福寿螺生长综述
福寿螺生长综述
摘要：福寿螺作为外来生物，在农业生产、寄生虫病传播等方面产生了一系列的影响，造成了难以估计的损失。其危害与温度成正相关，与其繁殖世代成正相关。综述了这些年人们对福寿螺繁殖的研究进展。
关键词：福寿螺繁殖温度栖息
0 前言
福寿螺（Pomacea canaliculata），属于软体动物们腹足纲，瓶螺科，瓶螺属。在中国报道了许多不同形态和生活习性的福寿螺分布各地。在20世纪80年代被引入亚洲的许多国家，包括菲律宾、越南、泰国和中国的广东省。福寿螺肉质鲜美，含有丰富的蛋白质、胡萝卜素、多种维生素和矿物质[1-2]。.由于含脂量低，是高血压、冠心病患者的优质滋补品。福寿螺个体大、食性广、适应性强、生长繁殖快、产量高。
1 福寿螺形态
福寿螺初孵幼螺体长1.8-2.5mm，贝壳透明，有3个螺层，螺旋部红色，红色为肠道残留的未消化的卵黄[3]。福寿螺成螺贝壳外观与田螺相似，但福寿螺的螺旋部小．螵层极大；福寿螺成螺有7个螺层，螺壳外观光泽，有的螺壳上有深色条纹；福寿螺幼螺螺壳较薄，壳色鲜艳，成螺螺壳稍厚，可达2mm，壳高可达70mm以上，福寿螺贝壳的缝合线处下陷呈浅沟，壳脐深而宽。福寿螺爬行时头部和腹足伸出。头部有触角2对，是主要感觉器官。前触角为吻部突起，短；后触角较长，伸展后可超过螺体。后触角的基部外侧各有一只眼睛，其眼睛只能感受光的强弱，不能成象。福寿螺螺体左边有一条肺吸管，来源于外套膜，为外套膜缘皮肤折叠而成，有较强伸缩性，不用时收缩成一个较短的突起，当需要时，可伸展成长度达到螺体壳高2．5倍的粗大的管状结构，起呼吸作用，因此福寿螺潜在水下也可呼吸空气[4]。福寿螺靠腹足爬行，也能在水面缓慢游泳。福寿螺在水沟里1周内可向上爬行100m，向下爬行500m[5]；成螺可年行2-3km。
2 福寿螺的繁殖
福寿螺雌雄异体，雄螺生殖器成管状，交配时通过管状生殖器与雌螺进行体内交配。每次交配一般需2—3小时，有时可长达3—5小时；福寿螺一次受精可连续多次产卵，产卵量大。交配后3—7天开始产卵，雌螺产卵时爬到离水面15—30厘米以上的池边干燥处、附着物以及水尘植物茎叶上产卵，其卵通过雌螺产卵时分泌的粘液粘附在附着物上。福寿螺产卵一般出现在晚上。一只成熟雌螺每隔3—5天产卵l块，一年可产卵20～40次，年产卵量可达近万粒：福寿螺产卵的卵块大小不一，内含200---500个卵粒，多的可达1000粒卵[6]。气温28℃～34℃，湿度68％～75％条件下，福寿螺的受精卵7～10天，便可孵出仔螺，第二天可以摄食。福寿螺胚胎发育过程分卵裂期、囊胚期、原肠期、担轮幼虫期、面盘幼虫期、幼螺形成期和孵化期等为7个时期。25℃气温下福寿螺从卵产生至孵出幼螺需274小时[7]。杨代勤等对湖北江陵福寿螺繁殖作了研究，水温20℃以上开始交配产，7-9月为产卵高峰，每月产卵4—5块，产卵间隔5-6天，一年产卵15-20块，每次产卵200-500粒，一年可产卵5000—9000粒，幼螺108天性成熟[8]。
3 温度对福寿螺生长的影响
温度对福寿螺的活动致关重要。研究表明水温28℃左右时福寿螺生长最快；水温低于12℃时，福寿螺活动能力减弱；水温8℃～10℃时福寿螺能安全越冬，福寿螺的临界安全存活温度为8℃，临界致死温度为2℃[9]。研究报道福寿螺能在10-35℃的温度中正常生活，生长发育的最佳温度范围是23—27℃，17℃是成年雌螺产卵的初始温度，25-30℃时产卵最旺盛，温度降到15℃以下时，福寿螺的活动和摄食能力明显下降，温度降至10℃时福寿螺停止活动和摄食，温度降至5℃时福寿螺会冻死[10]。研究报道福寿螺能耐受的临界低温是4℃[11]。报道福寿螺的致死高温为32℃以上，关于致死低温，认为福寿螺在0℃时可存活
15-20d，-3℃存活2d，-6℃存活仅6小时[12]。报道福寿螺的致死高温为40℃以上；致死低温是0℃可存活2d，-2℃存活2小时[13]。
4 福寿螺的栖息地
福寿螺一般栖息于各类流速缓慢或静止的淡水水域，多见于流速缓慢的河川及阴湿通气的沼泽、沟渠、池塘、河流、湖泊、以及各类水田等处，常集群栖息在水域的边缘浅水处，或在水中吸附在水生植物的根茎上，也能短时间离开水域在陆地上生活。刘中丽认为福寿螺具有两栖性，能够离开水体依靠肺呼吸空气生存相当长时间，但是离开水后它们的活动能力大大受限制。袁振生认为福寿螺栖息地一般水草丰盛、通气良好，它们能够忍受污浊的水质，但是更喜爱清洁的水体[14]。
4.1 栖息密度
福寿螺栖息密度，与环境因子关系密切；在湿地福寿螺个体较大，密度较高。自然湿地的福寿螺可达100只／m2，夏威夷芋头田密度最高记录为130只／m2，菲律宾的稻田一般是2-5只／m2，最高可达150只／m2，日本稻田为3-19只／m2[15]；在广西融水县和北流市发现稻田密度中福寿螺密度的最高记录是140只／m2[16-17]。Alejandra认为食物丰足度、温度、水的硬度等大量生物与非生物因素都会影响福寿螺的种群密度[18]。
5 福寿螺营养来源
福寿螺食性杂，偏食植物性饲料，主要饲料有浮萍、青菜叶、红薯藤、嫩绿青草、水浮莲、瓜果叶皮、麸皮、米糠、玉米粉等，也食少量的禽畜粪肥、腐殖质、甚至死鱼及禽畜尸体等等，几乎取食环境中的任何有机物质，在饥饿情况下连新闻报纸也吃[19]，有时也攻击其它螺类与螺卵。但正常情况下福寿螺对食物有一定的选择性，它们喜食软而易消化的植物，其生长速率与喜食植物的丰富度有关[20]。在研究不同饵料对福寿螺生长发育的影响中报道在浮萍、苎麻叶、空心莲子草中，浮萍喂养的福寿螺生长速度、性成熟和产卵量等最好。福寿螺能够通过水中化学信号从较远距离探测到喜食植物的存在。尽管对不同食物有一定偏爱，但是它们对食物的区别性不强，食性非常广。
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晶体生长的机理
