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微电子学概论-4

微电子学概论-4
微电子学概论-4

考试题型:①填空+②选择=40分;③名词解释;④简答题;⑤问答题;

填空题集中在二、三章;

(所有题尽量按照书本上的内容回答或者根据课本自己总结,下面的答案都是书本上的语言描述)

1、双极结型晶体管在饱和、放大、截止区时发射结集电结分别怎么偏置?

答:工作在放大区时:发射结正偏,集电结反偏;

工作在截止区时:发射结反偏,集电结反偏;

工作在饱和区时:发射结正偏,集电结正偏。

2、MOSFET管分类。

答:根据反型层类型的不同,可把MOSFET分成四类:

①N沟道增强型;②N沟道耗尽型;③P沟道增强型;④P沟道耗尽型。

3、半导体中载流子什么情况下做漂移运动?什么情况下做扩散运动?

答:当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做扩散运动;

当在半导体存在外加电压情况下,载流子将做漂移运动。

4、PN结击穿的条件;有哪些种类的击穿?

答:当PN结加反向偏压时电流很小且趋于一个饱和值。然而若反向偏压不断加大,直至达到某一电压V B时,反向电流会突然急剧增加,这种现象称为PN结的击穿。

有雪崩击穿和隧道击穿(齐纳击穿)两类。

5、N型、P型半导体中多子、少子分别是什么?PMOS、NMOS分别靠什么载流子导电?

答:N型半导体中的多子为电子,少子为空穴;靠电子导电。

P型半导体中的多子为空穴,少子为电子;靠空穴导电。

6、①CVD、

②漂移运动:由电场作用而产生的沿电场方向的运动;

③IC:集成电路简称IC,是指通过一系列特定的加工工艺,将多个晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无

源器件,按照一定的电路连接集成在一块半导体单晶片(如硅或GaAs等)或陶瓷等基片上,作为一个不可分割的整体执行某一特定功能的电路组件。

④VLSI:超大规模集成电路的简称。

⑤扩散运动:扩散是一种和载流子的不均匀分布相联系的运动形式。由于浓度分布不均匀,导致载流子由高浓度

区域向低浓度区域运动。

⑥CMP、⑦施主掺杂、

⑧摩尔定律:集成电路的集成度每3年增长四倍,特征尺寸每3年缩小倍。

7、什么叫集成度?按集成电路规模可以分为哪几类?

答:每块集成电路芯片中包含的元器件数目叫做集成度。

根据集成电路规模的大小,通常将集成电路分为:

①小规模集成电路(S S I);

②中规模集成电路(M S I);

③大规模集成电路(L S I);

④超大规模集成电路(V L S I);

⑤特大规模集成电路(U L S I);

⑥巨大规模集成电路(G S I)。

8、解释禁带、导带、价带、带隙,并画出施主能级和受主能级在能带图中的位置。

答:禁带:导带底与价带顶之间的能带;(书上)能带之间的间隙称为禁带;

导带:未被电子填充的能量最低的能带;施主能级:导带底

价带:被价电子填充的能量最高的能带;受主能级:价带顶

带隙:导带底与价带顶之间的能量差。

9、描述平衡PN结内建电场的形成过程。

10、解释PN结的工作原理。

11、双极晶体管工作原理、三个工作区。

12、MOFET处于大信号工作时,有导通和截止两种状态,可以作为电子开关,画出MOS开关的三种典型用法。

三种典型用法为:(a)上拉开关(b)下拉开关(c)传输门

13、集成电路制造工艺中,制备薄膜的工艺有哪些?

14、什么是光刻?光刻和刻蚀的目的分别是什么?

答:光刻:在衬底表面淀积材料层之后,通常需要将部分区域的材料层保留下来,而将部分区域的材料层去掉,这个在衬底表面层上定义不同区域的过程就是光刻。

或者回答:光刻是将掩膜版的图形转移到衬底表面的光刻胶上的过程。(目的也是)

光刻的目的:将掩膜版的图形转移到衬底表面的光刻胶上。

刻蚀的目的:刻蚀是将光刻胶上的图形转移到衬底表面的材料层上。完成这种图形转移的方法就是将涂胶前所淀积的薄膜中未被光刻胶掩蔽的部分通过选择性刻蚀去掉。

15、集成电路工艺中经常采用的掺杂工艺有哪些?比较各自的优缺点。

16、简述数字集成电路设计的设计流程和设计规则。

答:对于数字电路来说,基于分层分级设计思想,一般采用典型的自顶向下的设计过程,主要包括三个主要阶段:(1)功能设计;(2)逻辑和电路设计;(3)版图设计。

设计规则:①以λ为单位的设计规则;②以μm为单位的设计规则;

17、目前集成电路设计中比较主要的设计方法有哪些?其中哪些适用于通用集成电路?

答:①全定制设计方法;

②标准单元设计方法(SC方法);

③积木块设计方法(BBL方法);

④门阵列设计方法(GA方法);

⑤可编程逻辑电路设计方法:其中包括 a.可编程逻辑器件(PLD)设计方法;b.现场可编程门阵列(FPGA)。

(书上了解一下什么是定制、半定制、全定制)

18、什么是光电子器件?光电子器件包含哪些种类?

答:光电子器件是光子和电子共同起作用的半导体器件。

主要包括三大类:

(1)将电能转换成光能的半导体电致发光器件;

(2)以电学方法检测光信号的光电探测器;

(3)利用半导体内光电效应将光能转换为电能的太阳能电池。

19、什么是光吸收和光辐射?

