LED的封装种类

led封装种类有哪些，都是什么样的，最好有图片介绍.

最佳答案

一、前言

大功率LED封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到LED的使用性能和寿命，一直是近年来的研究热点，特别是大功率白光LED封装更是研究热点中的热点。LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性;2.加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能;3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布;4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。

LED封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。经过40多年的发展，LED封装先后经历了支架式(Lamp LED)、贴片式(SMD LED)、功率型LED(Power LED)等发展阶段。随着芯片功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对LED封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。为了有效地降低封装热阻，提高出光效率，必须采用全新的技术思路来进行封装设计。

二、大功率LED封装关键技术

大功率LED封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面，如图1所示。这些因素彼此既相互独立，又相互影响。其中，光是LED封装的目的，热是关键，电、结构与工艺是手段，而性能是封装水平的具体体现。从工艺兼容性及降低生产成本而言，LED封装设计应与芯片设计同时进行，即芯片设计时就应该考虑到封装结构和工艺。否则，等芯片制造完成后，可能由于封装的需要对芯片结构进行调整，从而延长了产品研发周期和工艺成本，有时甚至不可能。

图1 大功率白光LED封装技术

具体而言，大功率LED封装的关键技术包括：

(一)低热阻封装工艺

对于现有的LED光效水平而言，由于输入电能的80%左右转变成为热量，且LED芯片面积小，因此，芯片散热是LED封装必须解决的关键问题。主要包括芯片布置、封装材料选择(基板材料、热界面材料)与工艺、热沉设计等。

LED封装热阻主要包括材料(散热基板和热沉结构)内部热阻和界面热阻。散热基板的作用就是吸收芯片产生的热量，并传导到热沉上，实现与外界的热交换。常用的散热基板材料包括硅、金属(如铝，铜)、陶瓷(如Al2O3，AlN，SiC)和复合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做衬底，将1mm芯片倒装在CuW衬底上，降低了封装热阻，提高了发光功率和效率;Lamina Ceramics

公司则研制了低温共烧陶瓷金属基板，如图2(a)，并开发了相应的LED封装技术。该技术首先制备出适于共晶焊的大功率LED芯片和相应的陶瓷基板，然后将LED芯片与基板直接焊接在一起。由于该基板上集成了共晶焊层、静电保护电路、驱动电路及控制补偿电路，不仅结构简单，而且由于材料热导率高，热界面少，大大提高了散热性能，为大功率LED阵列封装提出了解决方案。德国Curmilk公司研制的高导热性覆铜陶瓷板，由陶瓷基板(AlN或Al2O3)和导电层(Cu)在高温高压下烧结而成，没有使用黏结剂，因此导热性能好、强度高、绝缘性强，如图2(b)所示。其中氮化铝(AlN)的热导率为160W/mk，热膨胀系数为4.0×10-6/℃(与硅的热膨胀系数3.2×10-6/℃相当)，从而降低了封装热应力。

图2(a)低温共烧陶瓷金属基板图2(b)覆铜陶瓷基板截面示意图

研究表明，封装界面对热阻影响也很大，如果不能正确处理界面，就难以获得良好的散热效果。例如，室温下接触良好的界面在高温下可能存在界面间隙，基板的翘曲也可能会影响键合和局部的散热。改善LED封装的关键在于减少界面和界面接触热阻，增强散热。因此，芯片和散热基板间的热界面材料(TIM)选择十分重要。LED封装常用的TIM为导电胶和导热胶，由于热导率较低，一般为0.5-2.5W/mK，致使界面热阻很高。而采用低温或共晶焊料、焊膏或者内掺纳米颗粒的导电胶作为热界面材料，可大大降低界面热阻。

(二)高取光率封装结构与工艺

在LED使用过程中，辐射复合产生的光子在向外发射时产生的损失，主要包括三个方面：芯片内部结构缺陷以及材料的吸收;光子在出射界面由于折射率差引起的反射损失;以及由于入射角大于全反射临界角而引起的全反射损失。因此，很多光线无法从芯片中出射到外部。通过在芯片表面涂覆一层折射率相对较高的透明胶层(灌封胶)，由于该胶层处于芯片和空气之间，从而有效减少了光子在界面的损失，提高了取光效率。此外，灌封胶的作用还包括对芯片进行机械保护，应力释放，并作为一种光导结构。因此，要求其透光率高，折射率高，热稳定性好，流动性好，易于喷涂。为提高LED封装的可靠性，还要求灌封胶具有低吸湿性、低应力、耐老化等特性。目前常用的灌封胶包括环氧树脂和硅胶。硅胶由于具有透光率高，折射率大，热稳定性好，应力小，吸湿性低等特点，明显优于环氧树脂，在大功率LED封装中得到广泛应用，但成本较高。研究表明，提高硅胶折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高外量子效率，但硅胶性能受环境温度影响较大。随着温度升高，硅胶内部的热应力加大，导致硅胶的折射率降低，从而影响LED光效和光强分布。

