抑制生长条纹作用，1970年，Witt 用磁场法生长InSb晶体，未达到预期效果。20世纪70年代有人断言，直拉法引入磁场拉晶存在困难。但随着硅单晶大直径化和直拉硅控氧的要求，日本索尼公司星金治等人于1980年联合发表的“优质硅单晶的新制法”就是用磁场直拉法制备的硅单晶。1981年，第四届国际半导体会议又公布了以上成果，从此磁场直拉硅单晶在国际上活跃起来。目前制备φ8″硅单晶都必须施加磁场。引入磁场的磁力线分布有纵向、横向和Cusp等3种。从控制硅单晶氧浓度考虑，应以Cusp磁场为最佳。磁体有电磁体、低温超导磁体和永磁磁体。前两者都有复杂的装置，并消耗较大的电力和冷却水（增加一倍的水电消耗）永磁体不消耗任何水电，有诱人的应用前景。

在采用永磁Cusp磁场条件下，大直径硅单晶的等效微重力生长，不但抑制了大熔体强烈的热对流，而且通过控制马兰哥尼对流（Marangoni Convection），使得直拉硅中氧含量，可达到ppm级可控；晶体电阻率的纵向、径向均匀性和微区均匀性都得到改善，为晶体生长理论及工艺的研究，提供了一条技术途径。

目前投料量超过100 kg，生长φ8″硅单晶的单晶炉，都必须有向硅熔体所在空间引入磁感应强度的附属设备。

硅片缺陷的控制与利用（硅片缺陷工程）

硅片高完整性，主要指硅片中缺陷的消除。70年代追求完整晶体，提出“消除缺陷”的研究目标。有位错单晶，通过Dash在拉晶引晶时的缩颈技术和调整热场，可制备出无位错单晶。但在无位错硅单晶中，却发现了大量微缺陷，其尺寸在微米量级。对CMOS电路这类表面器件而言，表面微缺陷的危害，甚至比位错还要致命。进一步的研究发现，硅片中这类微观缺陷与硅中氧及其沉淀行为有密切的联系。

氧在硅片中溶解度，高温时可达到2×1018cm-3。但随着温度下降，存在于硅片中的过饱和间隙氧，要逐渐从硅晶体中析出。当这类沉淀物长大到一定尺寸，还会诱生众多的缺陷，如层错间隙型小位位错线等。这些就是硅片微缺陷的主要组成部分。

70年代中期，人们在研究中发现，并不是存在于硅片中的微缺陷都是有害的。存在于硅片表面的微缺陷有害，它对微米、亚微米级浅结器件的电参数与成品率是致命的。而存在于硅片近表面和体内的缺陷（不在器件的有源区），不但无害，而且有利于提高器件成品率与电参数。因为缺陷所产生的应力场，能够吸除器件有源区沾污的重金属杂质与原生缺陷，以保证有源区（结区）的洁净这样便发展了一种内吸除（氧的本征吸除）技术，以提高IC的成品率与电参数。对硅片中缺陷的态度，也由过去的“消除缺陷”转变为“控制缺陷、利用缺陷”。追求硅片完整性的这一转变，是硅材料科技工作者对缺陷在认识上的一个飞跃！并且促使了“缺陷工程学”的诞生与发展。对直拉硅片而言，控制、利用缺陷的关键是要实现硅片中过饱和间隙氧的可控沉淀，使得硅中氧能够按要求“定量沉淀”、“定域分布”和“定型转化”。实现这一目标的手段，就是在器件工艺前对硅片实施预热处理。通过高、低温退火，使硅片正表面氧外扩散，形成低氧清洁区，而在体内则促使氧的大量沉淀，并诱生层错、位错回线等缺陷，形成体内吸除源。

硅片预热处理的效果，受硅片过饱和间隙氧含量、受热历史以及热处理工艺的制约。如果希望得到归一化的热处理工艺，则硅中氧含量应该接近，硅片受热历史也应该归一化。热历史很难做到归一化，即使同一颗硅单晶的头、中、尾，就具有明显不同的受热历史。

另外，硅片预热处理不但增加了热工序，而且还可能导致硅片沾污和产生翘曲。因此总是希望把预热处理工序，合并到硅片IC制造工艺的热工序中去完成。这样毕其功于一役，不但节省了热工序，而且避免了常规预热处理所带来的副作用．做到这一点的关键，应该消除硅片热历史对热处理效果的影响，或者说使硅片受热历史对内吸除效应的影响，降到极其次要地位。为了达到这一目的，我们只得借助外来干扰，来消除硅片热历史的副作用，实现硅片中氧的可控沉淀。目前采用的办法有：1）通过辐照（中子辐照、电子辐照）引入辐照缺陷；2）引入杂质，其中包括在硅中掺入微量锗、氮等；3）在氮气氛中硅片快速退火，引入大量空位。上述办法，都取得了明显的效果。由于内吸除具有吸除能力大，有

效作用距离短，可与器件热工序相结合等优点，而且随着IC集成度的不断提高，芯片厚度也在增加，采用外吸除，往往是鞭长莫及，效果较差。所以对于硅片内吸除技术的原理和工艺研究，当前还是重点和热点。

大直径硅片中的空位型（Void）缺陷

在大直径直拉硅单晶中（≥φ6″），最近发现了3种空洞型原生微缺陷。依据其被检测出来的手段，分别命名为：晶体原生颗粒缺陷COPs（Crystal OriginatedDefects），激光散射缺陷LSTDs（LaserScatternDefects）和流动图形缺陷FPDs（Flow Pattern Defects）。该3种缺陷的尺寸，在0.1~0.3 m范围内，接近超大规模集成电路的设计线宽，这类原生缺陷严重影响亚微米级DRAM栅极氧化物的完整性。目前ULSI栅极氧化物的厚度，已小到10 nm量级。如此薄的氧化层，要求承受很高的电场强度，完整性就成为关键。因此，保持这个被称作晶体管“心脏”的栅极氧化物的完整性，已成为提高ULSI成品率、电参数的关键。目前，对这3类缺陷的本质、形成机理及控制技术的研究已成为国内、外硅材料界的新研究热点。

COPs缺陷是在1号液（SC1）(NH4OH：H2O2：H2O=1：1：5)腐蚀后，由激光颗粒计数器观察到的；LSTDs是由红外激光散射断层谱仪（LST）观察到的；FPDs是在Secco择优腐蚀液腐蚀后用光学显微镜观察到的。目前比较一致的看法是，他们都是由{111}面簇所围成的八面体空洞，所以称作空洞型缺陷（V oid defects）．体密度在105~106cm-3范围内。

缺陷的形成与晶体生长工艺有关。不产生V oid缺陷的临界条件为V/G≤0.14±15%，其中G为固液界面处的纵向温度梯度；V为晶体生长速率。如果静态G值不变，则生长速率愈大愈易产生V oid缺陷。在实际生长硅单晶时，V值小必将影响生产率，使得成本增加。因此，厂家宁可让其产生密度较高，而尺寸较小的V oid缺陷而使用高速率生长,然后利用硅片退火或快速退火（RTA）以消除V oid缺陷。目前除退火消除V oid缺陷外，还可以利用外延生长技术生长外延层，以覆盖所有的原生缺陷，获得完整的表面层．对于CMOS器件，外延层厚度约3~5μm。外延技术，使得硅片成本增加。还有一种FLASH技术，是在衬底上快速沉淀一层0.5μm左右的硅薄膜．但衬底材料应是氮掺杂，经过快速生长、快速冷却后，仅存在微小高密度的V oid缺陷．而大尺寸V oid缺陷，不足以被沉淀薄膜完整地覆盖，可能形成光点缺陷。

目前对大直径硅中V oid缺陷的显示(特别是COPs和LSTDs缺陷)，形成动力学等，还存在困难和众多不同的模型和解释。最优化消除V oid缺陷的工艺，还有待进一步研究。

外延片和SOI片

随着IC集成度的提高和结构愈来愈复杂，光依靠改变IC设计是解决不了问题的，还必须从衬底硅片质量和特性入手。为了解决电路集成度提高而产生的电路锁存效应（Latch-up）和软失误（soft-error）问题，电路制造不能使用普通的抛光片，而必须采用硅外延片．要在一低阻硅片衬底上，外延一层高阻外延层，然后在高阻的外延层上制造电路。常用的重掺衬底为重掺锑硅单晶加工的硅片，其电阻率低到10-2~10-3Ω.cm．由于锑在熔硅中的分凝系数很小，k0=0.03。在晶体生长过程中，随着生长界面的推移，杂质锑留在晶体中的比例仅为3%，而97%的杂质锑却要通过生长界面排向硅熔体。随着重掺锑硅单晶的生长，溶体中杂质锑的浓度将愈来愈高。达到一定浓度后，锑将以单相的形式，在生长界面析出，从而破坏单晶生长。因此重掺锑单晶的成品率很低，致使成本增加。同时由于熔