答:当入射光辐射的能量接近固体能带间隙所对应的能量时,固体的原子或分子将吸收入射光子的能量而到达较高的能级或能带,此时出现光吸收。

20、简述MEMS技术的发展趋势。

答:MEMS技术在今后的主要发展趋势综合如下:

(1)研究方向多样化;(2)加工工艺多样化;(3)系统单片集成化;(4)MEMS器件芯片制造与封装统一考虑;(5)普通商业应用低性能MEMS与高性能特殊用途如航空航天、军事用MEMS器件并存。

21、微电子技术发展的趋势和展望。

微生物学细菌中英翻译及促生素概论

清酒乳杆菌(Lactobacillus sakei),弯曲乳杆菌(Lactobacillus curvatus),明串珠菌属的肠膜明串珠菌(Leuconostoc mesenteroides)和非培养的明串珠菌(Uncultured Leuconostoc sp.) 清酒乳杆菌清酒亚种(Lactobacillus sakei subsp.sakei) 弯曲乳杆菌蜜二糖亚种(Lactobacillus curvatus subsp.melibiosus) 粪肠球菌(E.faecalis)屎肠球菌(E.faecium) 鸟肠球菌(E.avium) 酪黄肠球菌(E.casseliflavus) 坚忍肠球菌(E.durans) 鸡肠球菌E.galinarum) 芒地肠球菌(E.mundii) 恶臭肠球菌(E.maladoratum) 希拉肠球菌(E.hirae) 孤立肠球菌(E.solitarius) 棉子糖肠球菌(E.raffinosus) 假鸟肠球菌(E.pseudoavium) 粪肠球变异株(E.faecalis var)。 Abiotrophia adjacens 毗邻贫养菌 Abiotrophia defectiva 软弱贫养菌 Achromobacter spp 无色杆菌属某些种 Acinetobacter /Pseudomonas spp 不动杆菌/假单胞菌属某些种 Acinetobacter baumannii 鲍氏不动杆菌 Acinetobacter calcoaceticus 醋酸钙不动杆菌 Acinetobacter haemolyticus 溶血不动杆菌 Acinetobacter johnsonii 约氏不动杆菌 Acinetobacter junii 琼氏不动杆菌 Acinetobacter lwoffii 鲁氏不动杆菌 Acinetobacter radioresistens 抗辐射不动杆菌 Acinetobacter spp 不动杆菌属某些种 Acinetobacter spp/Pseudomonas spp 不动杆菌属某些种/假单胞菌属某些种 Acinetobacter/Pseudomonas spp 不动杆菌/假单胞菌属某些种 Actinobacillus actinomycetemcomitans 伴放线放线杆菌 Actinomyces israelii 衣氏放线菌 Actinomyces meyeri 麦氏放线菌 Actinomyces naeslundii 内氏放线菌 Actinomyces neuii anitratus 纽氏放线菌无硝亚种 Actinomyces neuii neuii 纽氏放线菌纽氏亚种 Actinomyces neuii radingae 纽氏放线菌罗亚种 Actinomyces neuii turicensis 纽氏放线菌图列茨亚种 Actinomyces odontolyticus 龋齿放线菌 Actinomyces viscosus 粘放线菌

微电子技术概论期末试题

《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构: 填空题40分,40个空,每空1分, 选择题30分,15道题,每题2分, 问答题30分,5道题,每题6分 填空题 1.微电子学是以实现电路和系统的集成为目的的。 2.微电子学中实现的电路和系统又称为集成电路和集成系统,是微小化的。 3.集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装。 4.材料按其导电性能的差异可以分为三类:导体、半导体和绝缘体。 5. 迁移率是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有单向导电性。 7.根据不同的击穿机理,PN 结击穿主要分为雪崩击穿和隧道击穿这两种电击穿。 8.隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场。 9. PN结电容效应是PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括势垒电容和扩散电容之和。 11.在正常使用条件下,晶体管的发射结加正向小电压,称为正向偏置,集电结加反向大电压,称为反向偏置。 12.晶体管的直流特性曲线是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线, 13.晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域:放大区,饱和区,截止区。 14.晶体管在满足一定条件时,它可以工作在放大、饱和、截止三个区域中。 15.双极型晶体管可以作为放大晶体管,也可以作为开关来使用,在电路中得到了大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ,放大管的工作电压为 20V 。 17. 在N 型半导体中电子是多子,空穴是少子; 18. 在P 型半导体中空穴是多子,电子是少子。 19. 所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟信号。 21. 所谓数字信号,指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、二极

微生物学

《微生物学》教学大纲 英文课程名称:Mic robi olo gy 课程编号:0631311 总学时:80 (其中理论课学时:40 , 实验学时:40 课外学时:约160 ) 总学分:5 先修课程:无机化学、有机化学、生物化学、普通生物学 适用专业:生物技术 开课单位:食品与生物工程学院生物技术教研室 执笔人:刘天明审校人:毛得奖 一、课程教学内容 绪论 什么是微生物;人类对微生物世界的认识;微生物学的发展促进了人类的进步;微 生物的五大共性;微生物学及其分科。 第一章原核生物的形态、构造和功能 第一节细菌 细胞的形态构造及其功能;细菌的群体形态。 第二节放线菌 放线菌的形态构造;放线菌的繁殖;放线菌的群体特征 第三节蓝细菌 第一节支原体、立克次氏体和衣原体 支原体;立克次氏体;衣原体。 第二章真核微生物的形态、构造和功能 第一节真核微生物概述 真核微生物与原核生物的比较;真核微生物的主要类群;真核微生物的细胞构造。 第二节酵母菌 分布及与人类的关系;细胞的形态和构造;酵母菌的繁殖方式和生活史;酵母菌的 菌落。 第一节丝状真菌——霉菌 分布及与人类的关系;细胞的形态和构造;真菌的孢子;霉菌的菌落。 第二节产大型子实体的真菌——蕈菌 第三章病毒和亚病毒 第一节病毒 病毒的形态构造和化学成分;4类病毒及其繁殖。 第二节亚病毒 类病毒;拟病毒;朊病毒。 第三节病毒与实践 噬菌体与发酵工业;昆虫病毒用于生物防治;病毒在基因工程中的应用。 第四章微生物的营养和培养基 第一节微生物的6类营养要素 碳源;氮源;能源;生长因子;无机盐;水。 第二节微生物的营养类型 第三节营养物质进入细胞的方式

