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ICT探针使用说明

ICT探针使用说明
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教你认识半导体与测试设备

? 第一章.认识半导体和测试设备(1) 本章节包括以下内容, ●晶圆(Wafers)、晶片(Dice)和封装(Packages) ●自动测试设备(ATE)的总体认识

●模拟、数字和存储器测试等系统的介绍 ●负载板(Loadboards)、探测机(Probers)、机械手(Handlers)和温 度控制单元(Temperature units) 一、晶圆、晶片和封装 1947年,第一只晶体管的诞生标志着半导体工业的开始,从那时起,半导体生产和制造技术变得越来越重要。以前许多单个的晶体管现在可以互联加工成一种复杂的集成的电路形式,这就是半导体工业目前正在制造的称之为"超大规模"(VLSI,Very Large Scale Integration)的集成电路,通常包含上百万甚至上千万门晶体管。 半导体电路最初是以晶圆形式制造出来的。晶圆是一个圆形的硅片,在这个半导体的基础之上,建立了许多独立的单个的电路;一片晶圆上这种单个的电路被称为die(我前面翻译成"晶片",不一定准确,大家还是称之为die好了),它的复数形式是dice.每个die都是一个完整的电路,和其他的dice没有电路上的联系。 当制造过程完成,每个die都必须经过测试。测试一片晶圆称为"Circuit probing"(即我们常说的CP测试)、"Wafer porbing"或者"Die sort"。在这个过程中,每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书(Specification),通常包括电压、电流、时序和功能的验证。如果某个die不符合规格书,那么它会被测试过程判为失效(fail),通常会用墨点将其标示出来(当然现在也可以通过Maping图来区分)。 在所有的die都被探测(Probed)之后,晶圆被切割成独立的dice,这就是常说的晶圆锯解,所有被标示为失效的die都报废(扔掉)。图2显示的是一个从晶圆上锯解下来没有被标黑点的die,它即将被封装成我们通常看到的芯片形式。

四探针操作手册

南开大学 硅光电子学与储能实验室 Four-Point Probe Operation | 2011 四探针操作手册

四探针操作说明书 Four-Point Probe Operation 第1章引言 (1) 1. 目的 (1) 2. 应用范围 (1) 3. 测试设备 (1) 四探针 (1) 数字电压源表 (2) 第2章原理简述 (3) 1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率: (3) 2. 薄膜方块电阻 (3) 第3章操作方法 (5) 1. 引言 (5) 2. 测试线连接方式 (5) 3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南 (6) 4. 探针接触方式 (8) 5. 数据测试指南 (8) 第4章注意事项 (10) 附表 ................................................................................................................................................... I

第1章引言 1.目的 本说明书主要介绍用四探针法测试薄膜方块电阻及电阻率的原理及具体操作方法。 2.应用范围 测量参数:方块电阻,电阻率 测量样品:均匀薄膜,均匀薄片 方块电阻测试范围:0.01?~500M? 电阻率测试范围:10-5??cm~103??cm 样品大小:直径>1cm 精度:<±5% 3.测试设备 四探针 生产厂商: 广州四探针有限公司RTS-2型 基本指标: 间距:1±0.01mm; 针间绝缘电阻: ≥1000MΩ; 机械游移率: ≤0.3%; 探针:碳化钨或高速钢材质,探针直径Ф0.5mm; 探针压力:5~16 牛顿(总力); 使用环境: 温度::23±2℃; 相对湿度:≤65%; 无高频干扰; 无强光直射; 基本参数: Fsp=0.1 探针间距:1.0mm

