模拟电子技术基础简明教程[第三版]杨素行课后答案解析

+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？

答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。

习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在20℃时的反向电流约为：3

210 1.25

A A

μμ

-?=

在80℃时的反向电流约为：321080

A A

μμ

?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？

答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A

μ=80A

μ60A

μ40A μ20A μ0A

μ0.9933.22

安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A

βμ=+=50℃时，8CBO I A

μ≈()

()

()0

5020

011%3011%301301%39

t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA

βμ=+==

习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。

①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？

②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。解：①查图可知，I CE O =0.5mA ，死区电压约为0.2V ；

②为了使三极管工作在放大区，对PNP 型：u BE <0，u BC >0；对NPN 型：u BE >0，u BC <0。

F

D 、E

A

B

C

图P1-14(g)

DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V

由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，

4 1.2

2.84.5

3.5

D m GS i g mS u ?-=

==?-

习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U

GS(th)= +3V ，I DO

=4mA ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图

习题1-19图

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；

(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；(e)有放大作用（是射极跟随器）；(f)无放大作用（输出交流接地）；(g)无放大作用（输入交流接地）；(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i)无放大作用（电源极性接反）；

R b

R e i U +

o U

R i U +

o

U R 1i U '+

2

i i N U U N '=

L R '=

习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。

答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。

②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。

定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。

u A ，↓。u A ↓。u A ④增大β，则I BQ 基本不变

u A

i U +o

U +

(b)

解：①可先用近似估算法求I BQ

100.7

0.0220510

CC BEQ

b V U mA A

R μ--=

=

≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1

静态工作点Q 点处，0.5,

U V I ≈≈Q 1

Q 2

Q 1

Q 2

因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k ?，R b ＝250Q 3

放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：

①画出直流负载线；

R b 2

11k ?

i U o

U (b)

P2-7

(b)

mA

的一条水平线， 2.6

7.2

点，且斜率为，其中1

L

R -

'R b 2

11k ?

i U o

U

C

图P2-6(b)

，输入电阻u A i

U o U +_(u R A β=-

(u R A β=-

人教部编语文四年级下册教材课后答案

部编语文四年级下册教材课后答案 第 1 课古诗词三首 2.读下面的诗句 , 说说你眼前浮现出了怎样的情景。 〔答案大家找〕“儿童急走追黄蝶 , 飞入菜花无处寻。”描绘了 儿童捕蝶的欢快场景。 “日长篱落无人过 , 惟有蜻蜓蛱蝶飞。”让我们看到农民早出晚 归的场景 , 蛱蝶飞又让我们感受到静中有动的情景。 “大儿锄豆溪东 , 中儿正织鸡笼。最喜小儿亡赖 , 溪头卧剥莲蓬。”大儿子在溪东豆地里锄草 , 二儿子在家里编织鸡笼 , 三儿子只知任意地调皮玩耍 , 躺卧在溪边剥莲蓬吃。 第 2课乡下人家 1.朗读课文 , 想象画面。如果给课文配画 , 你觉得可以画几幅 ?试 着给每幅画取个名字。 〔答案大家找〕 7 幅 , 屋前搭瓜架、门前种鲜花、屋后春笋冒、 院里鸡觅食、河中鸭嬉戏、门前吃晚饭、夜静催眠曲。 2.你对课文描写的哪一处景致最感兴趣 ?和同学交流。 〔答案大家找〕描写门前五颜六色的花和雨后春笋的景致我最 感兴趣 , 本来是朴素的乡下 , 可是门前这些五彩缤纷的花朵、雨后的春 笋又给本来朴素的乡下带来了勃勃生机, 读完以后让我也向往乡下这 样恬静安逸的生活。