第五章 一、什么是成核相变、基本条件 成核相变：在亚稳相中形成小体积新相的相变过程。 条件：1、热力学条件：ΔG=G S-G L<0；ΔT>0。2、结构条件：能量起伏、结构起伏、浓度起伏、扩散→短程规则排列（大小不等，存在时间短，时聚时散，与固相有相似结构，之间有共享原子）→晶坯→晶胞。 相变驱动力：f=-Δg/ΩS；Δg每个原子由流体相转变成晶体相所引起的自由能降低；ΩS单个原子的体积。 气相生长体系：(T0 P0)→(T0 P1)，Δg=-kT0σ，σ=α-1= P1/ P0；溶液生长体系：(C0 T0 P0)→(C1 T0 P0)，Δg=-kT0σ，σ=α-1= C1/ C0；熔体生长体系：Δg=-l mΔT/T m，l m单个原子的相变潜热。 二、均匀成核、非均匀成核 不含结晶物质时的成核为一次成核，包括均匀成核（自发产生，不是靠外来的质点或基底诱发）和非均匀成核。 三、均匀成核的临界晶核半径与临界晶核型成功 临界晶核：成核过程中，能稳定存在并继续长大的最小尺寸晶核。 ΔG=ΔG V+ΔG S，球形核ΔG=-4πr3Δg/ΩS+4πr2γSL→r C=2γSLΩS/Δg，r
生长曲线的拟合分析精编版
快大黄鸡（肉鸡）的生长曲线拟合分析表2-1 表2-2 Logistic生长曲线模型参数估计值： 表2-3logistic生长曲线模型显著性检验的方差分析表： 表2-4动物常用的三种生长曲线模型 注：本次采用第二种分析：logistic曲线模型
增重是一个连续的过程，在正常情况下表现为“S”型曲线，一般用生长曲线来描述体重随年龄的增加而发生的规律性变化。通常对动物的生长的拟合有3种，本次这做了logistic曲线，从拟合度可以看出，logistic曲线的拟合度很高。所以没有用其他两种常用的方法进行拟合分析。 拟合图： 分析： 表2-2列出了logistic生长曲线模型的参数估计值、各参数的标准误及参数95%的置信区间的上下限。可见logistic模型中的A、B和K分别为1743.841、31.353、0.726 。将A、B和K值代入方程，得logistic曲线方程： Y=1743.841/(1+31.353e -0.726t) 表2-3为模型的显著性检验的方差分析结果，此处给出了各变异来源的平方和、自由度和均方，给出了模型拟合的相关指数（即拟合度）R2=0.998.可见拟合优度达到了令人非常满意的程度。 由表2-4的公式可以计算出： 拐点体重：W=Ａ／２＝１７４３.８４１/２＝８７１.９２１（ｇ） 拐点日龄：（ｌｎB）/K＝（ｌｎ３１.３５３）/０.７２６＝４.７４５（周） 所以，快大鸡的周龄在４～５周时，出现了拐点，鸡的快大黄鸡的生长由缓慢进入了快速生长期，因此快大鸡在６～７周的的增重较快，此时是饲养管理的关键
时期，应当注意调理鸡的肠道菌落和鸡的球虫病的控制，以保证鸡的采食量，保证鸡的生长发育，创造更高的经济效益。鸡的累积生长曲线一般也呈“S”型曲线，但鸡的不同品种生长曲线也有差异，上表及上图是通过spss软件处理得到的。时间是1-7周龄，对于快大型的肉鸡来说，7-8周龄正是鸡的快速发展阶段。快大黄公鸡一般在45-50天出栏，母鸡一般在50-55天出栏。（即公鸡6-7周龄，母鸡7-8周龄）。因为呈“S”型曲线生长，７～８周过后，鸡的生长转慢，这时采食多，增重少，料肉比大，没有经济效益，所以，养殖户都选择在最适合的时机出栏。
单晶硅生长技术的研究与发展
单晶硅生长技术的研究与发展 摘要：综述了单晶硅生长技术的研究现状。对改良热场技术、磁场直拉技术、真空高阻技术以及氧浓度的控制等技术进行了论述。 关键词：单晶硅；真空高阻；磁场；氧含量；氮掺杂 一、前言 影响国家未来在高新技术和能源领域实力的战略资源。作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的，因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成抛光片，方可制造IC器件，超过98％的电子元件都足使用硅单晶”引。生产单晶硅的原料主要包括：半导体单晶硅碎片，半导体单晶硅切割剩余的头尾料、边皮料等。目前，单晶硅的生长技术主要有直拉法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)。在单晶硅的制备过程中还可根据需要进行掺杂，以控制材料的电阻率，掺杂元素一般为Ⅲ或V主族元素.生长制备后的单晶硅棒还需经过切片、打磨、腐蚀、抛光等工序深加工后方可制成用作半导体材料的单晶硅片。随着单晶硅生长及加工处理技术的进步，单晶硅正朝着大直径化(300ram以上)、低的杂质及缺陷含晕、更均匀的分布以及生产成本低、效率高的方向发展。 二、单晶硅的生长原理 在单晶硅生长过程中，随着熔场温度的下降，将发生由液态转变到固态的相变化。对于发生在等温、等压条件下的相变化，不同相之间的相对稳定性可由吉布斯自由能判定。AG可以视为结晶驱动力。 △G=△H—TAS (1) 在平衡的熔化温度瓦时，固液两相的自由能是相等的，即AG=0，因此 △G=AH一瓦X AS---O (2) 所以，AS=AH／T= (3) 其中，AH即为结晶潜热。将式(3)代入式(1)可得 (4) 由式(4)可以看出，由于AS是一个负值常数，所以△兀即过冷度)可被视为结晶的唯一驱动力。 以典型的CZ长晶法为例，加热器的作用在于提供系统热量，以使熔硅维持在高于熔点的温度。如果在液面浸入一品种，在品种与熔硅达到热平衡时，液面会靠着表面张力的支撑吸附在晶种下方。若此时将晶种往上提升，这些被吸附的液体也会跟着晶种往上运动，而形成过冷状态。这节过冷的液体由于过冷度产生的驱动力而结晶，并随着晶种方向长成单晶棒。在凝固结晶过程中，所释放出的潜热是一个间接的热量来源，潜热将借着传导作用而沿着晶棒传输。同时，晶棒表面也会借着热辐射与热对流将热量散失到外围，另外熔场表面也会将热量散失掉。于是，在一个固定的条件下，进入系统的热能将等于系统输出的热能陟。 三、硅单晶生长方法 1直拉(CZ)法 直拉法的生产过程简单来说就是利用旋转的籽晶从熔硅中提拉制备单晶硅。此法产量大、成本低，国内外大多数太阳能单晶硅片厂家多采用这种技术。目前，直拉法生产工艺的研究热点主要有：先进的热场构造、磁场直拉法以及对单晶硅中氧浓度的控制等方面。 (1)先进的热场构造 在现代下游IC产业对硅片品质依赖度日益增加的情况下，热场的设计要求越来越高。好的
晶体生长方法