荧光粉的作用在于光色复合，形成白光。其特性主要包括粒度、形状、发光效率、转换效率、稳定性(热和化学)等，其中，发光效率和转换效率是关键。研究表明，随着温度上升，荧光粉量子效率降低,出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光LED色温、色度的变化，较高的温度还会加速荧光粉的老化。原因在于荧光粉涂层是由环氧或硅胶与荧光粉调配而成，散热性能较差，当受到紫光或紫外光的辐射时，易发生温度猝灭和老化，使发光效率降低。此外，高温下灌封胶和荧光粉的热稳定性也存在问题。由于常用荧光粉尺寸在1um以上，折射率大于或等于1.85，而硅胶折射率一般在1.5左右。由于两者间折射率的不匹配，以及荧光粉颗粒尺寸远大于光散射极限(30nm)，因而在荧光粉颗粒表面存在光散射，降低了出光效率。通过在硅胶中掺入纳米荧光粉，可使折射率提高到1.8以上，降低光散射，提高LED出光效率(10%-20%)，并能有效改善光色质量。传统的荧光粉涂敷方式是将荧光粉与灌封胶混合，然后点涂在芯片上。由于无法对荧光粉的涂敷厚度和形状进行精确控制，导致出射光色彩不一致，出现偏蓝光或者偏黄光。而Lumileds公司开发的保形涂层(Conformal coating)技术可实现荧光粉的均匀涂覆，保障了光色的均匀性，如图3(b)。但研究表明，当荧光粉直接涂覆在芯片表面时，由于光散射的存在，出光效率较低。有鉴于此，美国Rensselaer 研究所提出了一种光子散射萃取工艺(Scattered Photon Extraction method，SPE)，通过在芯片表面布置一个聚焦透镜，并将含荧光粉的玻璃片置

于距芯片一定位置，不仅提高了器件可靠性，而且大大提高了光效(60%)，如图3(c)。

图3 大功率白光LED封装结构

总体而言，为提高LED的出光效率和可靠性，封装胶层有逐渐被高折射率透明玻璃或微晶玻璃等取代的趋势，通过将荧光粉内掺或外涂于玻璃表面，不仅提高了荧光粉的均匀度，而且提高了封装效率。此外，减少LED出光方向的光学界面数，也是提高出光效率的有效措施。

(三)阵列封装与系统集成技术

经过40多年的发展，LED封装技术和结构先后经历了四个阶段，如图4所示。

图4 LED封装技术和结构发展

1、引脚式(Lamp)LED封装

引脚式封装就是常用的?3-5mm封装结构。一般用于电流较小(20-30mA)，功率较低(小于0.1W)的LED封装。主要用于仪表显示或指示，大规模集成时也可作为显示屏。其缺点在于封装热阻较大(一般高于100K/W)，寿命较短。

2、表面组装(贴片)式(SMT-LED)封装

表面组装技术(SMT)是一种可以直接将封装好的器件贴、焊到PCB表面指定位置上的一种封装技术。具体而言，就是用特定的工具或设备将芯片引脚对准预先涂覆了粘接剂和焊膏的焊盘图形上，然后直接贴装到未钻安装孔的PCB 表面上，经过波峰焊或再流焊后，使器件和电路之间建立可靠的机械和电气连接。SMT技术具有可靠性高、高频特性好、易于实现自动化等优点，是电子行业最流行的一种封装技术和工艺。

3、板上芯片直装式(COB)LED封装

COB是Chip On Board(板上芯片直装)的英文缩写，是一种通过粘胶剂或焊料将LED芯片直接粘贴到PCB板上，再通过引线键合实现芯片与PCB板间电互连的封装技术。PCB板可以是低成本的FR-4材料(玻璃纤维增强的环氧树脂)，也可以是高热导的金属基或陶瓷基复合材料(如铝基板或覆铜陶瓷基板等)。而引线键合可采用高温下的热超声键合(金丝球焊)和常温下的超声波键合(铝劈刀焊接)。COB技术主要用于大功率多芯片阵列的LED封装，同SMT相比，不仅大大提高了封装功率密度，而且降低了封装热阻(一般为6-12W/m.K)。

4、系统封装式(SiP)LED封装

SiP(System in Package)是近几年来为适应整机的便携式发展和系统小型化

的要求，在系统芯片System on Chip(SOC)基础上发展起来的一种新型封装集成方式。对SiP-LED而言，不仅可以在一个封装内组装多个发光芯片，还可以将各种不同类型的器件(如电源、控制电路、光学微结构、传感器等)集成在一起，构建成一个更为复杂的、完整的系统。同其他封装结构相比，SiP具有工艺兼容性好(可利用已有的电子封装材料和工艺)，集成度高，成本低，可提供更多新功能，易于分块测试，开发周期短等优点。按照技术类型不同，SiP可分为四种：芯片层叠型，模组型，MCM型和三维(3D)封装型。

