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半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案
半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

第三章习题和答案

1. 计算能量在E=E c 到2

*n 2

C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解:

2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。

3

22

233*28100E 21

23

3

*22100E 002

1

233*231000L 8100)(3

222)(22)(1Z V

Z

Z )(Z )(22)(23

22

C

22

C

L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V

d dE

E g d E E m V E g c

n c C n

l

m h E C n

l

m E C n

n c n c πππππ=

+-=-==

==-=*+

+

?

?**

)()

(单位体积内的量子态数)

()

(21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2

1

3''''''2'21'21'21'

2

2222

22C a a l

t t

z y x a

c c z l

a z y t a y x t a x

z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si -=???

?

?

?+?=+++====+++=*

****系中的态密度在等能面仍为球形等能面系中在则:令)

(关系为

)(半导体的、证明:[]

3

1

23

221232'

2123

2

31'2

'''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l

t

n c n

c l t t z m m s

m V

E E h

m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk

k k g Vk k g d k dE E E =-==∴-???

?????+??==∴?=??=+**

πππ)方向有四个,

锗在(旋转椭球,个方向,有六个对称的导带底在对于即状态数。

空间所包含的空间的状态数等于在

3. 当E-E F 为1.5k 0T ,4k 0T, 10k 0T 时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。

4. 画出-78o C 、室温(27 o C )、500 o C 三个温度下的费米分布函数曲线,并进行比较。

5. 利用表3-2中的m *n ,m *p 数值,计算硅、锗、砷化镓在室温下的N C , N V 以及本征载流子的浓度。

6. 计算硅在-78 o C ,27 o C ,300 o C 时的本征费米能级,假定它在禁带中间合理吗?

???

????=========????

?

???

???===***

***-**

ev E m o m m m A G ev E m o m m m si ev E m o m m m G e N N n h koTm N h koTm N g p n s a g p n g p n e koT E v c i p v n

C g

428.1;47.;068.0:12.1;59.;08.1:67.0;37.;56.0:)()2(2)2(25000000221

232

2

32

ππ

所以假设本征费米能级在禁带中间合理,特别是温度不太高的情况下。

7. ①在室温下,锗的有效态密度N c =1.05?1019cm -3,N V =3.9?1018cm -3,试求锗的载流子有效质量m *n m *p 。计算77K 时的N C 和N V 。 已知300K 时,E g =0.67eV 。77k 时E g =0.76eV 。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K 时,锗的电子浓度为1017cm -3 ,假定受主浓度为零,而E c -E D =0.01eV ,求锗中

施主浓度E D 为多少?

8. 利用题 7所给的N c 和N V 数值及E g =0.67eV ,求温度为300K 和500K 时,含施主浓度N D =5?1015cm -3,

[]

eV kT eV kT K T eV

kT eV kT K T eV

m m kT eV kT K T m m kT E E E E m m m m Si Si n

p

V C i F p n 022.008

.159

.0ln 43,0497.0573012.008

.159

.0ln 43,026.03000072.008.159.0ln 43,016.0195ln 43259.0,08.1:3222001100-===-===-===+-====**

**

时,当时,当时,当的本征费米能级,3

173183'

318319

3'3''/1008.530077109.330077/1037.1300

771005.13007730077772cm N N cm N N T T K N K N N N K V V C

C C C V

C ?=??=?=?=??=?=∴=)()()()()()(、时的)(3

1718

1717

003777276

.021

17183

13300

267

.021

1819221/1017.1)10

37.110067.001.021(10)21(2121exp 21/1098.1)1008.51037.1(77/107.1)109.31005.1()()3(00000cm e N n koT E e n N e N e

N N n n cm e n K cm e

n e

N N n C o D D N n T k E D T k E E E E D T k E E D D k i k i koT

Eg

v c i C o

D F C c D F D ?=??+=??+=∴+=+=+==?=???=?=???==??--+----+

-?-?-

-

时,室温:kg

m N T k m kg m N T k m Tm k N Tm k N v

p

c n p v n c 3103

1202

31

03

202

2

320232

0106.229.022101.556.022)2(2)

2(21.7-*-***

?==?

?

????=?==??

????=

==

ππππ得)根据(

受主浓度N A =2?109cm -3的锗中电子及空穴浓度为多少?

9.计算施主杂质浓度分别为1016cm 3,,1018 cm -3,1019cm -3的硅在室温下的费米能级,并假定杂质是全部

电离,再用算出的的费米能 级核对一下,上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时,取施主能级在导带底下的面的0.05eV 。

??????=?==??????=?≈=??

????+-+-=??

????+-+-=∴=---→???==+--?==?==-

-3

15031503

1003

1502

12

202

1

2202020200003

1521

''313221

/1084.4/1084.9500/108/105300)2(2)2(20)(0/109.6)(500/100.2)(300.8'

020cm

p cm

n K t cm p cm

n K T n N N N N p n N N N N n n N N n n n p n N N p n cm e

N N n K cm e N N n K i D A D A i A D A D i A D i A D V C i T k E V c i T k g e g 时:时:根据电中性条件:时:时:%

902111

%

102111

%10%,9005.0)2(27.0.0108.210ln

026.0;/10087.0108.210ln 026.0;/1021.010

8.210ln 026.0;/10,

ln /105.1/108.2,300,ln .90019

193

1919

183

1819

163

1603

103

190≥-+=≤-+==--=?+==-=?+==-=?+==+=??????=?==+=+

T

k E E e N n T k E E e N n eV E E eV E E E cm N eV E E E cm N eV E E E cm N N N

T k E E cm

n cm

N K T N N T k E E E F D D

D F D D

D

D C c c F D c c F D c c F D i

D i F i C C D c F F 或是否占据施主为施主杂质全部电离标准或时离区的解假设杂质全部由强电

10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n 型锗在300K 时,以杂质电离为主的饱和区掺

杂质的浓度范围。

11. 若锗中施主杂质电离能?E D =0.01eV ,施主杂质浓度分别为N D =1014cm -3j 及 1017cm -3。计算①99%电离;②90%电离;③50%电离时温度各为多少?