3. 读句子 , 再从课文中找出像这样写得生动形象的句子, 抄写下来。 〔答案大家找〕他们的屋后倘若有一条小河 , 那么在石桥旁边 , 在绿树荫下 , 会见到一群鸭子游戏水中 , 不时地把头扎到水下去觅食。天边的红霞 , 向晚的微风 , 头上飞过的归巢的鸟儿 , 都是他们的好友 , 它们和乡下人家一起 , 绘成了一幅自然、和谐的田园风景画。秋天到 了, 纺织娘寄住在他们屋前的瓜架上。月明人静的夜里, 它们便唱起歌来: “织 , 织, 织, 织啊 ! 织, 织, 织, 织啊 ! ”那歌声真好听 , 赛过催眠曲 ,让那些辛苦一天的人们, 甜甜蜜蜜地进入梦乡。 选做 你眼里的乡村景致是怎样的?用一段话写下来。 〔答案大家找〕大树也绿 , 小草也茂盛 , 花朵也艳丽 , 田园的风光真是美。近处 , 一棵棵大杨树挺直身板, 抬起头 , 密密麻麻的绿叶里闪过一丝丝日影。远远地看去, 这些杨树就像一名名威武的保卫者。小 草又嫩又绿 , 茂密的草地就像一大块碧绿的地毯, 躺在软软的绿地上 ,比躺在沙发上还要舒服。那的野花不是一般的香, 在千里之外都可以闻到。每一朵花都神气十足地仰起头。每个人家的门前都有一块可爱的菜地 , 种有茄子、黄瓜、辣子、豇豆、草莓等蔬菜水果。从高处往 下看 , 那些蔬菜水果就像一个个精英士兵, 你就像那位大将军 , 准备率领十万精英去攻打敌人的城池。晚上 , 无数颗星星眨着眼睛 , 等我们睡着, 星星才肯离开

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

(教材)课后习题解答

第1.2章建筑的传热与传湿 （7）试求出用同一种材料构成的5层厚度为20mm封闭空气间层的热阻值与1层厚度为100mm的封闭空气间层的热阻值各为多少？

（15）已知20i t C =o ；50%i ?=。问：若采用如[例1.2-2]中图1.2-20所示墙体，在保证内表面不结露的 情况下，室外气温不得低于多少？若增加保温层使其传热系数不超过1.0W/（㎡·K ），此时的室外气温又不得低于多少？ 解：由20i t C =o ，50%i ?=，查表可得出室内露点温度9.d t C =o 5 要保证内表面不结露，内表面最低温度不得低于露点温度。 平壁的总传热阻： 01233 1 2 123 2()( )0.020.20.02 0.11( )0.040.81 1.740.93 0.312/i e i e i e R R R R R R R R R d d d R R m K W λλλ=++=++++=++++=++++=? 根据公式1.2-20，取1m =得到 10 ()i i i e d R t t t t R θ=- -≥ 这里，1θ表示维护结构内层表面的温度，i R 表示内表面换热阻，将数值代入得室外气温不超过： 00.312()=20(209.)9.790.11 e i i d i R t t t t C R ≥- ---=-o 5 若增加一保温层使其传热系数不超过1.0W/（㎡·K ），则增加保温层后的总热阻为 20 1()/R m K W '≥? 这时外界气温不得低于01()=20(209.)75.450.11 e i i d i R t t t t C R '≥----=-o 5

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页 共5页 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在 区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的 视为开路， 视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚断是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为 。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由 、 、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是 相输入端，否则该输入端是 相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的， 越大越好， 越小越好。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将 。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为 。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

模拟电子技术基础I考核作业标准答案

东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V)

五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小

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模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输 入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运 放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

模拟电子技术基础简明教程第三版_杨素行_课后答案

+℃℃1-1℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃1-2℃℃℃℃℃℃℃℃50℃℃℃℃℃℃℃℃10μA℃℃℃℃℃20℃℃80℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃10℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃20℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃3 210 1.25 A A μμ -?= ℃80℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃321080 A A μμ ?=

℃℃1-5℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃I Z℃℃℃℃℃r Z℃℃℃℃℃℃αU℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃℃℃r Z℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃I Z℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃ ℃℃℃℃αU℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 ℃℃℃℃℃

℃℃1-11℃℃℃℃℃℃20℃℃℃℃℃℃℃℃℃I CBO =1μA ℃β=30℃℃℃℃℃℃℃50℃℃I CBO ℃℃℃℃℃I CE O ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃10℃℃℃I CBO ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃1℃℃℃β℃℃℃℃1% ℃ ℃℃ 20℃℃℃()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃℃℃ 8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

