搜档网
当前位置:搜档网 › 物我交融 理深情长

物我交融 理深情长

物我交融 理深情长
物我交融 理深情长

物我交融理深情长

景物描写有许多讲究,要抓住特点,要描绘色彩,要动静结合,要写出感情。任何好的景物描写都是心灵的感悟,思想的升华。王国维在《人间词话》中说:“有我之境,以我观物,故物皆著我之色彩”,“有我之境,于由动之静时得之”,故“宏壮也”。史铁生的《我与地坛》即包含了上述诸特点,地坛中的景物有着强烈的史氏色彩,而当此之时,史铁生的内心也正经历着是活着还是自杀的严峻考验,最终在与地坛的对话中史铁生终于能够凤凰更生。在文章里,地坛可以说是史铁生的知音知己,是他的知心爱人,甚至几乎可以说是那个时期他生活的全部:看书,思考,散心,除了吃饭和睡觉,几乎都在这里。我是为了地坛,地坛是为了“我”,似乎几百年前,史铁生与地坛就注定了今生的相聚:朝夕相伴,两情依依,无论寒暑,不惧风雷。史铁生写古园其实就是在写自己,写古园的景物其实也就是在写自己的心情和心路历程。下面就对《我与地坛》中的三处景物描写分别具体赏析。

第一处景物描写:“四百多年里,它一面剥蚀了古殿檐头浮夸的琉璃,淡褪了门壁上炫耀的朱红,坍圮了一段段高墙又散落了玉砌雕栏,祭坛四周的老柏树愈见苍幽,到处的野草荒藤也都茂盛得自在坦荡。”

所谓剥蚀了浮夸,淡褪了炫耀,一方面是在说沧海桑田岁月无情,曾经的显赫如今已经没落,一方面似乎也是在说我不再狂妄。然而,野草荒藤“自在坦荡”,我却不能。

地坛的破落相突出了剥蚀状、淡褪状、坍圮状、散落状,而荒园的破败又与作者的不幸及心境相合相应,彼此交融。而且“到处的野草荒藤也都茂盛得自在坦荡”又为下文作者的思想转变埋下了伏笔:荒园虽然破败,但野草荒藤依然茂盛依然自在依然坦荡,作者似乎在暗示面对生活的不幸,生命依然可以平淡洒脱甚至辉煌。

第二处景物描写:“蜂儿如一朵小雾稳稳地停在半空;蚂蚁摇头晃脑捋着触须,猛然间想透了什么,转身疾行而去;瓢虫爬得不耐烦了,累了祈祷一回便支开翅膀,忽悠一下升空了;树干上留着一只蝉蜕,寂寞如一间空屋;露水在草叶上滚动,聚集,压弯了草叶轰然坠地摔开万道金光。”“满园子都是草木竞相生长弄出的响动,窸窸窣窣片刻不息。”

在这里几乎每一景物中我们都能找到史铁生自己的影子:“蜂儿如一朵小雾稳稳地停在半空”,如我之坐于轮椅;蚂蚁“猛然间想透了什么”,我却不明白“我为什么要出生”;“瓢虫爬得不耐烦了”,可以“支开翅膀,忽悠一下升空了”,我又能怎样呢?蝉蜕“寂寞如一间空屋”,人也莫不如此啊。

但这并不是问题的全部,另一方面,它也更应该包含了如此的思考:蜂儿、蚂蚁、瓢虫活得有滋有味,生命就应如它们一般,甚至如野草一般地活得“自在坦荡”。我们的寂寞和痛苦无关这世界的痛痒。生命就如那露水滚动,聚集,时

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是单向导电性。 3.差分放大电路中,若u I1 = 100 μV,u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV;共模输入电压u Ic = 90μV。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用 低通滤波器;有用信号频率高于10 kHz时,可 选用 高通滤波器;希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用 带阻滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到78.5%,但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是(A)。A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为(D)。 A.P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的(C)。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是(A)。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a.不用输出变压器b.不用输出端大电容c.效率高d.无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C),发光二极管发光时,其工作在( A)。 a.正向导通区b.反向截止区c.反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12 V,R S 10kΩ, R B1 120 kΩ,R B2 39 kΩ,R C 3.9 kΩ, R E 2.1 kΩ,R L 3.9 kΩ,r bb’ Ω,电流放大系 数 β 50,电路中电容容量足够大,要求: 1.求静态值I BQ ,I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V ); u I u o R L