没有全部电离全部电离小于质数的百分比)未电离施主占总电离杂全部电离的上限求出硅中施主在室温下)(不成立不成立成立

3171816317163

17026.005

.0'

026

.0023.019026

.0037

.018026

.016.0026

.021

.016105.210,10105.210/105.22

1.0,026.005.02%10()2(2%10%8021

11

:10%302

111:10%42.02

1112

1

11:10cm N cm N cm e N N e N N koT

E e N N D e N n N e N n N e e N n N D D C D C D D

C D D D D D D D E E D D D C D ??=?=?===?=?=+===+===+=

+=

=---+-之上,大部分没有电离

在,之下,但没有全电离在成立,全电离全电离,与也可比较)

(0D F F D D D F F D D F D D F D F D E E E E cm N E E E E cm N E E cm N T k E E E E 026.0023.0;/1026.0~037.0;/10026.016.021.005.0;/102319318316'

'?-=-==-=??=+-=-=??-317143

13317026.00127

.019026.00127

.003

19/1022.3~104.2~5/104.2/1022.32

1005.11.021.0026.00127.0exp

2%10)

exp(2300/1005.1,0127.0.10cm N n A cm n G N A cm e e N N N N T

k E N N D A K cm N eV E A D i s i

e

D s C D C D D C D s C

D s ??∴?=?=??==

∴+=?=?==?---,即有效掺杂浓度为的掺杂浓度范围的本征浓度电离的部分,在室温下不能掺杂浓度超过限杂质全部电离的掺杂上

以下,室温的电离能解

上限上限上限

12. 若硅中施主杂质电离能?E D =0.04eV ,施主杂质浓度分别为1015cm -3, 1018cm -3。计算①99%电离;②

90%电离;③50%电离时温度各为多少?

13. 有一块掺磷的 n 型硅,N D =1015

cm -3

,分别计算温度为①77K ;②300K ;③500K ;④800K 时导带中电

子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)

14. 计算含有施主杂质浓度为N D =9?1015cm -3,及受主杂质浓度为1.1?1016cm 3,的硅在33K 时的电子和空

穴浓度以及费米能级的位置。

eV n p T k E E eV

N p T k E E cm p n n cm N N p cm n Si K T i i F v V F i D A i 336.0105.1102ln 026.0ln 224.0101.1102ln 026.0ln 10125.1102,105.130010

15

001915

00350

203150310-=??-=-=-=??-=-=-?==?=-=?==---或:饱和区流子浓度,处于强电离掺杂浓度远大于本征载的本征载流子浓度时,解:

15. 掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料,分别计算①300K ;②600K 时费米能级的位置及多子和

少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。

3

1703

173

152

03

143

150315310/10/108000)4(/1014.12

4~/104500)3(/10/10/103002.13cm n n cm n K cm n N N n N cm n K cm N n cm N cm n K i i i D D D i D D i =≈=?≈++=

?==≈=<<=时,过度区

时,强电离区时,)(

eV n p T k E E cm n cm p n p n N n p cm n K T eV N p T k E E eV

n p T k E E cm p n n cm p a cm n K T i i F i A i v

V E i i E i i 025.01011062.1ln 052.0ln /1017.6/1062.1/101600)2(184.0ln

359.01010ln 026.0ln /1025.2/10,/105.1300)1(16

16

00

3

15031602

00003160

01016

003

40

2

03

160310-=??-=-=-?=?==+=?==-=-=--=-=-=-?===?==处于过渡区:时,或杂质全部电离时,

16. 掺有浓度为每立方米为1.5?1023砷原子 和立方米5?1022铟的锗材料,分别计算①300K ;②600K 时

费米能级的位置及多子和少子浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。

浓度接近,处于过度区

本征载流子浓度与掺杂和区度,所以处于强电离饱度远大于本征载流子浓能够全部电离,杂质浓杂质在解:3

1713

17

003

917

26

02031703

133********:60022.0102101ln 026.0ln 1010

1104101300102:300105,105.1------?==??==-=??==?=-=?=?=?=cm n K eV n n T k E E cm n n p cm N N n K cm n K cm N cm N i i i F i A D i A D

eV n n T k E E n n p n N N N N n n p n N p N n i i F i i A D A D i D A 01.010

2106.2ln 072.0ln 106.1106.22

4)(17

17

0017

2

0172

2020000=??==-?==?=+-+-=

=+=+

17. 施主浓度为1013cm 3的n 型硅,计算400K 时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位

置。

18. 掺磷的n 型硅,已知磷的电离能为0.044eV ,求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

19. 求室温下掺锑的n 型硅,使E F =(E C +E D )/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV 。

eV

n n T k E E cm n n p n N N n n np N p n cm n K cm N si i i F o i i D D i

D i D 017.01011062.1ln 035.0ln /1017.61062.14212,0(/101400,/10:.1713

13

03

122

01322

2

313313=???==-?==?=++=???==--?==查表)时,3

18026

.0062

.019

0000/191015.5%503

1054.2108.2534.0,12.1:062.02ln 026.0044.02ln 2ln 2ln .221211.180cm N N n cm e

e

N n eV E E eV E si eV

E E T k E E T k E E T k E E e

N n T

k E E e N n D D T

k E E c i F g c C D C D F D F

koT E E D D F D D

D F C F

D ??=∴=?=??===-=-=--=?-=-=-===-+=

-

--

-则有解:002

103

181********)

exp(2120195

.022/1048.93.014

.32

108.2)71.0(220195.02

039

.022222

.19T k E E N T k E E F N E E E E E E E n n cm F N T k E E F N n T

k E E E E E E E E E E E E E D F D C F C D C D D C D F D C C F c D C D C C D C C F C D

C F -+=??????-=-=-+=-=?=???=-=?