微电子学概论复习题及答案(详细版)

第一章 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何? ?????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路 3.微电子学的特点是什么? 微电子学:电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(m, 1m =10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微

电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 4.列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 5.用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。 集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 6.简单叙述微电子学对人类社会的作用。 可以毫不夸张地说,没有微电子技术的进步,就不可能有今天信息技术的蓬勃发展,微电子已经成为整个信息社会发展的基石。随着微电子的发展,器件的特征尺寸越来越小第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体?特点、常用半导体材料 什么是半导体? 金属:电导率106~104(W?cm-1),不含禁带; 半导体:电导率104~10-10(W?cm-1),含禁带; 绝缘体:电导率<10-10(W?cm-1),禁带较宽; 半导体的特点: (1)电导率随温度上升而指数上升; (2)杂质的种类和数量决定其电导率; (3)可以实现非均匀掺杂; (4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率; 硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。 硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子(称为价电子)决定。每个硅原子近邻有四个硅原子,每两个相邻原子之间有一对电子,它们与两个原子核都有吸引作用,称为共价键。 化合物半导体:III族元素和V族构成的III-V族化合物,如,GaAs(砷化镓),InSb(锑化铟),GaP(磷化镓),InP(磷化铟)等,广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体(课件) 掺杂:电子摆脱共价键所需的能量,在一般情况下,是靠晶体内部原子本身的热运动提供的。常温下,硅里面由于热运动激发价健上电子而产生的电子和空穴很少,它们对硅的导电性的影响是十分微小的。室温下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质(简称掺杂)来决定,这是半导体能够制造各种器件的重要原因。 施主:Donor,掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子,并成为带正电的离子。如 Si中掺的P 和As(最外层有5个价电子) 受主:Acceptor,掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的空穴,并成为带负电的离子。如 Si中掺的B(硼)(最外层只有3个价电子)

微电子学概论复习题

微电子概论习题 第一章绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何? 3.微电子学的特点是什么? 4.列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。 5.用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。 6.简单叙述微电子学对人类社会的作用。 第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体?特点、常用半导体材料 2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体 3.能带、导带、价带、禁带 4.半导体中的载流子、迁移率 5.PN结,为什么会单向导电,正向特性、反向特性,PN结击穿有几种 6.双极晶体管工作原理,基本结构,直流特性 7.MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性 8.MOS晶体管分类 9.载流子的输运有哪些模式?对这些输运模式进行简单的描述。 10.讨论PMOS晶体管的工作原理,写出PMOS管的电流电压方程。 第三章大规模集成电路基础 1.集成电路制造流程、特征尺寸 2.CMOS集成电路特点 3.MOS开关、CMOS传输门特性 4.CMOS反相器特性(电压传输特性、PMOS和NMOS工作区域) 5.CMOS组合逻辑:基本逻辑门、复合门 6.反相器、二输入与非、或非门 7.闩锁效应起因? 第四章集成电路制造工艺 1.集成电路工艺主要分为哪几大类,每一类中包括哪些主要工艺,并简述各工艺的主要作用2.简述光刻的工艺过程 第五章集成电路设计 1.层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次 2.什么是集成电路设计?

3.集成电路设计流程,三个设计步骤 ?系统功能设计 ?逻辑和电路设计 ?版图设计 4.模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程 5.版图验证和检查包括哪些内容?如何实现? 6.版图设计规则概念,为什么需要指定版图设计规则,版图设计规则主要内容以及表示方法。7.集成电路设计方法分类 全定制、半定制、PLD 8.标准单元/门阵列的概念,优点/缺点,设计流程 9.PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念 10.试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。 11.标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些?分别在IC设计的什么阶段应用? 12.集成电路的可测性设计是指什么? 第六章集成电路设计的EDA系统 1.ICCAD主要有哪几类,主要作用 2.VHDL语言的用途 3.VHDL设计要素:实体、结构体、配置、程序包和库,各自的概念和作用 4.VHDL并行信号赋值语句的硬件行为模型 5.VHDL描述电路的风格 6.信号、变量的区别 7.什么是进程语句,什么是敏感量表 8.什么是事件,什么是模拟周期 9.如何用VHDL产生信号激励,时钟激励 10.什么是综合?综合过程有几个步骤。 11.什么是电路模拟?其在IC设计中的作用 12.SPICE主要可以完成哪些主要的电路分析 13.试述器件模拟和工艺模拟的基本概念。 14.试述面向事件的模拟算法的基本思路。 15.列出逻辑模拟中的主要延迟模型,并给出简单说明。 16.用SPICE模拟软件模拟一个E/D NMOS反相器的直流输出特性,请写出相应的输入文件。 第七章几种重要的特种微电子器件 1.光电器件主要包括哪几类? 2.半导体发光器件的基本原理是什么? 第八章微机电系统 1.MEMS工艺与微电子工艺技术有哪些区别。 2、列举几种你所知道的MEMS器件,并简述其用途。