目前，高亮度LED器件要代替白炽灯以及高压汞灯，必须提高总的光通量，或者说可以利用的光通量。而光通量的增加可以通过提高集成度、加大电流密度、使用大尺寸芯片等措施来实现。而这些都会增加LED的功率密度，如散热不良，将导致LED芯片的结温升高，从而直接影响LED器件的性能(如发光效率降低、出射光发生红移，寿命降低等)。多芯片阵列封装是目前获得高光通量的一个最可行的方案，但是LED阵列封装的密度受限于价格、可用的空间、电气连接，特别是散热等问题。由于发光芯片的高密度集成，散热基板上的温度很高，必须采用有效的热沉结构和合适的封装工艺。常用的热沉结构分为被动和主动散热。被动散热一般选用具有高肋化系数的翅片，通过翅片和空气间的自然对流将热量耗散到环境中。该方案结构简单，可靠性高，但由于自然对流换热系数较低，只适合于功率密度较低，集成度不高的情况。对于大功率LED封装，则必须采用主动散热，如翅片+风扇、热管、液体强迫对流、微通道致冷、相变致冷等。

在系统集成方面，台湾新强光电公司采用系统封装技术(SiP), 并通过翅片+热管的方式搭配高效能散热模块，研制出了72W、80W的高亮度白光LED光源，如图5(a)。由于封装热阻较低(4.38℃/W),当环境温度为25℃时，LED结温控制在60℃以下，从而确保了LED的使用寿命和良好的发光性能。而华中科技大学则采用COB封装和微喷主动散热技术，封装出了220W和1500W的超大功率LED白光光源，如图5(b)。

(四)封装大生产技术

晶片键合(Wafer bonding)技术是指芯片结构和电路的制作、封装都在晶片(Wafer)上进行，封装完成后再进行切割，形成单个的芯片(Chip);与之相对应的芯片键合(Die bonding)是指芯片结构和电路在晶片上完成后，即进行切割形成芯片(Die)，然后对单个芯片进行封装(类似现在的LED封装工艺)，如图6所示。很明显，晶片键合封装的效率和质量更高。由于封装费用在LED器件制造成本中占了很大比例，因此，改变现有的LED封装形式(从芯片键合到晶片键合)，将大大降低封装制造成本。此外，晶片键合封装还可以提高LED器件生产的洁净度，防止键合前的划片、分片工艺对器件结构的破坏，提高封装成品率和可靠性，因而是一种降低封装成本的有效手段。

此外，对于大功率LED封装，必须在芯片设计和封装设计过程中，尽可能采用工艺较少的封装形式(Package-less Packaging)，同时简化封装结构，尽可能减少热学和光学界面数，以降低封装热阻，提高出光效率。

(五)封装可靠性测试与评估

LED器件的失效模式主要包括电失效(如短路或断路)、光失效(如高温导致的灌封胶黄化、光学性能劣化等)和机械失效(如引线断裂，脱焊等)，而这些因素都与封装结构和工艺有关。LED的使用寿命以平均失效时间(MTTF)来定义，对于照明用途，一般指LED的输出光通量衰减为初始的70%(对显示用途一般定义为初始值的50%)的使用时间。由于LED寿命长，通常采取加速环境试验的方法进行可靠性测试与评估。测试内容主要包括高温储存(100℃，1000h)、低温储存(-55℃，1000h)、高温高湿(85℃/85%，1000h)、高低温循环(85℃～-55℃)、热

冲击、耐腐蚀性、抗溶性、机械冲击等。然而，加速环境试验只是问题的一个方面，对LED寿命的预测机理和方法的研究仍是有待研究的难题。

三、固态照明对大功率LED封装的要求

与传统照明灯具相比，LED灯具不需要使用滤光镜或滤光片来产生有色光，不仅效率高、光色纯，而且可以实现动态或渐变的色彩变化。在改变色温的同时保持具有高的显色指数，满足不同的应用需要。但对其封装也提出了新的要求，具体体现在：

(一)模块化

通过多个LED灯(或模块)的相互连接可实现良好的流明输出叠加，满足高亮度照明的要求。通过模块化技术，可以将多个点光源或LED模块按照随意形状进行组合，满足不同领域的照明要求。

(二)系统效率最大化

为提高LED灯具的出光效率，除了需要合适的LED电源外，还必须采用高效的散热结构和工艺，以及优化内/外光学设计，以提高整个系统效率。

(三)低成本

LED灯具要走向市场，必须在成本上具备竞争优势(主要指初期安装成本)，而封装在整个LED灯具生产成本中占了很大部分，因此，采用新型封装结构和技术，提高光效/成本比，是实现LED灯具商品化的关键。

(四)易于替换和维护

由于LED光源寿命长，维护成本低，因此对LED灯具的封装可靠性提出了较高的要求。要求LED灯具设计易于改进以适应未来效率更高的LED芯片封装要求，并且要求LED芯片的互换性要好，以便于灯具厂商自己选择采用何种芯片。LED灯具光源可由多个分布式点光源组成，由于芯片尺寸小，从而使封装出的灯具重量轻，结构精巧，并可满足各种形状和不同集成度的需求。唯一的不足在于没有现成的设计标准，但同时给设计提供了充分的想象空间。此外，LED