硅中锑的固溶度小，生长出的硅单晶的锑浓度低，使得低电阻率的重掺锑硅单晶很难制备。

为了解决这一难题，最近发展了重掺砷硅单晶。由于砷在熔硅中的平衡分凝系数k0=0.3，比锑要大一个数量级，所以不但重掺砷硅单晶成品率高，而且掺杂浓度也可以大大提高，因此10-3Ω.cm硅单晶可以容易制备。最近发展了一种大直径重掺砷硅单晶生长的气相掺杂工艺，获得了很好的效果。但由于氧化砷是剧毒物质（砒霜），环保问题显得十分重要和关键。我国在重掺砷、磷大直径硅单晶生长方面，积累了较丰富的经验。

采用外片制造电路，由于外延炉设备昂贵和外延工艺中消耗高，无疑使得外延片价格提高。一般外延片大约是普通抛光片价格的5倍。目前φ8″外延片，已经商品化。

近几年，在大直径硅片的制备中，出现了一个新的品种。由于它的制备方法特殊、性能优越，目前已成为大直径硅片供应中的亮点。即所谓的SOI（Silicon on Insulator）材料，直译是绝缘体上的硅单晶薄膜。在SOI硅片上，制造集成电路，具有以下优势：1）各器件间和器件有源区与衬底之间，有SiO2绝缘层隔离，避免了器件中的寄生电容；2）结面积和空间电荷体积减少，使得漏电流低3个数量级；3）在受辐照后，顶层产生的少数载流子浓度小3个数量级。SOI制备的集成电路，其性能大大提高。功耗低、驱动电压低、运行速度高，且耐高温、抗辐照，集成度较抛光片、外延片制造电路，可进一步提高。

SOI片将是0.1μm以下线宽电路制造的主要衬底片。特别是当集成度达到1 Gb，硅片尺寸φ≥12″以后，制造电路几乎是非SOI不可了。

SOI制造的集成电路广泛应用于便携式通讯系统、掌上计算机、汽车、航空和石油工业以及军事微电子、卫星及导弹上用的抗辐照ASIC电路。

制备SOI片的技术有6~7种，但国际主流技术为2种：1）氧离子注入隔离技术（SIMOX-Seperationby Implanted Oxygen）；2）智能剥离技术（Smart Cut）。国外φ8″SOI片，已商品化．我国φ4″片，已有产品．目前SOI片的价格大约是硅外延片的5倍。制备SOI技术的进一步优化和SOI器件应用中的自加热效应是当前研究的重点。

太阳电池硅单晶

绿色能源、可再生能源是人类寻求的目标。煤和油发电受到资源的限制，而且破坏环境。有人预言燃煤发电如不淘汰，则人类和资源将同时在地球消失。核电有核安全、核泄漏和核废料问题，西方国家也在逐步淘汰。

太阳能以其广泛存在。数量巨大、自由索取、清洁安全、对生态无害而成为首选开发领域。太阳电池是利用光生伏特效应，把太阳能直接转换成电能的半导体器件。以半导体硅片为衬底的太阳电池，目前已广泛应用于航天、农业、交通、通讯、电视、广播和国防等领域，是太阳能开发的主导技术。地球荒漠化面积的1/4如果被太阳能硅片覆盖，其发电量就相当于全世界发电量的总和。

硅太阳电池科技攻关，主要围绕以下两个方面进行：1）提高太阳光辐照能转化为电能的光电转换效率；2）大幅度降低单瓦发电成本。当然，提高光电转换效率本身也是降低成本。一个值得注意的事实是衬底硅片的成本，要占到芯片制造成本的50%以上。于是围绕提高太阳电池衬底的硅片质量和降低生产成本，形成了一整套太阳电池直拉硅单晶的生长技术与工艺。它与集成电路级直拉硅单晶生长技术与工艺，既有共同点，而又有较大的差异。

太阳电池级直拉硅的质量，主要以提高少子寿命保证光电转换效率为前提。

因此在拉中要尽量降低硅中氧碳含量和重金属杂质含量。因为重金属杂质、氧沉淀及诱生缺陷、硼氧复合体等均会引入复合中心，降低少子寿命。

太阳电池级直拉硅单晶同样要大直径化。目前的直径正在由φ6〞（125 mm ×125 mm方片）向φ8〞（156 mm×156 mm方片）转化。大直径生长，大投料、大熔体体积同样有抑制强烈热对流问题。但如果采用磁场拉晶技术，则硅片成本势必会有大幅度提高，对推广应用单晶硅太阳电池不利。为了减少热对流，太阳电池级直拉硅生长，仅采用了矮加热器和双加热器技术，厚的热屏蔽技术和精确的氩气导流技术。但随着硅单晶直径得进一步增大，上述措施与技术也很难满足要求，还应当研究在不增加硅片生产成本的前提下，抑制强烈热对流的技术与工艺。

太阳电池级直拉硅单晶的原料的需求量很大，是目前发展太阳电池的重大障碍。使用三级多晶料不但成本上升，而且也满足不了要求。使用电路级直拉硅的头尾料和锅底料应该是最合理的，但碳含量过高是关键。如何通过硅单晶生长降低碳含量是重要的研究课题，降碳机制不但具有学术意义，其技术具有重大经济效益。

大直径直拉硅单晶生长的计算机模拟

随着晶体大直径化，每炉投料量大幅度增加，为了优化晶体生长工艺和节约资金，国内外都开展硅单晶生长的计算机模拟研究。目前大多从晶体生长过程中的几个基本输运方程、弯月面方程和拉普拉斯杨方程出发，设计相应的生长物理模型。用有限元方法求数字解，所得的结果用以定性指导晶体生长实践。根据生长的物理模型，计算机获得数字解，给优化工艺提供实验方向，可以大大减少盲目性。目前研究的动态是：1）大直径生长，都采用磁场拉晶，因此应该考虑磁场下上述基本方程的变化。由于引入磁感应强度抑制了热对流，输运方程应该可以大大减化；2）一般的数字模拟，在向计算机总体动态数字模拟发展。

硅熔体物性与结构的研究

现有晶体生长理论，建立在平衡热力学和经典统计物理学的基础上，它存在以下的矛盾和问题：1）用热力学平衡的观点，分析解释非平衡的晶体生长与过程；2）对晶体生长过程中的环境相，缺乏足够重视和研究。晶体和熔体（浓厚的环境相）本来是对立统一的两个方面，长期以来，只追求晶体质量和成品率，忽视了环境相的变化和对晶体的影响；3）经典的晶体生长理论，把熔体看成连续介质，不考虑其结构效应（一定尺寸、一定几何构型的生长基元）和其浓度与密度的起伏。在过冷和磁场条件下，熔体形成一定的生长“基元”是可能的。基元过程，就是晶体生长过程。

以上3条的分析，都提醒我们要重视对环境相的研究，譬如熔体生长中的几个重要物性参数：熔体动力粘滞系数；熔体表面张力；熔体体膨胀系数；热扩散系数；熔体的电导率等都会直接影响晶体生长过程中界面的微观结构和生长动力学。特别要加强大直径生长中加磁场条件和不同过冷条件以及生长参数变化过程中，上述物性参数变化的研究。

众所周知，熔体物性参数的改变与熔体结构的改变密切相关。已有研究表明，熔点附近熔体物性参数变化较大。在不同过冷度和引入不同磁感应强度条件下，熔体结构是怎样变化的？通过研究可否证实生长“基元”的存在。

在大直径生长的计算机模拟研究中，我们十分关心熔体热流体力学的众多无量纲参数的数值准确性，如雷诺数（Reynolds number）、弗鲁得数（Fraude number）、格拉斯霍夫数（Grashoff number）、瑞利数（Rayleigh number）、哈德

曼数（Hartmann number）、马兰哥尼数（Marangoni number）等。

在不同过冷度和引入磁场条件下，熔体结构的变化，必然引起有关物性参数的变化。上述熔体的无量纲热流体力学参数也会随之改变，如果使用的数值不准确，就无法得到有益的模拟结果。