微生物学概论pdf

微生物学专业(理学硕士、博士) 微生物功能蛋白 植物病理学专业(农学硕士、博士) 植物病原物相互作用 分子植物病理学
微生物学是生命科学中一门极其活跃、生命力强 大的学科,既是基础学科又是应用学科。微生物学的 发展,促进了生命的自我复制、生命进化,生命分子 构成等重大理论研究。生命科学的许多重大研究成果 都是以微生物为研究材料的。由于微生物学的许多重 大发现,包括质粒载体、限制性内切酶、连接酶、反 转录酶等,才导致了DNA 重组技术和遗传工程的出 现,使整个生命科学翻开了新的一页。微生物学在生 命科学中占有重要地位,对整个生命科学的发展做出 了巨大贡献,在生命科学的发展中起着先锋和奠基的 双重作用。
本课程为植物保护专业微生物方向的专业必 修课。通过学习微生物的形态结构、生理生化、 生长繁殖、遗传变异、生态分布、传染免疫、分 类鉴定以及微生物与其他生物的相互关系及其多 样性,以及在工、农、医等方面的应用,使学生 牢固掌握微生物学的基本理论、基础知识和基本 技能,了解微生物的基本特征及其生命活动规 律,培养学生的实践能力和创新精神,为学生今 后的学习及工作实践打下宽厚的基础。
微生物学的教学环节主要采用课堂讲 授方式授课,辅以辅导答疑和考试。同时 开设实验课,使学生掌握微生物学的基本 实 验 技 术 。 做 到 课 堂 讲 授 与 实 验 操作 并 重,以保证教学质量。
总学时:88; 授课:58; 实验:30 教 材: 李阜棣,胡正嘉《微生物学》(第六版) 中国农业出版社 参 考 书: 周德庆《微生物学》(第二版)
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绪论 原核微生物 真核微生物 病毒 微生物营养 微生物营养、代谢 微生物生长 微生物遗传与变异 微生物遗传与变异 微生物生态、应用 微生物传染与免疫 微生物进化、分类鉴定
4 8 6 8 2 4 4 4 2 8 4 2
王振中 卓侃 王新荣 阮小蕾 王新荣 王新荣 王新荣 王新荣 王新荣 王新荣 王新荣 王新荣
微生物学是研究微生物生命活动规律的 科学。它的基本内容是:(1)微生物细胞的 结构和功能,研究细胞的结构及其能量、物质、 信息的运转;(2)微生物的进化和多样性, 研究微生物的种类,它们之间的相似性和区 别,以及微生物的起源;(3)生态学规律, 研究不同微生物之间以及它们同环境之间的相 互作用;(4)微生物同人类的关系。
微生物学是一门年轻的科学; 微生物学是一门复杂的科学; 微生物学是一门潜力巨大的科学。
到目前为止,绿色的地球是唯一为人类 所认知的一块生命的栖息地。 在地球的陆地和海洋,与人类相依相存 的是一个缤纷多彩的生命世界。 在这个目前对人类仍有太多未知的生命 世界里,除了我们熟知的动物、植物,还有一 个神秘的群体。它们太微小了,以至用肉眼看 不见或看不清楚,它们的名字叫微生物。
微生物(microorganism) 微生物是一群个体微小、结构 简单、肉眼看不见,必须借助 于显微镜才能观察到的微小生 物。
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微电子学概论课程教学大纲

《微电子学概论》课程教学大纲 课程名称:微电子学基础 / Conspectus of Microelectronics 课程代码:020727 学时:32 学分:2 讲课学时: 32 上机/实验学时: 0 考核方式:考查 先修课程:模拟电子技术 适用专业:电子信息工程等电类专业 开课院系:电子电气工程学院电子信息系 教材:张兴黄如刘晓彦主编.微电子学概论(第二版).北京:北京大学出版社,2005年主要参考书: [1] 郝跃主编.微电子学概论.北京:高等教育出版社,2003年 [2] 吴德馨主编.现代微电子技术.北京:化学工业出版社,2003年 [3] (美)Donald A.Neamen编.半导体器件导论.北京:清华大学出版,2006年 一、课程的性质和任务 本课程是电子信息工程类专业的一门专业基础课。该门课程主要介绍了微电子学发展史、半导体器件、制造工艺、集成电路和SOC电路的设计以及计算机辅助设计技术。该课程为学生进行微电子技术研究和集成电路的开发提供了理论基础。 二、教学内容和基本要求 对本课程的学习,要求掌握集成电路的器件、组成、制造工艺及基本设计方法。教学内容如下: 第一章绪论 1.晶体管的发明和集成电路的发展史 2.集成电路的分类 3.微电子学的特点 第二章半导体物理和器件物理基础 1.半导体及其基本特性 2.半导体中的载流子 3. pn结 4.双极晶体管 5.MOS场效应管 第三章大规模集成电路基础 1.半导体集成电路概述 2.双极集成电路基础

3.MOS集成电路基础 第四章集成电路制造工艺 1.双极集成电路工艺流程 2.MOS集成电路工艺流程 3.光刻与刻蚀技术 4.氧化 5.扩散与离子注入 6.化学气象淀积 7.接触与互联 8.隔离技术 第五章集成电路设计 i.集成电路设计特点与设计信息描述 ii.集成电路的设计流程 iii.集成电路的设计规则和全定制设计方法iv.专用集成电路的设计方法 v.集中集成电路设计方法的比较 vi.可测性设计技术 第六章集成电路设计的EDA系统 1. VHDL及模拟 2.综合 3. 逻辑模拟 4.电路模拟 5.时序分析和混合模拟 6.版图设计 7.器件模拟 8.工艺模拟 9.计算机辅助测试(CAT)技术 第七章系统芯片(SOC)设计 1.系统芯片的基本概念和特点 2.SOC设计过程 第八章光电子器件 1.固体中的光吸收和光发射 2.半导体发光二极管 第九章微机电系统 1.基本概念