照明控制的首要目标是供电。由于一般市电电源是高压交流电(220V，AC)，而LED需要恒流或限流电源，因此必须使用转换电路或嵌入式控制电路(ASICs)，以实现先进的校准和闭环反馈控制系统。此外，通过数字照明控制技术，对固态光源的使用和控制主要依靠智能控制和管理软件来实现，从而在用户、信息与光源间建立了新的关联，并且可以充分发挥设计者和消费者的想象力。

四、结束语

LED封装是一个涉及到多学科(如光学、热学、机械、电学、力学、材料、半导体等)的研究课题。从某种角度而言，LED封装不仅是一门制造技术(Technology)，而且也是一门基础科学(Science)，良好的封装需要对热学、光学、材料和工艺力学等物理本质的理解和应用。LED封装设计应与芯片设计同时进行，并且需要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中，虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要，但封装结构(如热学界面、光学界面)对LED光效和可靠性影响也很大，大功率白光LED封装必须采用新材料，新工艺，新思路。对于LED灯具而言，更是需要将光源、散热、供电和灯具等集成考虑。

常见芯片封装类型的汇总

常见芯片封装类型的汇总 芯片封装，简单点来讲就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放到一块起承载作用的基板上，再把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。它可以起到保护芯片的作用，相当于是芯片的外壳，不仅能固定、密封芯片，还能增强其电热性能。所以，封装对CPU和其他大规模集成电路起着非常重要的作用。 今天，与非网小编来介绍一下几种常见的芯片封装类型。 DIP双列直插式 DIP是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装结构形式有多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP （含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存储器和微机电路等。 DIP封装 特点： 适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。 在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高六倍。 现状：但是由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差。同时这种封装方式由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个。随着CPU内

常用SMT元件封装

常用SMT贴片元件封装说明 SMT是电子业界一门新兴的工业技术，它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命，被誉为电子业的“明日之星”，它使电子组装变得越来越快速和简单，随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快，集成度越来越高，价格越来越便宜。为IT（Information Technology）产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT所涉及的零件种类繁多，样式各异，有许多已经形成了业界通用的标准，这主要是一些芯片电容电阻等等；有许多仍在经历着不断的变化，尤其是IC类零件，其封装形式的变化层出不穷，令人目不暇接，传统的引脚封装正在经受着新一代封装形式（BGA、FLIP CHIP等等）的冲击，在本章里将分标准零件与IC 类零件详细阐述。 标准零件 标准零件是在SMT发展过程中逐步形成的，主要是针对用量比较大的零件，本节只讲述常见的标准零件。目前主要有以下几种：电阻(R)、排阻(RA或RN)、电感(L)、陶瓷电容(C)、排容(CP)、钽质电容(C)、二极管(D)、晶体管(Q)【括号内为PCB（印刷电路板）上之零件代码】，在PCB上可根据代码来判定其零件类型，一般说来，零件代码与实际装着的零件是相对应的。 一、零件规格: 贴片电阻尺寸图

贴片电容尺寸图

含义1206/3216 L:1.2inch(3.2mm) W:0.6inch(1.6mm) 0805/2125 L:0.8inch(2.0mm) W:0.5inch(1.25mm) 0603/1608 L:0.6inch(1.6mm) W:0.3inch(0.8mm) 0402/1005 L:0.4inch(1.0mm) W:0.2inch(0.5mm) 注：a、L（Length）：长度； W（Width）：宽度； inch：英寸 b、1inch=25.4mm （b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注：A\B\C\D四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 贴片电阻 贴片排阻 2）电阻的命名方法

这些芯片封装类型,基本都全了

这些芯片封装类型，基本都全了 1、2、BQFP(quad flat package with bumper)3、碰焊PGA(butt joint 4、C－(ce5、Cerdip6、Cerquad7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)8、COB(chip on board)9、DFP(dual flat package)10、DIC(dual in-line ceramic package)11、DIL(dual in-line)12、DIP(dual in-line package)13、DSO(dual small out-lint)14、DICP(dual tape carrier package)15、DIP(dual tape carrier package)16、FP(flat package)17、flip-chip18、FQFP(fine pitch quad flat package)19、CPAC(globe top 20、CQFP(quad fiat package with guard ring)21、H-(with heat sink)22、pin grid array(surface mount type)23、JLCC(J-leaded chip carrier)24、LCC(Leadless chip carrier)25、LGA(land grid array)26、LOC(lead on chip)27、LQFP(low profile quad flat package)28、L－QUAD29、MCM(mul30、MFP(mini flat package)31、MQFP(metric quad flat package)32、MQUAD(metal quad)33、MSP(mini square package)34、OPMAC(over molded pad array carrier)35、P－(plastic)36、PAC(pad array carrier)37、PCLP(printed circuit board leadless package)38、PFPF(plastic flat package)39、PGA(pin grid array)40、piggy back41、42、P－LCC(plastic 43、QFH(quad flat high package)44、QFI(quad flat I-leaded packgac)45、QFJ(quad flat J-leaded package)46、QFN(quad flat non-leaded package)47、QFP(quad flat package)48、QFP(FP)(QFP fine pitch)49、QIC(quad in-line ceramic package)50、QIP(quad in-line plastic package)51、QTCP(quad tape carrier package)52、QTP(quad tape carrier package)53、QUIL(quad in-line)54、QUIP(quad in-line package)55、56、SH－DIP(shrink dual in-line package)57、SIL(single in-line)58、SIMM(single in-line memory module)59、SIP(single in-line package)60、SK－DIP(skinny dual in-line package)61、SL－DIP(slim dual in-line package)62、SMD(surface mount devices)63、SO(small out-line)64、SOI(small out-line I-leaded package)65、SOIC(small out-line integrated circuit)66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)69、SOF(small Out-Line package)70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype)) 宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。林超文PCB设计直播第1节：PADS元件库管理