?????-=∴<==-=--=+-=-∴+=+求用:发生弱减并解:πππ

20. 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n 型衬底上外延一层n 型外延层,再在外延层中扩散硼、磷而

成的。

(1)设n 型硅单晶衬底是掺锑的,锑的电离能为0.039eV ,300K 时的E F 位于导带下面0.026eV 处,

计算锑的浓度和导带中电子浓度。

(2)设n 型外延层杂质均匀分布,杂质浓度为4.6?1015cm -3,计算300K 时E F 的位置及电子和空穴浓

度。

(3)在外延层中扩散硼后,硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2?1015cm -3,

计算300K 时E F 的位置及电子和空穴浓度。

(4)如温度升到500K ,计算③中电子和空穴的浓度(本征载流子浓度数值查图3-7)。

2

0000314105.11060

03

514210020314151503

415

2

100203

15003

19026.0013

.0000003

1819

2

100,104500)4(276.0ln 026.0ln

/1075.3106)105.1(/106106.4102.53/1089.410

6.4)105.1(/106.4223.0ln 300)2(/100

7.4)21()exp(21()

exp(21/1048.93.014

.3108.22)1(2026.01.2010

14

i D A i i

i F i D A i D C C D c F D

F D D

F D

D c

F C n p n N p N n cm n K eV n p T k E E cm

p n n cm N N p cm n n p cm N n eV

E N N

T k E E K cm e n T k E E n N T

k E E N n n cm F N n T k E E =+=+?=-==-=-?=??==?=?-?=-=?=??==?==-=+=?=+=-+=∴-+=

=?=???=

-=

∴==--??+

处于过度区时:)(时杂质全部电离

,发生弱减并)(π

eV n p T k E E n p i

i E 0245.0ln 109.11083.80

0140140-=-=-?=?=

21. 试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少?

22. 利用上题结果,计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离?导带中电子浓度为多少?

)

(/107.121)2(14.31005.12)

/1081.7)21(1.014

.3108.2221)2(22)

exp(212.

21318026

.00394.02119

3

18026

.0008.019

026.0008

.02100021Ge cm e F N Si cm e

e F N N T k E E T

k E E N T k E E F N Ge si D C

D F C D F D C F C

?=??

????+-??=?=+????=??

????+-=

=--+=?

?????----(发生弱减并ππ3

18026

.00394

.01803

18026

.0008.018

0001018.121107.1:101.3211081.7:)

exp(21--+--

++

?=+?==?=+?=

=-+=

=cm e

n n Ge cm e

n n Si T

k E E N n n D D

D

F D

D

材基第三章习题及答案

第三章 作业与习题的解答 一、作业: 2、纯铁的空位形成能为 105 kJ/mol 。将纯铁加热到 850℃后激冷至 室 温( 20℃),假设高温下的空位能全部保留,试求过饱和空位浓度与室 温平衡空位浓度的比值。 (e 31.8=6.8X1013) 6、如图 2-56,某晶体的滑移面上有一柏氏矢量为 b 的位错环, 并 受到一均匀切应力τ。 (1)分析该位错环各段位错的结构类型。 (2)求各段位错线所受的力的大小及方向。 (3)在τ的作用下,该位错环将如何运动? (4)在τ的作用下,若使此位错环在晶体中稳 定不动,其最小半径应为多大? 直。 (3)右手法则( P95):(注意:大拇指向下, P90 图 3.8 中位错环 ABCD 的箭头应是向内,即是 位错环压缩)向外扩展(环扩大) 。 解: (2)位错线受力方向如图,位于位错线所在平面,且于位错垂

如果上下分切应力方向转动180 度,则位错环压缩。

d s Rd ; sin d 2 d / 2 注:k 取 0.5 时,为 P104中式 3.19 得出的结果。 7、在面心立方晶体中,把两个平行且同号的单位螺型位错从相距 100nm 推进到 3nm 时需要用多少功(已知晶体点阵常数 a=0.3nm,G=7 ﹡ 10 1010Pa )? 8、在简单立方晶体的( 100)面上有一个 b=a[001] 的螺位错。如 果 它(a ) 被(001)面上 b=a[010] 的刃位错交割。 (b ) 被(001)面上 b=a[100] 的螺位错交割, 试问在这两种情形下每个位错上会形成割阶还是弯折? ((a ):见 P98图 3.21 , NN ′在(100)面内,为扭折,刃型位错; (b ) 图 3.22 ,NN ′垂直( 100)面,为割阶,刃型位错) b [110 ] 9、一个 2 的螺位错在( 111)面上运动。若在运动过程中 遇 到障碍物而发生交滑移,请指出交滑移系统。 对 FCC 结构:( 1 1 -1 )或写为( -1 -1 1 ) a b [110 ] 10、面心立方晶体中,在( 111)面上的单位位错 2 ,在 ( 111) (4) P103-104 : b d s 2T sin d 2 kGb 2 b kGb 100 (w Gb ln 1300 ; 3 1.8X10-9J )

半导体物理学试题库完整

一.填空题 1.能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。(二阶导数.内部势场) 2.半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________(即量子态按能量如何分布)和_________(即电子在不同能量的量子态上如何分布)。(状态密度.费米分布函数) 3.两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。(正.相等) 4.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。([100]. 间接带隙) 5.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________;形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。(弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷) 6.在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。(1/2.1/1+exp(2)) 7.从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。(间接带隙.直接带隙) 8.通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。(玻尔兹曼分布.费米分布) 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。(温度.禁带宽度) 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构;与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。(金刚石.闪锌矿) 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。(直接.间接) 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。(电离杂质的散射.晶格振动的散射) 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类:_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。(电子和空穴.复合中心)