模电试卷及答案

《模拟电子技术(Ⅱ)》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院: 电气 课程号:15012335 考试日期: 2010-12-30 考试方式:开卷闭卷 其他 考试时间: 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题,每空2分,共20分) 1.欲得到电压-电流转换电路,应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 (b )电流并联负反馈 (c )电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路,其反馈电压取自( )元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是( ) A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路,u 1为正弦波,有效值为U 1=20V ,f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ,这是由于( )的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为( )功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是( )之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。 7. PNP 管工作在饱和状态时,应使发射结正向偏置,集电结( )偏置。 (a )正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路,设二极管为理想元件,则电压U AB 为( )V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰,应采用( )滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确,凡对者打“ √ ”,错者打“ × ” (每小题2分,共 10分) 1.一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就能自行起振。( ) + - 命 题人: 熊兰 组题人: 审题人: 命题时间: 教务处制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密

昆明理工大学09-10下模电A卷答案

昆明理工大学09-10下模拟电子技术基础考试(A 卷 答案) 题型:三基型(60%) 综合运用型(25%) 提高扩展型(15%) 一、 单项选择题:(本大题共10小题,每小题2分,总计20分) 1、d 2、b 3、b 4、c 5、c 6、a 7、a 8、c 9、a 10、a 二、(10分) 解:(1) (6分) 6V U D 25~5171229291 6 -35I 35V U O z I ==-=-=== =稳压,内,在当m A I m A I I I m A z L z (2)(4分) 稳压管损坏。 此时,负载开路,则当,25I , 291 6 35I I 35V U max I mA I mA z z z =>=-=== 三、(15分) 解:(1) (5分) (3)(6分) V U m A I A I R I U R I V CE C B e E BE b B CC 26.758.2,32===++=μ Ω ≈++=Ω≈++=≈361//// 76)//)1(//(1 A . β βb s be e o L e be b i R R r R R k R R r R R (2)图略 (4分) I I z I L 3.33V 500 1000500 10U 416 1010O min =+?= <=-==截止当z z I D I m A I V U

四、(10分) 解:电流并联负反馈 (4分) (3分) (3分) 五、(15分) 解:(1)(8分) (2)(7分) V u R R u u V u V u V u u V u u O D O D A I C I B 42271421-==-====== s t u t u R u u R u u tV dt u C R u O O O D D o A o 0286.0014041401 313==+-=-=--=- =?时,当 六、(10分) 解:(1)(6分) V u V u u u u u u A u u A oM Z oM oM Z oM N u N oM u 36.62 U 92 3 32313,3O =========有效值为:所以 由于 (2)Hz RC f 95.921==π (4分) .1 1 .. .... .1 R R R I R I U U A I I F L i L o i o uf o f = ====

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分,共14分) 1. 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ,电流I D =0.8mA ,其交流电阻 r D =( )。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2. BJT 放大电路中,测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ,据此 可判定BJT 为( A )型三极管,其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3. 图1所示共射放大电路,设静态时CQ 5mA I =,晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4. 在图1所示电路中,已知晶体管的100β=, be 1k r =Ω,i 20mV U =;静态工作时BEQ 0.7V U =,CEQ 5V U =,BQ 20uA I =, 相应的电压增益为( )。 A .u 1003 3001A ?=-=-& B .u 1001.5 1501 A ?=-=-& C .u -352502010A =-=-?& D .u 57.140.7 A =-≈-& 5. 根据不同器件的工作原理,试判断( )可以构成复合管。 (A ) (B )(C ) (D ) 6. 在设计两级放大电路的过程中,要求输入电阻i R 约为150k Ω,电压放大倍数的数值 u A &约为100,第一级电和第二级电路应采用( )。 A. 共集电路;共射电路 B .共基电路;共射电路 C. 共集电路;共基电路 D. 共射电路;共射电路 7. MOS FET 构成的两级放大电路,总电压增益u 2000A =倍,其中第一级的电压增益

