电子技术基础习题答案

第1章检测题（共100分，120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共25分）

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的

扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）

1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）

2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）

3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错）

4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）

8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错）

9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）

10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）

三、选择题：（每小题2分，共20分）

1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；

B、双极型三极管；

C、场效应管；

D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A 、三价；

B 、四价；

C 、五价；

D 、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。

A 、导通状态；

B 、截止状态；

C 、反向击穿状态；

D 、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。 A 、已经击穿； B 、完好状态； C 、内部老化不通； D 、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。

A 、多子扩散；

B 、少子扩散；

C 、少子漂移；

D 、多子漂移。

6、测得NPN 型三极管上各电极对地电位分别为V E ＝2.1V ，V B ＝2.8V ，V C ＝4.4V ，说明此三极管处在（ A ）。

A 、放大区；

B 、饱和区；

C 、截止区；

D 、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。

A 、较大；

B 、较小；

C 、为零；

D 、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。

A 、矩形方波；

B 、等腰三角波；

C 、正弦半波；

D 、仍为正弦波。 9

、

三

极

管

超

过

（

C ）所示极限参数时，必定被损坏。

A 、集电极最大允许电流I CM ；

B 、集—射极间反向击穿电压U （BR ）CEO ；

C 、集电极最大允许耗散功率P CM ；

D 、管子的电流放大倍数β。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）

A 、发射结正偏、集电结正偏；

B 、发射结反偏、集电结反偏；

C 、发射结正偏、集电结反偏；

D 、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分）

1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？

答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V 、管脚②3V 、管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

答：管脚③和管脚②电压相差0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。

3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。

答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i

极管截止时，u 0=E 。所以u 0的波形图如下图所示：

图1-29

4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。

5、图1-34所示电路中，硅稳压管D Z1的稳定电压为8V ，D Z2的稳定电压为6V ，正向压降均为0.7V ，求各电路的输出电压U 0。

答：（a ）图：两稳压管串联，总稳压值为14V ，所以U 0=14V ； （b ）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U 0=6V ； （c ）图：两稳压管反向串联，U 0=8.7V ；

（d ）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U 0=0.7V 。

6、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？

答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。

7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？

答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。

五、计算分析题：（共17分）

1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分）

（1）U CE =3V ，I B =60μA ，I C =？ （2）I C =4mA ，U CE =4V ，I CB =？ （3）U CE =3V ，I B 由40~60μA 时，β=？

图1-30

解：A 区是饱和区，B 区是放大区，C 区是截止区。

（1）观察图6-25，对应I B =60μA 、U CE =3V 处，集电极电流I C 约为3.5mA ； （2）观察图6-25，对应I C =4mA 、U CE =4V 处，I B 约小于80μA 和大于70μA ； （3）对应ΔI B =20μA 、U CE =3V 处，ΔI C ≈1mA ，所以β≈1000/20≈50。 2、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示，当 （1）U BE =0.7V ，U CE =6V ，I C =？ （2）I B =50μA ，U CE =5V ，I C =？

（3）U CE =6V ，U BE 从0.7V 变到0.75V 时，求I B 和I C 的变化量，此时的？=β（9分） 解：（1）由（a ）曲线查得U BE =0.7V 时，对应I B =30μA ，由(b)曲线查得I C ≈3.6mA ；

（2）由（b ）曲线可查得此时I C ≈5mA ；

（3）由输入特性曲线可知，U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中，ΔI B ≈30μA ，由输出特性曲线可知，ΔI C ≈2.4mA ，所以β≈2400/30≈80。

第2章 检测题 （共100分，120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共21分）

1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。

2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。

3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍

图1-32

I C (m A) U CE (V)

（b ）输出特性曲线

（a ）输入特性曲线

I B BE (V)

I C (m A) U CE (V)

图1-31

数也增加的反馈，称为正反馈。放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。

4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。

5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上削顶。若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形的目的。

6、对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

7、反馈电阻R E的数值通常为几十至几千欧，它不但能够对直流信号产生负反馈作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱，一般在R E的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E。

8、放大电路有两种工作状态，当u i＝0时电路的状态称为静态，有交流信号u i输入时，放大电路的工作状态称为动态。在动态情况下，晶体管各极电压、电流均包含直流分量和交流分量。放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。

9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常工作在极限参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。

10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。克服零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。

二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分）

1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（错）

2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（对）

3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（错）

4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（对）

5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（对）

6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（错）

7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。（对）

8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（错）

9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（错）

10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（对）

11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。（错）

12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（对）

13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。（对）

14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（对）

15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（错）

16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。（错）

17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（错）

18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。（对）

19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（对）

三、选择题：（每小题2分，共20分）

1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。

A、直流成分；

B、交流成分；

C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。

A、直流信号；

B、交流信号；

C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。

A、截止失真；

B、饱和失真；

C、晶体管被烧损。

4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。

A、电阻R B；

B、电阻R E；

C、电阻R C。

5、功放首先考虑的问题是（A）。

A、管子的工作效率；

B、不失真问题；

C、管子的极限参数。

6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。

A、放大电路的电压增益；

B、不失真问题；

C、管子的工作效率。

7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）

A、带负载能力强；

B、带负载能力差；

C、减轻前级或信号源负荷。

8、功放电路易出现的失真现象是（C）。

A、饱和失真；

B、截止失真；

C、交越失真。

9、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。

A、截止区；

B、饱和区；

C、死区。

10、射极输出器是典型的（C）。

A、电流串联负反馈；

B、电压并联负反馈；

C、电压串联负反馈。

四、简答题：（共23分）

1、共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么？（3分）

答：R C起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。

2、放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？（4分）

答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。

3、指出图2-22所示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。（8分）

答：（a ）图缺少基极分压电阻R B1，造成V B =U CC 太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少R E 、C E 负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；

（b ）图缺少集电极电阻R C ，无法起电压放大作用，同时少R E 、C E 负反馈环节； （c ）图中C 1、C 2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少R E 、C E 负反馈环节；

（d ）图的管子是PNP 型，而电路则是按NPN 型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN 型管子即可。