人教版物理必修一试题第三章综合练习答案

第三章力的相互作用 一、单选题(每题只有一个正确答案,4X10=40分) 1.如图所示,物体A和B一起沿斜面匀速下滑,则物体A受到的力是 A.重力,B对A的支持力 B.重力,B对A的支持力、下滑力 C.重力,B对A的支持力、摩擦力 D.重力,B对A的支持力、摩擦力、下滑力 2.质量为m的木块在置于桌面上的木板上滑行,木板静止, 它的质量M=3m。已知木块与木板间、木板与桌面间的动摩擦因 数均为μ,则木板所受桌面的摩擦力大小为: A、μmg B、2μmg C、3μmg D、4μmg 3.如图所示,A、B、C三个物体的质量相等,有F=1N的两个水平力作用于A、B两个物体上,A、B、C都静止,则地面对A物体、A物体对B物体、B物体对C物体的摩擦力分别为: A.1N、2N、1N B.1N、0、1N C.0、1N、0 D.1N、1N、0N 4.向南踩行的自行车前轮和后轮和向南推行的自行车前轮和后 轮分别受到的摩擦力方向为: A.向北、向南;向北、向南 B.向南、向北;向南、向南 C.向南、向北;向北、向南 D.向北、向南;向北、向北 5.一个物体质量为m,沿倾角为θ的斜面下滑,则下面关于此受力分析图中,说法正确的是: A.GX为下滑力,施力物体是斜面 B.GY是物体对斜面的压力,施力物体是物体 C.N和G的合力等于GX D.若物体匀速下滑,则没有摩擦力 6.如图所示传动带装置,大轮为主动轮,通过皮带带动 从动轮逆时针转动,则此时皮带上的两点P和Q受到轮 子的摩擦力方向分别是: A.向前、向前 B.向后、向后 C.向前、向后 D.向后、向前 7.如图所示,有一个直角支架AOB,AO 水平放置, 表面粗糙,OB竖直向下,表面光滑,AO 上套有小环P, OB上套有小环Q,两环质量均为m,两环间由一根质量 可忽略、不可伸展的细绳相连,并在某一位置平衡(如图),现将P 环向左移一小段距离,两环再次达到平衡,那么将移动后的平衡状态 和原来的平衡状态比较,AO杆对P环的支持力N、摩擦力f和细绳上 的拉力T的变化情况是: A.N不变,T变大,f不变B.N不变,T变小,f变小 C.N变小,T变大,f不变D.N变大,T变小,f变小 8.如下图所示,滑块A在斜向下的拉力F的作用下向右做匀速运动, 那么A受到的滑动摩擦力f与拉力F的合力方向是: A.水平向右;B.向下偏右; C.向下偏左;D.竖直向下。 二、多选题(每题至少有两个答案是正确的,每题五分,选对部分答案得二分,选错或不选得零分,共20分。) 9.关于弹力的说法,错误的是: A.物质互相接触,就有弹力的相互作用。 B.物体发生弹性形变,就必然对别的物体产生力作用。 C.由胡克定律可得:k=F/x,可知弹簧的劲度系数与弹力成正比,与形变量成反比。 D.压力和支持力的方向都垂直于物体的接触面,绳的拉力沿绳而指向绳收缩的方向 10.如图所示,在水平力F的作用下,重为G的物体保持沿竖直墙壁匀速下滑,物体与墙之间的动摩擦因数为μ,物体所受摩擦力大小为:() F F

人教版高中生物必修二第七章过关检测题库

章末过关检测 (时间:60分钟满分:100分) 一、选择题(共14小题,每小题4分,共56分) 1.自然选择是指 () A.生物繁殖的能力超越生存环境的承受力 B.生物的过度繁殖引起生存斗争 C.在生存斗争中适者生存 D.遗传使微小有利变异得到积累和加强 答案 C 解析在生存斗争中,具有有利变异的个体容易生存下来,具有有害变异的个体容易死亡。这样适者生存,不适者被淘汰的过程称为自然选择。 2.达尔文自然选择学说的局限性在于 () A.不能解释生物进化的原因 B.不能解释生物的多样性和适应性 C.不能解释生物现象的统一性 D.不能解释生物的遗传和变异特性 答案 D 解析由于受当时遗传理论知识的限制,达尔文只是从个体水平和性状水平上,对遗传、变异现象进行了观察和描述,但不能解释其本质。 3.现代生物进化理论是在达尔文自然选择学说的基础上发展起来的,现代生物进化理论对自然选择学说的完善和发展表现在 () ①突变和基因重组产生进化的原材料②种群是生物进化的基本单位③自

然选择是通过生存斗争实现的④自然选择决定生物进化的方向⑤生物进化的实质是基因频率的改变⑥隔离导致物种形成⑦适者生存,不适者被淘汰 A.②④⑤⑥⑦B.②③④⑥ C.①②⑤⑥D.①②③⑤⑦ 答案 C 解析现代生物进化理论认为:种群是生物进化的基本单位,生物进化的实质在于种群基因频率的改变。突变和基因重组产生生物进化的原材料,隔离是新物种形成的必要条件,形成新物种的标志是产生生殖隔离。 4.在某一使用除草剂的实验田中,选到了能遗传的耐除草剂的杂草X,将它与敏感型杂草Y杂交,结果如下表所示,下列分析错误的是 () A B.除草剂对杂草的耐药性进行了定向选择 C.耐药型基因在接触除草剂之前就已产生 D.A和B杂交子代群体中耐药基因频率占100% 答案 D 解析根据现代生物进化理论,突变是不定向的,耐药型基因和敏感型基因可以互相突变而成,耐药型基因在接触除草剂之前就已产生,而除草剂对杂草的耐药性起了选择作用。无论该等位基因属于何种遗传方式,A和B杂交后,其子代的耐药基因频率都不会是100%。

半导体物理学练习题(刘恩科)

第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。 解:K状态电子的速度为: (1)同理,-K状态电子的速度则为: (2)从一维情况容易看出: (3)同理 有: (4) (5) 将式(3)(4)(5)代入式(2)后得: (6)利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同,且v(k)=-v(-k)故这两个状态上的电子电流相互抵消,晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成: 式中,a为晶格常数。试求: (1)能带的宽度; (2)能带底部和顶部电子的有效质量。 解:(1)由E(k)关 系 (1)

(2) 令得: 当时,代入(2)得: 对应E(k)的极小值。 当时,代入(2)得: 对应E(k)的极大值。 根据上述结果,求得和即可求得能带宽度。 故:能带宽度 (3)能带底部和顶部电子的有效质量: 习题与思考题: 1 什么叫本征激发?温度越高,本征激发的载流子越多,为什么?试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。