长沙理工大学模拟电子技术试卷答案

课程名称:模拟电子技术 试卷编号:01 一、填空(本题共20分,每空1分): 1. 将交流电变成脉动直流电;滤除脉动直流电中的交流分量。 2. (载流子的)浓度差;(内电场的)电场力。 3. 线性;非线性。 4. 耦合电容和旁路电容;三极管的极间电容。 5. 稳定静态工作点(或稳定Q 点);稳定增益、改变输入输出电阻、减小非线性失真、展宽频带、抑 制干扰和噪声等。 6. 选频网络,放大电路,正反馈网络,稳幅电路。 7. 100,105。 8. 差模输入,共模输入,差模增益与共模增益(或差模放大倍数与共模放大倍数)。 9. 37。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、√ 2、√ 3、√ 4、× 5、× 6、× 7、× 8、 √ 9、√ 10、× 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1、A 2、C 3、B 4、C 5、A 6、D 7、A 8、B 9、C 10、D 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 解:直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流,交流时通过R f 形成电流并联负反馈,R f 与R e2构成反馈网络,F =I f /I o ,A usf =Uo/Us =IoR C2/I f Rs =R C2/RsF =(1+R f /R e2)R C2/Rs 2.(本小题10分) 解:(1)正常情况下,U o =U L =(1.1~1.2)U 2=11~12V 。(2)电容虚焊时,成为单相桥式整流电路,U o =0.9U 2=9V 。(3)R L 开路时,U o =2U 2=14.14V 。(4)一只整流管和电容C 同时开路时,成为半波整流电路,U o =0.45U 2=4.5V 。 3.(本小题12分) 解:(1)A 接C ,B 接D ,E 接G ,H 接I ;(2)P om =16W ;(3)P CM =3.2W 。 4.(本小题18分) 解:(1)I EQ ≈I CQ =(2-0.7)/2=0.65mA ,I BQ ≈650/50=13μA ,U CEQ =Vcc -7I CQ =7.45V ; (2)r be =r bb ’+26(1+β)/I EQ =2.2k Ω,R i =25//5// [ r be +0.3 (1+β)] ≈3.36k Ω,Ro =Rc =5k Ω, Aus =Uo/Us =S i i o U U U U ?=S i i E be L C b R R R R r R R I +? ++-2)1()//(ββ≈-4.56 长沙理工大学试卷标准答案 课程名称:模拟电子技术 试卷编号:02 一、填空(本题共18分,每空1分): 1. 等于,小于,大于 2. NPN 型,基极,射极,集电极 3. 近似为1,大,小 4. 电流,电压 5. 1,2n π 6. 电流串联负反馈 7. RC 串并联,1/3,0 二、简答(本题共10分,每小题5分): 1.答:直接耦合放大电路中,前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化,使工作点随机漂移,这种漂

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 ( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C) a、700b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或fH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B) a、05. b、0.7c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C) a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压V OA>VOB,由此可知A比B( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V =V OB,都接入负载R L时,测得V OA

a、虚短 b、虚断c、虚地d、以上均否 8.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A ) a、0V b、3V c、6Vd、9V 9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V O为(C) a、9Vb、6Vc、0V d、3V 10.设VN、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与V N、V P分别成( D) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路?B、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D)。 a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子,它们分别是(C) a、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ) a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺d、晶体缺陷 15.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C ) a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

华南理工大学 模电试题 A 附答案讲解学习

华南理工大学期末考试 《 模拟电子技术 》试卷A (电类07级,2009.07.06) 一、选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每小题2分,共14分) 1. 电路如图1所示,二极管的导通电压0.7V D U =,则图1 中二极管的工作状态及输出电压值为( )。 A.D1导通,D2截止,0.7V O U = B.D1截止,D2导通, 5.3V O U =- C.D1截止,D2截止,12V O U = D.D1导通,D2导通,0.7V O U = 2. 图2所示共射放大电路,设静态时2mA CQ I =,晶体管饱和 管压降0.6V CES U =,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现( )失真,其输出波形的( )将削去一部分。 A. 饱和;底部 B. 饱和;顶部 C. 截止;底部 D. 截止;顶部 3. 在图2所示电路中,已知U T =26mV ,静态时2mA CQ I =,晶体管参数:100β=, bb'200r =Ω ,正弦交流输入电压i t u ω=,则交流输出o u 为( )。 A .o )u t ωπ=+ B .o )u t ω= C .o )u t ωπ=+ D .o )u t ω= 4. 根据不同器件的工作原理,可判断下图中( )可以构成复合管。 (A )(B )(C )(D ) 5. 对于RC 耦合单管共射放大电路,若其上、下限频率分别为H f 、L f ,则当L f f =时, 下列描述正确的是( )。 A .o U &滞后i U &45? B .o U &滞后i U &? 135 C .o U &超前i U &?45 D .o U &超前i U &135? 6. 某负反馈放大电路,其开环增益9.9mS iu A =&,反馈系数10ui F k =Ω&,开环输入电阻 图1