晶体生长方法 一、提拉法 晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体（如管状宝石和带状硅单晶等）。所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、转肩、等径、收尾、拉脱等几个工艺阶段，生长出几何形状及内在质量都合格单晶的过程。这种方法的主要优点是：(a)在生长过程中，可以方便地观察晶体的生长情况；(b)晶体在熔体的自由表面处生长，而不与坩埚相接触，这样能显著减小晶体的应力并防止坩埚壁上的寄生成核；(c)可以方便地使用定向籽晶与“缩颈”工艺，得到完整的籽晶和所需取向的晶体。提拉法的最大优点在于能够以较快的速率生长较高质量的晶体。提拉法中通常采用高温难熔氧化物，如氧化锆、氧化铝等作保温材料，使炉体内呈弱氧化气氛，对坩埚有氧化作用，并容易对熔体造成污杂，在晶体中形成包裹物等缺陷；对于那些反应性较强或熔点极高的材料，难以找到合适的坩埚来盛装它们，就不得不改用其它生长方法。 二、热交换法
热交换法是由D. Viechnicki和F. Schmid于1974年发明的一种长晶方法。其原理是：定向凝固结晶法，晶体生长驱动力来自固液界面上的温度梯度。特点：(1) 热交换法晶体生长中，采用钼坩埚，石墨加热体，氩气为保护气体，熔体中的温度梯度和晶体中的温度梯度分别由发热体和热交换器（靠He作为热交换介质）来控制，因此可独立地控制固体和熔体中的温度梯度；(2) 固液界面浸没于熔体表面，整个晶体生长过程中，坩埚、晶体、热交换器都处于静止状态，处于稳定温度场中，而且熔体中的温度梯度与重力场方向相反，熔体既不产生自然对流也没有强迫对流；(3) HEM法最大优点是在晶体生长结束后，通过调节氦气流量与炉子加热功率，实现原位退火，避免了因冷却速度而产生的热应力；(4) HEM可用于生长具有特定形状要求的晶体。由于这种方法在生长晶体过程中需要不停的通以流动氦气进行热交换，所以氦气的消耗量相当大，如Φ30 mm的圆柱状坩埚就需要每分钟38升的氦气流量，而且晶体生长周期长，He气体价格昂贵，所以长晶成本很高。 三、坩埚下降法 坩埚下降法又称为布里奇曼－斯托克巴格法，是从熔体中生长晶体的一种方法。通常坩埚在结晶炉中下降，通过温度梯度较大的区域时，熔体在坩埚中，自下而上结晶为整块晶体。这个过程也可用结晶炉沿着坩埚上升方式完成。与提拉法比较该方法可采用全封闭或半封闭的坩埚，成分容易控制；由于该法生长的晶体留在坩埚中，因而适于生长大块晶体，也可以一炉同时生长几块晶体。另外由于工艺条件
畜牧养殖学习心得体会总结
畜牧养殖学习心得体会总结 目前，我国社会经济发展迅速，畜牧业在国家的大力支持下得到了大力发展，畜牧养殖的集体过个人也越来越多。因此，通过多年畜牧养殖的经验，对小型畜牧养殖产业的发展现状进行探讨，提出一些自己的建议。 1 小型畜牧养殖发展现状 1.1 小型畜牧养殖生产成本普遍偏高 (1)材料费，包括畜牧养殖中消耗的精饲料、粗饲料等各种饲料费以及孵化过程中的各项消耗、禽兽医药费等。 (2)人工费，包括畜牧养殖过程中的生产人员的工资、各项福利等。 (3)销售费用，主要指在销售过程中的摊销费、销售人员的工资等。 对于规模型畜牧养殖户来说，去除以上正常的成本，企业会获得很好的效益。但对于小型畜牧养殖户来说，养殖成本会大大的增加。因为，规模企业所需的饲料多，批量购买相对便宜，小型畜牧养殖户就自身现状不可能大规模购买饲料，有些小型养殖户用粮食作物代替饲料喂养，大大增加了材料成本。规模畜牧养殖户有专业的饲养人员进行成千上万头牲畜的饲养工作，小型畜牧养殖户只能饲养几头牲畜，这在工作效率上肯定比不上规模畜牧养殖户。 1.2 小型畜牧养殖户技术不够全面 对于小型畜牧养殖户来说，在选择畜禽品种时，由于没有专业人员的指导，不能做到科学的选择。不了解各阶段畜禽所需的生活温度，对畜牧室所处的温度不专业，往往只简单的进行处理。
1.3 小型畜牧养殖户防疫工作不到位 小型畜牧养殖场一般选址不够科学，场内布局规划不合理，缺乏对地势、风向、距离的考虑，排污通道、干净水通道交叉建立，很容易导致病菌传入，发生疫情。 2 小型畜牧养殖前景展望 2.1加强合作，降低成本 传统的养殖观念在市场经济下已很难生存，小型畜牧养殖户必须改变观念，增强创新意识，用新的生产方式来降低生存成本。这就要小型畜牧养殖户之间加强合作，建议村集体建立养殖合作社，具体的合作方式可以体现在以下几个方面： (1)从进购饲料的途径上降低成本，一个村的所有养殖户可以合作对所需的各项饲料进行集体购置，再进行合理分配，降低材料成本。 (2)分工明确，多家畜牧养殖户对于畜禽粪便的处理等工作可以合作雇用专人定期清理，另外在条件允许的情况下可以扩大养殖规模，充分发挥人工效率。 (3)根据市场的需求，养殖户共同聘请养殖专家，共同探讨出适合经营的品种，进行集体销售，这不但降低销售费用，还将会提高销售的价格。 2.2 学习养殖技术，自力更生 小型畜牧养殖户虽没有能力雇用专业的饲养人员，但可以从自身做起。可以经常请教专业饲养人员相关知识，并选购畜牧养殖的书籍，学习相关的饲养技术。养殖项目、养殖规模和养殖数量确定后，畜牧养殖技术便成为养殖成败的关键，因此一个养殖村庄必须有一个养殖技术相当强的人员，带动村庄养殖业的发展。
生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制
综 述 生长抑素对上消化道出血的治疗作用机制 陈建英 (鄱阳县中医院内科,江西鄱阳333100) [中图分类号] R573.2 [文献标识码] A [文章编号] 1672-4208(2010)19-0048-03 1973年B razeau从绵羊下丘脑提取液中分离 了一种环状14肽物质,命名为生长抑素(so m a tostati n,SST),此后有关其生理和药理作用的报道 日益增多[1]。1978年Tyden首先将生长抑素用于 治疗门脉高压症上消化道出血,有作者相继报道证 明生长抑素对于门脉高压症上消化道出血有明显 的止血作用。目前也有相关报道,说明其用于非静 脉曲张性上消化道出血的疗效[2],尤其在急性难 治性上消化道出血的控制中占一席之地[3-4]。生 长抑素及其类似物控制急性出血的疗效已得到明 确的肯定,它能有效控制出血,防止再出血,减少手 术率,并且有良好的安全性及可耐受性,无明显不 良反应。现就其对上消化道出血的治疗作用机制 作一综述。 