5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV,晶格常数a=5×10-11m。求: (1)能带宽度; (2)能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同? 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响? 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念?用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性? 9 一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此?为什么? 10有效质量对能带的宽度有什么影响?有人说:“有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄。”是否如此?为什么? 11简述有效质量与能带结构的关系? 12对于自由电子,加速反向与外力作用反向一致,这个结论是否适用于布洛赫电子? 13从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同? 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性?以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系? 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 17有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等?彼此有何联系? 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰? 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为= 0.97, =0.19和=0.16,=0.53,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能; (2)基态电子轨道半径 解:(1)利用下式求得和。

第三章机考题库

一、多选题 1、学完《信息技术基础》必修模块后,某同学共完成了以下几个作品: A、电子报刊《爱鸟报》 C、学生学籍管理系统 E、2005 年十运会奖牌分布情况统计表 F、网页“logo图标”的设计 G、在线翻译一篇文章 H、片头动画的制作 判别该同学完成的作品中:属于程序设计自动化信息加工类型的是()。 参考答案:B、C、D 知识点:3 2、学完《信息技术基础》必修模块后,某同学共完成了以下几个作品: A、电子报刊《爱鸟报》 B、二次函数画图程序 C、学生学籍管理系统 D、100米决赛成绩排序程序 E、2005 年十运会奖牌分布情况统计表 F、网页“logo图标”的设计 G、在线翻译一篇文章 H、片头动画的制作 判别该同学完成的作品中:属于大众信息技术工具人性化信息加工类型的是()。 参考答案:A、E、F、H 知识点:3 3、1、学完《信息技术基础》必修模块后,某同学共完成了以下几个作品: A、电子报刊《爱鸟报》 B、二次函数画图程序 C、学生学籍管理系统 D、100米决赛成绩排序程序 E、2005 年十运会奖牌分布情况统计表 F、网页“logo图标”的设计 G、在线翻译一篇文章 H、片头动画的制作 判别该同学完成的作品中:属于人工智能技术智能化信息加工类型的是()。 参考答案:G 知识点:3 4、计算机信息加工的类型有()。 A、基于程序设计的自动化信息加工 B、基于大众信息技术工具的人性化信息加工 C、基于人工智能的智能化加工 参考答案:A、B、C 知识点:3

5、以下关于信息的编程加工的说法中,准确的是()。 A、编程加工利用计算机的高速运算水平能够加工批量的信息 B、编程加工能够提升信息加工的效率 C、编程加工能够针对具体问题编写专门的程序来实现信息加工的自动化 参考答案:A、B、C 知识点:3 二、选择题 1、一位爱好程序设计的同学,想通过程序设计解决“鸡兔同笼”的问题,他制定的如下工作过程中,更恰当的是()。 A、分析信息、设计方法、编写代码、调试运行 B、提出问题、编写代码、设计方法、调试运行 C、设计方法、编写代码、分析信息、调试运行 D、提出问题、设计代码、编写代码、调试运行 参考答案:A 知识点:3 2、扫描仪是一种()仪器。 A、语音识别 B、光学字符识别 C、手写识别 参考答案:B 知识点:3 3、属于人工智能研究领域的是()。 A、自动控制和网络化 B、计算机技术和传感技术 C、模式识别和自然语言理解 D、分类识别和语义分析 参考答案:C 知识点:3 4、现在机器人是一个比较热门的话题,机器人利用的技术是()。 A、网络技术 B、人工智能技术 C、编程技术 D、自动化信息加工技术 参考答案:B 知识点:3 5、Word 软件中有一个“大眼夹”,当用户插入图片时,它会提示相关信息,表明它有()。

第七章试题和答案

第七章试题及答案 一、单项选择题(每题1.5分,共30分) 1.在教师的整体素质中,()是关键。 a文化素质,b专业素质c职业道德c教学能力 2.“()”重要思想体现在教育战线上主要就是要加强教师职业道德建设。 a以德治国b以德育人c依法治国d又红又专 3.新时期,教师的劳动具有如下特点() a.知识性、专业性、长期性、创造性、示范性、艺术性b知识性、专业性、长期性、创造性、示范性、唯一性c知识性、专业性、长期性、创造性、科学性、艺术性d知识性、专业性、相互性、创造性、示范性、艺术性 4“唯有教师善于读书,深有所得,才能教好书。”这句话是()说的。 a陶行知b叶圣陶c苏霍姆林斯基d杜威 5新时期高等教育肩负三大职能是() a.培养人才、创新文化、服务社会b培养人才、创新科技、服务社会c培养人才、创新科技、服务国家d培养精英、创新科技、服务社会 6.高校应以()为中心。 a教学b科研c学科建设d管理 7高校要建立“三位一体”的教师职业道德监督网络是指() a学校、社会、家庭b学校、学生、教师c学校、学生、网络d学校、学生、家庭 8. “三人行,必有我师焉。择其善者而从之,其不善者而改之。”这句话是我国古代著名教育家()说的。 a孔子b韩愈c朱熹d王阳明 9建立和完善师德教师保障制度,尤其在()等方面要建立一个长效机制。a工作机制、约束机制、考核机制b激励机制、处罚机制、考核机制c激励机制、约束机制、奖励机制d激励机制、约束机制、考核机制 10教师人格魅力的基础条件是() a渊博的知识b崇高的职业道德c爱心d奉献精神 11构成教师人格魅力的前提条件是() a高尚的灵魂b知识广博c爱心d敬业 12.高校教育质量的决定性因素是() a教学水平b科研水平c教师素质d学生素质 13在高等教育中,要实现以学生为本,需要高校转变观念,并在教育实践中采取相应措施。以下所列各措施中,不属于这一措施的是() a尊重学生的个性b开展个性化教学c关心学生身心健康d实施人才强校战略 14高校教师的中心任务是() a科研b教学c创收d社会实践 15“教师是人类灵魂的工程师。在我国,人民教师是社会主义精神文明的传播者和建设者。”这是()同志在全国第三次教育工作会议上指出的。邓小平b 江泽民c胡锦涛d温家宝 16.学校管理的中心内容和校长领导水平与领导艺术的最重要体现是()

