搜档网
当前位置:搜档网 › 微电子工艺报告

微电子工艺报告

微电子工艺报告
微电子工艺报告

黑龙江科技学院

综合实践报告

实践项目名称:TCAD工艺流程仿真

所属课程名称:微电子工艺

实践日期:2011-11-22至2011-12-1

班级:电技08-3班

学号:15号

姓名:胡静巍

成绩:

电气与信息工程学院实践室

【实践目的及要求】

实践目的:

1、学会使用TCAD软件。

2、用TCAD软件完成NMOS管的工艺设计。

3、了解tanner软件的使用方法。

实践要求:

1、熟悉和掌握SILV ACO TCAD、TANNER软件。

2、并能用TCAD软件进行半导体工艺流程仿真,如氧化、离子注入、扩散、刻

蚀、淀积、光刻等

3、撰写实践报告。

【实践内容】

一、t anner部分

利用tanner软件中的ledit设计版图本实验中设计了NMOS的版图,为下一步部分工艺仿真提供了参考依据。

在版图中我们定义了多晶硅栅的宽长比,通过设计规则绘制版图。利用剖面观察器可以看到对应的各个区域。

二、s ilvaco部分

1、定义网格

由于在软件上硅片被认为是无限大,所以在仿真之前需要定义各个工艺的工作区域的范围,其程序如下所示

从程序中可以看到,Y=0um到Y=0.5um地表面层定义了最密的网格,这个区域在后面将会形成PMOS管的表面有源区

2、栅氧

接下来,我们将要在硅片的表面生长一层栅氧化层,这个工艺条件为1000度下干氧氧化30分钟,环境为3%的HCL,一个大气压

提取氧化层参数,氧化厚度为101.14埃

3、离子注入

由于现代半导体技术使用了浅结工艺、高剂量注入、倾斜注入以及其他很多先进方法,因此对离子注入工艺进行充分的模拟是非常重要的。

如下图所示注入硼原子,浓度为1×10e14,图形显示如下:

程序如下:

4、刻蚀多晶硅

首先我们采用等形淀积生长多晶硅,厚度为2500埃,然后在x=0.35处开始刻蚀。输出结果如图所示:

仿真图形如下:

淀积铝生成铝电极,并把多余的铝刻蚀掉。

6、退火工艺

我们设定的时间为5分钟,退火温度为900度。

7、提取参数

包括结深、N++源漏方块电阻、边墙下LDD区的方块电阻、长沟阈值电压输出结果如下所示:

8、PMOS的结构图

经镜像后得到完整的POMS结构。仿真图如下:

【小结】

4、通过这4天得学习,让我学会了如何使用TCAD软件,如何用TCAD软件完成NMOS管的工艺设计,并且了解了tanner软件的使用方法。这几天让我收获颇多,感谢老师的教导,谢谢老师!

【指导教师评语】

成绩:

日期:

电子工艺实验报告

电子工艺实验报告 一、实验目的: (1)熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 (2)基本掌握手工电烙铁的焊接技术,能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程,印制电路板设计的步骤和方法,手工制作印制电板的工艺流程,能够根据电路原理图,元器件实物。 (3)了解常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围,能查阅有关的电子器件图书。 (4)能够选用常用的电子器件。了解电子产品的焊接、调试与维修方法。了解一般电子产品的生产调试过程,初步学习调试电子产品的方法。 抢答器焊接部分 二、实验步骤: (1)学习识别简单的电子元件与电子电路。 (2)学习并掌握抢答器的工作原理。 (3)学习焊接各种电子元器件的操作方法。 (4)按照图纸焊接元件。 实验原理图

焊接技巧及烙铁使用 (一)焊接机巧 1.焊前处理: 焊接前,应对元件引脚或电路板的焊接部位进行焊前处理。 ①、清除焊接部位的氧化层 可用断锯条制成小刀。刮去金属引线表面的氧化层,使引脚露出金属光泽。印刷电路板可用细纱纸将铜箔打光后,涂上一层松香酒精溶液。 ②、元件镀锡

在刮净的引线上镀锡。可将引线蘸一下松香酒精溶液后,将带锡的热烙铁头压在引线上,并转动引线。即可使引线均匀地镀上一层很薄的锡层。导线焊接前,应将绝缘外皮剥去,再经过上面两项处理,才能正式焊接。若是多股金属丝的导线,打光后应先拧在一起,然后再镀锡。 2.做好焊前处理之后,就可正式进行焊接。 ①、右手持电烙铁。左手用尖嘴钳或镊子夹持元件或导线。焊接前,电烙铁要充分预热。烙铁头刃面上要吃锡,即带上一定量焊锡。 ②、将烙铁头刃面紧贴在焊点处。电烙铁与水平面大约成60℃角。以便于熔化的锡从烙铁头上流到焊点上。烙铁头在焊点处停留的时间控制在2~3秒钟。 ③、抬开烙铁头。左手仍持元件不动。待焊点处的锡冷却凝固后,才可松开左手。 ④、用镊子转动引线,确认不松动,然后可用偏口钳剪去多余的引线。 3.焊接质量 焊接时,要保证每个焊点焊接牢固、接触良好。要保证焊接质量。 所示应是锡点光亮,圆滑而无毛刺,锡量适中。锡和被焊物融合牢固。不应有虚焊和假焊。 虚焊是焊点处只有少量锡焊住,造成接触不良,时通时断。假焊是指表面上好像焊住了,但实际上并没有焊上,有时用手一拔,引线就可以从焊点中拔出。