雷尼绍CNC探头编程步骤 V01

雷尼绍探头使用介绍 第一章探头程序编程 第一节编探点程序 1.定原点,找各探点坐标值 先在UG软件里定好工件坐标系原点,然后用UG软件将需要探点的位置的点(X Y Z)找出来,记录下来,以编探点程序用。 2.编探点程序(探点程序的名字自己定如:O6666) 探点程序里面控制探头的移动需要调用两个重要的探头运算程序O9810 和O9811。探点程序格式案例:(以下是编探Z点的案例) % O6666(PROBE) G91G28Z0 G90 G0 G17 G40 G49 G69 G80 M6 T11 (探头装在 T11刀座上,换 T11 号探头到主轴上) G90 G00 G54 X-18. Y50. (快速定位到到G54坐标系中的要探点的第一个点上方) M19 (S_ ) (主轴定位,S是让主轴转一个角度,如果是探Z轴方向的点, S就不需要,如果是探侧面,就需要S,即转角度,使探头 在探各侧面时都是使用探针红宝石球的一个面测量,减小 误差) M05 M17 (open probe) (打开探头,这个指令是由接线时接到相应端口决定的) G43 Z50.H11 (建立刀长,即读取探头的长度) G90G00Z50. (探头快速下到Z50.的位置) N1(Z+ POINT1) (测第一个点的Z值) G65P9810 X-18. Y50. F3000. (安全快速定位到第一个点的X Y位置,速度为F3000.) G65P9810 Z19. (安全快速定位到第一个点上方的安全的Z位置,速度同 上,此处高度一般离下面要测的点3MM) G65P9811 Z16.08 (安全慢速到达第一个探点的Z位置,另外,此步探完点后, 会自动的返回到上一步Z19.0的位置)

芯片测试的几个术语及解释(CP、FT、WAT)

CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。8 % 现在对于一般的wafer工艺,很多公司多吧CP给省了;减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CPPass才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是wafer level的chip probing,是整个wafer工艺,包括backgrinding和backmetal(if needed),对一些基本器件参数的测试,如vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss等,一般测试机台的电压和功率不会很高; FT是packaged chip level的Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC或Device芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试; Pass FT还不够,还需要作process qual和product qual CP测试对Memory来说还有一个非常重要的作用,那就是通过MRA计算出chip level的Repair address,通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die修补回来,这样保证了yield和reliability两方面的提升。 CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平

FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平 对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT 测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求) 一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点,memory测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。 CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另1个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子,碰到大电流测试项CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得FT 的测试项比CP少很多。 应该说WAT的测试项目和CP/FT是不同的。CP不是制造(FAB)测的!% Q) `8 而CP的项目是从属于FT的(也就是说CP测的只会比FT少),项目是完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die,在CP 时通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。 据我所知盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。

四探针测电阻率实验指导书及SZT-2A四探针测试仪使用说明书

实验七四探针法测量材料的电阻率 一、实验目的 (1)熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理 (2)掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 二、实验原理 半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一,已在微电子器件和光电子器件中得到了广泛应用。半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性,是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一,对半导体或金属材料电阻率的测量具有重要的实际意义。 直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的仪器示意图以及与样品的接线图如图1所示。由图1(a)可见,测试过程中四根金属探针与样品表面接触,外侧1和4两根为通电流探针,内侧2和3两根是测电压探针。由恒流源经1和4两根探针输入小电流使样品内部产生压降,同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针(探针2和探针3)之间的电压V23。 a b 图1 四探针法电阻率测量原理示意图 若一块电阻率为 的均匀半导体样品,其几何尺寸相对探针间距来说可以看

作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为I ,由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面,则在半径为r 处等位面的面积为22r π,电流密度为 2/2j I r π= (1) 根据电流密度与电导率的关系j E σ=可得 22 22j I I E r r ρ σ πσπ= = = (2) 距离点电荷r 处的电势为 2I V r ρ π= (3) 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学推导,四探针法测量电阻率的公式可表示为 123 231224133411112( )V V C r r r r I I ρπ-=--+?=? (4) 式中,1 12241334 11112( )C r r r r π-=--+为探针系数,与探针间距有关,单位为cm 。 若四探针在同一直线上,如图1(a)所示,当其探针间距均为S 时,则被测样品的电阻率为 123 2311112()222V V S S S S S I I ρππ-=- -+?=? (5) 此即常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 有时为了缩小测量区域,以观察不同区域电阻率的变化,即电阻率的不均匀性,四根探针不一定都排成一直线,而可排成正方形或矩形,如图1(b)所示,此时只需改变电阻率计算公式中的探针系数C 即可。 四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备接触电极,极大地方便了对样品电阻率的测量。四探针法可测量样品沿径向分布的断面电阻率,从而可以观察电阻率的不均匀性。由于这种方法允许快速、方便、无损地测试任意形状样品的电阻率,适合于实际生产中的大批量样品测试。但由于该方法受到探针间距的限制,很难区别间距小于0.5mm 两点间电阻率的变化。 根据样品在不同电流(I )下的电压值(V 23),还可以计算出所测样品的电阻率。