遗憾的是，有关晶体生长环境相的研究，在晶体大直径化的今天，还未引起同行的足够重视！

直拉单晶硅相关知识汇总

直拉单晶硅国标相关知识汇总 参考标准： 硅单晶GB/T12962-2005 硅片径向电阻率变化测定方法GB/T11073 硅单晶电阻率的测量GB/T1551-2009 代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T1558-2009 光电衰减法测硅和锗体内少子寿命测定GB/T1553-2009 红外吸收光谱测量硅晶体中间隙氧GB/T1557-2006 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1550 1. 径向电阻率变化 1）定义：晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（晶片半径的1/2处或靠晶片边缘处）的电阻率之间的差值。差值与中心值的百分数即为径向电阻率变化。 2）测量方法：GB/T11073规定径向电阻率变化的测量方法为：用四探针法测量硅片中心点和设定点的电阻率。按以下公式计算：RV=（ρM－ρC）/ρM×100% 其中：ρM为硅片中心点处测得的两次电阻率的平均值。 ρC为硅片半径中点或距边缘6mm处，90°间隔4点电阻率的平均值。 3）国标对径向电阻率变化的要求：GB/T12962-2005规定掺杂硼元素的P 型单晶（直径为200mm的）电阻率范围为：0.0025～60Ω·cm。 其径向电阻率变化为：0.0025～0.1Ω·cm ≤12% 0.1～60Ω·cm ≤5% 2. O、C含量 GB/T12962-2005规定直拉硅单晶的间隙氧含量应小于 1.8×1018a/cm3 (36ppma)，具体指标应根据客户要求而定。其测定的依据标准为：GB/T1557-2006。 替位碳含量应小于 5.0×1016a/cm3 (1ppma)，其测定的依据标准为：GB/T1558-2009 利用红外吸收光谱测量间隙氧的有效范围从 1.0×1016a/cm3到硅中间隙氧的最大固溶度。 3．少子寿命 GB/T1553-2009规定用光电导衰减法不能测量硅单晶抛光片的少子寿命。本方法测量硅单晶的少子寿命单个实验室测量的精密度为±20%。 本方法可以测的最低寿命值为10μs,而最高可测寿命值主要取决于试样的尺寸和抛光的表面。所要求的试样尺寸和最高可测寿命值如下：

我国道路与桥梁发展现状分析及展望

道路桥梁工程概论论文 ——我国道路与桥梁发展现状分析及展望 姓名：宿凌飞 班级：2011级房建5班 学号：201110703059 任课教师：汪杰

我国道路与桥梁发展现状分析及展望 摘要：随着我国建设的发展，公路已具有非常重要的作用。近几年来，可以说是我国公路桥梁的建设在飞速发展的同时也取得了非常大的成就。交通运输是现代经济社会正常运行的基础保障，生产要素之间的快速交换是保障和维护生产正常运行的基本条件。交通运输规模的大小是经济社会现代化程度的基本标识之一，而交通运输的发展又在很大程度上限制的经济的发展。道路与桥梁的发展又占交通运输发展的很大部分，本文主要阐述的就是我国道路与桥梁发展现状及展望。 关键字：基础设施道路桥梁交通运输发展现状 正文： 交通运输把社会生产、分配、交换和消费等各个环节有机地联系起来，既是重要的基础产业，又为商品流通和人员流动提供基本条件。交通运输是国民经济的重点战略产业，是国民经济的重要基础设施，是制约经济与社会发展的一个重要因素。自改革开放以来，各地政府和人民都认识到“要想富，先修路”。交通运输业要先行，才能保持国民经济的持续、稳定、协调发展。 一、我国道路发展现状 由于之前200年中国经济科技相对于西方工业革命的落后以及战争的影响，中国和平发展的时间非常短，造成了中国交通运输等基础设施的建设严重滞后，据统计，在1949年新中国成立时全国公路通车总里程为8.07万公里，且缺桥少涵，路况极差。全国有1/3的县不通公路，整个西藏的公路交通还是一片空白。从建国到改革开放，由于交通运输的基础性和重要性不被重视，导致了对基础交通设施的投资严重不足，交通发展长期滞后。改革开放以后，虽然同时期公路交通设施在快速发展，但与国民经济发展的需求相比仍然偏低，且由于改革开放前几十年的历史欠账太大，城市出入口和交通干线严重堵塞，交通事故频频发生，运输效率低下，基础设施的落后成为了国民经济发展的主要瓶颈。20世纪80年代后期，中央政府开始了交通运输基础设施的修建，交通运输得到了很大的发展，尤其表现在公路交通方面。进入21世纪后，交通运输的发展速度进一步提高。 我国的高速公路建设自1988年沪嘉高速公路通车实现中国大陆高速公路零的突破后中国高速公路的建设一路突飞猛进。进入2000年之后，国民生活水平进一步提高，国家经济相比于改革开放初期已经有了极大的提高，高速公路等国民基础设施因此得到了进一步的投资。2000年1月，国务院成立了西部地区开发领导小组。西部大开发战略开始实施，中国西部相对于东部沿海的落后地区的交通运输等基础设施开始大力兴建，交通网络的形成加快了各省各地区的物资交流，各地区的经济联系得到进一步的加强。“十一五”规划期间，房地产行业的兴起更是带动了全国基础设施的建设。国家高速公路网规划中重点建设的“五射两纵七横”14条线路中，已建和在建路段达到95%以上。从1988年的100公里一路飙升至2012年的9.62万公里，中国高速公路实现了从无到有，

桥梁设计(研究)现状和发展趋势

设计（研究）现状和发展趋势（文献综述） 2.1桥梁设计的现状 2.1.1 梁式桥 1. 简支体系梁桥 实心板桥，空心板桥，T 梁桥,工字型梁桥, 箱型梁桥等 特点:受力简单;标准设计;预制吊装;20~50m;中小桥;引桥 组合式梁桥有两种型式： Ι形组合梁桥____适用于钢筋混凝土简支梁桥 箱形组合梁桥____适用于预应力混凝土梁桥。 优点：显著减轻预制构件的重量,便于集中制造和运输吊装。 2. 简支变连续体系梁桥 T 梁桥,工字型梁桥, 箱型梁桥等 特点:先简支(预制吊装),后连续;连续体系受力;预应力20~50m;中小桥;引桥3. 连续梁桥 箱型截面,连续体系受力,支座 20~30m:普通钢筋混凝土,中小桥;引桥;高架桥; 立交桥;支架现浇较多 40~60m:预应力混凝土,大中桥;次主桥; 等截面,顶推施工 >60m: 大桥,特大桥;变截面, 悬臂施工(现浇或拼装) 4. 刚构桥 门式刚架桥 T 型刚构桥（带挂孔的或不带挂孔的） 连续刚构桥 刚构-连续组合体系桥 斜腿刚构桥 刚构桥特点： 箱型截面,连续体系受力, 墩梁刚接（不需支座） >60m,大桥,特大桥;变截面, 悬臂施工(现浇或拼装)-不需体系转换 2.1.2 拱桥 简单体系拱桥(上承式拱) 组合体系拱桥(中承式拱、下承式拱、系杆拱等) 1. 石拱桥 我国现存的石拱桥最早已有1500多年历史， 常用跨度:8~60m;

1991年,120m,湖南凤凰县乌巢河桥 2001年,146m, 山西晋城丹河大桥, 世界最大跨度。 2. 混凝土拱桥 分箱形拱、肋拱、桁架拱 常用跨度:30~200m 世界已建成跨径超过240M拱桥共15座，中国4座 跨径大于300m的拱桥共5座，中国占3座 1997年,重庆万县长江大桥(主跨420m)，为世界最大跨度。 钢管混凝土劲性骨架混凝土箱形拱：以钢管混凝土作为劲性骨架，再外包混凝土形成箱形拱，是修建大跨径拱桥十分好的构思，除了方便施工外，还避免了钢管防护问题。 3. 钢管混凝土拱桥 钢管混凝土是一种钢-混凝土复合材料具有支架、模板二大作用，自架设能力强极限状态下发挥套箍作用,极限承载能力高常用跨度:100~300m。 4. 钢拱桥 ?适用于大跨径 ?我国钢拱桥修建正在较快增加 2.1.3 斜拉桥 特点：组合体系，比梁式桥有更大的跨越能力 200~800m的跨径范围内占据着优势 由于拉索的自锚特性而不需要悬索桥那样巨大锚碇 在800~1100m的跨径范围内，斜拉桥也扮演重要角色 1600m跨径都是可行的 斜拉桥主要由主梁、索塔和斜拉索三大部分成： 主梁一般采用混凝土结构、钢－混凝土组合结构、钢结构或钢和混凝土混合结构； 索塔－采用混凝土、钢－混凝土组合或钢结构；大部分采用混凝土结构； 斜拉索－则采用高强材料（高强钢丝或钢绞线）制成。 2.1.4 悬索桥 世界已建成跨径大于1000米的悬索桥17座；日本于1998年建成了世界最大跨径的明石海峡大桥，是世界建桥史上的一座丰碑。 特点：悬索桥是特大跨径桥梁的主要形式之一 受力明确，造型优美，规模宏伟，“桥梁皇后” 跨径大于800m的桥梁，悬索桥具有很大的竞争力 400~800m也有可比性 抗风稳定性问题突出 2.2桥梁设计的发展趋势 随着我国经济发展，材料、机械、设备工业相应发展，这为我国修建大跨径斜拉桥和悬索桥提供了有力保障。再加上广大桥梁建设者的精心设计和施工，使我国建桥水平已跃身于世界先进行列。以下是桥梁发展得趋势：