封装类型缩写含义

封装类型 SIP ：Single-In-Line Package DIP ：Dual In-line Package 双列直插式封装 CDIP：Ceramic Dual-In-line Package 陶瓷双列直插式封装 PDIP：Plastic Dual-In-line Package 塑料双列直插式封装 SDIP ：Shrink Dual-In-Line Package QFP ：Quad Flat Package 四方扁平封装 TQFP ：Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封装 PQFP ：Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封装 MQFP ：Metric Quad Flat Package VQFP ：Very Thin Quad Flat Package SOP ：Small Outline Package 小外型封装 SSOP ：Shrink Small-Outline Package 缩小外型封装 TSOP ：Thin Small-Outline Package 薄型小尺寸封装 TSSOP ：Thin Shrink Small-Outline Package QSOP ：Quarter Small-Outline Package VSOP ：Very Small Outline Package TVSOP ：Very Thin Small-Outline Package LCC ：Leadless Ceramic Chip Carrier 无引线芯片承载封装 LCCC ：Leadless Ceramic Chip Carrier PLCC ：Plastic Leaded Chip Carrier 塑料式引线芯片承载封装 BGA ：Ball Grid Array 球栅阵列 CBGA ：Ceramic Ball Grid Array uBGA ：Micro Ball Grid Array 微型球栅阵列封装 PGA ：Pin Grid Array CPGA ：Ceramic Pin Grid Array 陶瓷 PGA PPGA ：Plastic Pin Grid Array MCM ：Multi Chip Model 多芯片模块 SMD(surface mount devices) ——表面贴装器件。 SOIC(small out-line integrated circuit) ——双侧引脚小外形封装集成电路 QFP(Quad Flat Pockage) ——四侧引脚扁平封装

元器件封装知识

元器件封装知识 Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

贴片式元件 表面组装技术(surface Mount Technology 简称SMT) 表面贴装 (Surface Mounted Devices 简称SMD) 一、表面贴片组件(形状和封装的规格) 表面贴片技术由1960年代开始发展，在1980年代逐渐广泛采用，至现在已发展多种类SMD组件，优点是体积较小，适合自动化生产而使用在线路更密集的底板上。SMD组件封装的形装和尺寸的规格都已标准化，由JEDEC标准机构统一，以下是SMD组件封装的命名：1．二个焊接端的封装形式： 矩形封装：通常有片式电阻(Chip-R)/ 片式电容(Chip-C)/ 片式磁珠 (Chip Bead)，常以它们的外形尺寸（英制）的长和宽命名，来标志它们的大小，以英制(inch) 或公制(mm)为单位, 1inch=，如外形尺寸为×0,06in，记为1206，公制记为×。常用的尺寸规格见下表：(一般长度误差值为±10%) NO 英制名称长(L) "X宽(W) " 公制(M)名称长(L)X宽(W) mm 1 01005 " × " 0402M × mm 2 0201 ” × "0603M × mm 3 0402 ” × " 1005M × 4 0603 " × " 1608M × mm 5 0805 " × " 2012M × mm 6 1206 " × " 3216M × mm 7 1210 " × " 3225M × mm 8 1808 " × " 4520M × mm 9 1812 " × " 4532M × mm 10 2010 " × " 5025M 5..0 × mm 片式电阻(Chip-R) 片式磁珠 (Chip Bead) 片式电容(Chip Cap)

常用元件封装

1. 电阻原理图中常用的名称为RES1-RES4； 电阻类及无极性双端元件封装形式：AXIAL0.3-AXIAL1.0，数字代表两焊盘的间距，单位为Kmil.。电阻排：RESPACK1/RESPACK2 RESPACK3/RESPACK4 。 贴片电阻： 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 2.电容原理图中常用的名称为CAP（无极性电容）、ELECTRO（有极性电容）； 引脚封装形式：无极性电容为RAD0.1--RAD0.4，有极性电容为RB.2/.4或RB.3/.6或RB.4/.8或RB.5/1.0斜杠前数字表示焊盘间距，斜杠后数字表电容外直径。电解电容为 3.电位器原理图中常用的名称为POT1和POT2；引脚封装形式：VR-1到VR-5. 4.二极管原理图中常用的名称为DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管）发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 引脚封装形式：DIODE0.4和DIODE 0.7; 发光二极管封装（RAD0.1-0.4）。 5.继电器引脚封装形式：RELAY-DPDT/ RELAY-DPST RELAY-SPDT/ RELAY-SPST 6.三极管原理图中常用的名称为NPN，NPN1和PNP，PNP1；