雷尼绍探头编程步骤-V01

雷尼绍探头使用介绍 1.定原点,找各探点坐标值 先在UG软件里定好工件坐标系原点,然后用UG软件将需要探点的位置的点(X Y Z)找出来,记录下来,以编探点程序用。 2.编探点程序(探点程序的名字自己定如:O6666) 探点程序里面控制探头的移动需要调用两个重要的探头运算程序O9810 和O9811。探点程序格式案例:(以下是编探Z点的案例) % O6666(PROBE) G91G28Z0 G90 G0 G17 G40 G49 G69 G80 M6 T11 (探头装在 T11刀座上,换 T11 号探头到主轴上) G90 G00 G54 X-18. Y50. (快速定位到到G54坐标系中的要探点的第一个点上方) M19 (S_ ) (主轴定位,S是让主轴转一个角度,如果是探Z轴方向的点, S就不需要,如果是探侧面,就需要S,即转角度,使探头 在探各侧面时都是使用探针红宝石球的一个面测量,减小 误差) M05 M17 (open probe) (打开探头,这个指令是由接线时接到相应端口决定的) G43 Z50.H11 (建立刀长,即读取探头的长度) G90G00Z50. (探头快速下到Z50.的位置) N1(Z+ POINT1) (测第一个点的Z值) G65P9810 X-18. Y50. F3000. (安全快速定位到第一个点的X Y位置,速度为F3000.) G65P9810 Z19. (安全快速定位到第一个点上方的安全的Z位置,速度同 上,此处高度一般离下面要测的点3MM) G65P9811 Z16.08 (安全慢速到达第一个探点的Z位置,另外,此步探完点后, 会自动的返回到上一步Z19.0的位置)

垂直式探针卡项目计划书(项目投资分析)

第一章项目总论 一、项目概况 (一)项目名称 垂直式探针卡项目 (二)项目选址 xxx高新技术产业示范基地 节约土地资源,充分利用空闲地、非耕地或荒地,尽可能不占良田或少占耕地;应充分利用天然地形,选择土地综合利用率高、征地费用少的场址。项目建设区域以城市总体规划为依据,布局相对独立,便于集中开展科研、生产经营和管理活动,并且统筹考虑用地与城市发展的关系,与项目建设地的建成区有较方便的联系。 (三)项目用地规模 项目总用地面积40453.55平方米(折合约60.65亩)。 (四)项目用地控制指标 该工程规划建筑系数63.75%,建筑容积率1.60,建设区域绿化覆盖率5.29%,固定资产投资强度177.66万元/亩。 (五)土建工程指标

项目净用地面积40453.55平方米,建筑物基底占地面积25789.14平 方米,总建筑面积64725.68平方米,其中:规划建设主体工程40148.13 平方米,项目规划绿化面积3421.74平方米。 (六)设备选型方案 项目计划购置设备共计90台(套),设备购置费4403.12万元。 (七)节能分析 1、项目年用电量556462.07千瓦时,折合68.39吨标准煤。 2、项目年总用水量34509.88立方米,折合2.95吨标准煤。 3、“垂直式探针卡项目投资建设项目”,年用电量556462.07千瓦时,年总用水量34509.88立方米,项目年综合总耗能量(当量值)71.34吨标 准煤/年。达产年综合节能量20.12吨标准煤/年,项目总节能率24.50%, 能源利用效果良好。 (八)环境保护 项目符合xxx高新技术产业示范基地发展规划,符合xxx高新技术产 业示范基地产业结构调整规划和国家的产业发展政策;对产生的各类污染 物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,项 目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。 (九)项目总投资及资金构成 项目预计总投资14706.96万元,其中:固定资产投资10775.08万元,占项目总投资的73.27%;流动资金3931.88万元,占项目总投资的26.73%。

KEITHLEY四探针操作手册

南开大学硅光电子学与储能实验室四探针操作手册 Four-Point Probe Operation | 2011

四探针操作说明书 Four-Point Probe Operation 第1章引言................................................错误!未定义书签。 1. 目的..................................................错误!未定义书签。 2. 应用范围..............................................错误!未定义书签。 3. 测试设备..............................................错误!未定义书签。 四探针............................................错误!未定义书签。 数字电压源表......................................错误!未定义书签。第2章原理简述............................................错误!未定义书签。 1. 薄膜(厚度≤4mm)电阻率:...............................错误!未定义书签。 2. 薄膜方块电阻..........................................错误!未定义书签。第3章操作方法............................................错误!未定义书签。 1. 引言..................................................错误!未定义书签。 2. 测试线连接方式........................................错误!未定义书签。 3. KEITHLEY 2400高压源表设置指南........................错误!未定义书签。 4. 探针接触方式..........................................错误!未定义书签。 5. 数据测试指南..........................................错误!未定义书签。第4章注意事项............................................错误!未定义书签。附表 .........................................................错误!未定义书签。