4、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4分）

答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。

5、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微小的正向偏流，让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。那么，这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？（4分）

答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。

五、计算题：（共17分）

1、如图2-23所示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3.3KΩ，R B1＝40KΩ，R B2＝10KΩ，R E ＝1.5KΩ，β=70。求静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ 。（8分，图中晶体管为硅管）

V CC

（a ）

V CC

（b ）

图2-22 检测题2-4-3电路图

V CC

（c ）

V CC

（d ）

E

2、画出图2-23所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。要求解出电路的电压放大倍数A u ，电路的输入电阻r i 及输出电阻r 0。（9分）

解：图2-23的微变等效电路如下图所示。

r i =R B1// R B2// r be =40000//10000//943≈843Ω r 0=R C =3.3K Ω

第3章 检测题 （共100分，120分钟）

一、填空题（每空0.5分，共20分）

1、若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入 深度负 反馈；若要集成运放工作在非线性区，则必须在电路中引入 正 反馈或者在 开环工作 状态下。集成运放工作在线性区的特点是输入电流 等于零和 输出电阻 等于零；工作在非线性区的特点：一是输出电压只具有 两种 状态和净输入电流等于 零 ；在运算放大器电路中，集成运放工作在 线性 区，电压比较器工作在 非线性 区。

2、集成运算放大器具有 同相 和 反相 两个输入端，相应的输入方式有 同相 输入、 反相 输入和 双端 输入三种。

3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压 相等 ，称为 虚短 ；二是输入电流 等于零 ，称为 虚断 。

4、理想集成运放的A u0＝ ∞ ，r i ＝ ∞ ，r o ＝ 0 ，K CMR ＝ ∞ 。

5、 反相 比例运算电路中反相输入端为虚地， 同相 比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。 同相 比例运算电路的输入电阻大， 反相 比例运算电路的输入电阻小。

6、 同相 比例运算电路的输入电流等于零， 反相 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 同相 比例运算电路的比例系数大于1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于零。

7、 同相输入 运算电路可实现A u ＞1的放大器， 反相输入 运算电路可实现A u ＜0的放大器， 微分 运算电路可将三角波电压转换成方波电压。

8、 滞回 电压比较器的基准电压U R ＝0时，输入电压每经过一次零值，输出电压就要产生一次 跃变 ，这时的比较器称为 过零 比较器。

9、集成运放的非线性应用常见的有 单门限比较器 、 滞回比较器 和 方波 发生器。 10、 滞回 比较器的电压传输过程中具有回差特性。

u

u 0

二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共10分）

1、电压比较器的输出电压只有两种数值。（对）

2、集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（错）

3、“虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（对）

4、“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。（错）

5、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（对）

6、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（错）

7、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。（错）

8、理想运放构成的线性应用电路，电压增益与运放本身的参数无关。（错）

9、各种比较器的输出只有两种状态。（对）

10、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（对）

三、选择题：（每小题2分，共20分）

1、理想运放的开环放大倍数A u0为（A），输入电阻为（A），输出电阻为（B）。

A、∞；

B、0；

C、不定。

2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C）。

A、扁平式；

B、圆壳式；

C、双列直插式。

3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C）。

A、反相放大器；

B、差分放大器；

C、电压比较器。

4、理想运放的两个重要结论是（B）。

A、虚短与虚地；

B、虚断与虚短；

C、断路与短路。

5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。

A、正反馈与负反馈；

B、线性与非线性；

C、虚断和虚短。

6、（B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

A、同相；

B、反相；

C、双端。

7、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。

A、虚地；

B、虚断；

C、虚断和虚短。

8、各种电压比较器的输出状态只有（B）。

A、一种；

B、两种；

C、三种。

9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C）。

A、反相输入端；

B、同相输入端；

C、反相端与输出端之间。

10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B）。

A、虚地；

B、虚短；

C、虚断。

四、问题：（共20分）

1、集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？（4分）

答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数（103～107），一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。

2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？（4分）

答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有i i =i f 成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。

3、集成运放的理想化条件主要有哪些？（3分）

答：集成运放的理想化条件有四条：①开环差模电压放大倍数A U0=∞；②差模输入电阻r id =∞；③开环输出电阻r 0=0；④共模抑制比K CMR =∞。

4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次？（3分）

答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。

5、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？（3分） 答：同相端所接电阻起平衡作用。

6、应用集成运放芯片连成各种运算电路时，为什么首先要

对电路进行调零？（3分）

答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。 五、计算题：（共30分）

1、图3-17所示电路为应用集成运放组成的测量电阻的原理电路，试写出被测电阻R x 与电压表电压U 0的

关系。（10分） 解：从电路图来看，此电路为一反相比例运

算电路，因此：

2、图3-18所示电路中，已知R 1＝2K Ω，R f ＝5K Ω，R 2＝2K Ω，R 3＝18K Ω，U i ＝1V ，求输出电压U o 。（10

分）

解：此电路为同相输入电路。

3、图3-19所示电路中，已知电阻R f ＝5R 1，输入电压U i

＝5mV ，求输出电压U 0。（10分）

解：U 01=U i =5mV= U i2，第二级运放是反向比例运算电路，所以：

图3-17 检测题5.2电路图

图3-18

图3-19

第4章 检测题 （共80分，100分钟）

一、填空题（每空0.5分，共25分）

1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为 模拟 信号；在时间上和数值上离散的信号叫做 数字 信号。

2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。

3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。

4、用来表示各种计数制数码个数的数称为 基数 ，同一数码在不同数位所代表的 位权 不同。十进制计数各位的 基 是10， 位权 是10的幂。

5、 8421 BCD 码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。

6、 进位制 是表示数值大小的各种方法的统称。一般都是按照进位方式来实现计数的，简称为 数 制。任意进制数转换为十进制数时，均采用 按位权展开求和 的方法。

7、十进制整数转换成二进制时采用 除2取余 法；十进制小数转换成二进制时采用 乘2取整 法。 8、十进制数转换为八进制和十六进制时，应先转换成 二进 制，然后再根据转换的 二进制 数，按照 三位 一组转换成八进制；按 四位 一组转换成十六进制。