引脚封装形式TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 7.场效应管原理图中常用的名称为JFET N（N沟道结型场效应管），JFET P（P 沟道结型场效应管） MOSFET N（N沟道增强型管）MOSFET P（P沟道增强型管）引脚封装形式与三极管同。 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP 系列。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12.晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13.发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 14.拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 15.按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 16.变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 Protel 零件库中常用的零器件及封装 类别名称零件名称零件英文名称常用编号封装封装说明 电阻RES1/RES2 R? AXIAL0.3-AXIAL1.0 数字表示焊盘间距 电阻排RESPACK1/RESPACK2 RESPACK3/RESPACK4 可变电阻RES3/RES4 电位器POT1或POT2 VR1- VR 5 数字表示管脚形状

常用元器件及元器件封装总结

常用元器件及元器件封装总结 一、元器件封装按照安装的方式不同可以分成两大类。(1) 直插式元器件封装直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板，从顶层穿下，在底层进行元器件的引脚焊接，如图所示。 典型的直插式元器件及元器件封装如图所示。 (2)表贴式元器件封装。表贴式的元器件，指的是其焊盘只附着在电路板的顶层或底层，元器件的焊接是在装配元器件的工作层面上进行的，如图所示。

典型的表贴式元器件及元器件封装如图所示。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层(TopLayer)。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层（Top Layer）。 二、常用元器件的原理图符号和元器件封装 在设计PCB的过程中，有些元器件是设计者经常用到的，比如电阻、电容以及三端稳压源等。在Protel 99 SE中，同一种元器件虽然相同电气特性，但是由于应用的场合不同而导致元器件的封装存在一些差异。前面的章节中已经讲过，电阻由于其负载功率和运用场合不同而导致其元器件的封装也多种多样，这种情况对于电容来说也同样存在。因此，本节主要向读者介绍常用元器件的原理图符号和与之相对应的元器件封装，同时尽量给出一些元器件的实物图，使读者能够更快地了解并掌握这些常用元器件的原理图符号和元器件封装。(1)、电阻。电阻器通常简称为电阻，它是一种应用十分广泛的电子元器件，其英文名字为“Resistor”，缩写为“Res”。电阻的种类繁多，通常分为固定电阻、可变电阻和特种电阻3大类。固定电阻可按电阻的材料、结构形状及用途等进行多种分类。电阻的种类虽多，但常用的电阻类型主要为RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻和片状电阻等。固定电阻的原理图符号的常用名称是“RES1”和“RES2”，如图F1-5（a）所示。常用的引脚封装形式为AXIAL系列，包括AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9和AXIAL-1.0等封装形式，其后缀数字代表两个焊盘的间距，单位为“英寸”，如图F1-5（b）所示。常用固定电阻的实物图如图F1-5（c）所示。

贴片电容的封装及分类

贴片电容的封装及分类 贴片电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，具体分类如下：类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 贴片电容的分类 一NPO电容器 二X7R电容器 三Z5U电容器 四Y5V电容器 区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 封装DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

常用电子元件封装

常用电子元件封装 电阻：RES1, RES2, RES3, RES4;封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4至到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2 ;封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4（小功率）diode-0.7（大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18 （普通三极管）to-22（大功率三极管）to-3（大功率达林顿管）电源稳压块有78和79系列；78系列如7805 , 7812 , 7820等 79 系列有7905 , 7912 , 7920 等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2:封装属性为 D 系列（D-44 , D-37 , D-46 ）电阻：AXIAL0.3- AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2- RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8 指电容大小。一般<100uF用 RB.1/.2,100uF-470uF 用RB.2/.4,>470uF 用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7 指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40,其中8 —4 0指有多少脚，8脚的就是DIP8 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系，但封装尺寸与功率有关通常来说如下： 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是： 0402=1.0mmx0.5mm 0603=1.6mmx0.8mm 0805=2.0mmx1.2mm 1206=3.2mmx1.6mm 1210=3.2mmx2.5mm 1812=4.5mmx3.2mm 2225=5.6mmx6.5mm 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念 因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的 针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电 路板上了。 关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。LIB库中的元件外，其它库的元件都已 经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下：晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP 之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN 的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或T0-5，而学用的CS9013，有TO-92A , TO-92B ,

常见元器件封装类型

1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL （隧道二极管）DIODE VARCTOR（变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H （大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN （N沟道增强型管）MOSFETP（P沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列，