垂直式探针卡项目简介(立项备案申请)

垂直式探针卡项目简介 一、基本情况 (一)项目名称 垂直式探针卡项目 (二)项目建设单位 xxx公司 (三)法定代表人 董xx (四)公司简介 公司将“以运营服务业带动制造业,以制造业支持运营服务业”经营 模式,树立起双向融合的新格局,全面系统化扩展经营领域。公司为以适 应本土化需求为导向,高度整合全球供应链。 公司已拥有ISO/TS16949质量管理体系以及ISO14001环境管理体系, 以及ERP生产管理系统,并具有国际先进的自动化生产线及实验测试设备。公司自建成投产以来,每年均快速提升生产规模和经济效益,成为区域经 济发展速度较快、综合管理效益较高的企业之一;项目承办单位技术力量

相当雄厚,拥有一批知识丰富、经营管理经验精湛的专业化员工队伍,为研制、开发、生产项目产品奠定了良好的基础。 公司通过了ISO质量管理体系认证,并严格按照上述管理体系的要求对研发、采购、生产和销售等过程进行管理,同时以客户提出的品质要求为基础,建立了完整的产品质量控制体系,保证产品质量的优质、稳定。 上一年度,xxx投资公司实现营业收入24321.50万元,同比增长 26.81%(5142.16万元)。其中,主营业业务垂直式探针卡生产及销售收入为20707.76万元,占营业总收入的85.14%。 根据初步统计测算,公司实现利润总额5350.67万元,较去年同期相比增长472.34万元,增长率9.68%;实现净利润4013.00万元,较去年同期相比增长629.35万元,增长率18.60%。 (五)项目选址 某某高新技术产业开发区 (六)项目用地规模 项目总用地面积35371.01平方米(折合约53.03亩)。 (七)项目用地控制指标 该工程规划建筑系数69.65%,建筑容积率1.57,建设区域绿化覆盖率7.52%,固定资产投资强度180.15万元/亩。

四探针一体机使用说明书

SZT-2A四探针测试仪 使用说明书 一概述 SZT-2A型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。 仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻)以及探头修正系数, 主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。 测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。 仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。 本仪器工作条件为: 温度:23℃±3℃ 相对湿度:50%~70%

工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源。 二,技术参数 1,测量范围 电阻率: 10??-105?-cm 方块电阻 10??- 105?/□ 电阻 10-?- 105? 2,可测半导体材尺寸 直径:Ф15-100mm 长(或高)度:≤400mm 3,测量方位 轴向,径向均可 4,数字电压表: (1)量程:20mV,200mV,2V (2)误差:±0.5%读数±2字 (3)输入阻抗:>10?? (4)最大分辨率:10μV (5)点阵液晶显示,过载显示。 5,恒流源: (1)电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA五挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头 修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算 后,直接显示修正后的结果。

垂直式探针卡项目投资建设可行性研究报告参考范本模板

垂直式探针卡项目 投资建设可行性研究报告 规划设计 / 投资分析

摘要 该垂直式探针卡项目计划总投资18423.85万元,其中:固定资产投资14198.27万元,占项目总投资的77.06%;流动资金4225.58万元,占项目总投资的22.94%。 达产年营业收入36422.00万元,总成本费用27547.96万元,税金及附加345.46万元,利润总额8874.04万元,利税总额10443.51万元,税后净利润6655.53万元,达产年纳税总额3787.98万元;达产年投资利润率48.17%,投资利税率56.68%,投资回报率36.12%,全部投资回收期 4.27年,提供就业职位664个。 本文件内容所承托的权益全部为项目承办单位所有,本文件仅提供给项目承办单位并按项目承办单位的意愿提供给有关审查机构为投资项目的审批和建设而使用,持有人对文件中的技术信息、商务信息等应做出保密性承诺,未经项目承办单位书面允诺和许可,不得复制、披露或提供给第三方,对发现非合法持有本文件者,项目承办单位有权保留追偿的权利。 概述、投资背景及必要性分析、项目市场研究、项目建设内容分析、项目建设地研究、土建工程设计、工艺技术方案、环保和清洁生产说明、企业卫生、项目风险评价、项目节能评估、项目实施安排方案、投资估算与资金筹措、盈利能力分析、综合评价结论等。