9、8421BCD 码是最常用也是最简单的一种BCD 代码，各位的权依次为 8 、 4 、 2 、 1 。8421BCD 码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。

10、 原码 、 反码 和 补码 是把符号位和数值位一起编码的表示方法，是计算机中数的表示方法。在计算机中，数据常以 补码 的形式进行存储。

11、逻辑代数的基本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律和 非非 律。 12、最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。

13、卡诺图是将代表 最小项 的小方格按 相邻 原则排列而构成的方块图。卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的 最小项 之间，只允许 一位变量 的取值不同。

14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。 二、判断正误题（每小题1分，共8分）

1、输入全为低电平“0”，输出也为“0”时，必为“与”逻辑关系。 （错）

2、或逻辑关系是“有0出0，见1出1”。 （错）

3、8421BCD 码、2421BCD 码和余3码都属于有权码。 （错）

4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。 （对）

5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位不同。 （错）

6、B A B A ?=+是逻辑代数的非非定律。 （错）

7、卡诺图中为1的方格均表示一个逻辑函数的最小项。 （对）

8、原码转换成补码的规则就是各位取反、末位再加1。 （对） 三、选择题（每小题2分，共12分）

1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（ B ）。

A 、逻辑加

B 、逻辑乘

C 、逻辑非 2．、十进制数100对应的二进制数为（ C ）。

A 、1011110

B 、1100010

C 、1100100

D 、11000100 3、和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（ B ）。

A 、

B A + B 、B A ?

C 、B B A +?

D 、A B A + 4、数字电路中机器识别和常用的数制是（ A ）。

A 、二进制

B 、八进制

C 、十进制

D 、十六进制 5、[＋56]的补码是（ D ）。

A 、00111000

B B 、11000111B

C 、01000111B

D 、01001000B 6、所谓机器码是指（ B ）。

A 、计算机内采用的十六进制码

B 、符号位数码化了的二进制数码

C 、带有正负号的二进制数码

D 、八进制数 四、简述题（每小题3分，共12分）

1、数字信号和模拟信号的最大区别是什么？数字电路和模拟电路中，哪一种抗干扰能力较强？ 答：数字信号是离散的，模拟信号是连续的，这是它们的最大区别。它们之中，数字电路的抗干扰能力较强。

2、何谓数制？何谓码制？在我们所介绍范围内，哪些属于有权码？哪些属于无权码？

答：数制是指计数的进制，如二进制码、十进制码和十六进制码等等；码制是指不同的编码方式，如各种

BCD 码、循环码等。在本书介绍的范围内，8421BCD 码和2421BCD 码属于有权码；余3码和格雷码属于无权码。

3、试述补码转换为原码应遵循的原则及转换步骤。

答：一般按照求负数补码的逆过程，数值部分应是最低位减1，然后取反。但是对二进制数来说，先减1后取反和先取反后加1得到的结果是一样的，因此也可以采用取反加1 的方法求其补码的原码。

4、试述卡诺图化简逻辑函数的原则和步骤。

答：用卡诺图化简时，合并的小方格应组成正方形或长方形，同时满足相邻原则。利用卡诺图化简逻辑函数式的步骤如下：

①根据变量的数目，画出相应方格数的卡诺图； ②根据逻辑函数式，把所有为“1”的项画入卡诺图中；

③用卡诺圈把相邻最小项进行合并，合并时就遵照卡诺圈最大化原则；

④根据所圈的卡诺圈，消除圈内全部互非的变量，每一个圈作为一个“与”项，将各“与”项相或，即为化简后的最简与或表达式。

五、计算题（共43分）

1、用代数法化简下列逻辑函数（12分）

①B A C B A F ++=)(②BC B A C A F ++=

③ABC C B A C AB BC A C B A F ++++=④D C A C AB D C D C B B A F ++++=2

②)13,12,9,8,7,6,5,3,2,1()(m ABCD F ∑=

③∑=

=），

、、、15 14, 12, 8, 7, 6, 1, 0() (m D C B A F

④∑∑+=

=）），

、、、12 9, ,3(15 14, 8, 7, 5, 1, 0() (d m D C B A F 3、完成下列数制之间的转换（8分）

①（365）10＝（101101101）2＝（555）8＝（16D ）16 ②（11101.1）2＝（29.5）10＝（35.4）8＝（1D.8）16 ③（57.625）10＝（71.5）8＝（39.A ）16 4、完成下列数制与码制之间的转换（5分）

①（47）10＝（01111010）余3码＝（01000111）8421码 ②（3D ）16＝（00101101）格雷码

5、写出下列真值的原码、反码和补码（6分）

①[＋36]＝[0 0100100B ]原＝[0 1011011B ]反＝[0 1011100B ]补 ②[－49]＝[1 0110001B ]原＝[1 1001110B ]反＝[1 1001111B ]补

第5章 检测题（共100分，120分钟）

一、填空题（每空0.5分，共25分）

1、具有基本逻辑关系的电路称为 门电路 ，其中最基本的有 与门 、 或门 和非门。

2、具有“相异出1，相同出0”功能的逻辑门是 异或 门，它的反是 同或 门。

3、数字集成门电路按 开关 元件的不同可分为TTL 和CMOS 两大类。其中TTL 集成电路是 双极 型，CMOS 集成电路是 单极 型。集成电路芯片中74LS 系列芯片属于 双极 型集成电路，CC40系列芯片属于 单极 型集成电路。

4、功能为“有0出1、全1出0”的门电路是 或非 门；具有“ 有1出1，全0出0 ”功能的门电路是或门；实际中集成的 与非 门应用的最为普遍。

5、普通的TTL 与非门具有 图腾 结构，输出只有 高电平“1” 和 低电平“0” 两种状态；经过改造后的三态门除了具有 “1” 态和 “0” 态，还有第三种状态 高阻 态。

6、使用三态门可以实现总线结构；使用 OC 门可实现“线与”逻辑。

7、一般TTL 集成电路和CMOS 集成电路相比， TTL 集成门的带负载能力强， CMOS 集成门的抗干扰能力强； CMOS 集成门电路的输入端通常不可以悬空。