1生长抑素及其受体 生长抑素是一种广泛分布于中枢神经系统、下 丘脑及肠、胰等内、外分泌系统,也有少量分布于甲 状腺、肾、肾上腺及前列腺等处的环形多肽。其存 在两种活性形式:14肽生长抑素(SST-14)和28 肽生长抑素(SST-28)。其中SST-14是主要生 物活性物质,由8种氨基酸构成,其抑制胰高血糖 素及促胃泌素分泌较SST-28强[5]。生长抑素及 其类似物通过与细胞膜上的生长抑素受体(SSTR) 结合而发挥作用。天然SST作用广泛,选择性差, 人工合成的生长抑素类似物(SSTA)作用单一持 久,为目前常用。现认为[6],生长抑素通过两种作 用方式对生长激素和胃肠激素及多种消化液的分 泌、胃肠运动等发挥抑制性作用:(1)通过减少细 胞内环磷酸腺苷(AM P)水平而影响激素分泌。 (2)通过细胞膜上K+传导,刺激抑制外加电压造 成Ca2+的流通。 自1992年SSTR1和SSTR2被克隆成功至今, 已确认的SSTR按其发现先后顺序可分为5种不 同的分子亚型:SSTR1~SSTR5,其中SSTR2、 SSTR3、SSTR5亚型与人工合成的生长抑素类似物 亲和力比SSTR2、SSTR4强得多。 2生长抑素与上消化道出血 上消化道出血是指自屈氏韧带以上的消化道 出血,其部位包括食管、胃、十二指肠、上段空肠、胰 管及胆道,可因炎症、粘膜撕脱、溃疡、机械性及药 物性损伤、血管源性因素、肿瘤及全身性疾病引起。 大致可分为门脉高压性上消化道出血和非门脉高 压性上消化道出血两类。前者主要系肝硬化所致 门脉高压,主要包括门脉高压引起的食管-胃底静 脉曲张破裂出血(约占上消化道出血的20%)和门 脉高压性胃病(即胃粘膜病变),后者主要指酸相 关性疾病(包括胃、十二指肠溃疡出血,Barrett食管 炎及食管溃疡出血)、急性应激性溃疡出血、消化 道肿瘤及少见的胆道出血、食管裂孔、胃-空肠吻 合术后空肠病变出血等。 2.1SST与静脉曲张性上消化道出血静脉曲张 性上消化道出血主要指由肝硬化所致门脉高压引 起的侧支循环建立和开放致食管-胃底静脉曲张。 曲张静脉变薄,易被粗糙食物所损伤,也可被反流 的胃酸所腐蚀,加之压力增高导致破裂,而发生大 出血。因而,在控制此类出血的关键是控制门脉高 压。肝硬化门脉高压形成的主要因素是门静脉阻 力增加、血流增加[7]。门静脉阻力增加为肝窦毛 细血管化、变形所致,使流出道受阻,致门静脉血管 阻力增加。血流增加可因肝脏对去甲肾上腺素等 物质的清除能力减低、交感兴奋所致心输出量增加 及扩血管物质(胰高血糖素、一氧化氮)增加使血 管对内源性缩血管递质敏感性降低,引起内脏血管 扩张充血,门静脉血流增加所致[8]。大量临床实 践发现,给肝硬化患者静脉注射生长抑素后,能选 择性减少门静脉血流,使肝血流量和引致出血的肝 窦灌注量下降,从而降低门静脉压力,而对中心静 脉压、平均动脉压、心输出量及心率均无明显影 响[7-8]。有人发现在急性胰腺炎中使用生长抑素 类似剂后,有肿瘤坏死因子接到的白介素6(I L- 6)的分泌减少,因此认为生长抑素在急性胰腺炎 中的治疗作用是由于它减少了胰腺的基础分泌,则 SSTA可以通过生长抑素抑制胰高血糖素的分泌而48 社区医学杂志 2010年 第8卷 第19期
单晶制备方法综述
单晶材料的制备方法综述 前言：单晶(single crystal)，即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的，具有重要的工业应用。因此对于单晶材料的的制备方法的研究已成为材料研究的主要方向之一。本文主要对单晶材料制备的几种常见的方法进行介绍和总结。 单晶材料的制备也称为晶体的生长，是将物质的非晶态、多晶态或能够形成该物质的反应物通过一定的化学的手段转变为单晶的过程。单晶的制备方法通常可以分为熔体生长、溶液生长和相生长等［1］。 一、从熔体中生长单晶体 从熔体中生长晶体的方法是最早的研究方法，也是广泛应用的合成方法。从熔体中生长单晶体的最大优点是生长速率大多快于在溶液中的生长速率。二者速率的差异在10-1000倍。从熔体中生长晶体的方法主要有焰熔法、提拉法、冷坩埚法和区域熔炼法。 1、焰熔法［2］ 最早是1885年由弗雷米（E. Fremy）、弗尔（E. Feil）和乌泽（Wyse）一起，利用氢氧火焰熔化天然的红宝石粉末与重铬酸钾而制成了当时轰动一时的“日内瓦红宝石”。后来于1902年弗雷米的助手法国的化学家维尔纳叶（V erneuil）改进并发展这一技术使之能进行商业化生产。因此，这种方法又被称为维尔纳也法。 1.1 基本原理 焰熔法是从熔体中生长单晶体的方法。其原料的粉末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在籽晶上固结逐渐生长形成晶体。 1.2 合成装置和过程： 维尔纳叶法合成装置
振动器使粉料以一定的速率自上而下通过氢氧焰产生的高温区，粉体熔化后落在籽晶上形成液层，籽晶向下移动而使液层结晶。此方法主要用于制备宝石等晶体。 2、提拉法［2］ 提拉法又称丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法。2O世纪60年代，提拉法进一步发展为一种更为先进的定型晶体生长方法——熔体导模法。它是控制晶体形状的提拉法，即直接从熔体中拉制出具有各种截面形状晶体的生长技术。它不仅免除了工业生产中对人造晶体所带来的繁重的机械加工，还有效的节约了原料，降低了生产成本。 2.1、提拉法的基本原理 提拉法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体的交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出单晶体。 2.2、合成装置和过程 提拉法装置 首先将待生长的晶体的原料放在耐高温的坩埚中加热熔化，调整炉内温度场，使熔体上部处于过冷状态；然后在籽晶杆上安放一粒籽晶，让籽晶接触熔体表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并转动籽晶杆，使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上，在不断提拉和旋转过程中，生长出圆柱状晶体。 在提拉法制备单晶时，还有几种重要的技术：（1）、晶体直径的自动控制技术：上称重和下称重；（2）、液封提拉技术，用于制备易挥发的物质；（3）、导模技术。