模电试卷及答案

1.N型半导体主要是依靠( A )导电的半导体。 A.电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价锑元素2.某放大器电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12KΩ的负载电阻后,输 出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C ) A.10KΩ B.2KΩC.4KΩ D.3KΩ 3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带( B )A.变宽 B. 变窄 C. 不变 D. 与单级放大电路有关 4.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与低阻负载间接入( C ) A.共发射极电路 B. 共基极电路 C. 共集电极电路 D. 共集-共基串联电路 5.对于单管共发射极放大电路频率响应,当f = f L时,U0和U I相位关系是( C ) A. -450 B.-900 C.-1350 D.+450 6.在右图电路中,设电容C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f =1KHz 的正弦波电压信号后,用示波器观察V0及V I,则二者的相位关系为:( A )A.差180度 B.相差90度 C.相差45度 D.同相位 7.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C )V i A. 电阻阻值有誤差 B. 晶体管参数的分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 8.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在( C ) A.深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态9.当场效应管的漏极直流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导将( A )A.增大 B.不变 C.减小 10.共摸抑制比K CMR越大,表明电路( C ) A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C.抑制温漂能力越强 D.输入信号中的差模成分越大 1.在本征半导体中加入( D )元素可以形成N型半导体,加入( B )元素可形成P型半导体。 A.二价 B.三价 C.四价 D.五价 2.晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于( A )

模电试卷及答案

《模拟电子技术(Ⅱ)》课程试卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院: 电气 课程号:15012335 考试日期: 2010-12-30 考试方式: 考试时间: 120 分钟 一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题,每空2分,共20分) 1.欲得到电压-电流转换电路,应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 (b )电流并联负反馈 (c )电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路,其反馈电压取自( )元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是( ) A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路,u 1为正弦波,有效值为U 1=20V ,f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ,这是由于( )的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为( )功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是( )之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)。 7. PNP 管工作在饱和状态时,应使发射结正向偏置,集电结( )偏置。 (a )正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路,设二极管为理想元件,则电压U AB 为( )V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰,应采用( )滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确,凡对者打“ √ ”,错者打“ × ” (每小题2分,共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路,只能放大差模输入信号,不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就能自行起振。( ) 3.乙类互补对称OTL 电路中的交越失真是一种非线性失真。 ( ) 4.一般情况下高频信号发生器中采用LC 振荡电路。 ( ) 5.在整流电路中,一般采用点接触型晶体二极管。 ( ) + - 命题人: 熊兰 组题人: 审题人: 命题时间: 教 务处 制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密

长沙理工大学模电试题及答案

长沙理工大学模电试题及答案 A 卷 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (10分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 ( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。 ( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( ) 二、选择填空 (10分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。 (A )电流负反馈 (B )电压负反馈 (C )直流负反馈 (D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在 RC f f π210= =时呈 。 (A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。 (A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。 (A )β (B )β 2 (C )2β (D )1+β (5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。 (A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。 (A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。

模电试卷及标准答案

一、VD1,VD2为理想二极管,其导通电压为0V,电路如图所示,画出u O的波形。(15分) 二、判别题:(21分) 1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值,试确定它们的电极和三极管的类型。 (a)①5V ②1.2V ③0.5V (b)①6V ②5.8V ③1V (c)①-8V ②-0.2V ③0V 2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈,这些反馈是否能够 (1)稳定输出电压() (2)稳定输出电流() (3)增加输出电阻() (4)增加输入电阻() (5)增大静态电流() (6)稳定静态电流() 三、某两级阻容耦合放大电路如图所示,已知β1= β2=40,试求:(24分) (1)各级电路的静态工作点; (2)各级电压放大倍数Au1,Au2和总电压放大倍数Au; (3)放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro; (4)后级采用什么电路?有什么优点?