第三章习题7答案

1 借:生产成本40000 贷:原材料40000 2. 仓库发出辅助材料2000元,供车间使用。 借:制造费用2000 贷:原材料2000 3. 从银行存款中提取现金30000元。 借:库存现金 30000 贷:银行存款30000 4. 以现金支付职工工资24000元。 借:应付职工薪酬24000 贷:库存现金24000 5. 向光明厂购入甲材料14000元,增值税税率17%,该厂垫付运杂费1000元,货款以银行存款支付。材料已验收入库,按其实际采购成本转账。 借:在途物资—甲15000 应交税费——应交增值税(进项)14000*17%=2380 贷:银行存款17380 验收入库:借:原材料—甲15000 贷:在途物资—甲15000 6. 向八一厂购入乙材料40000元,增值税税率17%。货款以商业承兑汇票结算,材料已到达并验收入库。 借:在途物资–乙40000 应交税费——应交增值税(进项)40000*17%=6800 贷:应付票据46800 7. 以库存现金支付上述购入材料的搬运费600元,并按其实际采购成本转账。 借:在途物资–乙600 贷:库存现金600 验收入库:借:原材料–乙40600 贷:在途物资–乙40600 8. 收到新华厂还来欠款3000元,存入银行。 借:银行存款3000 贷:应收账款 3000 9. 以银行存款支付上月应交税费1000元。 借:应交税费1000 贷:银行存款1000 10. 本月份职工工资分配如下: A产品生产工人工资10000元 B产品生产工人工资10000元 车间职工工资3000 元 管理部门职工工资1000 元 合计24000元 借:生产成本20000 制造费用3000 管理费用1000 贷:应付职工薪酬24000

半导体物理学题库20121229

1.固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类,它们之间的主要区别是 。 2.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半 导体称 N 型半导体。 3.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 4.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载 流子将做 漂移 运动。 5.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那末, 为非 简并条件; 为弱简并条件; 简并条件。 6.空穴是半导体物理学中一个特有的概念,它是指: ; 7.施主杂质电离后向 带释放 ,在材料中形成局域的 电中心;受主杂质电离后 带释放 , 在材料中形成 电中心; 8.半导体中浅能级杂质的主要作用是 ;深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________;本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ,受主杂质电离后向半导体提供 ,本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料,温度一定时,较少掺杂浓度,将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时,半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数,它只与 和 有关,而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体? 13.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不 变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 14.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 15. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 16.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 17.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。

马原课机考试题库第三章试题及答案

第三章试题清单(含答案) 一.单选题 1.马克思主义认为,人类社会赖以存在和发展的基础是:() A.吃喝穿住 ( ) B.人的自觉意识活动 ( ) C.物质生产活动(√) D.社会关系的形成 ( ) 世纪50年代,北大荒人烟稀少、一片荒凉。由于人口剧增,生产力水平低下,吃饭问题成 为中国面临的首要问题,于是人们不得不靠扩大耕地面积增加粮食产量,经过半个世纪的开垦,北大荒成了全国闻名的“北大仓”。然而由于过度开垦已经造成了许多生态问题。现在,黑龙江垦区全面停止开荒,退耕还“荒”。这说明:() A.人与自然的和谐最终以恢复原始生态为归宿 ( ) B.人们改造自然的一切行为都会遭到“自然界的报复” ( ) C.人在自然界面前总是处于被支配的地位 ( ) D.人们应合理地调节人与自然之间的物质变换(√) 3.“许多事情我们可以讲一千个理由、一万个理由,但老百姓吃不上饭,就没有理由。‘民以食为天’”。这说明:() A.人的生理需求是社会历史的基础 ( ) B.人的本质决定于人的自然属性 ( ) C.社会发展的根本动力是人的物质欲望 ( ) D.人们首先必须吃、喝、住、穿、行,然后才能从事政治、科技、艺术、宗教等活动(√) 4.制约人们行为及其动机的根本条件是:() A.生产方式(√) B.传统意识 ( ) C.政治制度 ( ) D.阶级关系 ( ) 5.下列哪一原理可以解释“大众心理影响经济走势”这一社会现象:() A.社会意识对社会存在具有决定作用 ( ) B.社会意识反作用于社会存在(√) C.社会心理可以左右社会发展方向 ( ) D.只有正确的社会意识才能影响社会发展 ( ) 6.社会意识主要是对:() A.物质资料生产方式的反映(√) B.阶级斗争的反映 ( ) C.统治阶级意志的反映 ( ) D.社会发展规律的反映 ( )

钻井工程试题及答案(第七章)

第七章固井与完井 一、选择题 二、填空题 三、名词解释 1.何谓双向应力椭圆? 答: 在轴向上套管承受有下部套管的拉应力,在径向上存在有套管内的压力或管外液体的外挤力,套管处于双向应力的作用中。根据第四强度理论,列套管破坏的强度条件方程: 2 2 2 (T z+b t - (T t (T z= d s 改写为:( T z/ d s) -( d z d t )/ T s +( T t / T s) =1 得一椭圆方程。 用d z/ d s的百分比为横坐标,用 d t/ d s的百分比为纵坐标,绘出的应力图,称为双向应力 椭圆。 2.何谓前置液体系? 答:前置液是注水泥过程中所用的各种前置液体的总称。前置液体系是用于在注水泥之前,向井中注入的各种专门液体。 四、简答题 1.简述套管的的种类及其功用。 答: (1)表层套管,表层套管是开始下入的最短最浅的一层套管,表层套管主要有两个作用:一是在其顶部安装套管头,并通过套管头悬挂和支承后续各层套管;二是隔离地表浅水层和浅部复杂地层,使淡水层不受钻井液污染。 (2)中间套管,亦称技术套管。介于表层套管和生产套管之间的套管都称中间套管,中间套管的作用是隔离不同地层孔隙压力的层系戒易塌易漏等复杂地层。 (3)生产套管。生产套管是钻达目的层后下入的最后一层套管,其作用是保护生产层,并给油气从产层流到地面提供通道。 (4)钻井衬管,亦称钻井尾管。钻井衬管常在已下入一层中间套管后采用,即只要裸眼井段下套管注水泥,套管柱不延伸至井口。采用钻井衬管可以减轻下套管时钻机的负荷和固井后套管头的负荷,同时又可节省大量套管和水泥,降低固井成本。