8、一个 PMOS 管和一个 NMOS 管并联时可构成一个传输门，其中两管源极相接作为 输入 端，两管漏极相连作为 输出 端，两管的栅极作为 控制 端。

9、具有图腾结构的TTL 集成电路，同一芯片上的输出端，不允许 并 联使用；同一芯片上的CMOS 集成电路，输出端可以 并 联使用，但不同芯片上的CMOS 集成电路上的输出端是不允许 并 联使用的。

10、TTL 门输入端口为 “与” 逻辑关系时，多余的输入端可 悬空 处理；TTL 门输入端口为 “或” 逻辑关系时，多余的输入端应接 低 电平；CMOS 门输入端口为“与”逻辑关系时，多余的输入端应接 高 电平，具有“或”逻辑端口的CMOS 门多余的输入端应接 低 电平；即CMOS 门的输入端不允许 悬空 。

11、能将某种特定信息转换成机器识别的 二进 制数码的 组合 逻辑电路，称之为 编码 器；能将机器识别的 二进 制数码转换成人们熟悉的十进 制或某种特定信息的 逻辑电路，称为 译码 器；74LS85是常用的 集成 逻辑电路 数值比较 器。

12、在多路数据选送过程中，能够根据需要将其中任意一路挑选出来的电路，称之为 数据选择 器，也叫做 多路 开关。

二、判断正误题（每小题1分，共10分）

1、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （对）

2、3线—8线译码器电路是三—八进制译码器。 （错）

3、已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。 （错）

4、编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数。 （错）

5、74LS138集成芯片可以实现任意变量的逻辑函数。 （错）

6、组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元。 （错）

7、74系列集成芯片是双极型的，CC40系列集成芯片是单极型的。 （对）

8、无关最小项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。 （对）

9、三态门可以实现“线与”功能。 （错） 10、共阴极结构的显示器需要低电平驱动才能显示。 （错） 三、选择题（每小题2分，共20分）

1、具有“有1出0、全0出1”功能的逻辑门是（ B ）。

A 、与非门

B 、或非门

C 、异或门

D 、同或门 2、下列各型号中属于优先编译码器是（ C ）。

A 、74LS85

B 、74LS138

C 、74LS148

D 、74LS48 3、七段数码显示管TS547是（ B ）。

A 、共阳极LED 管

B 、共阴极LED 管

C 、极阳极LC

D 管 D 、共阴极LCD 管 4、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（ B ）。

A 、2个

B 、3个

C 、4个

D 、8个 5、四输入的译码器，其输出端最多为（ D ）。

A 、4个

B 、8个

C 、10个

D 、16个

6、当74LS148的输入端70~I I 按顺序输入11011101时，输出02~Y Y 为（ B ）。

A 、101

B 、010

C 、001

D 、110

7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ D ）。

A 、与非门

B 、或门

C 、或非门

D 、异或门 8、多余输入端可以悬空使用的门是（ B ）。

A 、与门

B 、TTL 与非门

C 、CMOS 与非门

D 、或非门 9、译码器的输出量是（ A ）。

A 、二进制

B 、八进制

C 、十进制

D 、十六进制 10、编码器的输入量是（ C ）。

A 、二进制

B 、八进制

C 、十进制

D 、十六进制 四、简述题（每小题3分，共15分）

1、何谓逻辑门？何谓组合逻辑电路？组合逻辑电路的特点？

答：数字电路中的门电路，其输入和输出之间的关系属于逻辑关系，因此常称为逻辑门。若逻辑电路的输出仅取决于输入的现态，则称为组合逻辑电路，其中输出仅取决于输入的现态就是组合逻辑电路的显著特点。

2、分析组合逻辑电路的目的是什么？简述分析步骤。

答：分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能，分析的步骤为四步：①根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式；②用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化

简，得到最简逻辑表达式；③根据最简逻辑表达式，列出相应的逻辑电路真值表；④根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明，以理解电路的作用。

3、何谓编码？二进制编码和二—十进制编码有何不同？

答：编码就是把人们熟悉的特定信息编成机器识别的二进制代码的过程。二—十进制编码是每四位二进制数对应一个十进制数，其中具有无效码；而二进制编码中不存在无效码。

4、何谓译码？译码器的输入量和输出量在进制上有何不同？

答：译码是编码的逆过程，就是把机器识别的二进制代码还原成人们识别的特定信息或十进制。译码器的输入量是二进制代码；输出量则为十进制。

5、TTL门电路中，哪个有效地解决了“线与”问题？哪个可以实现“总线”结构？

答：TTL门电路中，OC门有效地解决了“线与”问题，三态门可以实现“总线”结构。

五、分析题（共20分）

1、根据表5-11所示内容，分析其功能，并画出其最简逻辑电路图。（8分）

解：

2、图5-33所示是u A、u B两输入端门的输入波形，试画出对应下列门的输出波形。（4分）

①与门

②与非门

③或非门

④异或门

解：对应输入波形，可画出各门的输出

波形如右图红笔所示。

2、写出图5-34所示逻辑电路的逻辑函数表达式。（8分）

t

t

F

B

F

异或门

解：（a

（b

六、设计题（共10分）

1、画出实现逻辑函数C A C B A AB F ++=的逻辑电路。（5分） 设计：本题逻辑函数式可化为最简式为C AB F +=，逻辑电路为：

2、设计一个三变量的判偶逻辑电路。（5分）

*应用能力训练附加题：用与非门设计一个组合逻辑电路，完成如下功能：只有当三个裁判（包括裁判长）或裁判长和一个裁判认为杠铃已举起并符合标准时，按下按键，使灯亮（或铃响），表示此次举重成功，否则，表示举重失败。

解：附加题显然是一个三变量的多数表决电路。其中三个裁判为输入变量，按键为输出变量。普通裁判同意为1分，裁判长A 同意为2分，满3分时F 为1，同意举重成功；不足3分F 为0，表示举重失败。

F

B C (a )

F

C

(b)

图9-43 9.5.2逻辑电路图

第6章 检测题 （共100分，120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共20分）

1、两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有 清零 、 置1 和 保持 。电路中不允许两个输入端同时为 为低电平 ，否则将出现逻辑混乱。