四、OTL电路如图所示,电容C足够大,三极管的饱和压降U CES=1V,求:(15分) (1)电路中VT1、VT2工作在哪一种方式? (2)R1、VD1、VD2的作用是什么? (3)电位器RP的作用是什么? (4)负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少? 五、如图所示电路属长尾式差动放大器。已知VT1、VT2为硅管。β =100,试计算(15分) (1)电路静态工作点Q; (2)差模电压放大倍数A ud; (3)差模输入电阻R id和输出电阻R od。

六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型,若满足深度负反馈条件,求电压放大增益。(15分) 七、运算放大器应用电路如图所示,图中运放均为理想运放,U BE=0.7V。(15分)(1)求出三极管c、b、e各极对地电位; (2)若电压表读数为200mV,试求出三极管的β值。 九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示,已知变压器副边u2的有效值为16V,三极管VT1、VT2的β1= β2=50,U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V,R1=300Ω,R2=200Ω,R3=300Ω,Rc2=2.5kΩ。(15分) (1)估算电容C1上的电压U1=?

长理模电试卷答案

长沙理工大学试卷标准答案 课程名称:模拟电子技术 试卷编号:01 一、填空(本题共20分,每空1分): 1. 将交流电变成脉动直流电;滤除脉动直流电中的交流分量。 2. (载流子的)浓度差;(内电场的)电场力。 3. 线性;非线性。 4. 耦合电容和旁路电容;三极管的极间电容。 5. 稳定静态工作点(或稳定Q 点);稳定增益、改变输入输出电阻、减小非线性失真、展宽频带、 抑制干扰和噪声等。 6. 选频网络,放大电路,正反馈网络,稳幅电路。 7. 100,105。 8. 差模输入,共模输入,差模增益与共模增益(或差模放大倍数与共模放大倍数)。 9. 37。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、√ 2、√ 3、√ 4、× 5、× 6、× 7、× 8、 √ 9、√ 10、× 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1、A 2、C 3、B 4、C 5、A 6、D 7、A 8、B 9、C 10、D 四、分析与计算(本题共50分): 1.(本小题10分) 解:直流时通过R f 为T1管的基极提供静态偏置电流,交流时通过R f 形成电流并联负反馈,R f 与R e2构成反馈网络,F =I f /I o ,A usf =Uo/Us =IoR C2/I f Rs =R C2/RsF =(1+R f /R e2)R C2/Rs 2.(本小题10分) 解:(1)正常情况下,U o =U L =(1.1~1.2)U 2=11~12V 。(2)电容虚焊时,成为单相桥式整流电路,U o =0.9U 2=9V 。(3)R L 开路时,U o =2U 2=14.14V 。(4)一只整流管和电容C 同时开路时,成为半波整流电路,U o =0.45U 2=4.5V 。 3.(本小题12分) 解:(1)A 接C ,B 接D ,E 接G ,H 接I ;(2)P om =16W ;(3)P CM =3.2W 。 4.(本小题18分) 解:(1)I EQ ≈I CQ =(2-0.7)/2=0.65mA ,I BQ ≈650/50=13μA ,U CEQ =Vcc -7I CQ =7.45V ; (2)r be =r bb ’+26(1+β)/I EQ =2.2k Ω,R i =25//5// [ r be +0.3 (1+β)] ≈3.36k Ω,Ro =Rc =5k Ω, Aus =Uo/Us =S i i o U U U U ?=S i i E be L C b R R R R r R R I +? ++-2)1()//(ββ≈-4.56

模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与 (温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线; 当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反 偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共 集)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈, 为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放 大电路的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为() 信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用() 类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出 电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应 用于()电路中。