微电子工艺制程

微电子工艺概论 做layout,对工艺的了解至关重要,以下是本人在拜读前辈门的心血后,自己总结的内容,由于不知怎么的不能插图片,所以略有遗憾,还请个位高手指教!我将分几篇文章将其叙述完毕。 1扩散工艺 A扩散是掺杂的一种工艺 B半导体中常用的杂质有:受主杂质(P型):硼施主杂质(N型):磷,砷,锑 C 扩散三步曲 (1)预淀积扩散:在扩散过程中,硅片表面杂质浓始终不变,又称恒表面源扩散。 (2)推进扩散:除表面以外的任何地方的初始杂质浓度均为0。 (3)激活:激活杂质原子,改变了硅的导电率。 D 杂质扩散种类 替代扩散和间隙扩散,现今流行的是替位扩散 2 离子注入工艺 A 离子注入工艺是掺杂工艺中最重要的一项,各方面都明显优于扩散。 B 离子在注入时有2种能量损失的类型 (1)电子碰撞(与核外电子作用):离子质量比电子质量大很多,每次碰撞后离子能量损失小,产生小角度散射。 (2)原子碰撞(同核碰撞):由于两者质量相当,能量损失大,产生大角度的散射。 C 沟道效应 离子注入时,离子即未与电子也未与原子核发生碰撞而是穿过了晶格间隙使得该离子比那些发生碰撞的原子穿透得更深。他的控制方法主要有以下几种: (1)倾斜硅片,偏离垂直方向7度已大于临界角注入。 (2)屏蔽氧化层

(3)硅预非晶化,预先注入点不活泼粒子si+ (4)用质量较大的原子 D 退火 (1)分类:高温炉退火;快速热退火(RTA) (2)退火作用:修复硅晶格结构并激活杂质——硅键。 (3)退火时间越长,温度越高,杂质的激活就越充分。 3 热氧化工艺 一始,先讲一下SiO2的问题,这有助于理解以后的内容 A SiO2薄膜结构:其基本单元是一个由Si——O原子组成的正四面体(图插不进,就略了) B SiO2的化学性质:它不溶于水和酸,但溶于HF C SiO2的作用: (1)作为杂质选择扩散的掩蔽膜 (2)作为器件表面的保护和钝化膜 首先,可以避免硅表面被镊子划伤以及蒸发,烧结,封装中可能 带来的杂质玷污,起了保护硅的作用。 其次,它可以使硅片表面,p-n结与外界气氛隔离开来,从而减 弱了环境气氛对硅片表面性质的影响。 (3)作为集成电路的隔离介质和绝缘介质 (4)作为电容器,栅氧或储存器单元结构中的介质材料 (5)作为MOS场效应管的绝缘栅材料。 现在,再来讲氧化物生长 D 热氧化方法 (1)干氧法:用氧作为氧化剂 (2)湿氧法:用氧和水的混合剂作为氧化剂 E 影响氧化物生长的因素(速率影响) (1)掺杂效应:重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快

电工电子工艺基础实验报告完整版

电工电子工艺基础实验报告完整版 电工电子工艺基础实验报告专业年级: 学号: 姓名: 指导教师: 2013 年 10 月 7 日

目录 一.手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 二.简述磁控声光报警器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片。 三.简述ZX—2005型稳压源/充电器的工作原理,画出电路组成框图,实物图片;附上实习报告。四.简述流水灯工作原理,画出电路组成框图,实物图。 五.简述ZX2031FM微型贴片收音机的工作原理,画出电路组成框图,实物图。 六.简述HTDZ1208型—复合管OTL音频功率放大器的工作原理,画出电路组成框图,实物图。七.总的实训体会,收获,意见。 一.手工焊点焊接方法与工艺,贴片、通孔元器件焊接工艺。 (1)电烙铁的拿法 反握法:动作稳定,不易疲劳,适于大功率焊接。 正握法:适于中等功率电烙铁的操作。

握笔法:一般多采用握笔法,适于轻巧型的电烙铁,其 烙铁头就是直的,头端锉成一个斜面或圆锥状,适于焊 接面积较小的焊盘。 (2)焊锡的拿法 (3)焊接操作五步法 左手拿焊条,右手拿焊铁,处于随时可焊状态。 加热焊件、送入焊条、移开焊条、移开电烙铁。(4)采用正确的加热方法 让焊件上需要锡侵润的各部分均匀受热 (5)撤离电烙铁的方法 撤离电烙铁应及时,撤离时应垂直向上撤离 (6)焊点的质量要求 有可靠的机械强度、有可靠的电气连接。 (7)合格焊点的外观 焊点形状近似圆锥体,椎体表面呈直线型、表面光泽 且平滑、焊点匀称,呈拉开裙状、无裂纹针孔夹 渣。 (8)常见焊点缺陷分析 二.简述磁控声光报警器的工作原理,画出