直拉硅单晶的氧和碳

直拉硅单晶的氧和碳 直拉硅单晶中的氧和碳是一类很重要的杂质，氧和碳在直拉单晶中，可能形成微沉淀，可能在微沉淀基础上形成微缺陷，严重影响单晶质量，影响大规模集成电路性能和制造。 氧原子在硅单晶中大部以间隙原子状态存在，成Si-O-Si状态或SiO 2和SiO 4 状态，熔点 时，氧在固态硅的溶解度为(2.75±0.15)×1018/cm3，在熔硅中的溶解度为（2.20±0.15)× 1018/cm3。直拉硅单晶的氧主要来源于多晶硅，它的含氧量一般为1016/cm3~1017/cm3数量级，而直拉单晶硅中的氧含量一般在6×1017/cm3~2×1018/cm3，可见，单晶生长过程中有大量的氧进入。 石英坩埚对硅单晶的氧沾污非常严重，在1420℃以上高温下，硅熔体和石英坩埚进行化学反应： Si(熔体)+SiO 2 (固体)=2SiO 反应结果，石英坩埚上生成一层固体一氧化硅，并不断溶解于熔硅中，生成一氧化硅气体也会溶解于熔硅，使熔硅氧浓度增高。 氩气氛下拉晶时，氩气中的氧会以不同形成溶入熔硅中，使硅单晶氧浓度增高。 直拉硅单晶一般单晶并没有部氧浓度高，尾部氧浓度低，单晶新面中心氧浓度高，边缘氧浓度低。硅单晶的这种氧浓度分布既受坩埚污染影响，也受拉晶时氧蒸发和氧分凝效应影响。坩埚中熔硅虽然离坩埚壁越近氧浓度越高，但在拉晶过程中，被单晶覆盖的熔硅氧不能蒸发，其余部分氧蒸发较快，在熔硅对流作用下，形成单晶中氧含量边缘高中心低的现象。氧在硅中的平衡分凝系数一般认为是1.25，这很容易解释硅单晶头部含氧高尾部含氧低的事实。但是，从硅氧二元相图看，氧在硅中的平衡分凝系数应该小于1，这和一般认为氧在硅中平衡分凝系数等于1.25相矛盾。氧在单晶中分布呈并没有部高尾部低现象可以这样解释： 由于多晶硅熔化时温度高，硅和石英坩埚（SiO 2 ）反应激烈，大量的硅氧物进入熔硅，它们比重小，浮于熔硅上部，使得生长的单晶氧含量头部高，单晶在以后生长中，虽然硅和石英坩埚继续反应生成硅氧物进入熔硅，但由于温度较低反应缓慢，而且由于晶体和坩埚转动搅拌熔体中氧蒸发作用增强，使单晶尾部氧含量降低。另外由于目前都是测量硅中的间隙氧，不是全部氧，因此也会出现差异。总之，氧在硅单晶中行为复杂，一些现象还不甚清楚。目前对硅单晶中氧的作用认为既有害，也有利。氧在硅单晶中形成氧沉淀，产生微缺陷和氧条纹，影响单晶质量也可以利用硅单晶含氧高的特点制造某些大规模集成电路，化害为利。

斜拉桥发展历史及未来方向

斜拉桥的发展历程及未来发展趋势 通过本学期的学习，我们学习了梁桥、拱桥、斜拉桥、悬索桥的计算方法。通过老师的讲解使我们了解到了不同桥梁的受力特点的不同以及不同桥梁计算时使用的不同的理论。梁桥以受弯为主的主梁作为承重构件的桥梁。主梁可以是实腹梁或桁架梁。实腹梁构造简单，制造、架设和维修均较方便，广泛用于中、小跨度桥梁，但在材料利用上不够经济。桁架梁的杆件承受轴向力，材料能充分利用，自重较轻，跨越能力大，多用于建造大跨度桥梁。拱桥指的是在竖直平面内以拱作为结构主要承重构件的桥梁。拱桥是向上凸起的曲面，其最大主应力沿拱桥曲面作用，沿拱桥垂直方向的最小主应力为零。悬索桥既吊桥指的是以通过索塔悬挂并锚固于两岸（或桥两端）的缆索（或钢链）作为上部结构主要承重构件的桥梁。其缆索几何形状由力的平衡条件决定，一般接近抛物线。从缆索垂下许多吊杆，把桥面吊住，在桥面和吊杆之间常设置加劲梁，同缆索形成组合体系，以减小活载所引起的挠度变形。下面我们重点来说说斜拉桥，斜拉桥是由主梁、索塔和斜拉索三大部分组成，主梁一般采用混凝土结构、钢和混凝土结构、组合结构或钢结构，索塔主要采用混凝土结构，斜拉索采用高强材料的钢丝或钢绞线制成。它的主要优点有在各个支点支承的作用下跨中弯矩大大减小，而且由于结构自重较轻，既节省了结构材料，又能大幅地增大桥梁的跨越能力。此外，斜拉索轴力产生的水平分力对主梁施加了预应力，从而可以增强主梁的抗裂能力，节约主梁中预应力钢材的用钢量。斜拉桥和梁桥和拱桥相比有着跨越能力大的优

势。而与悬索桥相比在300-1000米跨度又有经济性的优势。同时外形对称美观更兼线条纤秀，构造简洁，造型优美。符合桥梁美学的要求。适合在跨度为300-1000米的桥梁使用。 斜拉桥的发展其实进行了一个漫长的历史，在国外1784年德国人勒舍尔建造了一座跨径为32米的木桥，这是世界上第一座斜拉桥。1821年法国建筑师叶帕特在世界上第一次系统地提出了斜拉桥的结构体系。在这个体系里，他构想用锻铁拉杆将梁吊到相当高的桥塔上，拉索扇形布置，所有拉索都锚固于桥塔顶部。1855年美国工程师罗伯林在尼亚加拉河上，建成了跨径达250米的公铁两用桥。这是世界上首次将悬索体系和拉索体系的成功组合。1949年，德国著名的桥梁工程师迪辛格尔发表了他对斜拉桥的结构体系的研究成果，为现代斜拉桥的诞生和发展奠定了理论基础。1952年德国莱昂哈特教授在世界上第一个设计出现代化斜拉桥――德国杜塞尔多夫跨越莱茵河的大桥。1953年迪辛格尔与德国承包商德玛格公司，承建了瑞典的斯特罗姆松德桥，这是世界上第一座现代斜拉桥。从此斜拉桥经历了三个发展阶段：自20世纪50年代中至60年代中，其特征是拉索为稀索体系，钢或混凝土梁体，以受弯为主；第二阶段，自20世纪60年代后期开始，其特征是拉索逐步采用密索体系，并可以换索，钢和混凝土梁以受压为主，截面减小；第三阶段，从20世纪80年代中期至今，拉索普遍采用密索体系，可以换索，梁体结构出现组合式、混合式、钢管混凝土等新的形式。相应地梁向轻型化发展，梁高减小，梁面也出现了肋板式、板式等形式。