垂直式探针卡项目投资建设可行性研究报告目录 第一章概述 第二章投资背景及必要性分析 第三章项目市场研究 第四章项目建设内容分析 第五章项目建设地研究 第六章土建工程设计 第七章工艺技术方案 第八章环保和清洁生产说明 第九章企业卫生 第十章项目风险评价 第十一章项目节能评估 第十二章项目实施安排方案 第十三章投资估算与资金筹措 第十四章盈利能力分析 第十五章项目招投标方案 第十六章综合评价结论

最新四探针法测电阻率

四探针法测电阻率

实验四探针法测电阻率 1.实验目的: 学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2.实验内容 ①硅单晶片电阻率的测量:选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片,改变 条件(光照与否),对测量结果进行比较。 ②薄层电阻率的测量:对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻 率进行测量。改变条件进行测量(与①相同),对结果进行比较。 3.实验原理:

在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多,有两探针法,四探针法,单探针扩展电阻法,范德堡法等,我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行,适于批量生产,所以目前得到了广泛应用。 所谓四探针法,就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a 所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流,然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压,最后根 据理论公式计算出样品的电阻率[1] I V C 23 =ρ 式中,C 为四探针的修正系数,单位为厘米,C 的大小取决于四探针的排列方法和针距,探针的位置和间距确定以后,探针系数C 就是一个常数;V 23为2、3两探针之间的电压,单位为伏特;I 为通过样品的电流,单位为安培。 半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关,下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形 图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图,图中(a)为四探针测量电阻率的装置;(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形;(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触,所以,对图1(b )所示的半无穷大样品,电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是,样品电阻率为ρ,半径为r ,间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为 dr r dR 2 2πρ = , 它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。

用于筛选Wafer中不良Die的测试系统和方法与制作流程

本申请涉及一种用于筛选Wafer中不良Die的测试系统、方法、计算机设备及存储介质,其中该系统包括:测试主机、传输卡、多个测试卡以及探针卡;其中,所述测试主机通过串口与传输卡通讯用于获取每个测试卡上每个测试通道的测试结果;所述传输卡用于给所述多个测试卡供电,所述多个测试卡与所述测试主机是通过传输卡的串口进行通讯;所述测试卡都可以用于测试多个通道,每个通道上的信号以及电源都是通过所述探针卡连接到对应待测试的Wafer。本技术中的测试系统以及方法可以直接应用于自动化平台上,并且能实现多个通道的自动测试,可以有效地提升测试效率。 技术要求 1.一种用于筛选Wafer中不良Die的测试系统,其特征在于,所述系统包括:测试主机、传输卡、多个测试卡以及探针卡; 其中,所述测试主机通过串口与传输卡通讯用于获取每个测试卡上每个测试通道的测试 结果; 所述传输卡用于给所述多个测试卡供电,所述多个测试卡与所述测试主机是通过传输卡 的串口进行通讯; 所述测试卡都可以用于测试多个通道,每个通道上的信号以及电源都是通过所述探针卡 连接到对应待测试的Wafer。

2.根据权利要求1所述的用于筛选Wafer中不良Die的测试系统,其特征在于,所述传输卡与所述多个测试卡之间的信号以及供电链接需要在所述探针卡上实现,且所述传输卡与所述多个测试卡使用的连接器规格相同。 3.根据权利要求2所述的用于筛选Wafer中不良Die的测试系统,其特征在于,所述测试卡的数量为4张。 4.根据权利要求3所述的用于筛选Wafer中不良Die的测试系统,其特征在于,所述传输卡内设有传输子系统; 其中,所述传输子系统中单片机的GPIO用于控制4个开关的电源; 所述传输子系统中单片机的1个UART通过一个1选4路芯片来控制4个测试卡。 5.根据权利要求4所述的用于筛选Wafer中不良Die的测试系统,其特征在于,所述测试卡内设有测试子系统; 其中,所述测试子系统中信号切换模块用于信号开关切换; 电源开关控制模块用于电源开关的控制以及电流测量; 所述信号切换模块与所述电源开关控制模块均由系统芯片控制。 6.一种应用于如权利要求1-5任一项所述测试系统的用于筛选Wafer中不良Die的测试方法,其特征在于,所述方法包括: 在测试电脑上打开测试软件; 对测试卡和传输卡上电,并加载对应的固件程序; 从服务器下载Wafer Map,检查Wafer Map后安装Wafer和Probe; 读取产品信息检查原厂坏块,并进行电流检测、时间检测以及误码率检测; 擦除所有数据恢复原始状态;