微生物学重点内容(考试必看)

十章、细菌学概论 细菌(bacteria):一类具有细胞壁、单细胞、以无性二分裂方式进行繁殖的原核细胞型微生物。 一、细菌的形态、结构与分类(p123-137) 一)大小与形态 1.大小:微米、光学显微镜 2.基本形态(适宜条件、8-18h、主要有3种;观察选对数生长期最优) 球菌Coccus 单、双、链、四联、八叠、葡萄球菌 杆菌Bacillus 各种杆菌差异较大,排列分散、无一定形式 螺形菌Spiral bacterium 弧菌:一个弯曲、螺菌:数个弯曲 3. 细菌在条件改变时,出现不规则形态,呈梨形、气球状、丝状等,条件适宜,可以恢复。 二)细菌的细菌结构(10分)★★★★★ 1.基本结构(所有细菌共有的结构):细胞壁、细胞膜、细胞浆及核质。 1)细胞壁:坚韧、有弹性;保护细菌;含主要成分肽聚糖,特殊成分磷酸壁、脂多糖等。 A.革兰氏阳性菌细胞壁★★★★★ 较厚,含丰富肽聚糖,少量磷壁酸 a.肽聚糖 由40层左右的网格状分子交织成厚的三维立体网状结构, 由聚糖骨架和四肽侧链及五肽桥组成。 聚糖骨架由N-乙酰葡糖胺(G)和N-乙酰胞壁酸(M)经-1,4糖苷键交替间隔排列而成。 肽聚糖支架相同,肽链肽桥随菌而异。 b.磷壁酸(G+特有成分) 酸性多糖, 由核糖醇或甘油残基经磷酸二酯键互相连接而成的链状聚合物。 分壁磷壁酸(核糖醇型)和膜磷壁酸(甘油型) 具重要生理功能: ①.P-结合阳离子,Mg2+提高细胞表面酶活性 ②.细胞壁表面抗原成分 ③.噬菌体吸附的特异受体 ④.调节自溶素活力 ⑤.增加细菌粘附性,与致病性有关。 B.革兰氏阴性菌细胞壁★★★★★ 较薄,肽聚糖含量低。外膜层位于细胞壁肽聚糖层的外侧, 包括脂多糖、脂质双层、脂蛋白三部分 a.肽聚糖 b.外膜 ①.脂蛋白:一端以蛋白质部分共价键连接于肽聚糖的四肽侧链上另一端以脂质部分连接在外膜的磷酸上,其功能是稳定外膜并将之固定于肽聚糖层。 ②.脂质双层:脂蛋白外侧,脂质双层结构。含有外膜蛋白。 ③.脂多糖(LPS):习惯称细菌内毒素,由脂质双层向细胞外伸出, 含类脂A、核心多糖、特异性多糖。 类脂A:毒性部分及主要成份。致病物质,无种属特异性。 核心多糖:类脂A外层,具属和组特异性。 特异性多糖:最外层,数个至数十个低聚糖重复单位构成。 G-菌体抗原(O抗原)就是特异多糖,有种和型特异性。 LPS功能 吸附Mg2+等阳离子,与磷壁酸作用类似 类脂A,细菌内毒素主要成分

微电子学概论复习题

第三章大规模集成电路基础 1.集成电路制造流程、特征尺寸 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。集成电路设计 是根据电路所要完成的功能、指标等首先设计出在集成电路工艺中现实可行的电路 图,然后根据有关设计规则将电路图转换为制造集成电路所需要的版图,进而制成光 刻掩模版。完成设计以后,便可以利用光刻版按一定的工艺流程进行加工、测试,最 终制造出符合原电路设计指标的集成电路。 特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺度,这是衡量集成电路加工和设计水 平的重要参数,特征尺寸越小,加工精度越高,可能达到的集成度也越大,性能越好。 2. CMOS集成电路特点 CMOS集成电路具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、 易集成、可按比例缩小等一系列优点。CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电 路形式,为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET,必须在同一硅衬底上分 别形成n型和p型区域,并在n型区域上制作pMOSFET,在p型区域上制作nMOSFET。 如果选用n型衬底,则可在衬底上直接制作pMOSFET,但对于nMOSFET必须在硅衬底 上形成p型扩散区(常称为p阱)以满足制备nMOSFET的需要。 3.MOS开关、CMOS传输门特性 MOSFET处于大信号工作时,有导通和截止两种状态,因此可以作为电子开关。如图所 示(P69),MOS开关接在A、B两电路之间,用以控制其间的信号传递,通常称为传 输门。为了解决NMOS管在传输’1’电平、PMOS在传输’0’电平时的信号损失,通 常采用CMOS传输门作为开关使用。它是由一个N管和一个P管构成。工作时,NMOS 管的衬底接地,PMOS管的衬底接电源,且NMOS管栅压Vgn与PMOS管的栅压Vgp极性 相反。

微电子学概论复习(知识点总结)

第一章 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何? 答: 3.微电子学的特点是什么? 答:微电子学:电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(μm, 1μm =10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MS I SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS P MOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路