直拉硅单晶生长的现状与发展

直拉硅单晶生长的现状与发展 摘要：综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等进行了论述。 关键词：直拉硅单晶；扩散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光电子转换效率；硅熔体结构 前言 20世纪中叶晶体管、集成电路（IC）、半导体激光器的问世，导致了电子技术、光电子技术的革命，产生了半导体微电子学和半导体光电子学，使得计算机、通讯技术等发生了根本改变，有力地推动了当代信息（IT）产业的发展．应该强调的是这些重大变革都是以半导体硅材料的技术突破为基础的。2003年全世界多晶硅的消耗，达到了19 000 t，但作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的．因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成硅抛光片，方可制造I C 器件。 半导体硅片质量的提高，主要是瞄准集成电路制造的需要而进行的。1956年美国仙童公司的“CordonMoore”提出，IC芯片上晶体管的数目每隔18~24个月就要增加一倍，称作“摩尔”定律。30多年来事实证明，IC芯片特征尺寸（光刻线宽）不断缩小，微电子技术一直遵循“摩尔定律”发展。目前，0.25 μm、0.18μm线宽已进入产业化生产。这就意味着IC的集成度已达到108~109量级，可用于制造256MB的DRAM和速度达到1 000MHE的微处理芯片。目前正在研究开发0.12 μm到0.04μm的MOS器件，预计到2030年，将达到0.035μm 水平。微电子芯片技术将从目前器件级，发展到系统级，将一个系统功能集成在单个芯片上，实现片上系统（SOC）。 这样对半导体硅片的高纯度、高完整性、高均匀性以及硅片加工几何尺寸的精度、抛光片的颗粒数和金属杂质的沾污等，提出了愈来愈高的要求。 在IC芯片特征尺寸不断缩小的同时，芯片的几何尺寸却是增加的。为了减少周边损失以降低成本，硅片应向大直径发展。在人工晶体生长中，目前硅单晶尺寸最大。 当代直拉硅单晶正在向着高纯度、高完整性、高均匀性（三高）和大直径（一大）发展。 磁场直拉硅技术 硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加。生长φ6″、φ8″、φ12″、φ16″硅单晶，相应的投料量应为60 kg、150 kg、300 kg、500 kg。大熔体严重的热对流，不但影响晶体质量，甚至会破坏单晶生长。热对流驱动力的大小，可用无量纲Raylieh数表征：

浅析单晶硅的生产现状

浅析单晶硅的生产现状 发表时间：2018-07-23T16:41:02.197Z 来源：《知识-力量》2018年8月上作者：高磊刘佳佳[导读] 本文综述了制造光伏电池和集成电路用单晶硅的特点，对直拉法生长单晶硅的基本原理及生产工艺进行论述，并且分析了直拉法单晶生长过程中的主要杂质及其来源。（郑州大学，河南郑州 450001） 摘要：本文综述了制造光伏电池和集成电路用单晶硅的特点，对直拉法生长单晶硅的基本原理及生产工艺进行论述，并且分析了直拉法单晶生长过程中的主要杂质及其来源。关键词：单晶硅直拉法生产工艺前言 单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良的半导体材料。应用于制作晶体管、微处理器、存储器、模拟电路等，其中90%的半导体器件和集成电路都是用硅单晶制作的。目前，单晶硅在太阳能光伏电池和集成电路中的应用最为广泛。 随着电子通讯行业和太阳能光伏产业的快速发展，半导体工业也随之迅猛发展。到目前为止，太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的，以硅材料为主的半导体专用材料在国民经济、军事工业中的地位非常重要，全世界的半导体器件中有95 % 以上是用硅材料制成。其中单晶硅则是半导体器件的核心材料，单晶硅属于立方晶系，具有类似金刚石的结构，硬度大，在较宽的温度范围内，都能够稳定地工作，其热稳定性和电学性能非常好。硅材料的优点及用途决定了它是目前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。因此，单晶硅制备工艺发展迅速，产量大幅增加。 1单晶硅生产工艺 当前制备单晶硅主要有两种技术，根据晶体生长方式不同，可分为悬浮区熔法和直拉法。这两种方法制备的单晶硅具有不同的特性和不同的器件应用领域，区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面，而直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主体。 区熔法：在整个制备单晶硅的过程中，不需要使用石英坩埚支撑，高温的硅并没有和任何其它物质接触，因而很容易保持高纯度。这种方法制备的单晶硅氧含量低，但是不容易生长出较大直径的硅单晶。 直拉法：也被简称为CZ 法，现已成为制备单晶硅材料最为重要的方法之一。CZ法是将原料装在一个石英坩埚中，外面用石墨加热器进行加热，当原料被加热器熔化后，将籽晶插入熔体之中，在合适的温度下，边转动边提拉，即可获得所需单晶。直拉法的优点是：可以方便地观察晶体生长过程、晶体生长时内部热应力小、可以方便地使用“缩颈”工艺，降低位错密度，成品率高、方便的控制温度梯度、有较快的生长效率。 直拉法生长单晶的具体工艺过程包括装料、化料、熔接、引晶、放肩、转肩、等径生长和收尾这几个阶段： 1.装料：根据所设计的投料量，将块状多晶硅料装入石英坩埚内并放入到单晶炉中。在此阶段有两个问题需要特别注意: 投料量和熔料温度，避免在化料过程中产生不利的问题，例如挂边、破裂。 2.抽真空：将单晶炉内的空气抽出，真空合格后充入保护气体氩气。 3.化料：打开功率进行加热，使炉体上升到1500℃左右。熔硅时，应注意炉内真空度的变化，一般来说，在流动气氛下或在减压下熔硅比较稳定。熔硅温度升到1000℃时应转动坩埚，使坩埚各部受热均匀。 4.熔接：当硅料全部溶化，调整加热功率以控制熔体的温度。待熔体稳定后，降下籽晶至离液面3-5mm 距离，使籽晶预热，以减少籽晶与溶硅的温度差，从而减少籽晶与溶硅接触时在籽晶中产生的热应力。预热充分后的籽晶则可以继续下降与液面进行熔接，同时籽晶保持一定的旋转速度。 5.引晶：为排除籽晶在熔接时由于受热冲击而产生的位错延伸到晶体中，需要控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，在引晶过程中需注意两个关键因素：坩埚的位置和液面温度。 6.放肩：为使得晶体直径达到制备要求的尺寸，进行放肩。引晶完成后，将拉速降低，同时降低功率开始放肩。放肩角一般控制在140°至160°之间，需适当调整放肩速度，保持圆滑光亮的放肩表面。放肩过程可通过降低拉速或者降低温度实现。 7.转肩：当放肩过程达到目标直径时，要对它的生长进行控制，通过提高拉晶速度进行转肩，使肩近似直角，进入等直径的纵向生长。 8.等径：当晶棒长到一定长度，就可以对其直径进行等径控制，以确保单晶棒直径的上下一致。等径过程在整个拉晶工艺中占用时间最多也是最重的阶段，这个阶段的工艺直接决定了单晶硅棒的质量。不仅要控制好晶体的直径，更为重要的是保持晶体的无错位生长。 9.收尾：在晶体生长接近尾声时，生长速度再次加快，同时升高硅熔体的温度，使得晶体的直径不断缩小，形成一个圆锥形，最终晶体离开液面，单晶硅生长完成。收尾的作用是防止位错反延。 10.停炉：当单晶硅与液面脱离后，不能立刻把晶棒升高，而是缓慢降低加热器功率直至为零，仍保持氩气的正常流通直至完全冷却，以防止空气对单晶硅表面的氧化。 2直拉单晶中存在的主要杂质目前，在直拉单晶硅中，主要杂质是氧和碳。 （1）单晶硅中的氧杂质在CZ法生长中，氧是直拉单晶硅中的主要杂质，氧不可避免地掺入硅单晶。其途径是在硅的熔点（1420℃）附近，熔硅与石英坩埚作用，生成sio进入硅熔体，溶解的氧经由熔体的对流和扩散传输到晶体和熔体的界面或自由表面。熔体中的部分氧在熔体自由表面蒸发，而余下的氧则通过晶体和熔体界面分凝而渗入晶体内。在实际直拉单晶硅中，氧浓度的表现为头部高、尾部低，在收尾处氧浓度有所上升，同时，氧浓度从单晶硅的中心部位到边缘是逐渐降低的。这是受晶体生长工艺变化的影响。 (2)单晶中的碳杂质

我国桥梁的现状与发展趋势

摘要关键词

目录

我国桥梁的现状与发展趋势 前言 改革开放之前，我国的经济、政治各方面都处于落后时期，桥梁工程方面也就没有太大的突破。改革开放以来，随着经济的发展，综合国力的增强，我国公路建设事业迅猛发展，作为公路建设重要组成部分的桥梁建设也得到相应发展，特别是近十年来，我国大跨径桥梁的建设进入了一个最辉煌的时期。 一般公路和高等级公路上的中、小桥、立交桥，形式多样，实用效果不断提高，跨越大江（河）、海峡（湾）的超大桥梁建设也相继修建，为公路运输提供了安全、舒适的服务。随着建筑材料、设备、建筑技术的较快发展，特别是电子计算技术的广泛应用，为广大工程技术人员提供了快捷、高精度的计算分析手段，我国广大的桥梁工程师和工作者，不断推进我国公路桥梁建设事业的发展。