2.井身结构设计的原则是什么? 答: 进行井身结构设计所遵循的原则主要有: (1)有效地保护油气层,使不同地层压力的油气层免受钻井液的损害。 (2)应避免漏、喷、塌、卡等井下复杂情况的发生,为全井顺利钻进创造条件,以获得最短建井周期。 (3)钻下部地层采用重钻井液时产生的井内压力不致压裂上层套管外最薄弱的裸露地层。 (4)下套管过程中,井内钻井液柱的压力和地层压力之间的压力差,不致产生压差卡套管现象。 3.套管柱设计包括哪些内容?设计原则是什么?答:套管柱设计包括套管的强度计算;有效外在计算;及套管柱强度设计。 套管柱设计原则: ( 1)应能满足钻井作业、油气层开发和产层改造的需要; ( 2)在承受外载时应有一定的储备能力; ( 3)经济性要好。 4.套管柱在井下可能受到哪些力的作用?主要有哪几种力?答:套管柱在井下可能受到的力包括:( 1)轴向拉力:套管本身自重产生的轴向拉力、套管弯曲引起的附加应力、套管内注入水泥引起的套管柱附加应力及动载和泵压变化等引起的附加应力。 ( 2)外挤压力:主要有套管外液柱的压力,地层中流体的压力、高塑性岩石的侧向挤压力及其他作业时产生的压力。 ( 3)内压力:主要来自地层流体(油、气、水)进入套管产生的压力及生产中特殊作业(压裂、酸化、注水)时的外来压力。 主要受:轴向拉力、外挤压力及内压力。 5.目前主要有几种套管柱的设计方法?各有何特点? 答: ( 1)等安全系数法:它的设计思路是使各个危险截面上的最小安全系数等于或大于规定的安全系数。 ( 2)边界载荷法:它的优点是套管柱各段的边界载荷相等,使套管在受拉时,各段的拉力余量是相等的,这样可避免套管浪费。 ( 3)最大载荷法:其设计方法是先按内压力筛选套管,再按有效外挤力及拉应力进行强度设计。该方法对外载荷考虑细致,设计精确。 (4) AMOCO设计方法:该方法在抗挤设计中考虑拉力影响,按双轴应力设计,在计算外载时考虑到接箍处的受力,在计算内压力时也考虑拉应力的影响。

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

AHA12GAGGAGAGGAFFFFAFAF 第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解: 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。 3 22 233*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ= +-=-== = =-=*+ + ? ?** )() (单位体积内的量子态数) () (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'21 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si -=??? ? ??+?=+++====+++=* ****系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则:令) (关系为 )(半导体的、证明:[] 3 1 23 2 21232' 212 3 2 31 '2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E =-==∴-??? ?????+??==∴?=??=+** πππ)方向有四个, 锗在(旋转椭球, 个方向,有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

半导体物理学 (第七版) 习题答案

半导体物理习题解答 1-1.(P 32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k )和价带极大值附近能量E v (k )分别为: E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h -0 2 23m k h ; m 0为电子惯性质量,k 1=1/2a ;a =0.314nm 。试求: ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(=0232m k h +0 12)(2m k k h -=0;可求出对应导带能量极小值E min 的k 值: k min = 14 3 k , 由题中E C 式可得:E min =E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ; 由题中E V 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k max =0; 并且E min =E V (k)|k=k max =02126m k h ;∴Eg =E min -E max =021212m k h =2 02 48a m h =11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????=0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=;∴ m n =022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=,∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k =h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1-2.(P 33)晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107V/m 的电场时,试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ,∵F =h dt dk =q E (取绝对值) ∴dt =qE h dk

高一化学必修一第三章测试题(附答案)

高一化学必修一第三章测试题(附答案) 一、选择题( 每小题只有一个选项符合题意,每小题2分,共32 分) 1. 钠跟水反应时的现象,与钠的下列性质无关的是( ) A. 钠的熔点低 B. 钠的密度小 C. 钠的硬度小 D. 有强还原性 2. 某无色溶液中放人铝片后有氢气产生,则下列离子在该溶液中肯定可以大量存在的是( A 。Na+ B.Mg2+ C.OH- D.HCO3- 3. 用光洁的铂丝蘸取某无色溶液,在无色灯焰中灼烧时,观察到黄色火焰,下列有关叙述中正确的是( ) A. 只有Na+ B. 一定含Na+,也可能含K + C.既有Na+又有K+ D.可能含Na+,也可能含K + 4. 在空气中能生成致密氧化膜的金属是( ) A.Al B.Cu C.Fe D. Na 5. 区别固体Na2CO3和NaHCO最好的方法是() A. 加热 B. 两者分别与同浓度的稀盐酸反应 C,溶于水,比较其溶解性 D.两者分别加入NaOH容

液或石灰水 6. 等质量的钠进行下列实验,其中生成氢气最多的是 A. 将钠投入到足量水中 B. 将钠用铝箔包好并刺一些小孔,再放入足量水中 C. 将钠放入足量稀硫酸中 D. 将钠放入足量稀盐酸中 7. 决定金属性强弱的是( ) A.1 个金属原子失去电子的多少 B.1 mol 金属与酸反应放出氢气的多少 C.1 mol 金属失去电子的多少 D. 金属原子失去电子的难易程度 8. 用来检验Fe3+是否存在的最佳试剂是() A.H2S B.NaOH C.Na2CO3 D.KSCN 9. 合金有许多特点,如钠一钾合金为液体,而钠和钾的单质均为固体,据此推测,生铁、纯铁、碳三种物质的熔点最低的是( ) A. 生铁 B. 纯铁 C. 碳 D. 无法确定 10. 将5 g 某金属加入到100 mL 2 mol/L 的硫酸溶液 中,当硫酸浓度降到原浓度的一半时(设溶液体积不变) ,金属还没有全部溶解。该金属可能是( ) A.Al B.Zn C.Fe D.Mg