模电试卷与答案3

一、 选择题(将一个正确选项前的字母填在括号内)(每小题2分、共30分) 1. 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中,当输入幅度为5mV ,频率为1kHz 的正弦波时,输出电压波形出现了顶部削平失真 (1)这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 (2)为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2.放大电路的空载是指 ( ) A. R C =0 B. R C =∞ C. R L =0 D. R L =∞ 3.若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定,可加入下列负反馈: ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4.甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中,管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6.三端稳压电源输出正电源并可调的是 ( ) A .CW78XX 系列 B .CW337系列 C .CW317系列 7.在单相桥式整流电容滤波电路中,则负载上的电压 ( ) A .U 2 B .1.2U 2 C .1.414U 2 D .2U 2 8.开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 ( ) A .调整管工作在开关状态 B .输出端有LC 滤波电路 C .可以不用电源变压器 9. 有220V 、25W 的电烙铁,其电源控制电路如图所示,烙铁温度最高的是 ( ) A .S 1、S 2均接通 B .S 1断开,S 2接通 C .S 1接通,S 2断开 D .S 1、S 2均断开 10.若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ,则下图的输出电压 ( ) A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ,则所测 正弦波的频率为 ( ) A .100kHz B .50kHz C .25kHz D .20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ,则双边带调幅波的表达式为( ) A .u DSB (t)=U C cos (ωC t +m a sin Ωt ) B .u DSB (t)=U C cos (ωC t +m a cos Ωt ) C .u DSB (t)=U C (1+m a cos Ωt )cos ωC t D .u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是 ( ) A .调幅信号的解调 B .调频信号的解调 C .调相信号的解调 14.下图所示框图能实现何种功能? ( ) 其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt , u r (t)= U r cos ωc t A . 振幅调制 B . 检波 C . 混频 D . 鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作 ( ) A .混频 B .频率调制 C .相位调制 二、填空题(每空1分,共14分) 1.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2.已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ,第二级电压增益为20dB ,总的电压增益为____________dB 。 3.差动放大电路中共模信号是指 。 4.调幅波的几种调制方式是 、 、 和 。 5.在图所示电路中,调整管为 ,采样电路 由 组成,基准电压电路由 组 成, 比较放大电路由 组成, 输出电压最小值的表达式 。 装 订 班级 姓名 学号 成绩 常州信息 职业 技术学院 学年第 学期 模拟电子线 路 课程期末试卷

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100V ,u I 2 =80 V 则差模输入电压u Id = 20V;共模输入电压u Ic =90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗PDC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A.N PN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A.P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C、N 沟道增强型M OS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D .电压放大倍数大 6.R C桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C .反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a.不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c.效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a.正向导通区 b .反向截止区 c.反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12 V,RS 10k ,R B1 120k , R B2 39k ,R C 3.9 k ,R E 2.1k,R L 3.9 k,r bb’ ,电流放大系数 50, 电路中电容容量足够大,要求: 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

长沙理工大学模拟电子模拟试题与答案1-10套2

长沙理工大学考试试卷……………………………………………………………………………………………………………… 试卷编号01 拟题教研室(或教师)签名电子教研室教研室主任签名 ……………………………………………………………………………………………………………… 课程名称(含档次)模拟电子技术课程代号 专业电类相关专业层次(本、专)本科考试方式(开、闭卷)闭卷 一、填空(本题共20分,每空1分): 1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。 2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。 3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。 4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。 8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9.某放大电路的对数幅频特性如图1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。 二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×): 1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。 2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。 5、()通常,甲类功放电路的效率最大只有40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、()一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。 7、()根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、()要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。 9、()在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、()在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于1MHz时,应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择(本题共20分,每个选择2分): 1.在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则此三极管是() A. NPN型硅管; B. NPN型锗管; C. PNP型硅管; D. PNP型锗管; 2.为了使放大电路Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻R b的值()。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3.典型的差分放大电路中Re()。 A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4.在差动电路中,若单端输入的差模输入电压为20V,则其共模输入电压为()。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5.电流源的特点是()。 A . 交流电阻大,直流电阻小; B . 交流电阻小,直流电阻大; C. 交流电阻大,直流电阻大; D. 交流电阻小,直流电阻小。 6.影响放大电路高频特性的主要因素是()。 A. 耦合电容和旁路电容的存在; B. 放大电路的静态工作点不合适; C. 半导体管的非线性特性; D. 半导体管极间电容和分布电容的存在; 7.关于理想运算放大器的错误叙述是()。

相关主题