机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体?特点、常用半导体材料 答:什么是半导体? 金属:电导率106~104(W?cm-1),不含禁带; 半导体:电导率104~10-10(W?cm-1),含禁带; 绝缘体:电导率<10-10(W?cm-1),禁带较宽; 半导体的特点: (1)电导率随温度上升而指数上升; (2)杂质的种类和数量决定其电导率; (3)可以实现非均匀掺杂; (4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率; 半导体有元素半导体,如:Si、Ge(锗) 化合物半导体,如:GaAs(砷化镓)、InP (磷化铟) 硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子(称为价电子)决定。每个硅原子近邻有四个硅原子,每两个相邻原子之间有一对电子,它们与两个原子核都有吸引作用,称为共价键。 化合物半导体:III族元素和V族构成的III-V族化合物,如,GaAs(砷化镓),InSb(锑化铟),GaP(磷化镓),InP(磷化铟)等,广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。 2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体 3.能带、导带、价带、禁带 4.半导体中的载流子、迁移率 5.PN结,为什么会单向导电,正向特性、反向特性,PN结击穿有几种 6.双极晶体管工作原理,基本结构,直流特性 7.MOS晶体管基本结构、工作原理、I-V方程、三个工作区的特性 8.MOS晶体管分类 答:按载流子类型分: ?NMOS: 也称为N沟道,载流子为电子。 ?PMOS: 也称为P沟道,载流子为空穴。 按导通类型分: ?增强(常闭)型:必须在栅上施加电压才能形成沟道。 ?耗尽(常开)型:在零偏压下存在反型层导电沟道,必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。 四种MOS晶体管:N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型;P沟耗尽型 第三章大规模集成电路基础(重点章节) 1.集成电路制造流程、特征尺寸 2.CMOS集成电路特点 3.MOS开关、CMOS传输门特性

微电子概论思考题及答案

第一章: 1.第一只晶体管发明是在哪个国家?哪个实验室?发明人是谁? 美国Bell实验室肖克莱巴丁布拉顿 2.第一片IC发明是在哪个国家?哪个公司?发明人是谁? 美国TI公司Kibly 基尔比 3.按规模分类IC有几种?简要说明每种类型的集成度? 六种SSI:<102,MSI:102~103, LSI :103~104, VLSI:104~107, ULSI:107~109, GSI:>109 4.按功能分类IC有几种?简要说明每种类型的特征? 三种 1.数字集成电路:它是指处理数字信号的集成电路。 2.模拟集成电路:它是指处理模拟信号的集成电路。 3.数模混合集成电路:既包含数字电路,又包含模拟电路的新型电路称为数模混合集成电路。 5.按器件结构分类IC有几种?简要说明每种类型的特征? 1.双极集成电路:这种电路采用的有源器件是双极晶体管,双极晶体管是由于它的工作机制依赖于电子和空穴两种类型的载流子而得名。 2.金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路:这种电路中所用的晶体管为MOS晶体管,MOS晶体管是由金属-氧化物-半导体结构组成的场效应晶体管,它主要靠半导体表面电场感应产生的导电沟道工作。 3.双极-MOS(BiMOS)集成电路:同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路。BiMOS集成电路综合了双极和MOS器件两者的优点,但这种电路具有制作工艺复杂的缺点。

6.简单叙述微电子学对人类社会的作用。 微电子学是信息领域的重要基础学科,在信息领域中,微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学,是研究信息载体的科学,构成了信息科学的基石。微电子学是一门综合性很强的边缘学科,包含了很多领域。信息技术发展只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。微电子学的渗透性极强,它可以与其他学科结合而生出一系列新的交叉学科。 第二章: 1.什么是半导体?半导体的主要特点有哪些? 指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 在纯净的半导体材料中,电导率随温度的上升而指数增加;半导体中杂质种类和数量决定着半导体的电导率,而且在重掺杂情况下,温度对电导率的影响较弱;在半导体中可以实现非均匀掺杂;光的辐照、高能电子等的注入可以影响半导体的电导率。 2.试对比说明金属与半导体的主要区别。 一般半导体和金属的区别在于半导体中存在着禁带而金属中不存在禁带 3.试从欧姆定律和半导体电阻定义出发证明欧姆定律的微分形式为:j=σE 因为R=U/I且R=ρL/S可以推知I/S=U/ρL,所以j=I/S=U/ ρL=σE 4.用半导体迁移率和欧姆定律的微分形式证明:σ=nq 因为j=nqv,设v=μE ,把v=μE 代入j=nqv,与j=σE比较得到:σ= nqμ5.从微观机制解释晶格振动散射导致半导体迁移率随温度增加而下降的原因。温度升高时,对载流子的晶格散射也将增强,在低参杂浓度的半导体,迁移率随温度升高而大幅度下降的原因主要就是由晶格散射引起的。