微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案

华中科技大学2010—2011学年第二学期 电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷(A 卷) 一、判断下列说法的正误,正确的在后面括号中划“√”,错误的在后面括号中划“×”(本大题共12小题,每小题2分,共24分) 1、用来制造MOS 器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS 器件开态和关态所要求的阈值电压。(√) 2、在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。( × ) 3、在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。( × ) 4、LPCVD 紧随PECVD 的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。(×) 5、蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。(×) 6、化学机械抛光(CMP)带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。(√) 7、曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径,那么在提高光刻分辨率的同时,投影物镜的焦深也会急剧减小,因此在分辨率和焦深之间必须折衷。( √ ) 8、外延生长过程中杂质的对流扩散效应,特别是高浓度一侧向异侧端的扩散,不仅使界面附近浓 度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变,且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布,使外延层有效厚度变窄。( × ) 9、在各向同性刻蚀时,薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度,则必须采用各向异性刻蚀。( × ) 10、热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS 电路不希望发生横向扩散, 因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。(√) 11、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。( ×) 12、侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。(√) 二、选择填空。 (本大题共8小题,每小题2分,共16分。在每小题给出的四个选项 中,有的只有一个选项正确,有的有多个选项正确,全部选对得2分,选对但不全的得1分,有选错的得0分) 1、微电子器件对加工环境的空气洁净度有着严格的要求。我国洁净室及洁净区空气中悬浮粒子洁净度标准GB50073-2001中,100级的含义是:每立方米空气中大于等于0.1 m 的悬浮粒子的最大允许个数为( B ) A 、35; B 、100; C 、102; D 、237。 2、采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层,是利用其具有的( A 、D ) A 、高电阻率; B 、高化学稳定性; C 、低介电常数; D 、高介电强度。 3、如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的(A )。 A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷 4、浸入式光刻技术可以使193 nm 光刻工艺的最小线宽减小到45 nm 以下。它通过采用折射率高的 一、密封线内不准答题。 二、姓名、学号不许涂改,否则试卷无效。 三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。 四、试卷印刷不清楚。可举手向监考教师询问。 注意

微电子实验报告一

实验一MOS管的基本特性 班级姓名学号指导老师袁文澹 一、实验目的 1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法; 2、熟练掌握MOS管基本特性; 3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真,以得到MOS电路的I-V曲线。 二、实验内容及要求 1、熟悉Hspice仿真工具; 2、使用Hspice仿真MOS的输出特性,当VGs从0~5V变化,Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线; 三、实验原理 1、N沟道增强型MOS管电路图 a)当Vds=0时,Vgs=0的话不会有电流,即输出电流Id=0。 b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值,不管Vds如何变化,输出电流Id都不会改变。 c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值,在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。但当 出现预夹断之后,再增大Vds,输出电流Id不会再变化。 2、NMOS管的输出特性曲线

四、实验方法与步骤 实验方法: 计算机平台:(在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。) 软件仿真平台:(在VMware和Hspice软件仿真平台上。) 实验步骤: 1、编写源代码。按照实验要求,在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。 2、打开Hspice软件平台,点击File中的aaa.sp一个文件。 3、编译与调试。确定源代码文件为当前工程文件,点击Complier进行文件编译。编译结果有错误或警告,则将要调试修改直至文件编译成功。 4、软件仿真运行及验证。在编译成功后,点击simulate开始仿真运行。点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。 5、断点设置与仿真。… 6、仿真平台各结果信息说明. 五、实验仿真结果及其分析 1、仿真过程 1)源代码 *Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析 .TEMP 25.0000 $温度仿真设定 .option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值 .lib 'gd018.l' TT $使用库文件 * --- Voltage Sources --- vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源 vgs g 0 0 $分析栅源电压 vds d 0 dc=5 $分析漏源电压 vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压 * --- Inverter Subcircuit --- Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数 * --- Transient Analysis --- .dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析 $vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1 $vgs取1V、2V、3V、4V、5V

当今世界10项最有影响新技术

当今世界10项最有影响新技术 当今世界,科技发展日新月异,科学新概念层出不穷,新技术工艺相继闪亮登场。纳米材料、信息技术、生物制药、节能环保科技领域的创新和研发引人注目,鼓舞人心。一项新的科技发明会在不知不觉中改变我们的生活,影响社会发展的历程。 近日,俄罗斯《大众机械》杂志撰文指出,以下科技新技术会使人类生活因此而更加完美无缺。 1,相变随机闪存(PRAM) 手机、手提电脑等移动设备对存储器的要求,与服务器和台式电脑等截然不同。长期以来,人们对这些移动设备存储器的主要性能要求是低成本、低功耗以及非易失性。 但是,由于目前开发的各类存储器都有其自身缺陷,因而没有一款能够完全满足上述所有要求。例如,动态随机存储器成本低且能够随机访问,但遗憾的是存在易失性,即断电后会发生数据丢失;充当缓存的静态随机存储器读写速度快且能够随机访问,但缺点是成本较高;相比之下,闪存成本低且具有非易失性特点,然而苦于速度慢又无法随机访问。除此之外,目前的闪存制造技术也无法生产出存储容量超过16G的产品。 最新兴起的相变随机闪存技术,类似于CD和CD驱动器中所采用的技术。在PRAM中,电流将硫化薄膜加热至晶态或非晶态,因两种状态下的电阻率有很大差别,从而可判读为0或1,只要在上面施加少量的复位电流就能触发这两个状态的切换。 在现有的电子产品中,广泛使用的非易失性闪存有NOR和NAND两种:NOR 闪存适合直接运行软件,但它的速度较慢,而且造价昂贵;NAND闪存容易大规模制造,更适合存储大容量文件,如MP3音乐文件等。PRAM闪存则采用垂直二极管和三维晶体管结构,不需要在储存新数据前擦除旧数据,因而是非易失性的,也就是说,在电子设备关闭时仍能保存数据。 目前,三星公司在PRAM领域的研发处于世界领先水平,2006年已经展示了它的初级产品,这些新产品比现有普通闪存快30倍以上。三星公司表示,PRAM产品有望在2008年上市,它极有可能将成为NOR闪存的最终替代品。 2,汽车智能一体化 近10年来,信息技术的发展为交通运输行业带来了各种机遇,智能交通系统(ITS),便是其中最典型、最活跃、最具潜力而且全面应用了信息技术的一个交通运输发展综合领域。ITS就是信息技术———主要是计算机、通讯和

