“优芯4号”,终结闪存盘同质化时代

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“优芯４号”，终结闪存盘同质化时代

作者：盛闻

来源：《数码世界》2008年第06期

全球闪存应用及移动存储领域的领导者朗科公司日前发布了它的最新技术成果——“优芯4号”。该芯片首次将闪存盘读写速度提高到了近40MB/S和20MB/S，是市面同类产品读写速度的２-３倍左右。同时，它的ECC纠错能力达到8Bit，较以往提高了4倍。

“这是一款性能领先的USB2.0闪存控制芯片。它的诞生将进一步拉大朗科优盘和其他闪存盘品牌之间的技术差距。”分析人士表示，朗科此举将闪存盘竞争带入到“芯片级”高度，闪存盘“同质化”时代或将终结。

满足更高需求，“优芯4号”应运而生

近年来，由于互联网和多媒体技术的不断发展，用户的移动存储数据量逐年暴涨。闪存盘的市场主流容量也水涨船高，从五年前的128M增长到目前的4G，累计增长了32倍，预计未来2年内，市场主流容量将达到32G。

“以往人们从闪存盘读取2G的资料通常需要十多分钟的时间，”朗科有关人士表示，在闪存盘主流市场容量日益暴涨的今天，这样的读写速度显然让人无法忍受。

据悉，朗科“优芯4号”控制芯片内部采用了高速缓存加速技术、多通道技术、Interleave、Multi-Plane等技术，大大提升了闪存读写速度，用户存储2G数据只需要一分钟左右的时间。

“优芯4号”的另一大技术亮点是内部集成了BCH算法ECC电路，每512Byte数据最大可纠正8bit数据错误，这一纠错能力在以往闪存盘基础上提高了4倍左右，将大幅提高闪存盘数据存储与传输的稳定性，并可以满足更多的闪存应用需求。

此外，“优芯4号”还采用了朗科公司独有的动态负载平衡技术和动态坏块替换管理技术，可以延长闪存寿命。据悉， Flash闪存芯片理论上拥有“100万次擦写”的使用寿命，但如果没

有动态负载平衡和动态坏块替换管理技术的支持，很多闪存盘的实际使用寿命会低于1000

次。

闪存应用日益广泛，朗科畅享新蛋糕