1 我国桥梁的发展历程 1.1 古代桥梁的发展 1.1.1 萌芽阶段（以西周、春秋为主，包括此前的历史时代） 中国最早的桥梁可以追溯到原始社会时期，有独木桥和数根圆木组成的木梁桥，此为中国桥梁的雏形，进入周朝，已建有梁桥和浮桥。1972年，在春秋时期齐国的京城山东临淄的考古挖掘中，首次发现了梁桥的遗址和桥台遗迹，两处桥梁的跨径均在8 m左右。 1.1.2 初步发展阶段 战国时期，单跨和多跨的木、石梁桥已普遍在黄河流域及其他地区建造。坐落在咸阳故城附近的渭水三桥，在古代是很有名的。三桥包括中渭桥、东渭桥和西渭桥，都是多跨木梁木柱桥。进入秦汉后，建筑材料的丰富化使得以砖石结构为主体的拱结构出现。进入东汉末期，梁桥，浮桥，索桥，拱桥四大基本桥型已全部形成。 1.1.3 辉煌阶段 这一阶段包括了两晋到宋朝时期。这一时期涌现出许多名桥。隋代石匠李春首创的敞肩式石拱桥——赵州桥，该桥在隋大业初年为李春所创建，是一座卒腹式的圆弧形石拱桥，净跨37 m，宽9 m，拱矢高度7．23 m，在拱圈两肩各设有2个跨度不等的腹拱，这样既能减轻桥身自重、节省材料，又便于排洪、增加美观，赵州桥的设计构思和工艺的精巧，在我国古桥是首屈一指。唐朝时期出现了不少名闻天下的石梁桥。 1.1.4 饱和阶段 进入元朝以后，古代桥梁发展几乎没有多大的创造和技术突破，没有涌现出更多的名桥，主要是对一些古桥进行了修缮和改造。 1.2 近代桥梁的发展 从鸦片战争爆发到新中国的建立，这一时期中国的桥梁主要是有外国人建造旧中国的承包商还没有建造大桥的能力，而政府交通部门也没有大桥施工队伍，只能做一些公路小桥涵的工程。可以这么说，这一时期的中国桥梁发展已经进入停滞时期，究其原因，我认为主要由当时旧中国落后的社会生产力引起，没有及时吸收当时桥梁建造的先进理念和主流思想，导致技术远远落后于人们的需求，恶性循环加剧，桥梁发展止步不前。 1.3 交流学习阶段 新中国建立后，面对美国的经济封锁和制裁，向苏联学习是最好的选择。在苏联专家的帮助下铁道部筹建了山海关、丰台、宝鸡和株州桥梁厂。交通部组建了北京的公路规划设计院、西安的第一设计院和武汉的第二设计院以及从事施工的公路一局和二局。各省的

位错介绍

直拉单晶硅中的位错 1.简介 尽管单晶硅石晶格最为完整的人工晶体，但是，依然存在晶格缺陷。 晶体硅的缺陷有多种类型。按照缺陷的结构分类，直拉单晶硅中主要存在点缺陷、位错、层错和微缺陷； 按照晶体生长和加工过程分类，可以分为晶体原生缺陷和二次诱生缺陷。原生缺陷是指晶体生长过程中引入的缺陷，对于直拉单晶硅而言，主要有点缺陷、位错和微缺陷；而二次诱生缺陷是指在硅片或器件加工过程中引入的缺陷，除点缺陷和位错以外，层错是主要可能引入的晶体缺陷。 对于太阳电池用直拉单晶硅，点缺陷的性能研究很少，其对太阳电池性能的影响不得而知；而普通硅太阳电池工艺的热处理步骤远少于集成电路，所以工艺诱生的层错也比较少。显然，在太阳电池用直拉单晶硅中，位错是主要的晶体缺陷。 直拉单晶硅位错的引入可以有三种途径。 一是在晶体生长时，由于籽晶的热冲击，会在晶体中引入原生位错。这种位错一旦产生，会从晶体的头部向尾部延伸，甚至能达到晶体的底部。但是，如果采用控制良好的“缩颈”技术，位错可以在引晶阶段排出晶体硅，所以，集成电路用直拉单晶硅已经能够做到没有热冲击产生的位错。另外，在晶体生长过程中，如果热场不稳定，产生热冲击，也能从固液界面处产生位错，延伸进入晶体硅。对于太阳电池用直拉单晶硅，因为晶体生长速度快，有时有可能会有热冲击位错产生。如果位错密度控制在一定范围内，对太阳电池的效率影响较小；否则，制备出的太阳电池效率就很低了。 二是在晶体滚圆、切片等加工工艺中，由于硅片表面存在机械损伤层，也会引入位错，在随后的热加工过程中，也可能延伸进入硅片体内。 三是热应力引入位错，这是由于在硅片的热加工过程中，由于硅片中心部位和边缘温度的不均匀分布，有可能导致位错的产生。 位错对太阳电池的效率有明显的负面作用，位错可以导致漏电流、p-n结软击穿，导致太阳电池效率的降低。所以，在直拉单晶硅的制备、加工和太阳电池的制造过程中应尽力避免位错的产生和增加。

斜拉桥的发展

中国斜拉桥的发展状态和关键技术 摘要：斜拉桥的发展引用着多种现代的高新技术，得以桥梁在大跨度的桥梁施工中，得以精确度的保证以及在规范要求的范围内，并且施工中必须考虑到外部环境的影响，所以接下来对以上的问题作以叙述。 关键词：斜拉桥全球卫新定位系统防护措施施工重点 斜拉桥又称斜张桥，上部结构由索、梁、塔三个主要组成部分构成，从其力学特点看，属于组合体系桥。斜拉桥依靠斜拉索支撑梁跨，类似于多跨弹性支承梁，梁内弯矩与桥梁的跨度基本无关，而与拉索间距有关。斜拉桥开始于17世纪，现在斜拉桥正处于发展的高峰期间，长度、跨度和持久性也在不断增加。 斜拉桥采用斜拉索来支撑主梁，使主梁变成多跨支撑连续梁，从而降低主梁高度、增大跨度。斜拉桥属于自锚结构体系，斜拉索对桥跨结构的主梁产生有利的压力，改善了主梁的受力状态。主要构造有基础、墩塔、主梁和拉索。其上的主梁是受弯构件，为多点弹性支撑，弯矩和挠度显著减小，斜拉索水平分力，提供对称的预应力，减缓主梁的压力。斜索是受拉构件，为主梁提供弹性支持，调整其索力、间距和数量，可调整桥梁内力分布及刚度，对斜拉索进行预张拉。 斜拉桥孔跨布置主要可分为双塔三跨式、独塔双跨式和多塔多跨式等三种形式。在特殊情况下，斜拉桥也可以布置成独塔单跨式或者混合式。 1、双塔三跨式 目前双塔三跨式最常用，形式有对称式和非对称式，适用在跨越较大的河流、海口及海面比较近的工程中。以下为双塔三跨式的例子，如图一所示。杭州湾跨海大桥建于2003年11月14日开工，2007年6月26日贯通，2008年5月1日启用。杭州湾跨海大桥是一座横跨中国杭州湾海域的跨海大桥，北起浙江嘉兴海盐郑家埭，南至宁波慈溪水路湾，全长36公里，比连接巴林与沙特的法赫德国王大桥还长11公里，已经成为中国世界纪录协会世界最长的跨海大桥候选世界纪录，成为继美国的庞恰特雷恩湖桥和青岛胶州湾大桥是世界上最长的跨海大桥后世界第三长的桥梁。此桥的特点为两侧都建有辅助墩，目的是为了缓和端锚索应力集中或减少边跨主梁弯矩，增大桥梁总体刚度。杭州湾大桥的钢管桩制作过程中，每个工序都进行严格质量检查，对焊缝百分之百进行超声波检查，还有部分的需要进行射线照相。其中T形和十字形的焊缝及近桩顶焊缝作为重点检查。焊缝不允许有咬边、焊缝未融合、未焊透的情况表面气孔、弧坑、夹渣等外观缺陷，这些都是对桩的焊接要求，而且在做这桥的设计时，还得考虑到一些外在因素，因为作为海上建筑，必须考虑到海上的海风很大，桥墩放下的时候会因为海风的吹动而摇晃，可能导致放置的位置不精确，所以得用到精密仪器测量和GPS 定位导航系统，这个是近几年才开始开发使用在桥梁建筑上的科技技术使用。在建成的时候还得预防以后海上出现台风现象，因为美国就有桥在设计时未能够充分考虑到风力和风速的影响，导致桥在风的作用下，产生摇晃，导致桥的倒塌。钢管桩的制作已经需要考虑到防腐的问题，而且也要考虑到在运输的时候，防止桩与周围的摩擦。而且全球卫星定位系统在这里利用的地方也比较多。像这里外海沉桩施工过程中，因为在海上的施工，所以在岸上看上去距离远，常规的经纬仪和全站仪测量定位很难达到设计的要求，所以只有使用全球卫星定位系统在施