电子工艺实习实验报告--AM收音机的调试及组装

电子工艺实习报告 ——AM收音机组装与调试 一:目的意义 本次电子工艺实习是对一台六管中波段袖珍式半导体收音机做为调幅收音机,进行安装焊接及调试。在实习过程中,了解简单电子产品的制作过程;掌握电子元器件的识别及质量检验的方法;熟练掌握电子元件的焊接;学会对收音机进行检测、故障判断及调试。本次电子工艺实习意在锻炼学生的动手能力,同时,也培养学生一丝不苟的科学作风和严谨的工作态度,使同学能够敢于实践,勇于实践。 二:原理 1、AM收音机的基本工作原理 AM收音机主要由输入电路、混频电路、中放电路、检波电路、前置低频放大器、功率放大电路和喇叭或耳机组成。 输入电路,即选择电路,或称调谐电路把空中许多无线电广播电台发

出的信号选择其中一个,送给混频电路。混频将输入信号的频率变为中频,但其幅值变化规律不改变。不管输入的高频信号的频率如何,混频后的频率是固定的,我国规定为465KHZ。中频放大器将中频调幅信号放大到检波器所要求的大小。由检波器将中频调幅信号所携带的音频信号取下来,送给前置放低频放大器。前置低频放大器将检波出来的音频信号进行电压放大。再由功率放大器将音频信号放大,放大到其功率能够推动扬声器或耳机的水平。由扬声器或耳机将音频电信号转变为声音。 当调幅信号感应到B1 及C1 组成的天线调谐回路,选出我们所需的电信号f 进V1( 9018H)三极管基极;本振信号调谐在高出f1 频率一个中频的f2(f1+465KHz) 例:f1=700KHz 则f2=700+465KHz=1165KHz进入V1 发射极,由V1 三极管进行变频,通过B3选取出465KHz中频信号经V2和V3二级中频放大,进入V4检波管, 检出音频信号经V5(9014)低频放大和由V6、V7组成功率放大器进行功率放大,推动扬声器发声。图中 D1、D2 (IN4148) 组成±稳压,固定变频,一中放、二中放、低放的基极电压,稳定各级工作电流,以保持灵敏度。由V4(9018)三极管PN结用作检波。R1、R4、R6、R10 分别为V1、V2、V3、V5 的工作点 调整电阻R11为V6、V7 功放级的工作点调整电阻,R8 为中放的 AGC电阻,B3、B4、B5为中周(内置谐振电容) ,既是放大器的交流负载又是中频选频器,该机的灵敏度,选择性等指标靠中频放大器保证。 B6、B7为音频变压器,起交流负载及阻抗匹配的作用。

电路综合设计实验-设计实验2-实验报告

设计实验2:多功能函数信号发生器 一、摘要 任意波形发生器是不断发展的数字信号处理技术和大规模集成电路工艺孕育出来的一种新型测量仪器,能够满足人们对各种复杂信号或特殊信号的需求,代表了信号源的发展方向。可编程门阵列(FPGA)具有高集成度、高速度、可重构等特性。使用FPGA来开发数字电路,可以大大缩短设计时间,减小印制电路板的面积,提高系统的可靠性和灵活性。 此次实验我们采用DE0-CV开发板,实现函数信号发生器,根据按键选择生产正弦波信号、方波信号、三角信号。频率范围为10KHz~300KHz,频率稳定度≤10-4,频率最小不进10kHz。提供DAC0832,LM358。 二、正文 1.方案论证 基于实验要求,我们选择了老师提供的数模转换芯片DAC0832,运算放大器LM358以及DE0-CV开发板来实现函数信号发生器。 DAC0832是基于先进CMOS/Si-Cr技术的八位乘法数模转换器,它被设计用来与8080,8048,8085,Z80和其他的主流的微处理器进行直接交互。一个沉积硅铬R-2R 电阻梯形网络将参考电流进行分流同时为这个电路提供一个非常完美的温度期望的跟踪特性(0.05%的全温度范围过温最大线性误差)。该电路使用互补金属氧化物半导体电

流开关和控制逻辑来实现低功率消耗和较低的输出泄露电流误差。在一些特殊的电路系统中,一般会使用晶体管晶体管逻辑电路(TTL)提高逻辑输入电压电平的兼容性。 另外,双缓冲区的存在允许这些DAC数模转换器在保持一下个数字词的同时输出一个与当时的数字词对应的电压。DAC0830系列数模转换器是八位可兼容微处理器为核心的DAC数模转换器大家族的一员。 LM358是双运算放大器。内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。LM358的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。 本次实验选用的FPGA是Altera公司Cyclone系列FPGA芯片。Cyclone V系列器件延续了前几代Cyclone系列器件的成功,提供针对低成本应用的用户定制FPGA特性,支持常见的各种外部存储器接口和I/O协议,并且含有丰富的存储器和嵌入式乘法器,这些内嵌的存储器使我们在设计硬件电路时省去了外部存储器,节省了资源,而