微生物概论

名词解释 1、微生物工程:是微生物学与工程学有机结合的产物,是研究和发展微生物产业的有用产 品和有益活动的学科。微生物工程也称之为微生物发酵工程。P3 2、微生物:是存在于自然界的一群体积微小、结构简单、肉眼直接看不见、必须借助于光 学显微镜或电子显微镜放大数百倍、数千倍甚至数万倍才能看到的微小生物.P4 3、初级代谢和初级代谢产物:一般把具有明确的生理功能,对维持生命活动不可缺少的物 质代谢过程,成为初级代谢。相应的代谢产物称为初级代谢 产物,如氨基酸、核苷酸、糖、脂肪酸和维生素等。P96 4、次级代谢和次级代谢产物:把一些没有明确的生理功能,似乎并不是维持生命活动所必 须的物质的代谢过程称为次级代谢,相应的代谢产物称为次 级代谢产物。如某些色素、抗生素、毒素和生物碱等。P96 5、分解代谢物阻遏:可被组成酶快速利用的基质,阻遏了分解利用基质梅的合成。(笔记) 当培养基中同时存在两种碳源(氮源)时,能够被微生物优先利用的 碳源(氮源)会阻遏后利用的碳(氮)源有关酶的合成。P106 6、操纵子:指基因组DNA分子的一个片段,这个片段由编码酶蛋白的结构基因,用以操 纵结构基因表达的操纵基因,用以和RNA聚合酶结合的启动子和编码调节蛋 白的调节基因所组成。P106 7、末端产物的反馈抑制:是反馈调节的最重要方式,只要表现为代谢途径末端产物过量时 可反过来直接抑制该途径中第一个酶的活性,促使整个反应过程 减慢或停止,从而避免末端产物的过多积累。P108 8、同工酶:是指结构不同,而作用于同一底物,催化同一反应,并能分别受不同末端产物 反馈调节的酶。P108 9、能荷:即是指细胞中A TP、ADP和AMP系统中可为代谢反应提供能的高能磷酸键的量 度。P110 10、抗生素:是生物(包括微生物、植物、动物)在其生命活动中产生的或用其他方法获得 的一种能在地位浓度下选择性地抑制或影响他种生物生命的次级代谢产物或其 人工衍生物。P322 11、半合成抗生素:指用化学或生物化学方法,改变天然抗生素的化学结构,或引入特定的 功能基团获得具有各种优越性能的新抗生素或其衍生物的总称。P357 12、微生物的呼吸临界氧浓度:既不影响呼吸的最低氧浓度,即为C C。P400 问答题 1、请图示说明乳糖操纵子(诱导型)P106-107 大肠埃希氏菌的乳糖操纵子位于大肠 埃希氏菌染色体图谱的第8分处,长 约6.5kb,由1个启动子(p)、1个操 纵基因(o)和3个结构基因lacZ、lacY 和lacA所组成。位于启动子上有的调 节基因(lacI)也位于操纵子内。3个 结构基因分别编码β-半乳糖苷酶 (Z)、乳糖渗透酶(Y)和硫代半乳糖 苷转乙酰基酶(A)。由lacI所编码的

微电子概论

《微电子学概论》 1.晶体管是谁发明的? 肖克利、巴丁和布拉顿 2.集成电路的分类? ·按结构分: 单片集成电路: 它是指电路中所有的元器件都制作 在同一块半导体基片上的集成电路 在半导体集成电路中最常用的半导 体材料是硅,除此之外还有GaAs等混合集成电路: 厚膜集成电路 薄膜集成电路 ·按功能分: 数字集成电路(Digital IC):它是指处理数 字信号的集成电路,即采用二进制方式 进行数字计算和逻辑函数运算的一类集 成电路 模拟集成电路(Analog IC):它是指处理模 拟信号(连续变化的信号)的集成电路 线性集成电路:又叫做放大集成电路,

如运算放大器、电压比较器、跟随器等 非线性集成电路:如振荡器、定时器等电路 数模混合集成电路(Digital - Analog IC) :例如数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等 · ??????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路BiCMOS BiMOS 型BiMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路

3.微电子的特点? ↗微电子学以实现电路和系统的集成为 目的,故实用性极强。 ↗微电子学中的空间尺度通常是以微米 (μm, 1μm=10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 ↗微电子学是一门综合性很强的边缘学 科 ↗微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性 是微电子学发展的方向 ↗微电子学的渗透性极强,它可以是与其 他学科结合而诞生出一系列新的交叉学 科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片 等 4.什么是半导体集成电路? 集成电路就是将电路中的有源元件,无源元件以及他们之间的互连引线等一起制作在半导体的衬底上,形成一块独立的不可分的整体电路。集成电路的各个引出端就是该电路的输入,输出,电源和地线等的接线端。

微电子学概论复习题

一、填空题: 1、半导体的硅单晶属于结构。通常IC所用的硅片是沿硅单晶的面 切割的。金刚石,(100) 2. 一种半导体材料如果没有掺杂任何杂质,这种材料称为半导体。半导体中 的载流子包括和。P型Si半导体中多数载流子为,少数载流子为。 3. P-N结二极管的击穿现象可以按照击穿机理分为击穿、隧道击穿。 4. 双极型模拟集成电路中的有源器件指的是晶体管和晶体管。双极 晶体管输出特性曲线的三个工作区为:、、。 5. CMOS集成电路指的是把和制作在同一块芯片上。 6. 集成电路制造工艺按照制造有源器件不同可分为工艺和工 艺。 7. SOC的中文简称为。 8.光电子器件是和半导体中的相互转换的半导体器件。光子、电子 二、判断题: 1. 微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。(×) 2. 微电子技术的核心是集成电路,中央处理器是集成电路的标志性产品之一。 (√) 3. 双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。(×) 4. EDA是计算机辅助测试的英文简称。(×) 5. 在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。 (√) 6. 双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。(×) 7. VHDL语言是Verilog HDL语言的缩写。(×)