2、通常把一个CP 脉冲引起触发器多次翻转的现象称为 空翻 ，有这种现象的触发器是 钟控RS 触发器，此类触发器的工作属于 电平 触发方式。

3、为有效地抑制“空翻”，人们研制出了 边沿 触发方式的 主从型JK 触发器和 维持阻塞D 触发器。

4、JK 触发器具有 置0 、 置1 、 保持 和 翻转 四种功能。欲使JK 触发器实现n n Q Q =+1的功能，则输入端J 应接 1 ，K 应接 1 。

5、D 触发器的输入端子有 1 个，具有 置0 和 置1 的功能。

6、触发器的逻辑功能通常可用 功能真值表 、 逻辑函数式 、 状态转换图 和 时序波形图 等多种方法进行描述。

7

，时序逻辑电路的基本单元是 触发器 。 8、JK D

9、Q =1

，Q =0时为触发器的 “1” 状态；Q

=0，Q =1时为触发器的 “0” 状态。

==S R 0 ，其特征方程为

触发器，在正常工作时，不允许输入端R=S= 1 ，其特征方程为 ，约束条件为 SR =0 。 触发器 的两个输入端连在一起 就构成了T 触发器，T 触发器具有的逻辑功能是 保持 和 翻转 。

13、让 T 触发器恒输入“1”就构成了T'触发器，这种触发器仅具有 翻转 功能。 二、正误识别题（每小题1分，共10分）

1、仅具有保持和翻转功能的触发器是RS 触发器。 （错）

2、基本的RS 触发器具有“空翻”现象。 （错）

3、钟控的RS 触发器的约束条件是：R ＋S=0。 （错）

4、JK 触发器的特征方程是：n n

1n KQ Q J Q +=+。 （错） 5、D 触发器的输出总是跟随其输入的变化而变化。 （对） 6、CP=0时，由于JK 触发器的导引门被封锁而触发器状态不变。 （错） 7、主从型JK 触发器的从触发器开启时刻在CP 下降沿到来时。 （对） 8、触发器和逻辑门一样，输出取决于输入现态。

（错） 9、维持阻塞D 触发器状态变化在CP 下降沿到来时。 （错）

10、凡采用电位触发方式的触发器，都存在“空翻”现象。 （错） 三、选择题（每小题2分，共20分）

1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是（ C ）。

A 、基本RS 触发器

B 、钟控RS 触发器

C 、

D 触发器 D 、JK 触发器

2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S ?为（ A ）。

A 、00

B 、01

C 、10

D 、11 3、钟控RS 触发器的特征方程是（ D ）。 A 、n 1n Q R Q +=+ B 、n 1n Q S Q +=+ C 、n 1n Q S R Q +=+ D 、n n Q R S Q +=+1 4、仅具有保持和翻转功能的触发器是（ B ）。

A 、JK 触发器

B 、T 触发器

C 、

D 触发器 D 、T ˊ触发器 5、触发器由门电路构成，但它不同门电路功能，主要特点是（ C ）

A 、具有翻转功能

B 、具有保持功能

C 、具有记忆功能 6、TTL 集成触发器直接置0端

D R 和直接置1端D S 在触发器正常工作时应（ C ）

A 、D R =1，D S =0

B 、D R =0，D S =1

C 、保持高电平“1”

D 、保持低电平“0” 7、按触发器触发方式的不同，双稳态触发器可分为（ C ）

A 、高电平触发和低电平触发

B 、上升沿触发和下降沿触发

C 、电平触发或边沿触发

D 、输入触发或时钟触发 8、按逻辑功能的不同，双稳态触发器可分为（ A ）。

A 、RS 、JK 、D 、T 等

B 、主从型和维持阻塞型

C 、TTL 型和MOS 型

D 、上述均包括 9、为避免“空翻”现象，应采用（ B ）方式的触发器。

A 、主从触发

B 、边沿触发

C 、电平触发 10、为防止“空翻”，应采用（ C ）结构的触发器。

A 、TTL

B 、MOS

C 、主从或维持阻塞 四、简述题（每小题3分，共15分）

1、时序逻辑电路的基本单元是什么？组合逻辑电路的基本单元又是什么？ 答：时序逻辑电路的基本单元是触发器，组合逻辑电路的基本单元是门电路。

2、何谓“空翻”现象？抑制“空翻”可采取什么措施？

答：所谓“空翻”，是指触发器在一个CP 脉冲为1期间输出状态发生多次变化的现象。抑制“空翻”的最有效方法就是选用边沿触发方式的触发器。

3、触发器有哪几种常见的电路结构形式？它们各有什么样的动作特点？

答：触发器常见的电路结构形式有两个与非门或两个或非门构成的基本RS 触发器、由基本RS 触发器和导引门构成的钟控RS 触发器、主从型JK 触发器以及维护阻塞D 触发器等。基本RS 触发器的输出随着输入的变化而变化，电平触发；钟控RS 触发器是在CP=1期间输出随输入的变化而变化；主从型JK 触发器在时钟脉冲下降沿到来时触发；维持阻塞D 触发器是在时钟脉冲上升沿到来时刻触发。

4、试分别写出钟控RS 触发器、JK 触发器和D 触发器的特征方程。

答：钟控RS SR=0（约束条件）；

JK

D 触发器的特征方程：Q n +1= D n 。 5、你能否推出由两个或非门组成的基本RS 触发器的功能？写出其真值表。 答：由两个或非门组成的基本RS 触发器如图所示，其功能与钟控RS 触发器相同，所不同点是或非门构成的基本RS 触发