电子工艺实习实验报告

1.1.1.1.1北京邮电大学实习报告

1.焊接工艺 1.1 焊接工艺的基本知识 焊接是使金属连接的一种方法。它利用加热手段,在两种金属的接触面,通过高温条件下焊接材料的原子或分子的相互扩散作用,使两种金属间形成永结牢固的结合面而结合成整体。 焊接的过程有浸润、扩散、冷却凝固三个阶段的变化。利用焊接的方法进行连接而形成的接点叫焊点。 焊接工艺是指焊接过程中的一整套技术规定。包括焊接方法、焊前准备、焊接材料、焊接设备、焊接顺序、焊接操作、工艺参数以及焊后热处理等。 我们实验中主要是PCB板的焊接。 1.2 焊接工具、焊料、焊剂的类别与作用 焊接工具有烙铁、镊子、螺丝刀、钳子等。 电烙铁的作用是加热焊料和被焊接金属,最终形成焊点。按加热方式可分为内热式、外热式等,按功能分为防静电式、吸锡式、恒温式等。本实验使用外热式电烙铁。 焊料是焊接时用于填加到焊缝、堆焊层和钎缝中的金属合金材料的总称。包括焊丝、焊条、钎料等。焊料分软焊料和硬焊料两种,软焊料熔点较低,质软,也叫焊镴,如焊锡;硬焊料熔 点较高,质硬,如铜锌合金。本次实习使用的焊料为焊锡(铅锡合金)。 焊剂是指焊接时,能够熔化形成熔渣和(或)气体,对熔化金属起保护和冶金物理化学作用的一种物质,又称助焊剂或阻焊剂,一般由活化剂、树脂、扩散剂、溶剂四部分组成。一般 可划分为酸性焊剂和碱性焊剂两种。作用:清除焊件表面的氧化膜,保证焊锡浸润。本实验的焊料是松香。 下面分列各工具及材料的作用。 电烙铁:熔化焊锡; 电烙铁架:放置电烙铁; 镊子:夹持焊锡或去除导线皮; 螺丝刀:拆组机器狗; 钳子:裁剪导线或焊锡; 焊锡(锡铅合金):固定焊脚,电路板和器件电气连接; 助焊剂(松香):加速焊锡融化,去除氧化膜,防止氧化等; 阻焊剂(光固树脂):板上和板层间的绝缘材料。 1.3焊接方法 手工焊接主要为五步焊接法: 1.准备施焊,检查焊件、焊锡丝、烙铁,保持焊件和烙铁头的干净; 2.加热焊件,用烙铁头加热焊件各部分,加热时不要施压; 3.熔化焊料,焊锡丝从烙铁对面接触焊件,将焊丝至于焊点,是焊料融化并润湿焊点; 4.移开焊锡,当融化的焊料在焊点上堆积一定量后,移开锡丝; 5.移开烙铁,当焊锡完全润湿后,迅速移开烙铁,在焊锡凝固前保持焊件为静止状态。

微电子综合实验报告

微电子综合实验报告实验题目:⒚同或门电路仿真 班级:电子科学与技术1201 姓名:XXX 学号:XXX 时间:2015.5—2015.6

一、电路图。 OUT A B (IN1) (IN2) 分别给上图中的每个管子和结点标注,如下所述: P管分别标记为:MP1、MP2、MP3;N管分别标记为:MN1、MN2、MP3;A、B端分别标记为:IN1、IN2;输出端标记为:OUT;N 管之间连接点标记为:1;连接反相器的点标记为:2;如上图所示。 其真值表如下所示:

二、电路仿真表。 *dounand MN1 1 IN1 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN2 2 IN2 1 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MN3 OUT 2 0 0 NMOS L=0.6U W=2.4U MP1 IN2 IN1 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP2 IN1 IN2 2 VDD PMOS L=0.6U W=4.4U MP3 OUT 2 VDD VDD PMOS L=0.6U W=4.4U VDD VDD 0 DC 5V VIN1 IN1 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 5N 10N) VIN2 IN2 0 PULSE(0 5 0 0.1N 0.1N 10N 20N) .TRAN 1N 100N UIC .LIB './HJ.L' TT .END 下图为无负载电容,IN1=10ns,IN2=20ns时的波形图。 从图中可以发现,本来输出应该是5v,实际输出只有4.8v,可见输出有阈值损失。 原因是N管传高电平、P管传低电平时,输出半幅,所以存在阈值损失。 三、输出加负载电容。 1、C=0.2p ;IN1=10ns ;IN2=20ns 时波形如下:

浅谈我对微电子的认识

[键入公司名称] 浅谈我对微电子的认识 [键入文档副标题] X [选取日期] [在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。在此处键入文档摘要。摘要通常为文档内容的简短概括。]

我是电子信息科学与技术专业的学生,考虑到微电子对我们专业知识学习的重要性,我怀着极大的热情报了《微电子入门》这门选修课。希望通过这门课的学习,使我对微电子有更深入的认识,以便为以后的专业课学习打下基础。 微电子是一门新兴产业,它的发展关系着国计民生。它不仅应用于科学领域,也被广泛应用于国防、航天、民生等领域。它的广泛应用,使人们的生活更见方便。现代人的生活越来越离不开电子。因此,对电子的了解显得十分重要。微电子作为电子科学的一个分支,也发挥着日益重要的作用。通过几周的学习,我对微电子有了初步的认识。 首先,我了解了微电子的发展史,1947年晶体管的发明,后来又结合印刷电路组装使电子电路在小型化的方面前进了一大步。到1958年前后已研究成功以这种组件为基础的混合组件。集成电路的主要工艺技术,是在50年代后半期硅平面晶体管技术和更早的金属真空涂膜学技术基础上发展起来的。1964年出现了磁双极型集成电路产品。 1962年生产出晶体管——晶体管理逻辑电路和发射极藉合逻辑电路。MOS集成电路出现。由于MOS电路在高度集成方面的优点和集成电路对电子技术的影响,集成电路发展越来越快。 70年代,微电子技术进入了以大规模集成电路为中心的新阶段。随着集成密度日益提高,集成电路正向集成系统发展,电路的设计也日益复杂、费时和昂贵。实际上如果没有计算机的辅助,较复杂的大规模集成电路的设计是不可能的。70年代以来,集成电路利用计算机的设计有很大的进展。制版的计算机辅助设计、器件模拟、电路模拟、逻辑模拟、布局布线的计算辅助设计等程序,都先后研究成功,并发展成为包括校核、优化等算法在内的混合计算机辅助设计,乃至整套设备的计算机辅助设计系统。 微电子技术是随着集成电路,尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,微电子技术是微电子学中的各项工艺