8. 常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。(√) 9. SOC指的是系统芯片。(√) 10. 微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。(×) 11、常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设计方法等。对于性能要求很高或批量很大的产品,如存储器、微处理器等,一般采用可编程逻辑电路设计方法;(×) 12、从电路原理受控源的角度本质上看,工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源;( √ ) 13、标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小; (×) 14、对于一个PN结,如果反偏电压降低,耗尽区宽度将减小;(√) 15、半导体激光器的工作原理是受激发射; (√) 16、同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小;(×) 17、对于处于饱和区的MOS晶体管,漏源电流随其宽长比的增大而增大;(√) 18、CMOS电路与双极集成电路相比速度快;(×) 19、对于发光二极管,其内量子效率比外量子效率小;(×) 20、如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶(×) 1. × 2. √ 3. × 4. × 5. √ 6. × 7. ×8.√9. √10. × 11-20:×;√;×;√;√;×;√;×;×;×; 三、问答题: 1、摩尔定律; 2、LVS; 3、SOC; 4、MEMS; 1、简述离子注入工艺的特点; 2、简述数字集成电路的设计流程; 3、简述基于学科交叉的微电子技术的发展方向; 4、简述电路模拟在集成电路设计中所起的作用 5、简述SOC设计与一般集成电路设计相比的特点

微电子概论复习-hsq-纯手打,勿外传(1)

填空题 1、目前集成电路的最主要材料是硅、锗硅、砷化镓、碳化硅、(磷化铟)。 2、模拟集成电路一般可以分为线性电路和非线性集成电路。 3、集成电路的集成度、集成电路的功耗延迟积、特征尺寸是描述集成电路性能的主要方面。 4、根据集成电路中有源器件的机构类型和工艺技术可以将集成电路分为三类,它们分别为 双极集成电路、金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路和双极-MOS混合型即BiMOS集成电路。 5、光电子器件是光子和电子共同起作用的半导体器件,主要包括三大类:1)将电能转 换成光能的半导体电致发光器件;2)以电学方法检测光信号的光电探测器;3)利用半导体内光电效应将光能转换为电能的太阳能电池。 6、可测性设计是指在尽可能少地增加附加引线脚和附加电路,并使芯片性能损失最小的情 况下,满足电路可控制性和可观察性的要求。 7、集成电路设计的最终输出是掩模版图,通过制版和工艺流片可以得到所需的集成电路。 8、数字集成电路设计的基本过程功能设计、逻辑和电路设计、版图设计。 9、太阳能电池的工作机理是光生伏特效应,即吸收光辐射而产生电动势。 10、目前集成电路设计中常用的几种主要设计方法包括全定制设计方法、定制设计方法、 半定制设计方法、可编程逻辑电路设计方法(包括可编程逻辑器件和现场可编程门阵列方法)。 名词解释 1、Wafer 晶元。是生产集成电路所用的载体,多指从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱上切下的圆形薄片。 2、IC 集成电路。英文integrated circuit的缩写。同时也是半导体元件产品的统称,包括集成电路板、二极管、三极管、特殊电子元件等。 3、Moore Law 摩尔定律。由Intel公司的创始人之一-高登·摩尔(Gordon E·Moore)在1965年提出的集成电路产业发展规律预言:集成电路的集成度每3年增长4倍,特征尺寸每3年缩小 倍。自该定律发表以来,集成电路产业基本上是按照其预言的速度持续发展的。 4、全定制方法 全定制方法是指:在电路设计中进行电路结构、电路参数的人工优化;完成电路设计后,人工设计版图中的各个器件和连线,以获得最佳性能(速度和功耗)和最小芯片尺寸。 (一般用于通用数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。这种设计技术是一种以人工设计为主的设计方法,易出错,需要版图编辑工具辅助设计和完善的EDA工具进行设计检查和验证。同时其有周期长,成本高的特点,一般适用对性能要求很高或批量很大的产品) 5、CMOS 互补金属氧化物半导体。英文Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写。是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应

微电子学概论复习题及答案(详细版)..

期末考试神奇复习资料 第一章 绪论 1.画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 2.集成电路分类情况如何? ?????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS 双极型单片集成电路按结构分类集成电路 3.微电子学的特点是什么? 微电子学:电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。 微电子学中的空间尺度通常是以微米(m, 1m =10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号

处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强,它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科,例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 4.列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用。 集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 5.用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。 集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 6.简单叙述微电子学对人类社会的作用。 可以毫不夸张地说,没有微电子技术的进步,就不可能有今天信息技术的蓬勃发展,微电子已经成为整个信息社会发展的基石。随着微电子的发展,器件的特征尺寸越来越小第二章半导体物理和器件物理基础 1.什么是半导体?特点、常用半导体材料 什么是半导体? 金属:电导率106~104(W?cm-1),不含禁带; 半导体:电导率104~10-10(W?cm-1),含禁带; 绝缘体:电导率<10-10(W?cm-1),禁带较宽; 半导体的特点: (1)电导率随温度上升而指数上升; (2)杂质的种类和数量决定其电导率; (3)可以实现非均匀掺杂; (4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率; 硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。 硅(原子序数14)的物理化学性质主要由最外层四个电子(称为价电子)决定。每个硅原子近邻有四个硅原子,每两个相邻原子之间有一对电子,它们与两个原子核都有吸引作用,称为共价键。 化合物半导体:III族元素和V族构成的III-V族化合物,如,GaAs(砷化镓),InSb(锑化铟),GaP(磷化镓),InP(磷化铟)等,广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。2.掺杂、施主/受主、P型/N型半导体(课件) 掺杂:电子摆脱共价键所需的能量,在一般情况下,是靠晶体内部原子本身的热运动提供的。常温下,硅里面由于热运动激发价健上电子而产生的电子和空穴很少,它们对硅的导电性的影响是十分微小的。室温下半导体的导电性主要由掺入半导体中的微量的杂质(简称掺杂)来决定,这是半导体能够制造各种器件的重要原因。 施主:Donor,掺入半导体的杂质原子向半导体中 提供导电的电子,并成为带正电的离子。如 Si中掺的P 和As(最外层有5个价电子) 受主:Acceptor,掺入半导体的杂质原子向半导体中

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