PCB中常见的元器件封装大全参考word

PCB中常见的元器件封装大全 一、常用元器件： 1.元件封装电阻 AXIAL 2.无极性电容 RAD 3.电解电容 RB- 4.电位器 VR 5.二极管 DIODE 6.三极管 TO 7.电源稳压块78和79系列 TO－126H和TO-126V 8.场效应管和三极管一样 9.整流桥 D－44 D－37 D－46 10.单排多针插座 CON SIP 11.双列直插元件 DIP 12.晶振 XTAL1 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林 顿管） 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等;79系列有7905，7912，7920等.常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6 二极管：DIODE0.4-DIODE0.7 其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4 发光二极管：RB.1/.2 集成块：DIP8-DIP40, 其中８－４０指有多少脚，８脚的就是DIP8

元器件封装大全

元器件封装大全 一、元器件封装的类型 元器件封装按照安装的方式不同可以分成两大类。 (1)直插式元器件封装。 直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板，从顶层穿下，在底层进行元器件的引脚焊接，如图F1-1所示。 图F1-1 直插式元器件的封装示意图 典型的直插式元器件及元器件封装如图F1-2所示。 图F1-2 直插式元器件及元器件封装 (2)表贴式元器件封装。 表贴式的元器件，指的是其焊盘只附着在电路板的顶层或底层，元器件的焊接是在装配元器件的工作层面上进行的，如图F1-3所示。 焊盘贯穿整个电路板

Protel 99 SE基础教程 2 图F1-3 表贴式元器件的封装示意图典型的表贴式元器件及元器件封装如图F1-4所示。 图F1-4 表贴式元器件及元器件封装在 PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层（Top Layer）。 二、常用元器件的原理图符号和元器件封装 在设计PCB的过程中，有些元器件是设计者经常用到的，比如电阻、电容以及三端稳压源等。在Protel 99 SE中，同一种元器件虽然相同电气特性，但是由于应用的场合不同而导致元器件的封装存在一些差异。前面的章节中已经讲过，电阻由于其负载功率和运用场合不同而导致其元器件的封装也多种多样，这种情况对于电容来说也同样存在。因此，本节主要向读者介绍常用元器件的原理图符号和与之相对应的元器件封装，同时尽量给出一些元器件的实物图，使读者能够更快地了解并掌握这些常用元器件的原理图符号和元器件封装。 (1)电阻。 电阻器通常简称为电阻，它是一种应用十分广泛的电子元器件，其英文名字为“Resistor”，缩写为“Res”。 电阻的种类繁多，通常分为固定电阻、可变电阻和特种电阻3大类。 固定电阻可按电阻的材料、结构形状及用途等进行多种分类。电阻的种类虽多，但常用的电阻类型主要为RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻和片状电阻等。 固定电阻的原理图符号的常用名称是“RES1”和“RES2”，如图F1-5（a）所示。常用的引脚封装形式为AXIAL系列，包括AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9和AXIAL-1.0等封装形式，其后缀数字代表两个焊盘的间距，单位为“英寸”，如图F1-5（b）所示。常用固定电阻的实物图如图F1-5（c）所示。 焊盘只附着在电路板的顶层或底层

芯片封装类型图鉴方案

芯片封装类型图鉴

壹．TO晶体管外形封装 TO（TransistorOut-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等均是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。 TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接于PCB上，壹方面用于输出大电流，壹方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK 焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。 二．DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－linePackage)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数壹般不超过100个。封装材料有塑料和陶瓷俩种。采用DIP封装的CPU芯片有俩排引脚，使用时，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也能够直接插于有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。 DIP封装具有以下特点：

1.适合于PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.比TO型封装易于对PCB布线。 3.芯片面积和封装面积之间的比值较大，故体积也较大。以采用40根I/O引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的CPU为例，其芯片面积/封装面积 =(3×3)/(15.24×50)=1:86，离1相差很远。（PS:衡量壹个芯片封装技术先进和否的重要指标是芯片面积和封装面积之比，这个比值越接近1越好。如果封装尺寸远比芯片大，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。） 用途：DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。Intel公司早期CPU，如8086、80286就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 PS.以下三~六使用的是SMT封装工艺（表面组装技术），欲知详情，请移步此处。 三．QFP方型扁平式封装 QFP(PlasticQuadFlatPockage)技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，壹般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数壹般均于100之上。基材有陶瓷、金属和塑料三种。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。

电感封装与类型

电感封装与类型集团档案编码：[YTTR-YTPT28-YTNTL98-UYTYNN08]

电感资料整理 封装： 可知电感封装以如下格式记录。 对于电感来说，封装方式一般包括贴片电感封装和插件电感封装。 贴片电感封装的主要类型有0402，0603，0805，1206，CDR1608，CDR1813，CD105等等。0402，0603指的是叠层电感。CD1813，CD105中的CD指的是贴片的工字电感，1813中的18指的是直径为18~19mm3指的是高度为13~14mm。 贴片功率电感分为开放式功率电感和屏蔽式功率电感2种： 其中，屏蔽式功率电感的封装为CKCD系列，CKCH系列。 而插件电感的封装有PK0345，PK0406，PK0507等等。PK指的是工字电感系列。0406指的是不包括外被，直径为4mm，高度为6mm。 类型： 常用的电感可以分为以下类型： 1、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。 2、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小。3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。 5、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 而电感经常会出现在我们的显卡上，显卡中供电模块上的电感从外观上，则可分为以下几种。 全开放式电感： 价格低廉，但散热较好，受电磁干扰非常大，提供的电流不纯正。高端 显卡以及核心供电模块不会采用这种电感，只有在电流不高的显存周边采用这种电感。 半封闭电感： 价格适中，防电磁干扰良好，在高频电流通过时不会发生异响，散热良好， 可以提供大电流。目前在主流显卡上较常用。?