仪器分析题库,第七章答案

2(C)、3(D) 、5(B)、7 (C)、8(D)、9(C)、 10(D)、12(C)、13(A)、15(A) 、16(D)、18(B)、19(A)、20 (A)、21(A)、22 (C)、23 (A)、24 (A)、25(C) 、30(D)、32 (C)、33(A)、34(D)、36 (C)、37(C)、41(A )、44(C)、45( D) 1、共振(吸收)线。 2、不会改善 3、自吸 4、各种元素的原子核外层电子基态与激发态之间的能级差( E)大小不同,受 激跃迁时,不同的原子都有其特征的光谱线及线组;2~3条。 5、高频发生器、等离子炬管、雾化器; 稳定性好、基体效应小、线性范围宽、检出限低、应用范围广、自吸效应 小、准确度高。 6、Li的670.785nm的原子线;Be的313.042的一级离子线。 7、元素光谱图中的铁光谱线为波长标尺,可为查找谱线时作对照用。 8、第一激发态, 基态. 9、分辨率色散率 11、分析线或分析线对有背景干扰扣除背景 14、铁谱比较法标准试样光谱比较法

15、谱线波长标尺来判断待测元素的分析线 1、答:因为谱线强度I不仅与元素的浓度有关,还受到许多因素的影响,采用内标法 可消除操作条件变动等大部分因素带来的影响,提高准确度。 可作内标法分析线对的要求是: 1.两谱线的激发电位相同或接近。 2.波长尽可能接近,无自吸。 3.两谱线的强度不应相差太大。 4.两谱线应不受其它谱线干扰。 3、答:当某一元素的谱线射出弧层时,由于弧层外部的同类冷原子对此辐射产生吸收,使得光强与原子的浓度不呈正比关系,这种现象称为自吸。 5、答:原子线:原子被激发所发射的谱线。 离子线:离子被激发所发射的谱线。 灵敏线:一些激发电位低的谱线,它的发光强度大。 分析线:分析过程中所使用的谱线,也即确定某一元素是否存在的谱线。 分析线对:定量分析中的分析线对由分析线与内标线组成。从被测元素中选一根谱线作为分析线,从内标元素中选一条谱线作为内标线,以它们的相对强度比lg R作工作曲线,使光源强度对谱线强度影响得到补偿。 6、答:最后线: 元素含量减少而最后消失的谱线。

半导体物理学(第7版)第三章习题和答案

第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E 之间单位体积中的量子态数。 解: 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。 3 22 23 3*28100E 21 23 3 *22100E 002 1 233*231000L 8100)(3 222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22 C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c )() (单位体积内的量子态数) () (21)(,)"(2)()(,)(,)()(2~.2'2 1 3'' ''''2'21'21'21' 2 2222 22C a a l t t z y x a c c z l a z y t a y x t a x z t y x C C e E E m h k V m m m m k g k k k k k m h E k E k m m k k m m k k m m k ml k m k k h E k E K IC E G si ? 系中的态密度在等能面仍为球形等能面 系中在则:令) (关系为 )(半导体的、证明: 3 1 23 2212 32' 2123 2 31'2 '''')()2(4)()(111100)()(24)(4)()(~l t n c n c l t t z m m s m V E E h m E sg E g si V E E h m m m dE dz E g dk k k g Vk k g d k dE E E ?? ? ? )方向有四个, 锗在(旋转椭球,个方向,有六个对称的导带底在对于即状态数。 空间所包含的空间的状态数等于在

第三章一元一次方程单元测试题及答案

第三章一元一次方程 单元测试题 一、 选择题(每小题3分,共36分) 1.下列等式中是一元一次方程的是( ) A .S=21ab B. x -y =0 C.x =0 D .3 21+x =1 2.已知方程(m +1)x ∣m ∣ +3=0是关于x 的一元一次方程,则m 的值是( ) A.±1 B.1 C.-1 D.0或1 3.下列解方程过程中,变形正确的是( ) A.由2x -1=3得2x =3-1 B.由4x +1=1.013.0+x +1.2得4x +1=1 103+x +12 C.由-75x =76得x =-7675 D.由3x -2 x =1得2x -3x =6 4.已知x =-3是方程k (x +4)-2k -x =5的解,则k 的值是( ) A.-2 B.2 C.3 D.5 5.若代数式x -3 1x +的值是2,则x 的值是 ( ) (A)0.75 (B)1.75 (C)1.5 (D) 3.5 6.方程2x -6=0的解是( ) A.3 B.-3 C.±3 D.31 7.若代数式3a 4b x 2与0.2b 13-x a 4是同类项,则x 的值是( ) A.21 B.1 C.3 1 D.0 8. 甲数比乙数的4 1还多1,设甲数为x ,则乙数可表示为 ( ) A.14 1+x B.14-x C.)1(4-x D. )1(4+x 9.初一(一)班举行了一次集邮展览,展出的邮票比平均每人3张多24张,比平均每人4张少26张,这个班共展出邮票的张数是( ) A.164 B.178 C.168 D.174 10.设P=2y -2,Q=2y +3,且3P-Q=1,则y 的值是( ) A. 0.4 B. 2.5 C. -0.4 D. -2.5 11.方程2-6 7342--=-x x 去分母得 ( ) A .2-2(2x -4)=-(x -7) B.12-2(2x -4)=-x -7 C.12-2(2x -4)=-(x -7) D.以上答案均不对 12.一件商品提价25%后发现销路不是很好,欲恢复原价,则应降价( ) A.40% B.20% C25% D.15%

半导体物理学试题及答案

半导体物理学试题及答案 半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度,则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度,则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度,则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时,它是( B )能级,在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时,它是( C )能级,在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关

6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大,变小 ; B、变小,变大; C、变小,变小; D、变大,变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中,AB段代表( A),CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为:( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载

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