注射用生长抑素
注射用生长抑素 【药品名称】 通用名称：注射用生长抑素 英文名称：Recombinant Human Interferon α2b Vaginal Effervescent Tablets 【成份】 主要成份为生长抑素，为人工合成的环状十四肽 【适应症】 本品主要用于：严重急性食道静脉曲张出血；严重急性胃或十二指肠溃疡出血，或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎；胰腺外科手术后并发症的预防和治疗；胰、胆和肠瘘的辅助治疗；糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药（静脉注射或静脉滴注）。 通过慢速冲击注射（3～5分钟）0.25mg或以每小时0.25mg的速度连续静脉滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。 临使用前，每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。 对于连续静脉滴注给药，须用本品3mg配备够使用12小时的药液（溶剂可为生理盐水或5%葡萄糖注射液），输液量调节在每小时0.25mg。 1 严重急性上消化道出血包括食道静脉曲张出血的治疗：首先缓慢静脉推注0.25mg（用1ml生理盐水配制）作为负荷 【不良反应】 少数病例用药后出现恶心、眩晕、面部潮红。当注射速度超过每分钟0.05mg时，病人会发生恶心和呕吐现象。
【禁忌】 对本品过敏者禁用。 【注意事项】 1 由于本品抑制胰岛素及胰高血糖素的分泌，在治疗初期会导致血糖水平短暂的下降； 2 胰岛素依赖型糖尿病患者使用本品后,每隔3-4小时应测试1次血糖浓度，同时给药中，尽可能避免使用葡萄糖。必要的情况下应同时使用胰岛素。 3 在连续给药过程中，应不间断地注入，换药间隔最好不超过3分钟。有可能时，可通过输液泵给药。 4 本品必须在医生指导下使用。 【特殊人群用药】 儿童注意事项： 儿童使用本品的安全性资料尚未建立。 妊娠与哺乳期注意事项： 避免孕妇使用本品，除非无其它安全替代措施。 老人注意事项： 老年患者使用本品的安全性资料尚未建立。 【药物相互作用】 本品可延长环已烯巴比妥导致的睡眠时间，而且加剧戊烯四唑的作用，所以不应与这类药物或产生同样作用的药物同时使用。 由于生长抑素与其他药物的相互作用未建立，所以建议应单独给药。 【药理作用】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽，其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全
晶体生长机理与晶体形貌的控制
晶体生长机理与晶体形貌的控制 张凯1003011020 摘要：本文综述了晶体生长与晶体形貌的基本理论和研究进展，介绍了层生长理论，分析了研究晶体宏观形貌与内部结构关系的3种主要理论，即布拉维法则、周期键链理论和负离子配位多面体生长基元理论。 关键词：晶体生长机理晶体结构晶体形貌晶体 1.引言 固态物质分为晶体和非晶体。从宏观上看，晶体都有自己独特的、呈对称性的形状。晶体在不同的方向上有不同的物理性质，如机械强度、导热性、热膨胀、导电性等，称为各向异性。晶体形态的变化，受内部结构和外部生长环境的控制。晶体形态是其成份和内部结构的外在反映，一定成份和内部结构的晶体具有一定的形态特征，因而晶体外形在一定程度上反映了其内部结构特征。今天,晶体学与晶体生长学都发展到了非常高的理论水平,虽然也不断地有一些晶体形貌方面的研究成果,但都停留在观察、测量、描述、推测生长机理的水平上。然而,在高新技术与前沿理论突飞猛进的今天,晶体形貌学必然也会受到冲击与挑战,积极地迎接挑战,与前沿科学理论技术接轨,晶体形貌学就会有新的突破,并且与历史上 一样也会对其它科学的发展做出贡献。 2．层生长理论 科塞尔(Kossel，1927)首先提出，后经斯特兰斯基(Stranski)加以发展的晶体的层生长理论亦称为科塞尔—斯特兰斯基理论。 它是论述在晶核的光滑表面上生长一层原子面时，质点在界面上进入晶格"座位"的最佳位置是具有三面凹入角的位置。质点在此位置上与晶核结合成键放出的能量最大。因为每一个来自环境相的新质点在环境相与新相界面的晶格上就位时，最可能结合的位置是能量上最有利的位置，即结合成键时应该是成键数目最多，释放出能量最大的位置。质点在生长中的晶体表面上所可能有的各种生长位置：k为曲折面，具有三面凹人角，是最有利的生长位置；其次是S阶梯面，具有二面凹入角的位置；最不利的生长位置是A。由此可以得出如下的结论即晶体在理想情况下生长时，先长一条行列，然后长相邻的行列。在长满一层面网后，再开始长第二层面网。晶面(最外的面网)是平行向外推移而生长的。这就是晶体的层生长理论，用它可以解释如下的一些生长现象。 1)晶体常生长成为面平、棱直的多面体形态。 2)在晶体生长的过程中，环境可能有所变化，不同时刻生成的晶体在物性(如颜色)和成分等方面可能有细微的变化，因而在晶体的断面上常常可以看到带状
生长抑素
注射用生长抑素 【适应症】 1．严重急性食道静脉曲张出血； 2．严重急性胃或十二指肠溃疡出血，或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎；3．胰腺外科手术后并发症的预防和治疗； 4．胰、胆和肠瘘的辅助治疗； 5．糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法与用量】 静脉给药。 通过慢速冲击注射（3～5分钟）0.25mg或以每小时0.25mg的速度连续滴注给药（一般每小时每公斤体重用药量为0.0035mg）。 临使用前，每支冻干剂用1ml生理盐水溶解。 对于连续滴注给药，须用本品3mg配备够使用12小时的药液（溶剂可为生理盐水或5%的葡萄糖注射液），输液量调节在每小时0.25mg。 1．严重急性上消化道出血包括食道静脉曲张出血的治疗：首先缓慢静脉推注0.25mg(用1ml生理盐水配制)作为负荷量，而后立即进行以每小时0.25mg的速度持续静脉滴注给药。