直拉单晶工艺常识

直拉单晶工艺常识 硅的固态密度：2.33克/㎝，液态密度2.54克/㎝，呈灰色金属光泽，性质较脆，切割时易断裂，比重较小，硬度较大，属于非金属，是极为重要的半导体元素，液态时其表面张力较大，从液态到固态时体积膨胀较多。 氧在硅晶体中的分布是不均匀的，一般头部含量高，尾部含量低，晶体中心部位含量高，边缘含量低。 碳在晶体中的分布是中心部位低，边缘部位高。 电阻率：单位面积材料对于两平行平面垂直通过电流的阻力， 晶向：一簇晶列的取向。 母合金：生产上常常将掺杂纯元素“稀释”成硅熔体叫做母合金。 偏度：晶体自然中轴线与晶向之间的夹角度数。 空穴：半导体价带结构中一种流动的空位，其作用就像一具具有正效质量的正电子荷一样。 迁移率：载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。 载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称电载流。

少数载流子寿命：在光电作用下，非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间。 杂质分凝：在结晶过程中，由于杂质偏析，出现杂质分配现象叫杂质分凝。 扩散：物质内部热运动导致原子或分子迁移的过程。 热对流：液体或气体流过固体表面时，由于固体对液体或气体分子有吸附与摩擦作用，于是从固态表面带发挥或给于固体以热，这种传递热的方式叫热对流。 热应力：是压缩力，也可以叫拉伸力，要看液体中心部位对边缘部分的相对收缩或膨胀而定，大小取决于晶体的温场分布。 温度梯度：只温度在某方向的变化率用DT/DR表示，指某点的温度T在R方向的变化率，在一定距离内某方向的温度相差越大，单位距离内温度变化越大，温度梯度也越大，反之越小。 对石英坩埚的质量要求：1.外观检查：无损伤，无裂纹，无明显划痕，无气泡，无杂质点，100%透明；2.耐高温：在1600℃下经16小时后不变形，不失透，经1500℃硅液作用下无白点；3.纯度：sio 299.99%-99.999%，其中硼含量小于10ppm；4.直径公差±1.5mm；5.高度公差±1mm。

斜拉桥发展史及现状综述

从斜拉桥看桥梁技术的发展 姓名：马哲昊 班级：1403 专业：建筑与土木工程 学号：143085213086

摘要: 介绍了国内外斜拉桥的发展历史,综述了现今斜拉桥发展的现状,并分析了斜拉桥的结构形式和布置形式及其经济效益，并简述了其中的桥梁技术，对今后斜拉桥的发展做出展望。 关键词: 斜拉桥；发展史；现状；展望 Abstract: the paper introduces the domestic and foreign in recent decades history of Cable-stayed bridge.the paper summarized the The structure of cable-stayed bridge and the Economic benefits and Introduced the technology of it.the direction of further research in the future was put forward. Key words: Cable-stayed bridge; Review; Looking forward to

1.斜拉桥的发展 1.1 斜拉桥的历史 斜拉桥是一种古老而年轻的桥型结构。早在数百年前，斜拉桥的设想和实践就已经开始出现，例如在亚洲的老挝，爪哇都发现过用藤条和竹子架设的斜拉结构人行桥。在古代，世界各地也都出现过通行人、马等轻型荷载的斜拉结构桥梁在 18 世纪，德国人就曾提出过木质斜张桥的方案，1817 年英国架成了一座跨径为 34m 的人行木质斜张桥，该桥的桥塔采用铸铁制造，拉索则采用了钢丝。以后在欧洲的很多国家都先后出现了一些斜拉桥，如 1824 年，英国在 Nienburg 修建了一座跨径为 78m 的斜拉桥，拉索采用了铁链条和铸铁杆，后来由于承载能力不足而垮塌。1818 年，英国一座跨越特威德河的人行桥也毁于风振。现在看来，这些桥梁的垮塌主要是由于当时工业水平的限制、对斜拉桥这样高次超静定结构体系缺乏理论分析方法和技术手段以及桥梁结构构造存在缺陷。世界上第一座现代化的大跨径斜拉桥诞生于 1955 年，在第二次世界大战结束后，Dischinger 在瑞典设计建成了 Stromsund 桥。该桥主跨 182.6m，全桥采用斜拉式结构，主梁为钢板梁，中间用横梁连接，双塔式，每塔只用了两对高强钢丝拉索，梁上索距 35m 左右，梁高 3.25m 为跨径的 1/56，塔高 28m 为跨径的 1/6.5。这座桥在现代的观点来看虽然在细节上存在着一些不足，如桥面采用的分离的混凝土梁，索塔的造型缺乏美感等，但在桥梁结构上却开创了一个新的纪元，创造出了一种新的桥梁体系，且这种桥梁结构拥有着诸多优点： ①用少量拉索取代了深水桥墩，不但节省了费用、降低了施工难度，而且有效的提高了桥梁的跨越能力，利于通航和排洪。 ②拉索作为主梁的中间弹性支承，使得在桥梁跨径增大的同时，主梁的梁高却可以减小，从而使主梁本身以梁以及段引桥的造价得以降低。 ③拉索自锚固于主梁上，梁身能够得到免费的预压应力，在很多情况下，尤其对于中等跨径桥梁是有利的，和悬索桥相比还可以节省庞大而昂贵的地锚。 ④拉索和索塔、主梁组成了多个三角形结构，稳定性高，刚度大。静、动力性能都良好。 ⑤整体结构新颖，造型美观。 斜拉桥这种新桥型的的出现，以其先进的技术，经济的造价、美观的外形，很快的得到了社会的认同，并在许多国家得到了推广，从Stromsund 桥建成后的第二年起，诸多有名的斜拉桥相继诞生，且发展的速度很快，平均每年就能完一座斜拉桥的修建。早期的斜拉桥结构大多采用当时盛行的轻型钢结构正交异性桥面板，各桥不仅在形式上不尽相同，

桥梁的现状与发展趋势

摘要 关键词 目录 我国桥梁的现状与发展趋势 前言 改革开放之前，我国的经济、政治各方面都处于落后时期，桥梁工程方面也就没有太大的突破。改革开放以来，随着经济的发展，综合国力的增强，我国公路建设事业迅猛发展，作为公路建设重要组成部分的桥梁建设也得到相应发展，特别是近十年来，我国大跨径桥梁的建设进入了一个最辉煌的时期。 一般公路和高等级公路上的中、小桥、立交桥，形式多样，实用效果不断提高，跨越大江（河）、海峡（湾）的超大桥梁建设也相继修建，为公路运输提供了安全、舒适的服务。随着建筑材料、设备、建筑技术的较快发展，特别是电子计算技术的广泛应用，为广大工程技术人员提供了快捷、高精度的计算分析手段，我国广大的桥梁工程师和工作者，不断推进我国公路桥梁建设事业的发展。

1 我国桥梁的发展历程 1.1 古代桥梁的发展 1.1.1 萌芽阶段（以西周、春秋为主，包括此前的历史时代） 中国最早的桥梁可以追溯到原始社会时期，有独木桥和数根圆木组成的木梁桥，此为中国桥梁的雏形，进入周朝，已建有梁桥和浮桥。1972年，在春秋时期齐国的京城山东临淄的考古挖掘中，首次发现了梁桥的遗址和桥台遗迹，两处桥梁的跨径均在8 m左右。 1.1.2 初步发展阶段 战国时期，单跨和多跨的木、石梁桥已普遍在黄河流域及其他地区建造。坐落在咸阳故城附近的渭水三桥，在古代是很有名的。三桥包括中渭桥、东渭桥和西渭桥，都是多跨木梁木柱桥。进入秦汉后，建筑材料的丰富化使得以砖石结构为主体的拱结构出现。进入东汉末期，梁桥，浮桥，索桥，拱桥四大基本桥型已全部形成。 1.1.3 辉煌阶段 这一阶段包括了两晋到宋朝时期。这一时期涌现出许多名桥。隋代石匠李春首创的敞肩式石拱桥——赵州桥，该桥在隋大业初年为李春所创建，是一座卒腹式的圆弧形石拱桥，净跨37 m，宽9 m，拱矢高度7．23 m，在拱圈两肩各设有2个跨度不等的腹拱，这样既能减轻桥身自重、节省材料，又便于排洪、增加美观，赵州桥的设计构思和工艺的精巧，在我国古桥是首屈一指。唐朝时期出现了不少名闻天下的石梁桥。 1.1.4 饱和阶段 进入元朝以后，古代桥梁发展几乎没有多大的创造和技术突破，没有涌现出更多的名桥，主要是对一些古桥进行了修缮和改造。 1.2 近代桥梁的发展 从鸦片战争爆发到新中国的建立，这一时期中国的桥梁主要是有外国人建造旧中国的承包商还没有建造大桥的能力，而政府交通部门也没有大桥施工队伍，只能做一些公路小桥涵的工程。可以这么说，这一时期的中国桥梁发展已经进入停滞时期，究其原因，我认为主要由当时旧中国落后的社会生产力引起，没有及时吸收当时桥梁建造的先进理念和主流思想，导致技术远远落后于人们的需求，恶性循环加剧，桥梁发展止步不前。 1.3 交流学习阶段 新中国建立后，面对美国的经济封锁和制裁，向苏联学习是最好的选择。在苏联专家的帮助下铁道部筹建了山海关、丰台、宝鸡和株州桥梁厂。交通部组建了北京的公路规划设计院、西安的第一设计院和武汉的第二设计院以及从事施工的公路一局和二局。各省的