四探针说明书

SZT-2C 四探针测试仪 使用说明书 一概述 SZT-2C 型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。 仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻); 探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。 主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。 测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。 仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。 本仪器工作条件为: 使用温度:23C 士3C 相对湿度:50%~70% 工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源,二,技术参数 1,测量范围

6 电阻率:10 ??-10 6? -cm 方块电阻10 ??- 10 6?/ □ 电阻10 -? - 10 6 ? 2 ,可测半导体材尺寸 直径:①5-250mm 长(或高)度:< 400mm如配探笔可以测量任意长度) 3,测量方位 轴向,径向均可 4,数字电压表: (1)量程:20mV,200mV,2V (2)误差:±0.1%读数±2字 (3)输入阻抗:>10 ?? (4)最大分辨率:10卩V (5)点阵液晶显示,过载显示。 5,恒流源: (1)电流输出:共分10卩A,100uA,1mA,10mA,100m>六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头修正系和 扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算 后,直接显示修正后的结果。 (2)误差:士0.5%士2字,在使用1卩A恒流电流输 出时为± 0.5%± 5字 6, 四探针测试头; (1) 探针间距: 1mm

四探针说明书要点

SZT-2C四探针测试仪 使用说明书 一概述 SZT-2C型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。 仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻);探头修正系数和温度值,用来监测仪器使用时的环境温度。 主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。 测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。 仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。 本仪器工作条件为: 使用温度:23℃±3℃ 相对湿度:50%~70%

工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源, 二,技术参数 1,测量范围 电阻率: 10??-106?-cm 方块电阻 10??- 106?/□ 电阻 10-?- 106? 2,可测半导体材尺寸 直径:Ф5-250mm 长(或高)度:≤400mm(如配探笔可以测量任意长度)3,测量方位 轴向,径向均可 4,数字电压表: (1)量程:20mV,200mV,2V (2)误差:±0.1%读数±2字 (3)输入阻抗:>10?? (4)最大分辨率:10μV (5)点阵液晶显示,过载显示。 5,恒流源: (1)电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA六挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头 修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算 后,直接显示修正后的结果。

一种四探针法测量粉末电导率的介绍说明

一种四探针法测量粉末电导率的介绍说明 适用范围广泛用于:Applicable scope is widely used 锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料电阻率的测量;也应用于需要采用四探针法测量的导体或半导体粉末材料的分析与检测;也常用于石墨类粉状材料电阻率的测量;广泛应用于国内外企业品质检测;研发部门,大中专院校;科研院所;及质量检测机构. 功能概述:Functional overview 1.采用高精度集成电路模块;全自动化焊接电路. 2. 4.3吋液晶显示器,薄膜按键操作,自带温度. 3.高精恒直流恒流源系统. 4.四探针法测量模式--单电测量 5.中英两种语言版本选择. 6.手动液压加压 7. 超量程报警 8.上下限设定警报功能. 9.人体工学设计 10.选购:PC软件. 原理: Principle:

一定量的粉体,在液压动力下压缩体积至设定压力值或压强,无需取出,在线测量粉体电阻、电阻率、电导率,并记录数据. 解决粉体难压片成型或压片取出测量误差. 应用说明: 1.锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料粉末电导率的测定方法中用于仲裁方法的四探针法要求 2.四点探针法测试电导率的方法 满足标准: Meet Standard 1)四点探针测试仪满足GB/T 1551、GB/T1552-1995,ASTM F84美国A.S.T.M 标准。 2)四探针法粉末测试平台依据GBT 30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电导率的测定方法中用于仲裁方法的四探针法要求制作. 技术参数资料Technical Parameters