当两次输液给药间隔大于3-5分钟的情况下，应重新静脉注射本品0.25mg，以确保给药的连续性。当出血停止后（一般在12-24小时内），继续用药48-72小时，以防再次出血。通常常的治疗时间是120小时。 2．胰瘘、胆瘘和肠瘘的辅助治疗：以每小时0.25mg的速度静脉连续滴注，直到瘘管闭合（2～20天），这种治疗可以用作全胃肠外营养的辅助措施。当瘘管闭合后，应继续用药1～3天，而后逐渐停药，以防反跳作用。 3．胰腺外科手术后并发症的治疗：在手术开始时，以每小时0.25mg的速度静脉滴注，术后持续静滴5天。 4．糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗：以每小时0.1～0.5mg的速度静脉滴注，作为胰岛素治疗（10单位冲击后每小时1～4.8单位静滴）的辅助措施，在4小时内可以使血糖恢复正常，在3小时之内缓解酮症酸中毒。 【不良反应】 少数病例用药后出现恶心、眩晕、面部潮红。当注射速度超过每分钟0.05mg时，病人会发生恶心和呕吐现象。 【禁忌症】对本品过敏者禁用。 【注意事项】 (1)由于本品抑制胰岛素及胰高血糖素的分泌，在治疗初期会导致血糖水平短暂的下降；
生长发育对照“生长曲线图”
近日，卫生部制定并公布了《中国7岁以下儿童生长发育参照标准》。该标准制定的数据来源于“2005年第四次九市儿童体格发育调查”中城区数据。参照标准主要有体重、身高以及头围等，且配有方便、实用的生长曲线图。 “生长曲线图是家长监测孩子生长发育情况更简单、直观的工具。”省儿童医院儿保科主任刘丽君说，儿童生长指标在上下两实曲线之间都属正常，接近中间的实曲线则为平均水平，接近上下两条虚曲线则说明孩子的指标稍高或稍低于正常范围。 家长判断孩子的生长情况，应该动态地观察不同阶段的数据，把各个阶段监测到的数值连成一条曲线，若这条曲线在正常范围内，且与参考曲线呈大体平行，这说明孩子的生长发育是比较正常的。否则，出现偏高或偏低的情况，应尽早带孩子到医院进行检查。 刘丽君主任指出，在孩童生长发育正常的情况下，1岁之前前6个月每个月到医院监测一次，第9个月和12个月各监测一次；1—3岁之间，则半年监测一次；3—7岁至少每年监测一次。若孩子生长发育出现异常，则需根据医生建议定期监测。 此外，对于头围的监测在囟门未闭合之前显得更为重要，主要在孩童2岁之前。头围的增长代表大脑发育情况，若头围过大，则要警惕有脑积水，头围过小则会增加有小头畸形的可能性。 刘丽君主任指出，从临床上来看，贫血、营养不良、微量元素缺乏、呼吸道疾病、肠道疾病等多发于1—3岁的孩童，从而影响孩子的正常发育水平。这个年龄段，家长们更应该注意孩子的营养状况。 如今，厌食的孩子越来越多，但经医生检查后发现，大多为非疾病性厌食，主要是家长们喂养方式不当造成的情绪厌食症，如有的家长以叫骂方式强迫孩子进食等导致孩子厌食。刘丽君主任建议家长们，应在孩子主动进食的情况下科学合理喂养孩子。而且，孩子的食谱应多样化，给孩子多食用一些含优质蛋白的食物，讲究营养均衡。另外，许多家长认为孩子又白又胖才健康，让孩子过多地进食，实际上孩子的体重不应超出儿童生长发育参照曲线的正常范围。孩童肥胖是成人代谢综合征的高发危险因素，会增加患高血压、高血脂、糖尿病等心脑血管疾病的风险。她主张孩子少吃高糖、高脂以及油炸快餐食品。 □本报记者方素菊.corrTxt_01{border-top:1px dashed #F0C8C8;margin-top:10px;}.corrTxt_01 h3{font-weight:bold;padding:5px 0 0 3px;line-height:25px;margin:0;}.corrTxt_01 ul{padding:0 0 0 18px;}.corrTxt_01 ul li{font-size:14px;line-height:%;}.corrTxt_01 a {text-decoration:none;}> 相关阅读：诠释10-11月龄生长发育规律家长应为孩子制作生长曲线图视频：婴儿生长发育及护理保健视频：2-3岁孩子生长发育指标家长应走出孩子生长发育误区为何5月是儿童生长高峰期？视频：婴儿生长发育知多少早产儿面临三大生长挑战4-5个月婴儿生长发育规律 了解育儿知识，看育儿博文和论坛，上手机新浪网亲子频道
生长抑素
Page 1 of 1通用名称：生长抑素 英文名称：Somatostatin 所属类别：激素及有关药物/脑垂体激素及其有关药物 【药理】 本品是通过内分泌、外分泌、神经性分泌和特别的旁分泌发挥其自身作用的。最终的作用方式是直接提供制造激素的D-细胞和效应细胞之间的细胞间接触，这样确定了生长抑素作用的特异性。抑制胃酸和胃蛋白酶分泌的作用，至少有一部分是直接在边缘细胞和胃内主细胞处发生的。其药理作用如下：①抑制胃酸、胃泌素和胃蛋白酶的分泌。②减少内脏血流。③抑制胰、胆和小肠的分泌。④胰、肝和胃的细胞保护作用。 药动学 本品静注后半减期为1.1～3min，肝病患者静注后半减期为1.2～4.8min，慢性肾功能不全患者静注后半减期为2.6～4.9min。以75μg/h的速率静滴本品，15min内达稳态浓度1250ng／L，代谢清除率约1L／min，半减期约2.7min。本品在肝内迅速代谢，主要经尿排泄(4h后排出40％，24h后排出70％)。 【适应症】 适用于严重的急性胃溃疡出血、糜烂或出血性胃炎所致的严重急性出血、严重的急性食道静脉曲张出血、胰胆和胃肠瘘及急性胰腺炎的治疗以及胰腺术后并发症的预防。 【用法用量】 24h内连续静脉注入6mg生长抑素。注入期限5～120h(出血时)、120～140h(预防)、3～15日(瘘)。 在连续给药过程中，应不间断地注入，换药间断不能超过1min。如间断的时间长，需重新给予250μg的冲击剂量，再继续以250μg/h的注入率给药。有可能时，通过输液泵给予生长抑素，以确保顺利而稳定的输入。本品不适用于动脉出血。治疗急性胰腺炎时应尽早在症状出现后给予治疗。本品贮于2～8℃的低温条件下。 [剂型与规格]注射剂：250μg/支，3mg／支。 [商品名] Stilamin(瑞士)。 【禁用慎用】 本品不适用于动脉出血。 怀孕、产后及哺乳期禁用。 【不良反应】 有短暂的恶心、面红、腹痛、腹泻和血糖轻微变化等。 【相互作用】 在动物实验中，与环乙烯巴比妥和五唑类有相互作用。 【相关商品名】 思他宁（原名：施他宁） 益达生 res://H:\DrugRefer\DrugRefer.exe/Blank.htm 2013-5-19