直拉法单晶硅生长技术的现状

直拉法单晶硅生长技术的现状 摘要 综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等进行了论述。 关键词：直拉硅单晶；扩散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光电子转换效率；硅熔体结构 一、光伏产业的发展趋势，及对硅材料的前景要求，直拉法单晶硅生长技术是现在主流生长技术之一 光伏产业，是一种利用太阳能电池直接把光能转换为电能的环保型新能源产业。由于从太阳光能转换成电能的光电转换装置，是利用半导体器件的“光生伏打效应”原理进行光电转换的，因此把与太阳能发电系统构成链条关系的产业称为光伏产业。光伏产业的链条，包括：硅矿-硅矿石（石英砂）-工业硅（也称金属硅）-多晶硅、单晶硅-晶圆或多晶硅切片-太阳能电池-组件-发电系统。工业硅的纯度，一般为98-99.99%；太阳能级硅的纯度，一般要求在6N级即99.9999%以上。 与其他常规能源相比，光伏发电具有明显的优越性：一是高度的清洁性，发电过程中无损耗、无废物、无废气、无噪音、无毒害、无污染，不会导致“温室效应”和全球性气候变化；二是绝对的安全性，利用太阳能发电，对人、动物、植物无任何伤害或损害；三是普遍的实用性，不需开采和运输，使用方便，凡是有太阳照射的地方就能实现光伏发电，可广泛用于通信。交通、海事、军事等各个领域，上至航天器，下至家用电器，大到兆瓦级电站，小到玩具，都能运行光

伏发电；四是资源的充足性，太阳能是一种取之不尽用之不竭的自然能源。据计算，仅一秒钟发出的能量就相当于1.3亿亿吨标准煤燃烧时所放出的热量。而到达地球表面的太阳能，大约相当于目前全世界所有发电能力总和的20万倍。地球每天接收的太阳能，相当于全球一年所消耗的总能量的200倍。人类只要利用太阳每天光照的5%，就可以解决和满足全球所需能源。正因为如此，加上由于传统的化石能源是不可再生资源，越来越接近枯竭，世界各国越来越达成必须加快发展新的替代能源的共识，从而加大了政策扶持的力度，世界光伏产业呈现出蓬勃发展的势头，光伏产业正在向大批量生产和规模化应用发展，其运用几乎遍及所有用电领域。 从整体来看，世界各国对太阳能光伏发电的政策扶持力度在逐年加大。各国的补贴政策主要分为两类：一类是对安装光伏系统直接进行补贴，如日本；另一类是对光伏发电的上网电价进行设定，如德国、西班牙等国。而美国加利福尼亚州，则是将两种政策混合执行。 光伏科技的进步，使光电转换效率不断提高、光能发电成本不断降低。技术进步是降低光伏发电成本，提高光能利用效率、促进光伏产业和市场发展的重要因素。几十年来围绕着降低成本的各种研究开发项工作取得了显著成就，表现在电池效率不断提高。硅片厚度持续降低、产业化技术不断改进等方面，对降低光伏发电成本起到了决定性的作用。 多晶硅是太阳能电池必不可少的基础材料，其占到太阳能电池成本的80%，每生产1兆瓦太阳能电池需要12-14吨多晶硅。多晶硅主要采用化学提纯、物理提纯两种方法进行生产，其中化学提纯方法主要有西门子法（气象沉淀反应法）、硅烷热分解法、流态化床法，物理提纯方法主要有区域熔化提纯法（FZ）、定向凝固多晶硅锭法（筹造法）等等。 二、直拉法单晶生长技术的机械设备 上海汉虹的FT-CZ2008A、FT-CZ2208AE、FT-CZ2208A，西安理工大学的TDR80A-ZJS、TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS，美国KAYEXCG3000、CG6000、KAYEX100PV、KAYEX120PV、KEYEX150，Vision300型，投料量分别为30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg,以及其他厂家的

斜拉桥的发展现状及常见问题浅析

斜拉桥的发展现状及常见问题浅析徐灯飞夏德俊（西南交通大学土木工程学院四川成都611756） 庄晴（内江师范学院四川内江641112） 摘要：本文主要论述了斜拉桥在近些年发展建设中取得的成就，分析了斜拉桥在结构、布置、选材和审美方面，以及简单介绍了斜拉桥在结构设计和施工建设方面遇到的难题及采取的必要措施。斜拉桥因为结构和审美上优势，以及大量的建设尝试和研究，斜拉桥以后势必还会有更大的发展。 关键词：斜拉桥；布置形式；桥梁结构体系；斜拉桥审美 一．我国斜拉桥建设取得的成就 自1979年建成的第一座斜拉桥——主跨只有76米云阳桥以来，经过30多年的飞速发展，现今我国斜拉桥无论是在规模和跨度方面，还是在结构设计和施工技术都取得了巨大的成就。目前我国已经是世界上斜拉桥数量最多、跨度最大的国家。2008年建成的苏通大桥全长1088米，成为世界上最长的斜拉桥，这也是我国历史上工程规模最大、建设条件极为复杂的特大型桥梁工程。目前我国已经建成的世界级的大跨度斜拉桥还有：2005年建成的南京长江三桥，是国内第一座钢塔斜拉桥，也是世界上第一座弧线形钢塔斜拉桥；2009年香港建成的双塔斜拉桥昂船洲大桥，主跨长1018米，为世界第二长；2010年建成的鄂东长江大桥，主桥主跨为926米，位居混合梁斜拉桥世界第二位等等...... 我国斜拉桥的设计与施工技术也已经跨入世界的先进行列，并取得了显著的成绩：（1）斜拉索制造工艺实现了专业化和工厂化及防护技术不断完善；（2）斜拉桥的施工技术逐步完善；（3）用计算机进行结构计算和施工过程控制等。目前我国的斜拉桥正在向新型结构、大跨度、轻质和美观等方向发展，以更好的适应交通、经济、环境和安全的要求。 二．斜拉桥整体结构特点 斜拉桥又称为斜张桥，是用许多拉索将主梁直接拉在桥塔上的一种组合受力体系的桥梁，其主体结构由斜拉索、索塔、主梁组成。在斜拉桥结构体系中，索塔主要是承压，斜拉索受拉，梁体主要承受弯矩，外荷载主要由主梁和斜拉索承受，并由斜拉索将受力传递给索塔。主梁由一根根拉索拉起，等于在梁内设置了许多支撑点，可以将其看作由拉索代替支墩的多跨弹性支承连续梁，这种结构能够非常有效的减小梁体内弯矩，从而降低主梁的高度，减轻结构重量，节省建筑材料，有利于斜拉桥向大跨度方向发展。斜拉桥相对悬索桥有较大的刚度，在抵抗风载、地震、竖向活载的作用方面有优势。三．斜拉桥的布置： 1.斜拉桥整体布置： 常见的布置形式有：独塔双跨式、双塔三跨式和多塔多跨式。（1）相对于双塔三跨式，独塔双跨式斜拉桥主跨径较小，而且常采用双跨不等的非对称形式，使结构整体受轴向力为主，以充分发挥材料的优势，这种布置形式在跨越中小河流和城市通道中较常用；（2）斜拉桥布置成双塔三跨式时，具有较大的主跨径，并便于通航、简化计算、方便施工，因此在大跨度桥中最为常见，适用于跨越海峡和宽度较大的河流、峡谷等。双塔三跨桥一般布置成对称结构，而且要调整好边跨和主跨的比例，这对于审美和控制整体刚度及拉索应力有很大非常有利；（3）多塔多跨式斜拉桥现在已经很少采用，因为这种形式的桥中间塔顶处没有端锚索来有效的限制其变位，采用多塔多跨式会使结构的柔性增大，对抗风不利。 2.索塔