微电子工艺复习

第一章: 1.看懂这是一个三极管 利用基区、发射区扩散形成电阻的结构2.看懂电极 外延层电阻结构 3.看懂电极 MOS集成电路中的多晶硅电阻 4.电容结构包括哪些要素? 两端是金属,中间是介电材料。

集成电路中电容的结构5.这是电容结构 Pn结位于空间电荷区,是一个电容结构。 PN结电容结构 6. MOS场效应晶体管中以SiO2为栅极层 MOS场效应晶体管电容结构

7.有源器件? 二极管,三极管,MOS管 集成电路中二极管的基本结构 8.看懂二极管,三极管的结构 集成电路中二极管的结构 9.三极管分清npn与pnp?有什么区别?怎么画的? 结构上,NPN三极管的中间是P区(空穴导电区),两端是N区(自由电子导电区),而PNP三极管正相反。 使用上,NPN三极管工作时是集电极接高电压, 发射极接低电压,基极输入电压升高时趋向导通,基极输 入电压降低时趋向截止;而PNP三极管工作时则是集电极 接低电压,发射极接高电压,基极输入电压升高时趋向截 止,基极输入电压降低时趋向导通。 晶体管的基本结构

10.什么叫NMOS?什么叫PMOS? PMOS是指利用空穴来传导电性信号的金氧半导体。 NMOS是指利用电子来访传导电性信号的金氧半晶体管。 MOS管的结构图和示意图 11.集成电路包括哪些阶段?核心阶段? 阶段: 硅片(晶圆)的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装 集成电路制造的阶段划分 半导体芯片的制造框图

半导体芯片制造的关键工艺 12.硅的基本性质?它的优点? 硅的禁带宽度较大(1.12eV),硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层(SiO2) 优点: (1)硅的丰裕度硅是地球上第二丰富的元素,占到地壳成分的25%,经合理加工,硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度,而消耗的成本比较低。 (2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限硅的熔点是1412℃,远高于锗937℃的熔点,更高的熔点使得硅可以承受高温工艺。 (3)更宽的工作温度范围用硅制造的半导体器件可以工作在比锗制造的半导体器件更宽的温度范围,增加了半导体器件的应用范围和可靠性。 (4)氧化硅的自然生成硅表面有能够自然生长氧化硅(SiO2)的能力,SiO2是一种高质量、稳定的电绝缘材料,而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污。 13.硅生长有哪两个生长方法?用于什么样的地方? (1)直拉法(CZ) 直拉法生长单晶硅是将熔化了的半导体级多晶硅变成有正确晶向并被掺杂成N型或P型的固体硅锭。均匀的大直径晶体 (2)区熔法 区熔法是另一种单晶生长方法,它所生产的单晶硅中含氧量非常少,能生产目前为止最纯的单晶硅。 第二章 1.隔离分为哪些?怎么样来做隔离? ①PN结隔离 未加正向偏压的PN结几乎无电流流动,因而PN结可作器件隔离用,双极型集成电路中的隔离主要采用PN结隔离。

电子工艺实验报告

电子工艺实验报告

————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:

实验一Multisim10界面设置及原理图绘制(2学时,验证型) 实验目的: 1.熟悉Multisim10软件基本界面。 2.学习原理图绘制的基本操作。 3.学习Multisim10元件库的操作方法。 实验内容: 1.绘制单管放大电路: 电管放大功能,可通过示波器观察波形变化,还可通过multisim分析出其静态工作点等数据。 2.绘制发光二极管驱动电路,并验证电路功能: 当有时间脉冲时,两个与非门会交替产生高电平,从而使得两个小灯泡交替点亮。 3.绘制光柱显示电路,并验证电路功能:

如果通过电压大于一个灯的截止频率,第一个灯亮起,如果大于两倍的截止频率第二个灯亮起,以此类推。 4. 绘制四位加法器电路,并验证电路功能: 当J1接高电平时,加法器有效。J2的开关相当于一个时间脉冲,同时传递到4个元件上。当所有灯都亮起时,J1接低电平,J2由J2由低电平接到高电平,灯X1、X2、X3、X4,依次每次熄灭一个。实现清零。 5.总线绘制练习,并用字信号发生器对74LS138进行输入,观察数码管的变化:

通过字信号发生器产生一个由111到001循环的二进制数。 通过3 线-8 线译码器译码之后传到数码管上,每产生一个二进制数,数码管相对应的一段就亮起。 思考题: 1.Multisim仿真软件的优点是什么? Multisim 侧重于模拟数字电路原理特性级仿真分析,不用真正的去连接电路就能实现电路仿真,节省了很多不必要的麻烦 2.简述绘制一张电路原理图的操作步骤。

电子工艺实习实验报告

电子工艺实习实验报告 (迷宫车实验) 院系:xxxxxxxxxxxxx 姓名:xxxx 班级:xxxxxxxxxx 学号:xxxxxxxxxx

一、任务要求 此次实验共有三个部分焊接练习,基本交替闪烁电路焊接和小车的制作与调试。 学生要按照老师要求完成相关任务,并进行实验的验收。 二、目的 此次实验旨在通过焊接小车与调试小车,锻炼学生的综合能力。其中包括:焊接能力练习,代码编写,和综合调试等。通过此次实验,学生应该掌握基本 的焊接技术,电路调试技术和单片机开发的基本能力 三、实验内容 1.焊接 焊接用工具:电烙铁、吸锡器、其它常用工具(烙铁架、尖嘴钳、剪刀、斜嘴钳、剥线钳、镊子、切刀等) 焊接用材料:焊料(铅锡焊料有熔点低、机械强度高、表面张力小、抗氧化性好的特点)、助焊剂(树脂、有机、无机) 2.简单的发光二极管交替闪烁电路 电路原理 材料清单