直拉硅单晶生长的现状与发展
直拉硅单晶生长的现状与发展 摘要：综述了制造集成电路（IC）用直拉硅单晶生长的现状与发展。对大直径生长用磁场拉晶技术，硅片中缺陷的控制与利用（缺陷工程），大直径硅中新型原生空位型缺陷，硅外延片与SOI片，太阳电池级硅单和大直径直拉硅生长的计算机模拟，硅熔体与物性研究等进行了论述。 关键词：直拉硅单晶；扩散控制；等效微重力；空洞型缺陷；光电子转换效率；硅熔体结构 前言 20世纪中叶晶体管、集成电路（IC）、半导体激光器的问世，导致了电子技术、光电子技术的革命，产生了半导体微电子学和半导体光电子学，使得计算机、通讯技术等发生了根本改变，有力地推动了当代信息（IT）产业的发展．应该强调的是这些重大变革都是以半导体硅材料的技术突破为基础的。2003年全世界多晶硅的消耗，达到了19 000 t，但作为一种功能材料，其性能应该是各向异性的．因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成硅抛光片，方可制造I C 器件。 半导体硅片质量的提高，主要是瞄准集成电路制造的需要而进行的。1956年美国仙童公司的“CordonMoore”提出，IC芯片上晶体管的数目每隔18~24个月就要增加一倍，称作“摩尔”定律。30多年来事实证明，IC芯片特征尺寸（光刻线宽）不断缩小，微电子技术一直遵循“摩尔定律”发展。目前，0.25 μm、0.18μm线宽已进入产业化生产。这就意味着IC的集成度已达到108~109量级，可用于制造256MB的DRAM和速度达到1 000MHE的微处理芯片。目前正在研究开发0.12 μm到0.04μm的MOS器件，预计到2030年，将达到0.035μm 水平。微电子芯片技术将从目前器件级，发展到系统级，将一个系统功能集成在单个芯片上，实现片上系统（SOC）。 这样对半导体硅片的高纯度、高完整性、高均匀性以及硅片加工几何尺寸的精度、抛光片的颗粒数和金属杂质的沾污等，提出了愈来愈高的要求。 在IC芯片特征尺寸不断缩小的同时，芯片的几何尺寸却是增加的。为了减少周边损失以降低成本，硅片应向大直径发展。在人工晶体生长中，目前硅单晶尺寸最大。 当代直拉硅单晶正在向着高纯度、高完整性、高均匀性（三高）和大直径（一大）发展。 磁场直拉硅技术 硅单晶向大直径发展，投料量急剧增加。生长φ6″、φ8″、φ12″、φ16″硅单晶，相应的投料量应为60 kg、150 kg、300 kg、500 kg。大熔体严重的热对流，不但影响晶体质量，甚至会破坏单晶生长。热对流驱动力的大小，可用无量纲Raylieh数表征：
长高秘诀：用生长曲线图
可不要小看孩子每次体检时医生使用的小小的格子和划出的点线,对孩子生长发育过程中的生长曲线加以重视,是及时发现问题和采取对策的关键。下面是如何能够从简单的格子和图表中得到更多我们需要的东西。 1、热心于孩子的发育曲线 每次带孩子去检查身体或做常规保健,要仔细观察医生是否给他量了身高和体重,并且详细地记在了生长发育监测表上。 2、看看医生是否使用了最新的图表 每隔几年,国家会根据调查结果制定新的儿童生长发育监测表和标准,要保证医生使用的是最新的图表。 3、比较相临两次检查结果 保证孩子的检查具有连续性,并且每次检查方式是一样的。从身高角度来说,孩子每次查身高时应站得笔直,并且脱掉鞋子。3岁以下的孩子可以笔直地躺着量身长,称体重最好是每次都脱光衣服和尿裤,以得到净重。 4、保留自己的记录 如果可以,向医生要一份复印件,或者自己制作一个图表,每次检查都带着,并做好详细记录,这会是一个非常有意义的纪念品。 5、不要从字面上理解测量结果 医生不会对一次偶然的测量结果表示担心,他们关注的是孩子发育的长期的倾向。例如,一次流感或者其他疾病可能会使孩子的生长发育出现倒退,而季节性快速生长(春天一般是孩子们发育最快的季节)和年龄上的快速发育期都会使测量结果出现暂时超前。不要仅仅专注于某个数字,只要孩子的生长发育一直保持稳定的速度,并且处于他这个年龄的平均值百分比中,不管他是高点儿还是矮点儿,都是正常的。 6、了解警戒线 如果孩子的发育突然横跨两条曲线,如从50%掉到10%;或者突然进入极端,如跳到5%以下或95%以上,就要提高警惕了。也许他会有肥胖的危险或者因为某种慢性疾病而影响了正常的生长发育,都需要看医生了。 生长加速期 0~12个月:在生命的最初一年里,刚做了妈妈的你很可能会发现孩子的食量忽然间增大了,几乎总是处于饥饿状态,在最初的几个月,这一现象表现得尤其明显,这种突然增加的食欲正是孩子生长加速期的表现。第一年里,比较突出的几个阶段是10天~3周,6周,3个月,6个月。绝大多数婴儿在满一岁时,可以达到出生体重的3倍,身高增长25厘米。 1岁:生长放慢了速度,但你的宝贝平均可以增加10~13厘米,每月体重增加230克。 2岁:大部分孩子在这一年会增加8~10厘米,并增长1400~1800克。到了3岁,孩子们会达到他们成年身高的50%,但之后生长速度明显放慢,直到青春期再次加速。 3岁:到这一年末,孩子会增加5~8厘米,身高约达到出生身长的两倍。 4~10岁:在这几年当中,孩子们大约每年增长5厘米,增加2750克。有些孩子在6~8岁期间会经历一次小小的生长加速。 青春期:女孩子的青春期从8~13岁开始,她们大约会增长2~25厘米,体重共增加7000~25000克,直到达到最后的成年体格。男孩子的青春期开始于10~15岁,他们的身高大约增加10~30厘米,体重增加7000~30000克。
生长抑素说明书
生长抑素说明书
【药品名称】 通用名：注射用生长抑素 英文名：Somatostatin for Injection 汉语拼音：Zhusheyong Shenzhangyisu 【成分】 本品主要成分为生长抑素，为人工合成的环状十四肽。 【性状】 本品为白色疏松块状物或粉末。 【药理毒理】 生长抑素是人工合成的环状十四氨基酸肽，其与天然生长抑素在化学结构和作用机理上完全相同。生理性生长抑素主要存在于丘脑下部和胃肠道。通过静脉注射生长抑素可抑制生长激素、甲状腺刺激激素、胰岛素和胰高血糖素的分泌，并抑制胃酸的分泌。它还影响胃肠道的吸收、动力、内脏血流和营养功能。生长抑素可抑制胃泌素和胃酸以及胃蛋白酶的分泌，从而治疗上消化道出血，可以明显减少内脏器官的血流量，而又不引