零件封装知识

零件封装知识 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。 电阻AXIAL 无极性电容RAD 电解电容RB- 电位器VR 二极管DIODE 三极管TO 电源稳压块78和79系列TO－126H和TO-126V 场效应管和三极管一样 整流桥D－44 D－37 D－46 单排多针插座CON SIP 双列直插元件DIP

晶振XTAL1 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electronic ;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0 电位器：pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5 二极管：封装属性为diode-0.4(小功率）diode-0.7(大功率） 三极管：常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22(大功率三极管）to-3(大功率达林 顿管） 电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等79系列有7905，7912，7920等 常见的封装属性有to126h和to126v 整流桥：BRIDGE1,BRIDGE2: 封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46） 电阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4 瓷片电容：RAD0.1-RAD0.3。其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1 电解电容：RB.1/.2-RB.4/.8 其中.1/.2-.4/.8指电容大小。一般

元件封装类型

元件封装类型 1、BGA（ball grid array）球栅阵列封装 表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚， 在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列 载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。其引线脚的节距为1．27mm、1．0mm、0．8mm、0．65mm、0．5mm。 （1）PBGA（Plastic Ball Grid Array Package）塑料焊球阵列 采用BT树脂/玻璃层压板作为基板，以塑料（环氧模塑混合物）作为密封材料，焊球 为共晶焊料63Sn37Pb或准共晶焊料62Sn36Pb2Ag(已有部分制造商使用无铅焊料），焊 球和封装体的连接不需要另外使用焊料。 （2）CBGA（Ceramic Ball Grid Array）陶瓷焊球阵列封装 基板是多层陶瓷，金属盖板用密封焊料焊接在基板上，用以保护芯片、引线及焊盘。 焊球材料为高温共晶焊料10Sn90Pb，焊球和封装体的连接需使用低温共晶焊料63Sn37Pb。封装体尺寸为10-35mm，标准的焊球节距为1．5mm、1．27mm、1．0mm。 （3）CCGA（ceramiccolumnSddarray）陶瓷柱栅阵列 CCGA是CBGA的改进型。二者的区别在于：CCGA采用直径为0．5mm、高度为1．25mm~2．2mm的焊料柱替代CBGA中的0．87mm直径的焊料球，以提高其焊点的 抗疲劳能力。因此柱状结构更能缓解由热失配引起的陶瓷载体和PCB板之间的剪切应力。 （4）TBGA（tape ball grid array）载带型焊球阵列 TBGA是一种有腔体结构，TBGA封装的芯片与基板互连方式有两种：倒装焊键合和 引线键合。 2.Cerdip陶瓷双列直插式封装 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距 2.54mm，引脚数从8 到42。

芯片封装类型缩写含义

芯片封装类型缩写含义 SIP ：Single-In-Line Package 单列直插式封装 SMD(surface mount devices) ——表面贴装器件。 DIP ：Dual In-line Package 双列直插式封装 CDIP：Ceramic Dual-In-line Package 陶瓷双列直插式封装 PDIP：Plastic Dual-In-line Package 塑料双列直插式封装 SDIP ：Shrink Dual-In-Line Package QFP：Quad Flat Package 四方扁平封装 TQFP ：Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封装 PQFP ：Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封装 MQFP ：Metric Quad Flat Package VQFP ：Very Thin Quad Flat Package SOP：Small Outline Package 小外型封装 SSOP ：Shrink Small-Outline Package 缩小外型封装 TSOP ：Thin Small-Outline Package 薄型小尺寸封装 TSSOP ：Thin Shrink Small-Outline Package QSOP ：Quarter Small-Outline Package VSOP ：Very Small Outline Package TVSOP ：Very Thin Small-Outline Package LCC：Leadless Ceramic Chip Carrier 无引线芯片承载封装 LCCC ：Leadless Ceramic Chip Carrier PLCC ：Plastic Leaded Chip Carrier 塑料式引线芯片承载封装 BGA：Ball Grid Array 球栅阵列 CBGA ：Ceramic Ball Grid Array uBGA ：Micro Ball Grid Array 微型球栅阵列封装 PGA ：Pin Grid Array CPGA ：Ceramic Pin Grid Array 陶瓷 PGA PPGA ：Plastic Pin Grid Array MCM ：Multi Chip Model 多芯片模块 SOIC(small out-line integrated circuit) ——双侧引脚小外形封装集成电路QFP(Quad Flat Pockage) ——四侧引脚扁平封装