linux课后习题答案教材课后习题参考答案

第 1 章Linux 概况 一、选择题 1、下列哪个选项不是Linux 支持的？ A. 多用户 B. 超进程 C. 可移植 D. 多进程 2、Linux 是所谓的“Free Software”，这个“Free”的含义是什么？ A. Linux 不需要付费 B. Linux 发行商不能向用户收费 C. Linux 可自由修改和发布 D.只有Linux 的作者才能向用户收费 3、以下关于Linux 内核版本的说法，错误的是？ A. 依次表示为主版本号.次版本号.修正次数的形式 B. 1.2.2 表示稳定的发行版 C. 2.2.6 表示对内核2.2 的第6 次修正 D. 1.3.2 表示稳定的发行版 4、以下哪个软件不是Linux 发行版本？ A. 红旗 Server 4 B. Solaris 10 C. RedHat 9 D. Fedora 8 5、与Windows 相比Linux 在哪个方面相对应用得较少？ A. 桌面 B. 嵌入式系统 C. 服务器 D. 集群 A6、Linux 系统各组成部分中哪一项是基础？ A．内核 B. X Window C. Shell D. Gnome B7、Linux 内核管理不包括的子系统是哪个？ A. 进程管理系统 B. 内存管理系统 C. 文件管理系统 D. 硬件管理系统 A8、下面关于Shell 的说法，不正确的是哪个？ A. 操作系统的外壳 B. 用户与Linux 内核之间的接口 C. 一种和C 类似的高级程序设计语言 D. 一个命令语言解释器 B9、以下哪种Shell 类型在Linux 环境下不能使用? A.B Shell B.K Shel C.R Shell D.Bash 10、在Linux 中把声卡当作何种设备？ A. 字符设备 B. 输出设备 C. 块设备 D. 网络设备 二、填空题 1、Linux 采用 LRU 算法（最近最少使用）算法，淘汰最近没有访问的

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

模拟电子技术基础第三版课后答案

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术基础简明教程[第三版]杨素行课后答案解析

+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25 A A μμ -?= 在80℃时的反向电流约为：321080 A A μμ ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础课后答案-沈任元

模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解：，，，，，。 2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD 1、VD 4 导通，VD 2 、VD 3 截止，

。 2-6 解： 2-8 解：1) ，，。2）， 。 2-11解：1） 2）；3）； 4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。 或，相当于半波整流滤波（无电容）。

2-12 解： 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。 4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。 10. __PNP___， ___锗___。 11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。 13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__，__小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态

教材课后习题参考答案新版_学生版(1-4)章_

《Visual Basic程序设计基础》教材 习题 第1章 Visual Basic 6.0程序设计概述 习题 一、判断题 参考答案： 1．√2．√3．√4．×5．√6．×7．√8．×9．√10．√11．×12．√13．×14．√15．√ 二、选择题 参考答案： 1. C 2. B 3．D 4．C 5．B 6．A 7．D 8．A 9．B 10．D 三、填空题 参考答案： 1．对象、事件2．属性、方法、事件3．控件、屏幕（Screen） 4．Left 5. Top 6．属性、<对象名>.<属性名>=<表达式> 7．网格8．F o rm1 9．Load或Initialize或Resize或Activate（自动执行的先后顺序也按此排列） 10．Activate、Deactivate 四、程序设计题 参考代码： 程序1．界面设计参看表1。 表1 各控件的主要属性设置

过程设计如下： Private Sub Command1_Click() Label2.Visible = False ‘使控件Label2看不见 Label1.Caption = Text1.Text + ": 欢迎使用" + Label1.Caption Text1.Visible = False ‘使控件Text1看不见Command1.Enabled = False ‘使控件Command1不能用Command2.Enabled = True ‘使控件Command2能用End Sub Private Sub Command2_Click() End ‘结束程序运行 End Sub 程序2．界面设计， 过程设计如下： Private Sub Command1_Click() '字体变大 Form1.FontSize = Form1.FontSize + 3 Form1.Cls: Print "欢迎使用VB" End Sub Private Sub Command2_Click() '字体变小 Form1.FontSize = Form1.FontSize - 3 Form1.Cls Print "欢迎使用VB" End Sub Private Sub Command3_Click() '字体加粗 Form1.FontBold = True

模拟电子技术基础试卷及答案(期末)

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100 V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1 A u 230d B ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能 量转换效率在理想情况下，可达到 % ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ， V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的 2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 i D /mA -4 u GS /V 5 V 2 V 1

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保 R大的特点。( √ ) 证其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k 时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =， /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 六、测得某放大电路中三个MOS 管的三个电极的电位如表Tl.6 所示，它们的开启电