【适应症】 本品主要用于： 1.严重急性食道静脉曲张出血； 2.严重急性胃或十二指肠溃疡出血，或并发急性糜烂性胃炎或出血性胃炎； 3.胰腺外科术后并发症的预防和治疗； 4.胰、胆和肠瘘的辅助治疗； 5.糖尿病酮症酸中毒的辅助治疗。 【用法用量】 静脉给药(静脉注射或静脉滴注)。通过慢速冲击注射（3～5分钟）0.25mg或以每小时0.25mg 的速度连续滴注给药(一般是每小时每公斤体重用药量为0.0035mg)。临使用前，每支冻干剂用1ml生理盐水溶液溶解。对于连续滴注给药，须用本品3mg配备够使用12小时的药液（溶剂既可为生理盐水或5%的葡萄糖溶液），输液量调节在每小时0.25mg。 1.严重急性上消化道出血包括食道静脉曲张出血的治疗：首先缓慢静脉推注0.25mg(用1ml生理盐水配制)作为负荷量，而后立即进行以每小
晶体生长机理研究综述
晶体生长机理研究综述 摘要 晶体生长机理是研究金属材料的基础，它本质上就是理解晶体内部结构、缺陷、生长条件和晶体形态之间的关系。通过改变生长条件来控制晶体内部缺陷的形成从而改善和提高晶体的质量和性能使材料的强度大大增强开发材料的使用潜能。本文主要介绍了晶体生长的基本过程和生长机理，晶体生长理论研究的技术和手段，控制晶体生长的途径以及控制晶体生长的途径。 关键词：晶体结构晶界晶须扩散成核 一、晶体生长基本过程 从宏观角度看，晶体生长过程是晶体-环境相、蒸气、溶液、熔体、界面向环境相中不断推移的过程，也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高度有序晶相的转变从微观角度来看，晶体生长过程可以看作一个基元过程，所谓基元是指结晶过程中最基本的结构单元，从广义上说，基元可以是原子、分子，也可以是具有一定几何构型的原子分子聚集体所谓的基元过程包括以下主要步骤：（1）基元的形成：在一定的生长条件下，环境相中物质相互作用，动态地形成不同结构形式的基元，这些基元不停地运动并相互转化，随时产生或消失（2）基元在生长界面的吸附：由于对流~热力学无规则的运动或原子间的吸引力，基元运动到界面上并被吸附 （3）基元在界面的运动：基元由于热力学的驱动，在界面上迁移运动 （4）基元在界面上结晶或脱附：在界面上依附的基元，经过一定的运动，可能在界面某一适当的位置结晶并长入固相，或者脱附而重新回到环境相中。 晶体内部结构、环境相状态及生长条件都将直接影响晶体生长的基元过程。环境相及生长条件的影响集中体现于基元的形成过程之中；而不同结构的生长基元在不同晶面族上的吸附、运动、结晶或脱附过程主要与晶体内部结构相关联。不同结构的晶体具有不同的生长形态。对于同一晶体，不同的生长条件可能产生不同结构的生长基元，最终形成不同形态的晶体。同种晶体可能有多种结构的物相，即同质异相体，这也是由于生长条件不同基元过程不同而导致的结果，生长机理如下: 1.1扩散控制机理从溶液相中生长出晶体，首要的问题是溶质必须从过饱和溶液中运送到晶体表面，并按照晶体结构重排。若这种运送受速率控制，则扩散和对流将会起重要作用。当晶体粒度不大于1Oum时，在正常重力场或搅拌速率很低的情况下，晶体的生长机理为扩散控制机理。 1.2 成核控制机理在晶体生长过程中，成核控制远不如扩散控制那么常见但对于很小的晶体，可能不存在位错或其它缺陷。生长是由分子或离子一层一层
晶体生长理论1
晶体生长理论 特征 表面的光滑与否是和晶体结构、材料特征、晶面取向以及温度等因素有关。P.哈特曼提出的周期键理论在于根据晶面中周期性键链数来确定其光滑的程度。更属物理的理论则是建立在晶面的统计力学基础上。K.A.杰克孙的理论阐明相变熵与表面光滑性的关系；伯顿与卡布雷拉的理论指出在一定的临界温度，表面可能发生光滑－粗糙转变。近年来对这些问题有更加深入的理论探讨，而且，晶面的计算机模拟直观地再现了过去的理论设想，并且推广到非平衡的状态。晶体生长的输运理论及形态稳定性晶体生长在空间上是不连续的过程，结晶只发生在固体－流体界面上。在流体和固体内部都存在热量和质量输运过程。这一类型的输运问题通常可以采用宏观物理学的方法来处理，即化为边界条件下偏微分方程的求解。当然这种边值问题是有其特殊性的,即随着晶体的长大,边界在移动。早在1891年J.斯忒藩首先处理了极区冰层长厚的问题，所以这类问题被称为斯忒藩问题。斯忒藩问题的外部边界条件应模拟生长系统的实际情况。能求出解析解的仅限于少数简单的几何形状的情况。在流体相中传热和传质可以通过对流来实现，因而流体中的热传导与溶质扩散往往局限于固液界面处的边界层中。这样，就可以将流体力学的边界层理论引用到相应的斯忒藩问题之中。但晶体生长的流体效应亦有其复杂的一面，特别是牵涉到流动的失稳和非稳态流动等问题。要进行确切的理论计算极其困难，因而往往求助于模拟性的实验或晶体生长层的剖析。 重要问题 在晶体生长形态学中还有一个重要问题，就是形态的稳定性：具体来说，就是生长界面是否能够持续地保持下去。有些界面虽然能够满足斯忒藩问题的解，但实际上却并不出现，因为这种界面对于干扰是不稳定的。设想某一平界面在某瞬时受到干扰，使界面局部突出。它随时间的演变将有两种可能性：一是干扰的振幅逐渐衰减，最终界面恢复原状，表明原界面是稳定的；另一种情况是干扰振幅逐渐增大，则表明原来的平界面是不稳定的，可能转化为凹凸不平的胞状界面，或甚至于发展为枝晶(den-drites)。对于纯的材料，正的温度梯度（熔体温度高于凝固点）使界面稳定，而负的温度梯度（熔体温度低于凝固点）则导致界面失稳。通常生长晶体总是在正的温度梯度条件下进行的，但也经常观测到平界面的失稳。50年代中B.查尔默斯提出溶质引起的组分过冷的效应来解释。到60年代初W.W.马林斯与R.F.塞克卡用自洽的动力学方法来处理界面稳定性问题，导出更正确的稳定性判据，并可以追踪界面失稳和初期的演变过程。界面稳定性理论也被推广应用于共晶合金的凝固、枝晶生长以及光滑界面失稳等问题，目前还在继续发展之中。