器是电平触发方式，没有时钟脉冲控制。

功能真值表也与钟控RS 触发器完全相同。

五、分析题（共35分）

1、已知TTL 主从型JK 触发器的输入控制端J 和K 及CP 脉

冲波形如图6-18所示，试根据它们的波形画出相应输出端Q 的波形。（8分）

Q

2、写出图6-19所示各逻辑电路的次态方程。（每图3分，共18分）

解：（a （b （c （d （e （f 3、图6-20D 0和Q 1的波形。（9分）

解：Q 0n+1Q 1n+1设触发器初态为00，各位触发器在CP 上升沿触

发。

显然在每一个CP 脉冲上升沿到来时，触发器Q 0状态就翻转一次，而触发

器Q 1的状态翻转发生在Q 0由0到1时

Q

A （a ）

Q

（b ） Q

（c ） Q

1 （d ）

图6-19检测题6.5.2逻辑图

Q

（e ）

Q （f ）

图6-20 检测题6.5.3逻辑图

或非门构成的基本RS 触发器

刻。图略。

第7章检测题（共100分，120分钟）

一、填空题：（每空0.5分，共33分）

1、时序逻辑电路按各位触发器接受时钟脉冲控制信号的不同，可分为同步时序逻辑电路和异步时序逻辑电路两大类。在异步时序逻辑电路中，各位触发器无统一的时钟脉冲控制信号，输出状态的变化通常不是同一时刻发生的。

2、根据已知的逻辑电路，找出电路的输入和其现态及输出之间的关系，最后总结出电路逻辑功能的一系列步骤，称为时序逻辑电路的分析。

3、当时序逻辑电路的触发器位数为n，电路状态按二进制数的自然态序循环，经历的独立状态为2n个，这时，我们称此类电路为二进制计数器。二进制计数器除了按同步、异步分类外，按计数的加减规律还可分为加计数器、减计数器和可逆计数器。

4、在十进制计数器中，要表示一位十进制数时，至少要用四位触发器才能实现。十进制计数电路中最常采用的是8421 BCD代码来表示一位十进制数。

5、时序逻辑电路中仅有存储记忆电路而没有逻辑门电路时，构成的电路类型通常称为莫尔型时序逻辑电路；如果电路中不但除了有存储记忆电路的输入端子，还有逻辑门电路的输入时，构成的电路类型称为米莱型时序逻辑电路。

6、分析时序逻辑电路时，首先要根据已知逻辑的电路图分别写出相应的驱动方程、输出方程和次态方程，若所分析电路属于异步时序逻辑电路，则还要写出各位触发器的时钟脉冲方程。

7、时序逻辑电路中某计数器中的无效码，若在开机时出现，不用人工或其它设备的干预，计数器能够很快自行进入有效循环体，使无效码不再出现的能力称为自启动能力。

8、在分频、控制、测量等电路中，计数器应用得非常广泛。构成一个六进制计数器最少要采用三位触发器，这时构成的电路有6个有效状态，2个无效状态。

9、寄存器可分为数码寄存器和移位寄存器，集成74LS194属于双向移位寄存器。用四位移位寄存器构成环行计数器时，有效状态共有4个；若构成扭环计数器时，其有效状态是8个。

10、寄存器是可用来存放数码、运算结果或指令的电路，通常由具有存储功能的多位触发器组合起来构成。一位触发器可以存储1个二进制代码，存放n个二进制代码的寄存器，需用n位触发器来构成。

11、74LS194是典型的四位TTL型集成双向移位寄存器芯片，具有左移和右移、并行输入、保持数据和清除数据等功能。

12、555定时器可以构成施密特触发器，施密特触发器具有回差特性，主要用于脉冲波形的整形和变换；555定时器还可以用作多谐振荡器和单稳态触发器。单稳态触发器只有一个暂稳态、一个稳态，当外加触发信号作用时，单稳态触发器能够从稳态翻转到暂稳态，经过一段时间又能自动返回到稳态，

13、用集成计数器CC40192构成任意进制的计数器时，通常可采用反馈预置法和反馈清零法。

二、判断题（每小题1分，共10分）

1、集成计数器通常都具有自启动能力。（对）

2、使用3个触发器构成的计数器最多有8个有效状态。（对）

3、同步时序逻辑电路中各触发器的时钟脉冲CP不一定相同。（错）

4、利用一个74LS90可以构成一个十二进制的计数器。（错）

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）

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第一章：直流稳压电路 第一节：整流滤波电路 一、填空题 1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。 2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。 3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。 4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。 5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。 6、二极管最主要的特性是___________ 二、判断题 1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 2、二极管两端加上正向电压就能导通。（） 3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（） 4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（） 5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。 （） 6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（） 7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（） 8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（） 9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（） 10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（） 11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（） 12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（） 13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。 （） 三、选择题 1、二极管具有（ ) A、信号放大作用 B、单向导电性 C、双向导电性 2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（） A、特性良好 B、已被击穿 C、内部开路 3、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的档位，其内阻不同 B、二极管有非线性的伏安特性 C、被测二极管质量差 4、关于电容滤波，下列说法错误的是（）

电子技术基础习题答案(优.选)

第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题：（每小题4分，共28分） 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③ 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。

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电子技术基础(模拟篇) 第一章 半导体二极管 一、单选题 1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ） A. U I e S B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I 4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z 且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不 同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 12. 在25oC 时，某二极管的死区电压U th ≈0.5V ，反向饱和电流I S ≈0.1pA ，则在35oC 时，下列哪组 数据可能正确：（ ）。

电子技术基础期末考试考试题及答案

电子技术基础期末考试考试题及答 案 部门： xxx 时间： xxx 整理范文，仅供参考，可下载自行编辑

触发器，输入信号=0,A.Q=0 B.Q=0C.=0 D.=1脉冲作用下， A.1 B.D C.0 D. 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是<） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则的是<） 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是<） A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器<） A.n B.2n C.n2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010，当最低位接收到10个脉冲时，触发器状态为<） A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中，正确的并联型稳压电路为<） 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中，若要使输出电压为60V ，则变压器的次级电压应为<） A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分）<对打√，错打×） 16.P 型半导体中，多数载流子是空穴< ） 17.环境温度升高时，半导体的导电能力将显著下降< ） 18.二极管正偏时，电阻较小，可等效开关断开<） 19.稳压二极管工作在反向击穿区域<） 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件<）

注：将 选择题 和判断 题答案 填写在 上面 的表 格 里， 否则 该题不得分 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则 V0=。 四、应用题<本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.<10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q 和的波形。RTCrpUDGiT 27.<9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： <1）R开路；<2）RL开路；<3）稳压二极管V接反； <4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.<16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： <1）列出状态表，状态转换图； <2）说明计数器类型。 参考答案及评分标准 一、单项选择题<本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题<本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题<本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转22.并行和串行 23.VD-ID24.电容、电感、复式25.5.3V 四、应用题<本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q2Q1Q0=000

《电子技术基础》练习题库

《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性.