交替闪烁电路的焊接与实验心得 焊接要求 先将电路布局规划好后,将电路分块安装,但还是要按照元件由低到高的顺序。采用搭焊法将导线焊接在各元件之间。 实验心得 虽然在上学期的模电实验中已经接触过焊接,但很久没有用过而且以前对焊接的要求也没有那么严格,所以一开始还是非常紧张的,都不太敢下手。一开始的规划安装蓝图这部分真的非常重要,自己事先在白纸上按照原件的实际大小规划了一下安装图,使得在焊接导线的时候不至于过分拥挤导致可能出现焊接短路的情况发生。焊接的时候心里默念老师教的焊接步骤,一步一步进行。不过由于是第一次焊接实际电路,还是出现了一些可以再改进的状况,比如我们的每一条连接线都使用导线焊接相连,但是由于焊接技术含不成熟,有些短导线绝缘皮会被烫化,易短路,而且焊接位置的高低也不好控制,后来观察了其他组的焊接成果,可以将距离比较近的元件金属线直接焊在一起,省时且效果更好。不过幸好,此次试验一次成功,没有经过再调试,为后来小车实验的焊接增加了信心。经过本次试验,进一步熟悉和掌握了焊接的技巧,了解了焊接实际电路时的必要步骤,同时学习了很多导线的焊接方法(绕焊、搭焊、勾焊等),提高了个人对于电路实验的兴趣,为今后的实际科研中电路实验奠定了基础。 2.迷宫小车的安装与调试 分部原理图

电子工艺实习报告总结

( 实习报告 ) 单位:_________________________姓名:_________________________日期:_________________________ 精品文档 / Word文档 / 文字可改 电子工艺实习报告总结Summary of electronic process practice report

电子工艺实习报告总结 一、实习目的: 1、熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理,基本掌握手工电烙铁的焊接技术,能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接,熟悉电子产品制作过程及主要工艺; 2、掌握电子组装的基本技能; 3、掌握电子元器件的识别及选择; 4、学习焊接电路板的有关知识; 5、看懂收音机的安装图,学会动手组装和焊接收音机。 6看懂充电器的安装图,学会动手组装和焊接充电器。 7、了解电子产品的焊接、- 二实习要求 1.要求学员熟悉常用电子元器件的识别,选用原则和测试方法。

2.要求学员练习和掌握正确与焊接的方法,熟悉焊接工具以及焊接材料的选择.并了解工业生产中的电子焊接技术的发展,焊接的流程以及装配整机的生产流程。 3.要求学员掌握收音机,充电器的装配,焊接,调试.的基本操作技能,并对实际产品的制作,安装,调试和检测。 4.要求学员掌握了解电路板的基本知识,基本设计方法。 三实习内容 (1)焊接训练: 元器件:电路板、导线; 工具:电烙铁、锡线; 焊接训练时,首先加热电烙铁,然后根据老师的要求焊接导线。在焊接时特别要注意锡不能太多,否则易发生短路。焊接完后再利用万用表进行检测。 2组装收音机(略) 3组装充电器(略) 四注意事项

微电子工艺课程设计

微电子工艺课程设计 一、摘要 仿真(simulation)这一术语已不仅广泛出现在各种科技书书刊上,甚至已频繁出现于各种新闻媒体上。不同的书刊和字典对仿真这一术语的定义性简释大同小异,以下3种最有代表性,仿真是一个系统或过程的功能用另一系统或过程的功能的仿真表示;用能适用于计算机的数学模型表示实际物理过程或系统;不同实验对问题的检验。仿真(也即模拟)的可信度和精度很大程度上基于建模(modeling)的可信度和精度。建模和仿真(modeling and simulation)是研究自然科学、工程科学、人文科学和社会科学的重要方法,是开发产品、制定决策的重要手段。据不完全统计,目前,有关建模和仿真方面的研究论文已占各类国际、国内专业学术会议总数的10%以上,占了很可观的份额。 集成电路仿真通过集成电路仿真器(simulator)执行。集成电路仿真器由计算机主机及输入、输出等外围设备(硬件)和有关仿真程序(软件)组成。按仿真内容不同,集成电路仿真一般可分为:系统功能仿真、逻辑仿真、电路仿真、器件仿真及工艺仿真等不同层次(level)的仿真。其中工艺和器件的仿真,国际上也常称作“集成电路工艺和器件的计算机辅助设计”(Technology CAD of IC),简称“IC TCAD”。

二、 综述 这次课程设计要求是:设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管,使T=346K 时,β=173。V CEO =18V ,V CBO =90V ,晶体管工作于小注入条件下,最大集电极电流为IC=15mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。要求我们先进行相关的计算,为工艺过程中的量进行计算。然后通过Silvaco-TCAD 进行模拟。 TCAD 就是Technology Computer Aided Design ,指半导体工艺模拟以及器件模拟工具,世界上商用的TCAD 工具有Silvaco 公司的Athena 和Atlas ,Synopsys 公司的TSupprem 和Medici 以及ISE 公司(已经被Synopsys 公司收购)的Dios 和Dessis 以及Crosslight Software 公司的Csuprem 和APSYS 。这次课程设计运用Silvaco-TCAD 软件进行工艺模拟。通过具体的工艺设计,最后使工艺产出的PNP 双极型晶体管满足所需要的条件。 三、 方案设计与分析 各区掺杂浓度及相关参数的计算 对于击穿电压较高的器件,在接近雪崩击穿时,集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂的外延层。因此,当集电结上的偏置电压接近击穿电压V 时, 集电结可用突变 结近似,对于Si 器件击穿电压为 4 3 13 106- ?=)(BC B N V , 集电区杂质浓度为: 3 4 13 34 13)1106106CEO n CBO C BV BV N β+?=?=()( 由于BV CBO =90所以Nc=*1015 cm -3 一般的晶体管各区的浓度要满足NE>>NB>NC 设N B =10N C ;N E =100N B 则: Nc=*1015 cm -3 ;N B =*1016 cm -3 ;N E =*1018 cm -3 根据室温下载流子迁移率与掺杂浓度的函数关系,得到少子迁移率: s V cm ?==/13002n C μμ;s V cm P B ?==/3302μμ;s V cm N E ?==/1502μμ 根据公式可得少子的扩散系数:

微电子论文

微电子学与医学的结合造福社会 刘畅自动化专业093班学号:090919 摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品,微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路,在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。 一、引言:我所了解的微电子技术 1.定义微电子技术,顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、 可靠性高、工作速度快,微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2.发展历史:微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管,不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3.微电子技术的应用:微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、 体积小、重量轻的微电子产品,使电子产品面貌一新;微电子技术产品和微处理器不再是专门用于科学仪器世界的贵族,而落户于各式各样的普及型产品之中,进人普通百姓家。例如电子玩具、游戏机、学习机及其他家用电器产品等。就连汽车这种传统的机械产品也渗透进了微电子技术,采用微电子技术的电子引擎监控系统。汽车安全防盗系统、出租车的计价器等已得到广泛应用,现代汽车上有时甚至要有十几个到几十个微处理器。现代的广播电视系统更是使微电子技术大有用武之地的领域,集成电路代替了彩色电视机中大部分分立元件组成的功能电路,使电视机电路简捷清楚,维修方便,价格低廉。由于采用微电子技术的数字调谐技术,使电视机可以对多达100 个频道任选,而且大大提高了声音、图像的保真度。总之,微电子技术已经渗透到诸如现代通信、计算机技术、医疗卫生、

大学生电子工艺实习实验报告

大学生电子工艺实习实验报告 电子工艺实习是理工科电类专业学生在校期间必须进行的一项基础工程训练,目的是通过工艺训练使学生获得电子制造工艺的基础知识,初步接触电子产品的生产实际,了解并掌握电子工艺的一般知识,掌握最基本的焊接操作技能,培养一定的动手能力和创新意识,为后续课程,特别是课程设计、毕业设计等积累必要的知识和技能,为今后从事有关电子技术工作奠定实践基础。一、找准办学定位,明确课程教学目标钦州学院是北部湾沿海地区一所公立本科院校,担负着培养和输送地方经济建设需要的高素质人才的重任,即培养的是面向生产、建设、管理、服务第一线或实际岗位群并适应其需要,具有可持续发展潜力的应用型人才;担负着积极为地方工业化、城镇化建设输送各类应用性本地化人才的重任。因此,要求培养的专业人才具有扎实的基础理论和专业基础知识、较强的工程实践能力和创新意识,这样才能尽快地胜任工作。电子工艺实习是工艺性、实践性的技术基础课;课程目标是培养学生创新实践能力;它既是基本技能和工艺知识的入门向导,又是创新精神的启蒙,创新实践能力的基础;既是理工科各相关专业工程训练的重要内容,也是所有学生素质教育的基本环节之一。电子工艺实习课程通过课堂教学和实践,让学生了解一般电子工艺知识;并以典型电子产品为对象,通过印制电路板的设计和制作、元器件的检测和焊接以及整机的安装和调试等步骤,使学生初步掌握电子产品的设计和制造方法,得到基本工程训练;同时进行工程意识和科学作风培养;为学习后续课程和其他实践教学环节,以及从事实际工

作奠定基础。二、切实加强教学实践环节,确保课程教学目标的实现(一)优化教学实践内容。电子工艺实习教学的基本内容主要包括:学生在实习过程中了解安全用电知识,学会安全操作规程,了解常用元器件的类别、型号、规格参数、符号、测量方法、主要性能和一般选用原则,熟悉电子产品装接工艺的基本知识和要求,掌握手工焊接电子产品的焊接、装配、调试技术,同时在实习中培养学生严谨的科学态度和良好的工作态度。因此,钦州学院根据地方需求、学校实际,优化教学实践内容,整合为三个模块:第一模块是仪器仪表的使用,主要包括电流表、电压表、稳压电源、万用表、数字电桥、毫伏表、信号发生器、示波器等常用仪表的使用;第二模块是电子元器件的识别与检测,主要包括电阻器、电容器、电感器、变压器、半导体元件、开关与接插件、保险元件、继电器、集成电路、晶振和陶瓷元件、敏感元件、片状元件等元器件的识别与检测,以及这些元器件的`简单应用;第三模块是电子产品的设计与制作,主要包括人工焊接技能训练和pcb板的制作。(二)改革教学方法和手段。随着高等院校不断的扩招,大学生精英教育转为大众化教育,学生的素质有所下降,动手能力不强、创新意识不高是大学生普遍存在的问题。地方高校生源面较广,学生的素质不高,知识水平参差不平,这给教学实践提出了难题,更需要依照教学规律,探求新的教学模式,改革教学方法和手段,提高教学质量。1.合理安排时间。按照人才培养方案,电子工艺实习在第二学期开设,为集中2周的实践训练。但由于一个学期往往同时开设多门课程,有许多课程又无法集中安排,故安排2周集中训练是不实

相关主题