步骤及流程 1.运行高度清零

雷尼绍CNC探头编程步骤V01

雷尼绍探头使用介绍 第一草探头程序编程 第一节编探点程序 1?定原点,找各探点坐标值 先在UG软件里定好工件坐标系原点,然后用UG软件将需要探点的位 置的点(X Y Z)找出来,记录下来,以编探点程序用。 2?编探点程序(探点程序的名字自己定如:06666) 探点程序里面控制探头的移动需要调用两个重要的探头运算程序09810 和09811。探点程序格式案例:(以下是编探Z点的案例) % O6666(PROBE) G91G28Z0 G90 GO G17 G40 G49 G69 G80 (快速定位到到G54坐标系中的要探点的第一个点上方) 主轴定位,S是让主轴转一个角度,如果是探Z轴方向的点, 就不需要,如 果是探侧面,就需要S,即转角度,使探头在探各侧面时都是使用探针红宝石球的一个面测量,减小 M05 M17 (open probe)(打开探头,这个指令是由接线时接到相应端口决定的) G43 Z50.H11 G90G00Z50.(建立刀长,即读取探头的长度)(探头快速下到Z50.的位置) M6 T11 (探头装在T11刀座上,换T11号探头到主轴上)G90 G00 G54 X-18. Y50. M19 (S_ ) (

N1(Z+ P0INT1) G65P9810 X-18. Y50. F3000. G65P9810 Z19.(测第一个点的Z值) (安全快速定位到第一个点的X Y位置,速度为F3000.)(安全快速定位到第一个点上方的安全的Z位置,速度同

上,此处高度一般离下面要测的点3MM) (安全慢速到达第一个探点的Z位置,另外,此步探完点后, 会自动的返回到上一步Z19.0 的位置) (#142为第一个探点的理论Z16.08与实际探得的“ Z实”的差值, 它是在0981俚面自动计算,然后传递给#142,#142 再将所得的值传递给#601,#601为第一个点Z向要补尝的值)安全快速移到安全高度Z20. 的位置) (测第二个点的Z值) (安全快速定位到第二个点的X Y位置,速度为F3000.) (安全快速定位到第二个点上方的安全的Z位置,速度同上,此处高度一般离下面要测的点3MM) (安全慢速到达第二个探点的Z位置,另外,此步探完点后,会自动的返回到上一步Z19.0的位置) 为第二个探点的理论Z16.08与实际探得的“ Z实”的差值, 它是在09811里面自动计算,然后传递给#142,#142 再将所得的值传递给#601,#601为第二个点Z向要补尝的值) 安全快速移到安全高度Z20. 的位置) N3(Z+ POINT1) G65P9810 X12.5 Y51.1 F3000. G65P9810 Z19. G65P9811 Z16.08 #603=#142 G65P9810 Z20. N4(Z+ POINT1) G65P9810 X12.2 Y49.2 F3000. G65P9810 Z16. G65P9811 Z13.73 #604=#142 G65P9810 Z35. (测第三个点的Z 值) (测第四个点的Z 值) N16(Z+ POINT1) G65P9810 X-16.5 Y-18.2 F3000. G65P9810 Z16. G65P9811 Z14.23 (测第十六个点的Z 值) G65P9811 Z16.08 #601=#142 G65P9810 Z20. N2(Z+ POINT1) G65P9810 X-16.5 Y48.3 F3000. G65P9810 Z17. G65P9811 Z14.23 #602=#142 #142 G65P9810 Z35.

SZT-2A四探针测试仪使用说明书[资料]

SZT-2A四探针测试仪使用说明书[资料] SZT-2A四探针测试仪 使用说明书一概述 SZT-2A型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。 仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻)以及探头修正系数,主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。 测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。 仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。 本仪器工作条件为: 温度: 23? ?3? 相对湿度: 50%~70% 工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源。 二,技术参数 1,测量范围

5 电阻率: 10??-10?-cm 5 方块电阻 10??- 10?/? -5电阻 10?- 10 ? 2,可测半导体材尺寸 直径: Ф15-100mm 长(或高)度: ?400mm 3,测量方位 轴向,径向均可 4,数字电压表: ,1, 量程:20mV,200mV,2V ,2, 误差:?0.5%读数?2字 ,3, 输入阻抗:>10?? ,4, 最大分辨率:10μV ,5, 点阵液晶显示,过载显示。 5,恒流源: ,1, 电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA五挡可通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头 修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算后,直接显示修正后的结果。 ,2, 误差: ?0.5%?2字。 6,四探针测试头; (1) 探针间距: 1mm (2) 探针机械游移率: ?1.0% (3) 探针材料: 碳化钨,Ф0.5mm (4) 0-2Kg可调,最大压力约2Kg 7, 电源:

哈斯-雷尼绍测头探针系统使用指南20110214

哈斯、雷尼绍 测头探针系统使用指南 VQC雷尼绍测头模板 使用HAAS/雷尼绍测头可以简化测头程序,并且可以定制,包括5部分:主轴探头1-9,主轴探头10-18,刀具偏置,测头校验,帮助。

这包括最近发放哈斯机床探针(由雷尼绍制造)设置模板。 因为没有人知道如何使用,很多测头使用率低,并且说明书非常复杂。 哈斯VQC探针系统包括一个主轴探头,工具设置探头,探头接收和Renishaw软件(约49k ,9000宏)。 它大大简化了编程和设置和使用的探针。 创建的程序调出所需的宏子程序。 样板被分成4个种类显示。因为15个类别的限制,在VQC模板中这是一个单独的程序(O09910)。 程序文件“vqcpsmei.pgm”包括42个子程序。 附带的雷尼绍软件给有编程/探头的经验的人提供了完整的探测能力。 注:帮助是一个新的类别,显示在软件更改。 如果您已经加载规则的铣床VQC模板(VQC进入方法:MDI模式下按程序键两次,选择VQC),你可以按到程序清单。然后,您可以选择探头模板(O09996)。 注:通常有一组数目的宏用来探针。这些都是9000系列程序。 通过选择方案9996你会得到探针模板所示。

Here you can see the five categories of the Probe Templates. If we select the first category (by pressing WRITE/ENTER) we get these templates (next slide): 在测头模板中可以看到5个分类。 如果我们选择第一类(按写入/回车),我们得到这些模板(下图):

SZT-2A四探针测试仪使用说明书

SZT-2A四探针测试仪使用说明书 SZT-2A四探针测试仪 使用说明书 一概述 SZT-2A型数字式四探针测试仪是运用四线法测量原理的多用途综合测量装置,配上专用的四探针测试架,即可以测量片状,块状或柱状半导体材料的径向和轴向电阻率,测量扩散层的薄层电阻(亦称方块电阻)。四探针测试架有电动,手动,手持三种可以选配,另外还配有四个夹子的四线输入插头用来作为测量线状或片状电阻的中,低阻阻值。 仪器由主机,测试架等部份组成,测试结果由液晶显示器显示,同时,液晶显示器还显示测量类型(电阻率,方块电阻和电阻)以及探头修正系数,主机由开关电源,DC/DC变换器,高灵敏度电压测量部份,高稳定度恒流源,和微电脑控制系统组成。由於采用大规模集成电路,所以仪器可靠性高,测量稳定性好。 测试探头采用宝石导向轴套和高硬度钢针,定位准确,游移率小,使用寿命长。 仪器适用於半导体材料厂,半导体器件厂,科研单位,高等院校对半导体材料电阻性能的测试。 本仪器工作条件为: 温度: 23? ?3? 相对湿度: 50%~70% paper has produced remarkable results. By pay close attention to reform, all three business units exceeded annual targets on schedule

task. Hotel as originally planned one month in advance to achieve the annual task of Pingliang, four months ahead of the dynamic balance of revenues and expenditures year, annual operating revenue reached 10.41 million Yuan, accounting for 114% of the annual plan, achieved a net profit 工作室内应无强磁场干扰,不与高频设备共用电源。二,技术参数 1,测量范围 5 电阻率: 10??-10?-cm 5 方块电阻 10??- 10?/? -5电阻 10?- 10 ? 2,可测半导体材尺寸 直径: Ф15-100mm 长(或高)度: ?400mm 3,测量方位 轴向,径向均可 4,数字电压表: ,1, 量程:20mV,200mV,2V ,2, 误差:?0.5%读数?2字 ,3, 输入阻抗:>10?? ,4, 最大分辨率:10μV ,5, 点阵液晶显示,过载显示。 5,恒流源: ,1, 电流输出:共分10μA,100uA,1mA,10mA,100mA五挡可 通过按键选择,各挡均为定值不可调节,电阻率探头 修正系和扩散层方块电阻修正系数均由机内CPU运算

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