(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

(完整版)《电工电子技术基础》试题库(附有答案)

一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。

12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。

电子技术基础复习题与答案

中南大学网络教育课程考试（专科）复习题及参考答案 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( )

电子技术基础习题答案

第1 章检测题（共100 分，120 分钟） 一、填空题：（每空分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为—自由电子_,少数载流子为—空穴_,不能移动的杂质离子带—正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内 的多数载流子为—空穴_,少数载流子为—自由电子_,不能移动的杂质离子带_负_电。 2、三极管的内部结构是由—发射—区、_基_区、—集电区—区及—发射—结和—集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 _相反—，有利于—多数载流子—的 _扩散—运动而不利于—少数载流子_的_漂移_; PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—一致_，有利于_少子—的_漂移_运动而不利于_多子_的_扩散_，这种情况下的电流称为_反向饱和_电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_巳向_N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由__^_向—P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_,其方向由_N区指向_P_区。—空间电荷区—的建立，对多数载流子的—扩散—起削弱作用，对少子的—漂移—起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN结—形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K档位，当检测时表针偏转 度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的_阴_极；与黑表棒相接触的电极是二 极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被—击穿_;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MO$管。其导电沟道分有N沟道和―巳沟

《电工电子技术基础》试题库(附有答案)70067

、填空题 1 已知图中U i = 2V, U2= -8V，贝y U B=_-10_ 2. 电路的三种工作状态是通路、断路、短路 3. 有三个6Q的电阻，若把它们串联，等效电阻是18 Q;若把它们并联，等效电阻2Q；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是_9—Q。 4. 用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表 测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5. 电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6. 电路如图所示，设U=12V I=2A、R=6Q，贝S U B= -24 V 7. 直流电路如图所示，R所消耗的功率为2W则R的阻值应为2—Q &电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化 9. 在直流电路中，电感可以看作_短路—，电容可以看作_断路— 9.我国工业交流电采用的标准频率是50 Hz 10. 三相对称负载作三角形联接时，线电流I I与相电流I P间的关系是: I P= . 3 I L。

11. 电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件 12. 已知一正弦电压u=311sin(628t-60 o )V，则其最大值为311 V , 频率为100 Hz，初相位为-60 o 。 13. 在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60 o )V，电阻 R=10Q，则电流I=22A,电压与电流的相位差? = 0 o ，电阻消耗的功率P= 4840 W。 24 .表征正弦交流电振荡幅度的量是它的 _最大值表征正弦交流电随时间变 化快慢程度的量是_角频率3_；表征正弦交流电起始位置时的量称为它的—初相_。 25 .在RLC串联电路中，已知电流为5A,电阻为30 Q,感抗为40Q, 容抗为80Q，那么电路的阻抗为_50Q_,该电路为_容_性电路。电路中吸收的有功功率为_750W，吸收的无功功率为_1000var_。 26 .对称三相负载作丫接，接在380V的三相四线制电源上。此时负载 端的相电压等于1倍的线电压；相电流等于1倍的线电流；中线电流等于 寸3 0_。 27. 铁磁材料分为—软磁—材料、—硬磁_材料和—矩磁—材料三种。 28. 变压器除了可以改变_交变电压、—交变电流_之外还可以用来变换阻 抗。 29. 接触器的电磁机构由—吸引线圈_、_静铁心_和_动铁心_三部分组成。 30 .变压器运行中，绕组中电流的热效应所引起的损耗称为 _铜_损耗；交 变磁场在铁心中所引起的_磁滞—损耗和—涡流—损耗合称为_铁_损耗。 31、Y—△形降压启动是指电动机启动时，把定子绕组接成_Y形—，以降低启动电压，限制启动电流，待电动机启动后，再把定子绕组改接成_△形，使

电子技术基础试题及答案

电子技术基础试卷 一、填空题（20分） 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈，只要看该电路的输出回路与输入回路之间是否存在反馈网络，即________。 10、负反馈放大电路有四种类型：___________、 ___________、___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、放大电路可分为四种类型：_______、_______、_______和_______。 二、判断题（1—5题每题2分，6—15题每题1分，共20分） 1、图示中 R引人电压并联负反 2 图题1 2、图示中 R电流串联正反馈 e1 图题2

3、图示电路不能振荡 图题3 4、图示电路不能振荡 图题4 5、图示电路中T 1为共基极组态，T 2 为共集电极组态 图题5 6、PN结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT有NPN和PNP两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小，说明放大电路的性能越好。 12、放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引回到输入端与输入量进行比较，从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题（1题12分，2题13分，3题15分，共40分） 1、设计一反相加法器，使其输出电压V0= -7V i1+14V i2+3.5V i3+10V i4），允许使用的最大电阻为280kΩ，求各支路电阻。

电子技术基础实验答案

实验一、常用电子仪器的使用 一、实验目的 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验原理 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1．信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率围（选定一个频率分挡开关按下）、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频 率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2．交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率围，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 操作要领： 1）为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前（即在输入端开路情况下）应先将量程开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2）读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 操作要领： 1）时基线位置的调节开机数秒钟后，适当调节垂直（↑↓）和水平（←→）位移旋钮，将时基线移至适当的位置。 2）清晰度的调节适当调节亮度和聚焦旋钮，使时基线越细越好（亮度不能太亮，一般能看清楚即可）。 3）示波器的显示方式示波器主要有单踪和双踪两种显示方式，属单踪显示的有“Y1”、“Y2”、“Y1+Y2”，作单踪显示时，可选择“Y1”或“Y2”其中一个按钮按下。属双踪显示的有“交替” 和“断续”，作双踪显示时，为了在一次扫描过程中同时显示两个波形，采用“交替”显示方式， 当被观察信号频率很低时（几十赫兹以下），可采用“断续”显示方式。 4）波形的稳定为了显示稳定的波形，应注意示波器面板上控制按钮的位置：a）“扫描速率”

电工电子技术基础试题库

《电工电子技术》课程复习资料 一、填空题： 1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。 2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。 3.变压器有三大作用，分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。 结具有单向导电性，可描述为正偏导通、反偏截止。 5.以比较的风格分类，电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。 6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。 7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟（脉冲）信号。 8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。 9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。 10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。 11.电容和电感储能的数学表达式是和。 12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。 13.实际变压器存在两种损耗，分别是铜耗和铁耗。 14.已知三相异步电动机的工频为50HZ，五对磁极，则同步转速为600r/min。 15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。 16.已知三相异步电动机的工频为50HZ，四对磁极，则同步转速为750 r/min。 17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。 18.要使晶体三极管处于截止状态，其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。 19.反相比例运算关系是.，同相比例运算关系是。 20.多发射极管的作用是实现与运算、提高（逻辑）转换速度。 21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。 22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。 23.理想变压器的变压公式是。 24.已知三相异步电动机的工频为50HZ，三对磁极，则同步转速为1000r/min。 25.晶体三极管有三种工作状态，分别为放大、截止和饱和。 26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。 27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。 28.与时序电路相比，组合电路的特点是输出只与当前输入有关，而与初态无关。 29.理想变压器的变流公式是。 30.已知三相异步电动机的工频为50HZ，二对磁极，则同步转速为1500r/min

中职 电子技术基础考试题

电子技术期中考试试题卷 姓名________ 班级_________学号___________ 时间：90分钟 满分：100分 一、 选择题 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A): 掺入杂质的浓度、 (B): 材料、 (C): 温度 2．测得某PNP 型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V ,则该管工作于( ) (A): 放大状态 、 (B): 饱和状态、 (C): 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A): 约为原来的1/2倍 、 (B): 约为原来的2倍、 (C): 基本不变 4．由NPN 管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是 （ ） （A ）饱和失真 （B ） 截止失真 （C ） 频率失真 5．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 （ ） （A ）增加 （B ）减少 （C ）不变 6．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 7．晶体三极管工作在饱和状态时，满足（ ） A. 发射结、集电结均正偏 B. 发射结、集电结均反偏 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 发射结反偏、集电结正偏 8．稳压二极管正常工作时应工作在（ ）区。 A. 死区 B. 正向导通 C. 反向截止 D. 反向击穿 9、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益i o F X X A 为（ ）。 A 、100 B 、10 C 、90 D 、0.09 10．图示电路中，AB 之间电压V 对应的方程式为（ ）。 A.V=IR+E B.V=IR-E C.V=-IR-E D. -V=IR+E 二、填空题： 1．N 型半导体中多数载流子是_______少数载流子是______。 2．PN 结具有_________特性。 3．利用半导体材料的某种敏感特性，如_______ 特性和_______ 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 4．画放大器直流通路时，_______视为开路，画交流通路时，藕合电容、旁路电容和直流电压视为_______。 5．理想运放的输出电阻是________，输入电阻是________。 6、理想的二极管,其正向电阻约为 ,反向电阻约为 。 7、 晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,而工作在 区时,I C =0。 8、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平均值等于______。 X o

电子技术基础习题库

《电子技术基础》习题库 第一章 一、填空（1分共28分） 1、PN结正偏时，P区接电源的____极，N区接电源的____极；PN结反偏时则相反。 2、PN结具有________特性，即加正向电压时PN结________，加反向电压时PN结________。 3、二极管P区引出端叫____极或____极，N区的引出端叫____极或____极。 4、二极管的正向接法是__________接电源的正极，__________接电源的负极。反向接法则相反。 5、硅二极管导通时的正向管压降约为____V，锗二极管导通时的管压降约为____V。 6、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________和________________。 7、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的极. 8检测二极管极性时，与黑表棒相接触的电极是二极管的极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已 经。

9、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常____于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较____。 10、发光二极管将____信号转换成____信号；光电二极管将____信号转换成____信号。 二、判断题（1分共9分） 1、半导体随温度的升高，电阻会增大。（） 2、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（） 3、二极管是线性元件。（） 4、不论哪种类型的二极管，其正向电压都为0.3V左右。（） 5、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（） 6、二极管加正向电压就一定导通。（） 7、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档 位。（） 8、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击 穿。（） 9、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（） 三、选择（2分共12分） 1、PN结最大的特点是具有（） A、导电性； B、绝缘性； C、超导性； D、单向导电性。

电工电子技术基础试题库

电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020

一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）

电子技术基础考试必备十套试题,有答案

电子技术基础试题（八）一．填空题：（每题3分，共30分） 1、PN结具有__________性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_______。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的____________大和____________ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s______时，负载获得的功率最 大，这种现象称为______________。 5、运算放大器的输出是一种具有__________________的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：______类功放， ______类功放和_______类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放 管提供少量__________，以减少__________失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__________ 、 和___________四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是 _________ 、___________和___________。 10．主从触发器是一种能防止__________现象的实用触发器。 二．选择题（每题3分，共30分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体

二极管处于：( )。 A.零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（）。 A.3A V B.A3V C.A V3/3 D.A V 4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激 振荡 5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（）。 A.有交越失真 B.易产生自激 C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接 入电路，这时组合管的稳压值是：( )。 A.8V B.7.5V C.15.5V 7．为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________与__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 0、7、0、3 4、使用二极管时,应考虑的主要参数就是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱与电流常__________于锗二极管的反向饱与电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________与__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 １、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N ２、二极管就是线性元件。()N ３、不论就是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为０、３Ｖ左右。()N ４、二极管具有单向导电性。()Y ５、二极管的反向饱与电流越大,二极管的质量越好。()N ６、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管就是线性元件。 ( )N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。( )Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点就是具有()C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时,硅二极管()C Ａ、立即导通Ｂ、到０、３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子就是( )。C A、电子 B、空穴 C、电子与空穴 5、P型半导体就是( )B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题